RF マニュアル第18 版 ハイパフォーマンスRF 製品用のアプリケーション および設計マニュアル 2014 年 6 月 RF パフォーマンスの新しいレベルを解き放つ NXP では、RF のイノベーションに全力で取り組んでいます。クラス最高のテクノロジーに対する取 り組みとは、お客様を RF の次のステップにお連れできるようなスマートなソリューションを開発す るために、常に前進し続けることに他なりません。 50 年にわたり築き上げてきた RF リーダーシップを基に、NXP が提供するあらゆるソリューション は、より高効率かつ省スペースで、市場投入までの時間をより迅速に行えるよう皆様にお約束しま す。さらに、NXP では、長期にわたり皆様のパートナーとなれるよう、専用の生産力を持つサプライ ヤインフラストラクチャを確立しました。 テクノロジーのリーダーシップ より高性能なパフォーマンス(SiGe:C, GaN, LDMOS)のために最先端のプロセス テクノロジーを活用し、また、リードレス WL-CSP パッケージにより、さらに小型でよ り高効率な設計を実現します。RF パワー、RF 小信号、および RF トランシーバ向け のオプションとして、優れたポートフォリオとともに、実績のある RF ソリューション を提供します。 総合的なサポート NXP は、数十年にわたり RF リーダーシップおよび専門知識を築き上げてきまし た。弊社の献身的なアプリケーションの専門家を信頼していただければ、彼らは設 計の困難を解決するお力になるでしょう。そして皆様の明確な競争上の強みを実現 できます。 50 年にわたる RF イノベーション `` 1960 年代、初の RF 広帯域トランジスタを導入 `` 35 年以上にわたりテクノロジーのリーダーとして評価 `` 衛星 LNB 向けに初の完全統合型シリコンベースの MMIC および IC `` 2004 年以来、クラス最高の LDMOS テクノロジー 主要サプライヤから業界リーダーへ `` 2013 年、スマートフォン 10 台中 4 台に NXP GPS LNA 導入 `` DTV/STB/CMTS 向け RF シリコンチューナーのトップサプライヤ `` RF 広帯域トランジスタではナンバー 2 `` 業界最高レベルの RF パワーテクノロジーおよびアプリケーションソリューション 4 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 最新情報 RF マニュアル第 18 版では、スモールセル基地局、ブロードバンド TV 信号向け光ミニノードおよびミディノードシステム、ケーブルモ デム、モバイルヘルス・フィットネス向け GPS、L2・L5 バンド向け GPS、RF エネルギー、1600 Mhz までの ISM を含む、いくつかの重 要なアプリケーションに重点を置いています。 この版では、テレビ・衛星システム向け広帯域アンプ、Docsis3.0 用 アップストリーム VGA、VSAT ダウンコンバータなどの新製品が追加 されています。また、第 8 世代 LDMOS トランジスタ(Gen8)、 GPS LNA、ワイヤレスインフラストラクチャ LNA、衛星ダウンコン バータ、CATV パワーダブラー、オーバーモールドプラスチック (OMP)RF パワートランジスタ、GaN パワーアンプ、低消費電力無 線マイクロコントローラなど各カテゴリーにおける次世代デバイス や高度な製品も新しくなっています。 RF マニュアルの使用方法 本書は、RF ポートフォリオの検索を可能にするリソースです。情報に アプローチする数種類の方法: 更なる設計サポート 設計サポートに関するセクションを拡大し、最新ツール、ドキュメン ト、資料、リンクをご用意しました。デザインインがより容易になり ました。さらに、技術者同士が集う、現在成長中の RF 小信号設計 向け オンライン RF コミュニティのリンクが設置され、他の開発者 たちとのコラボレーション、テクニカルサポートの取得、アイデアの 共有が可能になりました。 www.nxp.com/RFcommunity 第 5 章では、他のメーカーの NXP の同等製品を容易に見つけられ るよう、競合他社のデバイスのリストが英数字順で記載されていま す。 第 1 章 – アプリケーション別製品から探す 第 1 章では、特定のアプリケーションに関するトレンドや要件に ついて触れ、ターゲットシステム向け推奨製品がリストされていま す。 第 6 章 – 出荷形式から探す 第 6 章では、それぞれのパッケージ形式に梱包される数量ととも に、NXP の RF 製品の出荷方法について説明しています。 第 2 章 – NXP テクノロジーから探す 第 2 章では、NXP が RF のリーダーとしての地位を確立する特別な プロセスおよびパッケージテクノロジーについて説明しています。 第 8 章 – オンラインリソースから探す 第 8 章では、質問に関する回答、製品詳細、また注文ページなどの ウェブリンクがリストアップされています。 第 3 章 – 製品カテゴリーから探す 第 3 章では、簡単に比較できるよう、詳細仕様を記載した機能別 製品がリストアップされています。 第 9 章 – NXP 型番から探す 第 9 章では、本マニュアルには全 NXP 製品をカバーするリストが、 英数字順で記載されているため、特定の製品に関する詳細を すぐに見つけられます。 第 4 章 – 設計リソースから探す 第 4 章では、NXP 製品を使用して設計を容易にするため、さらに市 場投入までの時間の短縮するための設計サポートのリソースがまと められています。 第 5 章 – 競合他社タイプ製品番号から探す 第 7 章 – マニュアルに記載されているすべての省略表記がリストア ップされています。 RF マニュアルウェブページ www.nxp.com/rfmanual NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 5 目次 1 アプリケーション別製品 9 1.1 ワイヤレス通信インフラストラクチャ ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 9 1.1.1 基地局(全セルラー通信規格および周波数) ______________________________________________________________________________________________________________________________________________ 9 1.1.2 リピーター__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 12 1.1.3 スモールセル______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 13 1.2 ブロードバンド通信インフラストラクチャ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________15 1.2.1 光ミニノードおよびミディノードのラインアップ____________________________________________________________________________________________________________________________________________ 16 1.2.2 中国SARFT規格向けマルチ出力ポート搭載CATV 光ノード_________________________________________________________________________________________________________________________ 17 1.2.3 1 GHzネットワーク向けマルチ出力ポート搭載CATV 光ノード_____________________________________________________________________________________________________________________18 1.2.4 CATV電気信号(ラインエクステンダ)________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 19 1.3 テレビおよび衛星__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 20 1.3.1 テレビ受信用ネットワークインターフェースモジュール(NIM)____________________________________________________________________________________________________________________ 20 1.3.2 DOCSIS 3.0準拠ケーブルモデム_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________21 1.3.3 衛星屋外装置、ディスクリート構成のツイン LNB(低雑音ブロックコンバータ)__________________________________________________________________________________________ 22 1.3.4 衛星屋外装置、ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合構成のツイン LNB(低雑音ブロックコンバータ)______________________________________________ 23 1.3.5 衛星マルチスイッチボックス - 4 x 4(最大 16 x 16)/DiSEqC/SMATV______________________________________________________________________________________________________24 1.3.6 ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合構成VSAT_______________________________________________________________________________________________________________________________ 25 1.4 ブロードキャスト___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 27 1.5 ワイヤレス接続______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 29 1.5.1 スマートフォンおよびタブレット向け GPS:高い線形性_______________________________________________________________________________________________________________________________ 29 1.5.2 GPS L2およびL5バンド______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________31 1.5.3 モバイルヘルス・フィットネス:低電流__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________32 1.5.4 LTE LNA___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 33 1.5.5 WLAN: アクセスポイントおよびルーター、固定家庭用電化製品_________________________________________________________________________________________________________________ 34 1.5.6 FM ラジオ__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 35 1.5.7 汎用 RF フロントエンド______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 36 1.6 自動車 ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 38 1.6.1 SDARSおよびHDラジオ_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 38 1.6.2 リモートキーレスエントリ、送受信専用アンテナ付きRF汎用フロントエンド_________________________________________________________________________________________________39 1.6.3 タイヤ空気圧監視システム_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 40 1.6.4 カーラジオ受信機 (CREST IC: TEF6862HL)______________________________________________________________________________________________________________________________________________ 41 1.7 産業・科学・医療(ISM)および RF エネルギー_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 42 1.7.1 ワイヤレスマイクロコントローラ IEEE802.15.4/ZigBee______________________________________________________________________________________________________________________________42 1.7.2 最大 ISM 1600 MHz 向け RF パワー_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 44 1.7.3 ISM 2.45GHz 帯向け RF パワー_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 45 1.8 航空宇宙および防衛_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________47 1.8.1 Lバンド・Sバンドレーダーおよびアビオニクスアプリケーション向けマイクロ波製品_____________________________________________________________________________________47 2 テクノロジー 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 51 SiGe:C のトップメーカーをお探しですか? NXP で決まりです!______________________________________________________________________________________________________________________________51 あらゆる RF パワーアプリケーションを駆動するクラス最高の LDMOS___________________________________________________________________________________________________________________ 53 窒化ガリウム(GaN): NXP が GaN を主流にすることで明確な優位性を獲得____________________________________________________________________________________________________________ 54 ハイパフォーマンス、小型パッケージ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 55 RF パワートランジスタパッケージ__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 56 3 機能別製品 59 3.1 新製品____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________59 3.2 RF ダイオード________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 62 3.2.1 バリキャップダイオード______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 62 3.2.2 PIN ダイオード___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 63 3.2.3 バンドスイッチダイオード___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 65 3.2.4 ショットキーダイオード______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 65 3.3 RFバイポーラトランジスタ ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 66 3.3.1 広帯域トランジスタ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 66 3.4 RF IC ___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________70 3.4.1 RF MMIC アンプおよびミキサー__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________70 3.4.2 ワイヤレスインフラストラクチャ IC______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 74 3.4.3 衛星 LNB RF IC___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________75 3.4.4 VSAT LNB RF IC________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________75 3.4.5 VSATおよび汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズLOジェネレータ_________________________________________________________________________________________________75 3.5 RF MOSトランジスタ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________76 3.5.1 JFET_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 76 3.5.2 MOSFET_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________77 6 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3.6 RFモジュール_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________78 3.6.1 CATVプッシュプル_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________78 3.6.2 CATVプッシュプル 1GHz____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________78 3.6.3 CATVパワーダブラー__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________79 3.6.4 CATV光レシーバ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________79 3.6.5 CATVリバースハイブリッド_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________79 3.7 RFパワートランジスタ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 80 3.7.1 基地局向けRFパワートランジスタ_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 80 3.7.1.1 0.4 - 1.0 GHz トランジスタ_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 80 3.7.1.2 1.3 - 1.7 GHz トランジスタ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________81 3.7.1.3 1.8 - 2.0 GHz トランジスタ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________81 3.7.1.4 2.0 - 2.2 GHz トランジスタ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________81 3.7.1.5 2.3 - 2.4 GHz トランジスタ_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 82 3.7.1.6 2.5 - 2.7 GHz トランジスタ_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 82 3.7.1.7 3.5 - 3.8 GHz トランジスタ_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 82 3.7.1.8 パワーLDMOSドハティ設計________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 83 3.7.1.9 シングルパッケージ非対称型ドハティ(PAD)パワートランジスタ_________________________________________________________________________________________________ 85 3.7.1.10 OMPパワートランジスタ_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 86 3.7.1.11 MMICパワートランジスタ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 86 3.7.1.12 スモールセルパワートランジスタ________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 86 3.7.1.13 高電圧パワートランジスタ___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________87 3.7.2 放送/ISMアプリケーション向けRFパワートランジスタ_________________________________________________________________________________________________________________________________87 3.7.2.1 1-500 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS トランジスタ_____________________________________________________________________________________________________________87 3.7.2.2 UHF 470 ~ 860MHz LDMOSラインアップ__________________________________________________________________________________________________________________________________87 3.7.2.3 2.45GHz ISM LDMOSラインアップ_____________________________________________________________________________________________________________________________________________87 3.7.2.4 1-1600 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS トランジスタ__________________________________________________________________________________________________________ 88 3.7.3 航空宇宙・防衛向けRFパワートランジスタ__________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 88 3.7.3.1 アビオニクス LDMOSトランジスタ_____________________________________________________________________________________________________________________________________________ 88 3.7.3.2 LバンドLDMOSトランジスタ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 89 3.7.3.3 SバンドLDMOSトランジスタ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 89 3.7.4 窒化ガリウム(GaN)RFパワーアンプ__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 89 3.8 ワイヤレスマイクロコントローラチップセットおよびモジュール_______________________________________________________________________________________________________________________________ 90 4 設計サポート 93 4.1 NXP の RF ポートフォリオ情報______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 93 4.2 NXP.com の製品セレクション_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 93 4.3 製品評価 ______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 93 4.4 RF パワー寿命計算機_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________94 4.5 RF 小信号コミュニティ___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________94 4.6 追加設計サポート__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________94 4.7 アプリケーションノート___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________94 4.8 シミュレーションモデル_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 97 4.8.1 RFパワーデバイス向けシミュレーションモデル____________________________________________________________________________________________________________________________________________97 4.8.2 RFバイポーラ広帯域トランジスタ向けシミュレーションモデル___________________________________________________________________________________________________________________102 4.8.3 RF MOSFETトランジスタ向けシミュレーションモデル_______________________________________________________________________________________________________________________________104 4.8.4 RF MMICアンプ向けシミュレーションモデル_____________________________________________________________________________________________________________________________________________105 4.8.5 RFバリキャップダイオード向けシミュレーションモデル______________________________________________________________________________________________________________________________106 5 クロスレファレンスおよび代替製品_________________________________________________________107 5.1 クロスレファレンス:他社製品品番に対応するNXP製品品番__________________________________________________________________________________________________________________________________107 5.2 クロスレファレンス:NXP生産終了製品品番に対応するNXP代替製品品番_____________________________________________________________________________________________________________ 115 6 梱包とパッケージ情報____________________________________________________________________ 117 6.1 パッケージあたりの梱包数量と関連注文コード_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 117 6.2 マーキングコード__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 121 7 省略表記 ______________________________________________________________________________123 8 お問い合わせ先およびウェブリンク_________________________________________________________124 9 製品索引 ______________________________________________________________________________125 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 7 RELEASE THE POSSIBILITIES RF パフォーマンス強化 NXP は、よりスマートな世界のために新しいパフォーマンスレベルを 達成するクラス最高の RF ソリューションを提供するために取り組んで います。 8 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 1. アプリケーション別製品 1.1 ワイヤレス通信インフラストラクチャ 基地局(全セルラー通信規格および周波数) 基地局向け RF パワートランジスタ NXP は W-CDMA および LTE 市場をリードする、セルラーインフラストラクチャ向け LDMOS トランジスタのサプライヤで、急成長を遂 げています。 NXP は比類のない性能とクラス最高のアプリケーションサポート、および継続的な革新をお届けすることをお約束します。 NXP の設計および製造技術は、業界最高レベルの PA 製造歩留まりを確約します。 第 8 世代 LDMOSRF トランジスタはあらゆるセル ラー周波数帯に最高のソリューションを提供します。 現今の産業がコスト削減に重点を置いていることを踏まえ、NXP は高性能と低コス トを組み合わせた OMP と MMIC 製品シリーズでその製品群を補完しています。 New: シングルパッケージ非対称型ドハティ(PAD)トランジスタおよび MMIC PAD デバイスは最高の効率、最小のフットプリント、最高の費用対効果を実現、P1dB で 460 W までの出力レベルを実現します。これらの 製品は DPD(デジタル歪補償)対応で、ビデオ帯域幅において卓越しています。幅広い製品群は 1800 ~ 2700 MHz の周波数帯と、 2 ~ 80 W の平均出力レベルを網羅しています。ディスクリートシングルステージトランジスタおよび非対称型 MMIC は、ピコセルからマク ロセルまで、ほぼあらゆるアプリケーションに適しています。 送信ラインアップと受信チェーン向け RF コンポーネント RF テクノロジーとコンポーネント設計のグローバルリーダーとして、NXP Semiconductors は低出力から高出力までの信号変換を含む。 幅広い RF 製品を用意しており、優れた性能、設計と開発プロセスの簡素化を実現するお手伝いをします。 NXP のソリューションはディス クリートおよびアンプ(LNA、VGA、MPA)からミキサー/オシレータ間で幅広く展開しています。 Tx、Rx および Tx フィードバック機能を示す基地局のアプリケーション図 DPD CFR DUC DDC Power Amplifier DVGA RF-BP PLL VCO Dual DAC 0 HPA Transmitter Q IF-SAW JEDEC IF MPA 90 DVGA Mixer+LO Tower Mounted Amplifier Tx Att. ADC LO Duplexer Digital Front End (JEDEC) Interface OBSAI / CPRI Digital Baseband JEDEC Interface IQ-Modulator I JEDEC Interface RF-SAW Tx 機能は上部、Rx は下部、Tx フィードバックは中間部にあり ます。 Dual ADC BP or LP Clock Generator Jitter Cleaner Dual DVGA IF-SAW Dual Mixer RF Small Signal PLL VCO LNA +VGA Rx LNA TX / RX1 µC RX2 Filter Unit LNA+VGA RF Power 製品ハイライト: LDMOS 2段電力 MMIC BLM7G22S-60PBG MMIC は、 マクロ基地局パワーアンプのドライバステージ(通常クラス AB) と、スモールセルの最終ステージ(通常ドハティ構成)の 2 つの主要なアプ リケーションがあります。 ドハティアプリケーションには、バックオフでの 効率を高める非対称型 MMIC がより理想的です。 ドライバには、線形性に 優れた対称型 MMIC がより適しています。 多様なバリアントを迅速にサン プリングできる柔軟なアーキテクチャによって、NXP はどちらの構成も提 供することができます。 BLM7G22S-60PBG はデュアルパス 2 ステージパワー MMIC です。 この デバイスは、周波数範囲 2100 ~ 2200 MHz の汎用ドライバとして最適で す。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 9 アプリケー ション別製品 1.1.1 推奨製品 Function Product Driver Driver/final HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Type 700 700 700 700 3400 700 2300 3400 3400 720 720 720 820 920 925 1805 1805 1427 1805 1805 1805 1805 2000 2000 2110 2110 2110 2300 2300 2300 2300 2300 2300 2500 2500 2500 2500 2200 2200 2700 2700 3600 1000 2700 3800 3800 960 960 960 960 960 960 2025 2170 2170 2025 1990 1990 1990 2200 2200 2170 2170 2170 2700 2700 2400 2400 2400 2400 2700 2700 2700 2700 5 10 5 10 10 45 40 25 50 140 160 300 270 140 160 80 60 90 160 170 200 310 140 160 220 270 310 60 75 100 240 160 200 100 100 100 140 BLP7G22-05 BLP7G22-10 BLP8G27-05* BLP8G27-10* BLF6G38-10(G) BLP8G10S-45P(G) BLF6G27L(S)-40P BLF6G38(LS)-25 BLF6G38(LS)-50 BLP7G07S-140P BLF6H10L(S)-160 BLF8G10LS-300P BLF8G10LS-270W BLP7G09S-140P(G)* BLF8G10LS-160V BLP8G20LS-80P* BLC8G20LS-60AV* BLF7G20L(S)-90P BLP8G21S-160PV BLF8G19LS-170BV BLF8G20LS-200V BLC8G20LS-310AV* BLF8G22LS-140 BLF8G22LS-160BV BLF8G22LS-220 BLF8G22LS-270 BLC8G22LS-360AV* BLC8G27LS-60AV* BLF7G27L(S)-90P BLF7G24L(S)-100 BLF8G24LS-240AV BLF7G24L(S)-160P BLF8G24L(S)-200PN BLF8G27LS-100 BLF8G27LS-100V BLF8G27LS-100P BLF8G27LS-140 Function Product Final HPA Integrated Doherty MMIC (1) fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Type 2600 2500 2500 2300 3400 3400 2010 2110 720 1800 1800 1800 1800 2000 2200 2700 2700 2700 2400 3800 3600 2025 2170 960 2200 2200 2200 2200 2200 2400 140 140 160 245 75 100 50 (1) 50 (1) 30 40 40 40 40 60 30 BLF8G27LS-140V BLC8G27LS-140AV* BLC8G27LS-160AV BLF8G27LS-245AV BLF8G38LS-75V BLF6G38(LS)-100 BLD6G21L(S)-50 BLD6G22L(S)-50 BLM8G0710S-30PB(G)* BLM8G1822S-40PB(G) BLM8G1822S-40AB(G)* BLM8G1822S-60PB(G)* BLM8G1822S-80AB(G)* BLM7G22S-60PB(G) BLM7G24S-30B P3dB * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認く ださい。 全製品のセレクションは、セクション 3.7.1 をご覧ください。 最先端ワイヤレスインフラストラクチャ向けドハティアンプテクノロジー 現在可能な限り最高の効率を達成するために、NXP はその LDMOS テクノロジーの最新世代をドハティの概念と結合しています。 世界 初の完全統合型ドハティトランジスタだけでなく、高効率・高出力ディスクリート 2 ウェイおよび 3 ウェイドハティアンプのリファレンス設 計も提供します。 この世界初の完全統合型ドハティトランジスタは、通常のクラス AB トランジスタのように見えますが、スプリッタ、メインデバイスとピーク デバイス、遅延ライン、コンバイナが 1 つのパッケージ内に統合されています。 通常のクラス AB トランジスタと同様、設計の容易さに加 え、スペースとコストも大幅に節約できます。 スモールセル基地局やアンテナアレイなどのスペースが限られるアプリケーションに理想的 です。 製品ハイライト: 3 ウェイドハティ BLF8G22LS-160BV 3 個の BLF8G22LS-160BV デバイスをベースとした 3 ウェイドハティ設計は、W-CDMA 信号 2 波で 49 dBm(80 W)の平均出力と 15.0 dB の利得で 48% の効率を達成します。供給電圧 28 V でのピーク出力(P3dB)が 57 dBm(500 W)です。この設計はバンド 1(2.11~2.17 GHz)運用向けの W-CDMA 規格をカバーでき、非常に高いピーク出力と微調整なしの高収率大量生産向けに作られていま す。さらにビデオ帯域幅と自動バイアス機能が強化されています。 10 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Function Discrete attenuator Product RF diode Function PIN diode Product RF transistor SiGe:C transistor Package SOT753 SOT753 Various* Type BAP64Q BAP70Q BAP64 Package Type BFU725F/N1 BFU690F BFU730F BFU760F BFU790F BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU8051 BGU8052 BGU8053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 BGU7073 SOT343F LNA SOT650 MMIC SiGe:C MMIC SOT1327 LNA + bypass + VGA MMIC SiGe:C MMIC SOT1301 アプリケー ション別製品 推奨製品 BGU7075 Function Product Single VGA MMIC Function Product Gain range 30 dB 18.5 dB Gain range 24 dB Dual VGA MMIC Function Product PL (1dB) @ 940 MHz MMIC 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm MPA Function Product Dual mixer MMIC Function Product IQ modulator MMIC 28 dB Frequency 0.7 - 1.2 GHz 1.7 - 2.7 GHz Output power 0 dBm 4 dBm Package SOT617 Package SOT617 Package SOT89 SOT908 Package SOT1092 Package SOT616 Type BGA7210 BGA7204 Type BGA7350 BGA7351 Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 Type BGX7220 BGX7221 Type BGX7100 BGX7101 * SOD523、SOD323、SOT23、および SOT323 全製品のセレクションは、セクション 3.2.2、3.4.1、および 3.4.2 をご覧ください。 製品ハイライト: NF が最低レベルの BGU706x 統合型マルチステージ基地局 LNA 製品ハイライト: 超低ノイズ BGU805X 基地局 LNA バイパス LNA、アナログ VGA、2 つ目の LNA を 1 つの設計に統合するこ とで、これら SiGe:C BiCMOS LNA はシリコンにおける受信チェーンに 0.9 dB という業界最低レベルの雑音指数を実現すると同時に、コンポーネ ント数を最大 80% 削減します。さらに、アナログ利得制御最大35 dB、 10~15 dBm の RF 入力パワーオーバードライブと高い線形性 で、スモー ルセルのサイズに非常に適しています。 BGU8051、BGU8052、および BGU8053 SiGe:C BiCMOS LNA は、900 から最大 5000 MHz 間での高性能通信システムをサポートするために設 計されています。悪電波条件でも感度を維持する鍵は、高い線形性(37 dB OIP3)、極めて低い雑音指数(例:0.4 dB)、および広帯域 S11<20 dB の作 動です。これらの超低雑音アンプは 2G/3G/4G のマクロおよびマイクロ基 地局のパフォーマンスを比類のないレベルに高めます。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 11 1.1.2 リピーター リピーターシステムで使用されるコンポーネントのアプリケーション図 Tx0 HPA Dual mixer PA mixer Dual DAC Dual ADC I-DAC LPF LPF VGA LPF VGA Dual mixer mixer LNA RF SAW LNA RF SAW LNA Rx0 ADC DDC/ DUC Filtering Tx1 PA Dual VGA LPF Rx1 Q-DAC ADC mixer mixer PLL VCO Clock Recovery jitter cleaner LO Signal 推奨製品 Function Product Driver Driver/final HPA Integrated Doherty Function Product MPA MMIC Function Product fmin (MHz) 700 2300 700 1450 1800 1800 2110 2500 3400 2010 2110 fmax (MHz) 2200 2700 1000 1550 2000 2200 2170 2700 3800 2025 2170 PL (1 dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm Package Gain range Package SOT89 24 dB Dual VGA MMIC 28 dB Type BGA7024 BGA7027 P1dB (W) 10 10 45 40 45 60 40 40 50 50 50 Function Product Dual mixer MMIC Function Product LNA SiGe:C MMIC Type BGA7350 SOT617 BGX7221 は、高性能で高い線形性を備えたダウンミキサー 2 個を組み 合わせており、たとえばメインとダイバーシティのパスなどと共に使用す る共通の局部発振器が実装された受信機で使用します。 このデバイスは 1700~2700 MHz の周波数帯をカバーし、優れた安定性を発揮します。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Package SOT1327 LNA + bypass + VGA 製品ハイライト: BGX7221 MMIC デュアルダウンミキサー Frequency range 1.7 - 2.7 GHz 0.7 - 1.2 GHz SOT650 BGA7351 BGA7352 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認くださ い。全製品のセレクションは、セクション 3.4.1、3.4.2、および 3.7.1 をご覧ください。 12 Package SOT1179 SOT975 SOT1223/4 SOT1135 SOT608 SOT1223/4 SOT1121 SOT1121 SOT502 SOT1130 SOT1130 特長 SiGe:C MMIC SOT1301 Type BLP7G22-10 BLF6G27-10(G) BLP8G10S-45P(G) BLF6G15L(S)-40RN BLF6G20(S)-45 BLP8G22S-60P(G)* BLF6G22L(S)-40P BLF6G27L(S)-40P BLF6G38(LS)-50 BLD6G21L(S)-50 BLD6G22L(S)-50 Package SOT1092 Type BGX7220 BGX7221 Type BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU8051 BGU8052 BGU8053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 BGU7073 BGU7075 `` 全バンドで 8.5 dB の変換利得 `` 13 dBmm 入力1dB コンプレッションポイント `` 25.5 dBmm 3 次入力インターセプトポイント `` 10 dB(代表値)小信号雑音指数 `` アクティブバイアス内蔵 `` +5 V 単電源動作 `` ハードウェア制御ピンにより各ミキサーをパワーダウン `` パワーダウンモードでの低いバイアス電流 `` 50Ω 整合シングルエンド RF および LO 入力インピーダンス `` 全ピンで ESD 保護 1.1.3 スモールセル アプリケー ション別製品 携帯電話でのデータ利用の急増と、新しいマクロ基地局に利用可能な場所の制限により、通信事業者は高速データと質の高いサービスを 提供する新たな方法を見つける必要性に迫られています。 オプションの一つは、ピコセル(1 ~ 2 W 平均)およびマイクロセル(5 ~ 20 W 平均)と呼ばれるスモールセルでマクロネットワークを補完することです。 NXP はパフォーマンス、統合性、またはコストを最適化した 複数の種類のソリューションをスモールセル PA 設計者向けに開発・提供しています。 典型スモールセルラインアップのアプリケーション図 TRANSMITTER IQ-MODULATOR POWER AMPLIFIER I DVGA OR VGA PLL VCO 0 RF-BP MPA HPA 90 Q IF-SAW MIXER + LO DVGA Att. DSP TOWER-MOUNTED AMPLIFIER Tx LO RECEIVER BP or LP DUPLEXER IF-SAW RF-SAW LNA + VGA LNA Rx BP or LP DUAL DVGA IF-SAW DUAL MIXER PLL VCO TX/RX1 μC FILTER UNIT LNA RX2 LNA + VGA RF-SAW aaa-007221 製品ハイライト: パワートランジスタ BLP7G22-10 BLP7G22-10 は、基地局アプリケーション向けの 10 W のプラスチック LDMOS パワートランジスタです。この超小型フットプリントの費用対効果 に優れた広帯域デバイスは、700~2700 MHz のあらゆる基地局周波数をカ バーします。12~30 V の電源範囲で作動します。 特長 `` 高効率 `` 優れた耐久性 `` ブロードバンド運用向けの設計 `` 優れた熱安定性 `` 高い出力利得 `` 内蔵 ESD 保護 `` 特定有害物質使用制限指令 (RoHS) 2002/95/EC に準拠 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 13 推奨製品 Function Product IQ modulator MMIC Function Product Single VGA MMIC Function Product MPA MMIC Function Output power 0 dBm 4 dBm Package Gain range 30 dB 18.5 dB Package PL (1 dB) @ 940 MHz 24 dBm 28 dBm Package SOT616 SOT617 SOT89 Type BGA7210 BGA7204 Type BGA7024 BGA7027 Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Package Type Final 1-2 W 700 700 2700 2700 SOT1179 SOT1179 BLP7G22-05 BLP7G22-10 Dual-stage final 1-2 W 1800 2200 SOT1212 BLM7G1822S-12 700 2300 3400 700 1800 2500 3400 2010 2110 1800 2000 1800 1800 2200 2700 3800 1000 2200 2700 3800 2025 2170 2200 2200 2200 2200 5 10 12@24V, 20@28V 10 10 10 45 60 60 50 50 50 40 60 50 80 SOT538 SOT975 SOT975 SOT1223/4 SOT1223/4 SOT1121 SOT502 SOT1130 SOT1130 SOT1211 SOT1212 SOT1212 SOT1212 BLF6G21-10(G) BLF6G27-10(G) BLF6G38-10(G) BLP8G10S-45P(G) BLP8G22S-60P(G)* BLF6G27L(S)-40P BLF6G38(LS)-50 BLD6G21L(S)-50 BLD6G22L(S)-50 BLM7G1822S-40PB(G)* BLM7G22S-60PB(G) BLM7G1822S-50AB(G)* BLM7G1822S-80AB(G)* Final 1-2 W HPA Final 5-12 W ID final 5-12 W Dual-stage final 5-12 W Dual-stage asymmetric final 5-12 W Function Product LNA SiGe:C MMIC Package SOT650 SOT1327 SiGe:C LNA + bypass + VGA Function Product Dual mixer MMIC Function Product Dual VGA MMIC Frequency range 1.7 - 2.7 GHz 0.7 - 1.2 GHz SOT1301 Package SOT1092 Gain range Package 24 dB SOT617 28 dB * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1、3.4.2、および 3.7.1 をご覧ください。 製品ハイライト: デジタル VGA BGA7204 および BGA7210 これらの 6 ビットデジタル VGA は、広帯域で外付けの整合なく高い線形 性(35 dBm @ 2.2-2.8 GHz)および高出力(23 dBm @ 2.2-2.8 GHz)を 提供します。 接続交差がないスマートルーティングにより設計が簡素化さ れ、フットプリントが 25%削減されます。 独自の省電力モードにより、TDD システムで電流消費を最大 45%まで効果的に削減できます。 BGA7210 は、減衰状態に基づき、柔軟に 2 つのアンプ間で電流を分配し、電流を節 約します。 14 Type BGX7100 BGX7101 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Type BGU7051 BGU7052 BGU7053 BGU8051 BGU8052 BGU8053 BGU7060 BGU7061 BGU7062 BGU7063 BGU7073 BGU7075 Type BGX7220 BGX7221 Type BGA7350 BGA7351 特長 `` 50 Ω に内部整合 - BGA7204 = 0.4 ~ 2.75 GHz - BGA7210 = 0.7 ~ 3.8 GHz `` 高い出力利得 - BGA7204 = 18.5 dB - BGA7210 = 30 dB `` 減衰幅 31.5 dB、0.5 dB ステップサイズ(6 ビット) `` 高速切り替え省電力モード(パワーダウンピン) `` シンプル制御インターフェース(SPI) `` 全ピンで ESD 保護(HBM 4 kV; CDM 2 kV) 1.2 ブロードバンド通信インフラストラクチャ 持続可能な CATV ネットワーク向け 1 GHz GaAs モジュールの高効率ラインアップ NXP の高利得パワーダブラー、CGD104xHi およびプッシュプル CGY104x は、1 GHz の「持続可能なネットワーク」のために設計され ています。 これらの高性能 GaAs デバイスは帯域幅を拡張し、より高いデータレートを実現します。 ネットワークキャパシティを向上 し、HDTV、VoIP、デジタル同時放送などのハイエンドのサービスに道を拓きます。 人と人をつなぎ、ネットワークを保護:中国の SARFT 規格向け NXP の CATV C ファミリー 中国のファイバ同軸ハイブリッド(HFC)インフラストラクチャ向けに特別設計された NXP の CATV C ファミリーは、ケーブルテレビネッ トワークにトータルソリューションをお届けします。中国の「全土ネットワーク化」プログラムの一環として、僻地との接続に充分な柔軟性 を提供すると同時に、主要都市におけるアナログからハイエンドデジタルサービスへのアップグレードに充分なパワフルさも備えています。 すべての C ファミリーのデバイスは、中国の国家ラジオ映画テレビ総局(SARFT)規格に準拠しており、550 MHz ~ 1 GHz までのほとん どの HFC アプリケーションをカバーしています。 Cファミリーアプリケーション情報 NXP C-family by application Application Optical node Optical receiver Distribution amplifier Line-extender amplifier Terminating amplifier BGY588C BGE788C • • CGY888C • • • BGD712C • • • • BGO807C BGO807CE CGD942C CGD944C CGD982LC CGD985LC CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi • • • • • • • • • • • • • • 全製品のセレクションは、セクション 3.6 をご覧ください。 製品ハイライト: バイアス内蔵 BGA302x MMIC 広帯域アンプ これらは、高線形 CATV 光ミニノードおよびミディノード向けの出力ステー ジとして、特別に設計された MPA です。これらのアンプは、周波数帯域 40 ~ 1200 MHz で作動し、リードフリーの HSO8 パッケージにて提供され ています。 特長 �内部バイアス �40 ~ 1200 MHz 間の利得平坦度 �IP3o/46 dBm および 75 dBm/IP2o の高い線形性 �高い利得出力 - 1dB 利得圧縮時出力 30 dBm �出入力インピーダンス 75 Ω �175 および 350 mA 間で Icc(合計)制御可能 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 15 アプリケー ション別製品 NXP は、CATV 製品の世界最大手サプライヤの 1 つであり、光受信器、パワーダブラー、プッシュプル、リバースアンプ、および CATV MMIC を提供しています。 光ミニノードおよびミディノードのラインアップ 1.2.1 NXP は、光ミニノードおよびミディノードのラインアップ向けの完全なシステムソリューションを提供しています。これらのシステムは、光 ネットワークからのブロードバンド TV 信号を取得し、家屋またはアパートビルにおける同軸分配ネットワークに向け、信号を増幅します。 TV および分配システム向け MMIC ブロードバンドアンプのアプリケーション図 LNA MATCHING CIRCUIT LNA LNA MPA AGC TRANSFORMER TRANSFORMER aaa-007197 NXP は、ファイバーツーアパートのアプリケーション向けの光ミニノードおよびミディノードのラインアップに対するすべてのコンポーネ ントを実現します: `` BGA301x 入力ステージは、全般的な雑音を低く抑える LNA です `` BGA302x MPA は、優れた総合的性能をともなう高出力パワーをもたらします `` BAP70Q PIN ダイオードは、調整可能な利得制御回路を可能にします 推奨製品 Function Product Frequency range MHz Gain (dB) NF (dB) Package Type LNA MMIC 40 - 1006 12 15 18 3.1 2.5 2.2 SOT89 BGA3012 BGA3015 BGA3018 Function Product Frequency range MHz Gain (dB) IP3 (dBm) IP2 (dBm) P1dB (dBm) Package Type MPA MMIC 40 -1200 18 46 75 30 SOT786-2 BGA3022 16 BGA3021 20 BGA3023 製品ハイライト: 超広帯域アンプ BGA301x BGA3012、BGA3015、BGA3018 は、12、15、18 dB の利得を 40 ~ 1006 MHz にわたり実現する、線形性能に優れた超広帯域アンプで す。 これらのアンプは 5 ~ 300 MHz のリターンパスアンプとして、また は 40 ~ 2600 MHz のテレビ・衛星システムの組み合わせでも使用できま す。 ローエンドの周波数帯で、これらのアンプは競合他社の GaAs デバイ スよりも雑音指数性能で 5 dB、入力電力定格で 20 dB 以上優れており、 同時に 16 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 2kV の優れた ESD 定格と、5 ~ 8V のより大きな電源電圧動作範囲を提供 します。 これらのアンプは、FFTH、ホームゲートウェイ、セットトップボック スなど、多様な広帯域テレビ分配システムアプリケーションに最適です。 中国 SARFT 規格向けマルチ出力ポート搭載 CATV 光ノード 1.2.2 中国 SARFT 規格向けマルチ出力ポート搭載 CATV 光ノードのアプリケーション図 PAD H L OUT port 1 H L OUT port 2 H L OUT port 3 H L OUT port 4 アプリケー ション別製品 Power doubler Power doubler PAD Push-pull EQ PAD Forward path receiver (N + 1) Power doubler PAD RF switch Power doubler PAD Forward path reciever bra822 推奨製品 Function RF forward receiver Product Forward path receiver Frequency Function Product Frequency RF preamplifier Push-pulls 870 MHz Function Product Frequency 870 MHz 870 MHz RF power amplifier Power doublers RF power amplifier Low-current power doubler 1003 MHz Package SOT115 SOT115 Type BGO807C BGO807CE Gain (dB) 18 - 19 21 - 22 34.5 - 36.5 Type BGY885A BGY887 CGY888C Gain (dB) 22 - 24 24 - 26 22 - 24 23.5 - 25.5 26 - 28 22 - 24 24 - 26 Type CGD942C CGD944C CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi CGD982LC CGD9825LC 22-24 CGD1042L 1000 MHz 全製品のセレクションは、セクション 3.6 をご覧ください。 製品ハイライト: CGD982LC、CGD985LC、CGD1042L CATV パワーダブラー 市場はより環境にやさしい製品を求めています。 これらのパワーダブラー モジュールは、元の製品に比べ消費電力を 17% 抑えています(365 mA) 。 1 GHz パワーダブラーは、ラインエクステンダおよびトランクアンプで の使用に理想的です。 特長 `` 対温度利得補償 `` 優れた線形性 `` 耐久性に優れた構造 `` PAL D 負荷向けに最適化 `` 卓越した安定性 `` 優れた ESD 保護 `` 超低ノイズ `` 調整可能な電源電流 `` 優れたリターンロス特性 �RoHs 指令 2002/95/EC に準拠 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 17 1 GHz ネットワーク向けマルチ出力ポート搭載 CATV 光ノード 1.2.3 1 GHz ネットワーク向けマルチ出力ポート搭載 CATV 光ノードのアプリケーション図 Power doubler PAD H L OUT port 1 H L OUT port 2 H L OUT port 3 H L OUT port 4 Power doubler PAD Push-pulls EQ PAD Forward path reciever (N + 1) Power doubler PAD RF switch Power doubler PAD Forward path reciever 推奨製品 Function RF forward receiver Product Forward path receiver Frequency Function Product Frequency RF pre-amplifier Push-pulls 1 GHz Function Product Frequency RF power amplifier Power doublers 1 GHz RF power amplifier Low-current power doublers 1 GHz 870 MHz Package SOT115 SOT115 Type BGO807C BGO807CE Gain (dB) 23 - 24.5 27 - 28.5 32 - 34 Type CGY1043 CGY1047 CGY1032 Gain (dB) 22 - 23.5 23.5 - 25.5 26.5 - 28 Type CGD1042Hi CGD1044Hi CGD1046Hi 22 -24 CGD1042L 全製品のセレクションは、セクション 3.6 をご覧ください。 製品ハイライト: パワーダブラー CGD104xH(i) およびプッシュプル CBY104x NXP パワーダブラー CGD104xH および CGD104xHi は、ラインエクステ ンダおよびトランクアンプでの使用に理想的です。 ファイバディープ光ノ ードアプリケーション(N+0/1/2)をサポートし、今日の市場で最高の出力 をお届けします。 GaAs HFET ダイプロセスは高利得、優れた CTB および CSO、低電流を実現します。 新しい NXP CGY104x プッシュプルファミリーは、超低ノイズ、クラス最高の 歪み性能、および低「カーボンフットプリント」という特性の組み合わせを実 現した市場初の製品ラインアップです。 18 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 最小の消費電力で最高のパフォーマンスを発揮し、OPEX および CO2 排出 量を削減します。 NXP の全 1-GHz ソリューションは持久力を重視した設計となっており、優 れた耐久性と広い温度範囲、高い電気的オーバーストレス性能、極めて高 い ESD レベルを備えています。 その結果、総所有コストも削減します。 1.2.4CATV 電気信号(ラインエクステンダ CATV 電気信号(ラインエクステンダ) のアプリケーション図 RF preamplifier RF power amplifier duplex filter coax in アプリケー ション別製品 duplex filter coax out RF reverse amplifier 推奨製品 Function Product Frequency 550 MHz 750 MHz RF pre-amplifier 870 MHz Push-pulls 1003 MHz Function Product RF reverse amplifier Reverse hybrids Frequency 5 - 75 MHz 5 - 120 MHz 5 - 200 MHz Gain (dB) 33.5 - 35.5 33.2 - 35.2 18 - 19 21 - 22 18 - 19 21 - 22 33.5 - 34.5 34.5 - 36.5 18 - 19 21 - 22.5 23 - 24.5 27 - 28.5 29 - 31 32 - 34 Type BGY588C BGE788C BGY785A BGY787 BGY885A BGY887 BGY888 CGY888C BGY1085A CGY1041 CGY1043 CGY1047 CGY1049 CGY1032 Gain (dB) 29.2 - 30.8 24.5 - 25.5 23.5 - 24.5 Type BGY68 BGY66B BGY67A Function Product Frequency 750 MHz 870 MHz RF power amplifier Power doublers 1003 MHz Gain (dB) 18.2 - 18.8 18.2 - 18.8 20 - 20.6 18.2 - 18.8 19.7 - 20.3 22 - 23 24 - 26 22 - 24 24 - 26 19.5 - 22 22 - 23.5 23.5 - 25.5 26 - 28 22 - 24 23.5 - 25.5 26 - 28 22 - 24 24 - 26 22 - 24 Type BGD712 BGD712C BGD714 BGD812 BGD814 CGD942C CGD944C CGD1042H CGD1044H CGD1040Hi CGD1042Hi CGD1044Hi CGD1046Hi CGD982HCi CGD985HCi CGD987HCi CGD982LC CGD9825LC CGD1042L すべて SOT115 パッケージで提供 全製品のセレクションは、セクション 3.6 をご覧ください。 製品ハイライト: GaAs 高出力パワーダブラー CGD1046Hi 高出力対応型の CGD1046Hi は、主にファイバディープ光ノードアプリケー ション(N+03/01/02)向けに設計されています。 この 1-GHz ハイブリッ ドアンプソリューションは、広い温度範囲、サージに対応する高い電気的オ ーバーストレス性能、高い ESD レベルを備えています。 その結果として、 総所有コストを削減し、堅牢性と優れた耐久性を実現します。 特長 `` 高出力 `` パワーダブラー向けに高い出力利得 `` 超低ノイズ `` ダークグリーン製品 `` ハイエンドアプリケーション向け GaAs HFET ダイ `` 耐久性に優れた構造 `` 優れた ESD 保護 `` 内蔵リング波保護 `` デジタルチャンネル負荷向けに最適化 `` 温度補償利得応答 `` 最適化された熱管理 `` 優れた温度耐性 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 19 1.3 テレビおよび衛星 1.3.1 テレビ受信用ネットワークインターフェースモジュール (NIM) BGU703x/BGU704x により NIM チューナーで高性能アクティブスプリッタを実現 今日のテレビチューナーには、複雑な信号処理と設計の柔軟性による優位性が求められています。 テレビ信号受信機のフロントエンド は、単なる受信機という枠を超えて、復調器、アクティブスプリッタ、再変調器を備えた RF ネットワークインターフェースモジュール(NIM) に進化しています。 アクティブスプリッタには、線形性に優れた LNA が必要とされます。 NXP は、特に NIM チューナーのアクティブスプ リッタのような低ノイズが要求されるアプリケーションで高い線形性(29 dBm / P3O)を実現するために LNA/VGA MMIC の 2 つの新 シリーズ(BGU703x/BGU704x)を開発しました。 BGU703x ファミリーは供給電圧 5 V で動作し、通常の CAN チューナーにご使用い ただけます。 BGU704x ファミリーは 3.3 V で動作し、同じ 3.3 V で動作する NXP の Si チューナー IC とシームレスに連動します。 BGU703x および BGU704x を使用し、向上した NF パフォーマンスをともなう STB 入力ステージのアプリケーション図 RF input CONVENTIONAL TUNER OR SILICON TUNER VGA surge RF SW WB LNA RF output brb403 推奨製品 Function Product Vcc (V) 5 5 5 VGA MMIC 3.3 3.3 3.3 3.3 Gain (dB) 10 10 -2 10 5 -2 10 10 -2 14 14 -2 Package SOT363 Type BGU7031 SOT363 BGU7032 SOT363 BGU7033 SOT363 BGU7041 SOT363 BGU7042 SOT363 BGU7044 SOT363 BGU7045 Function Product 5 V silicon RF switch RF switch / PLT switch MOSFET 3.3 V silicon RF switch Package SOT23 SOT143B SOT143R SOT343 SOT343R SOT143B SOT143R SOT343 SOT343R 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 および 3.5.2 をご覧ください。 製品ハイライト: TV/STB 向け BGU703x および BGU704x VGA 高い線形性と低ノイズを重点として設計されたこれらの 3.3 V および 5 V 広帯域 VGA は、40 MHz から 1 GHz 間で作動するテレビ、DVR/PVR、お よび STB のマルチチューナーアプリケーションに対応しています。バイパス モードを備えた独自のプログラム可能な利得機能により、チューナー切り替 え信号損失(マルチチューナーシステムで重要)を補償し、全体のシステム パフォーマンスを 7~10 dB 改善します。 20 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 40 MHz ~ 1 GHz 間で優れた利得平坦度 `` 1 dB 利得圧縮時出力電力(PL(1 dB))9 ~ 14 dBm `` 2.8 dB の低雑音指数 `` OIP3 / 29 dBm の高い線形性 `` 出入力インピーダンス 75 Ω `` バイパスモード中のパワーダウン `` ESD 保護 >2 kV HBM、すべてのピンで >1.5 kV CDM Type BF1107 BF1108 BF1108R BF1108W BF1108WR BF1118 BF1118R BF1118W BF1118WR 1.3.2 DOCSIS 3.0 準拠ケーブルモデム CableLab 研究コンソーシアムからのケーブルモデム標準である DOCSIS が、デジタルケーブル TV のチャンネルの IP トラフィックをサ ポートします。BGA3031 は、アップストリームパスの高パフォーマンスアンプのニーズに対応し、また DOCSIS 3.0 標準の要件を超過して います。 アプリケー ション別製品 BGA3031 アップストリームアンプ搭載の DOCSIS ケーブルモデムシステムのアプリケーション図 DIPLEXER TRANSCEIVER GATEWAY SoC WITH DOCSIS 3.0 UPSTREAM AMPLIFIER cable modem aaa-007196 推奨製品 Function Upstream VGA for DOCSIS 3.0 Product MMIC Package SOT662 Type BGA3031 製品ハイライト: DOCSIS 3.0 プラス アップストリームアンプ BGA3031 BGA3031 MMIC は、5 ~ 85 MHz で動作するデータオーバーケーブルサー ビス インタフェース仕様(DOCSIS 3.0)準拠のアップストリームアンプで す。ケーブルモデム、CATV セットトップボックス、VoIP モデムのアプリケー ション向けに設計されています。BGA3031 は 1 dB の増分による 58 dB の利得制御範囲を高い増分精度で提供します。最大利得設定で電圧利得 34 dB と優れた線形性能を発揮します。最大 67 dBmV という高い出力電 圧レベルを低い歪および出力ノイズレベルで サポートします。20 ピンリードレス HVQFN パッケージ(5 x 5 mm)で提 供されています。BGA3031 は、DOCSIS 3.0 + 4 dB 条件で定められた DOCSIS 3.0 ACLR 仕様に準拠した上で、1 ~ 8 64-QAM および 1 ~ 8 QPSK 変調搬送波の送信を可能にしました。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 21 衛星屋外装置、ディスクリート構成のツイン LNB 1.3.3 ディスクリート構成のツイン LNB のアプリケーション図 horizontal 1st antenna stage LNA 2nd stage LNA 3rd stage LNA mixer H low IF amplifier low oscillator mixer BIAS IC V low mixer IF amplifier H high (4 x 2) IF SWITCH IF amplifier IF out 1 IF amplifier vertical antenna high oscillator IF amplifier V high 1st stage LNA 2nd stage LNA 3rd stage LNA mixer IF amplifier IF out 2 brb022 推奨製品 Function 1st stage LNA 2nd and 3 rd stage LNA Function Product SiGe:C transistor RF transistor BFU915 SiGe:C transistor SOT343F BFU710F BFU730F BFU915 Product RF bipolar Wideband transistor transistor Package SOT343 SOT343F SiGe:C transistor SOT343F RF transistor RF transistor Function Product RF diode Function 1st stage IF amplifier Type SOT343F Oscillator IF switch Package PIN diode Product MMIC IF gain block RF bipolar transistor Wideband transistor Type BFG424W BFG424F BFU660F BFU710F BFU730F Package Various Various Various Various Various Type BAP64* BAP51* BAP1321* BAP50* BAP63* Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT343 SOT343F Type BGA2800 BGA2801 BGA2802 BGA2803 BGA2815 BGA2850 BGA2851 BGA2866 BFG424W BFG424F Function Output stage IF amplifier 2nd stage LNA Function Mixer Product MMIC IF gain block RF bipolar transistor Wideband transistor BFG325 SiGe:C SOT343F BFU710F BFU730F SiGe:C transistor SOT343F Product Package * 超小型リードレスパッケージ SOD882D でも供給 全製品のセレクションは、セクション 3.2.1、3.3.1、および 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: BGA28xx IF ゲインブロック これらは、6 ピン SOT363 プラスチック SMD パッケージに内部整合回路 を搭載した MMIC 広帯域アンプです。 22 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2818 BGA2865 BGA2866 BGA2867 BGA2870 BGA2874 BGM1014 SOT343 RF transistor RF transistor Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 特長 `` 出力ステージでの使用に出力インダクタが不要 `` 50 Ω に内部整合 `` 最大 2 GHz で 30 dB 超のリバースアイソレーション `` 2 次および 3 次歪成分が低い優れた線形性 `` 卓越した安定性(K > 1 Type BFU710F BFU730F 1.3.4 衛星屋外装置、ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合構成のツイン LNB TFF101x に基づくツイン LNB のアプリケーション図 H/V DETECT H COMBINER LNA2 SPLITTER LNA3 LNA1 LNA3 BPF COMBINER LNA2 SPLITTER LNA1 TFF1014HN IF out 1 SWITCHED TO LOW-BAND shared crystal LNA3 V アプリケー ション別製品 22 kHz TONE DETECT LNA3 BPF TFF1014HN IF out 2 SWITCHED TO HIGH-BAND 22 kHz TONE DETECT H/V DETECT aaa-007198 推奨製品 Function 1st stage LNA 2nd and 3 rd stage LNA Product RF transistor SiGe:C transistor SiGe:C transistor RF transistor Package SOT343F SOT343F Function Product Package Mixer/ oscillator/ downconverter RF IC SOT763 Type BFU915 BFU710F BFU730F BFU915 Type TFF1012HN TFF1013HN TFF1014HN 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1、および 3.4.3 をご覧ください。 製品ハイライト:業界最小消費電力の 統合型 Ku バンドダウンコンバータ TFF101xHN これらの汎用 DVB-S 準拠 Ku バンドダウンコンバータの電流消費は、他 の統合型ソリューションと比べて約 50% 少なくなっています(52 mA)。 完全統合型(PLL シンセサイザ/ミキサー/IF ゲインブロック)で、RF 試験 済みのため、製造時間を大幅に短縮できます。 安定性が保証された局部 発振器により、温度および時間に起因するシステム全体の信頼性が向上さ れ、生産中に手動で調整する必要がなくなります。 特長 `` 超低消費電流(ICC = 52 mA) `` 低位相雑音(標準 1.5° RMS) `` 10 kHz ~ 13 MHz の統合帯域 `` 小さい PCB フットプリント - DHVQFN16 パッケージ(2.5 x 3.5 x 0.85 mm) - 外付けコンポーネントは 7 個のみ - インダクタ不要 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 23 衛星マルチスイッチボックス - 4 x 4 (最大 16 x 16)/DiSEqC/SMATV 1.3.5 衛星マルチスイッチボックスのアプリケーション図 terrestrial input input amplifier terrestrial satellite dishe(s) input amplifiers LNB output amplifiers coax out to STB SWITCH MATRIX FOR 4 × 4, NEEDS 16 (SINGLE) PIN DIODES coax out to STB coax out to STB coax out to STB brb023 推奨製品 Function Input amplifier terrestrial Product Generalpurpose MPA MMIC Package SOT89 SOT908 Function Product Generalpurpose amplifier MMIC Input amplifier LNB RF bipolar transistor Wideband transistor SiGe:C transistor Function Switch matrix Product Package SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT343 SOT343 SOT143 SOT143 SOT343F Package RF diode PIN diode Various RF transistor SiGe:C transistor SOT343F Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA3012 BGA3015 BGA3018 BGA7124 Type BGA2771 BGA2866 BGA2867 BGA2818 BFG325 BFG425W BFG520 BFG540 BFU660F BFU725F/N1 BFU730F Function Product SOT908 Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA3012 BGA3015 BGA3018 BGA7124 SOT363 BGM1011 SOT363 BGA2869 Wideband transistor SOT223 SOT223 SOT223 SOT143 SiGe:C transistor SOT343F BFG135 BFG 591 BFG198 BFG540 BFU725F/N1 BFU730F Generalpurpose MPA Package SOT89 MMIC Output amplifier Generalpurpose amplifier RF bipolar transistor 全製品のセレクションは、セクション 3.2.2、3.3.1、および 3.4.1 をご覧ください。 Type BAP50* BAP51* BAP63* BAP64* BAP70* BAP1321* BFU725F/N1 BFU730F * 超小型リードレスパッケージ SOD882D でも供給 製品ハイライト: NPN 広帯域シリコンゲルマニウム RF トランジスタ BFU730F BGU730F は第 6 (Si)および第 7 (SiGe:C)世代 RF トランジスタファ ミリーの一部であり、ほぼあらゆる RF 機能の実行に使用できます。 これ ら次世代広帯域トランジスタは、利得性能に対して最高の RF 雑音指数を 提供し、必要とする電流を最小にすることができます。 このパフォーマン スにより、低消費電力で信号受信を向上するとともに、雑音が多い環境下 においてもより堅牢な RF 受信機の動作を可能にします。 24 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 2.3 GHz で動作 `` 高い最大電力利得(Gp)17.6 dB `` 雑音指数(NF)0.8 dB `` 1dB 利得圧縮時入力(Pi(1dB))-15 dBm `` 3 次入力インターセプトポイント IP3I / +4.7 dBm ミキサー/オシレータ/ダウンコンバータ統合構成 VSAT 1.3.6 フレキシブルな TFF1024HN ダウンコンバータを使用した VSAT のアプリケーション図 OUTDOOR UNIT INDOOR UNIT IF POWER SUPPLY PA IF1 MOD DIGITAL SIGNAL PROCESSOR REF MPX to/from IDU PMU SYNTH PLL ×N PLL REF MPX PMU OMT TFF1024HN LNA DATA INTERFACE アプリケー ション別製品 BUF ANTENNA BUF LNA2 IF1 DEMOD LNA1 brb405 HB 0 HB 1 HB 2 推奨製品 屋内ユニット Function Product MMIC IF Function Package IF gain block Product RF transistor Type BGA2714 BGA2748 BGA2771 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGM1012 SOT363 Package Type BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU915 SiGe:C transistor SOT343F Function Product Package Type Mixer / oscillator / downconverter RF IC SOT763 TFF1024HN LNA 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1 および 3.4.4 をご覧ください。 製品ハイライト: VSAT 向け PLL/VCO 搭載 TFF1024HN ダウンコンバータ この VSAT Ku バンドダウンコンバータの電流消費は、他の統合型ソリューシ ョンと比べて約 35% 少なくなっています(60 mA)。完全統合型(PLL シンセ サイザ/ミキサー/IF ゲインブロック)で、RF 試験済みのため、製造時間を大 幅に短縮できます。DRO などのメカニカルコンポーネントとは異なり、PLL ベースの TFF1024HN は、製品寿命とあらゆる温度にわたって安定したパフ ォーマンスを保証し、エンドユーザーに高い QoS(サービス品質)を提供し ます。このダウンコンバータは、1 つのクリスタルを使用して最もよく使用さ れる 8 つの Ku サブバンドで動作します。 特長 `` LO 周波数切り替え: - 9.75 ~ 11.30 GHz の 8 つの選択可能な周波数 - 異なる X-tal 値でより多くの LO 周波数を取得可能 `` 超低消費電流(ICC = 60 mA) `` 低位相雑音(標準 1.0° RMS) - 10 kHz ~ 13 MHz 統合帯域 `` 対周波数利得が平坦(< 2 dBpp) `` 16 dBm IP3o 超の高い線形性 `` 6 dBm 超の高い P1dBo NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 25 推奨製品 屋外ユニット Function IF Product MMIC Function LNA2 IF gain block Product Type BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGM1014 BGM1013 BGM1012 BGA2714 SOT363 Package RF transistor SiGe:C transistor SOT343F MMIC SiGe:C MMIC SOT891 Function PLL Package Product RF IC Package SiGe:C IC Type TFF1003HN TFF1007HN TFF1024HN SOT616 SOT763 Function Oscillator Product Buffer Package Wideband transistor SOT343R SiGe:C transistor SOT343F RF transistor Function Product RF transistor SiGe:C transistor Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F BGU7003 Package SOT343F Type BFG424W BFG425W BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F Type BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F * LO 範囲 7 ~ 15 GHz の 8 種類、3.4.4 参照 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1 および 3.4.4 をご覧ください。 製品ハイライト: TFF1007HN 低位相 雑音 VSAT アプリケーション向け LO ジェネレータ TFF1007HN は、Ku バンド VSAT トランスミッタおよびトランシーバ向け 低位相雑音局部発器(LO)回路向けの Ku バンド周波数ジェネレータで す。位相雑音規格は、Intelsat の IESS-308 に準拠しています。 26 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 分周回路設定:64 `` 入力信号:230.46 ~ 234.38 MHz `` ループフィルタおよび出力電力レベル向け内部安定電圧リファレンス `` LO ジェネレータ VCO 範囲:14.75 ~ 15 GHz `` 出力レベル最小 -4 dBm `` 位相雑音 IESS-308(Intelsat)準拠 `` 3 次または 4 次 PLL 1.4 ブロードキャスト UHFテレビ向け UWBドハティ UHF テレビ市場は、NXP 既存のベンチマーク LDMOS トランジスタを使用した超広帯域(UWB)ドハティアンプの採用で新たな方向に歩み を進めています。これまで以上に豊富なコンテンツを放送するための機能を備えた、より環境にやさしい(すなわち、低電力消費量の)システ ムを提供することが求められている今、若干の改善では間に合いません。アプローチにおいて大きな変化が必要とされており、UHF 市場にと って、これは UWB ドハティを意味します。これまでに、NXP は基地局市場向け狭帯域 LDMOS ドハティアンプの大量採用に道を拓いてきま したが、これからは UHF トランスミッタに使用される 470 ~ 860 MHz 帯をカバーする UWB ドハティソリューションの範囲を新たな方向性 として踏み出していきます。 VHF、FM、アナログテレビ市場 NXP のブロードキャスト市場に対するコミットメントは、誰にも引けをとりません。NXP は市場を LDMOS ベースのソリューションに移行させ、 その恩恵を享受することを可能にしました。これはこれから何年も続くことでしょう。お客様の製品ライフサイクルを通して従来製品のサポート を続けると同時に、ブロードキャストに適した幅広い XR 製品の提供を強化し、低消費電力とコスト効果を求める市場に多様な OMP(樹脂プ ラスチック)部品を展開していきます。 TV トランスミッタのアプリケーション図 typ. 0.5 kW DVB-T Driver stages typ. 5 kW DVB-T output power harmonic filter power monitor TV exciter DVB-T 8× final amplifiers 推奨製品 Function Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Package Type 10 1 1 1 1 1 10 470 470 470 470 470 10 10 10 500 1400 1000 1000 1500 1500 600 860 860 806 860 860 600 128 600 20 35 100 140 160 200 350 350 500 600 600 650 700 1200 1400 SOT467C SOT467C SOT467 SOT467 SOT1223-1 SOT1121 SOT1121 SOT1121 SOT539 SOT539 SOT539 SOT539 SOT1214 SOT539A SOT539 BLF571 BLF642 BLF871(S) BLF881(S) BLP15M7160P* BLF647P(S) BLF183XR(S)* BLF884P(S) BLF879P(S) BLF888D(S)* BLF888A(S) BLF888B(S) BLF184XR(S) BLF178P BLF188XR(S) * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 全製品のセレクションは、セクション 3.7.2 をご覧ください。 製品ハイライト: 特長 パワートランジスタ BLF888D �高効率 �高い電力利得 �優れた耐久性(VSWR > すべてのフェーズを通じて 40:1) �優れた熱安定性 �内蔵 ESD 保護 ストトランスミッタを含む、ブロードキャストドハティトランスミッタアプリ ケーション向けに設計された、この 600 W LDMOS RF パワートランスミッ タが、優れた耐久性を実現し、デジタルやアナログ環境での使用において 理想的に適合します。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 27 アプリケー ション別製品 ブロードキャスト市場全セグメントにおける業界リーダーが提供する LDMOS ソリューション 先進のRFソリューションをリード NXPは、世界トップクラスのビジネスパートナーに 信頼されています。 その一例として10台中4台のスマートフォンにNXP GPS LNAが導入さ れています。 RELEASE EXCELLENCE 28 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 1.5 ワイヤレス接続 BGU700x/800x LNA は、市場最小のフットプリントで GloNass Compass を含めた GPS 信号の線形性、雑音指数、受信を改善するた めに設計されています。業界初の GPS LNA は、強力なセルラー、Bluetooth、WLAN 送信信号ダイナミックサプレッションにより、NXP BGU700x/800x シリーズは微弱な GPS 信号の受信能力を最大限に高め、-40 ~ -20 dBm の妨害条件下で 10 dB 以上の IP3 改善と 1 dB 未満の雑音指数を実現します。外付け部品を 1 個のみしか必要としない BGU700x/800x LNA は PCB サイズを最大 70%、コンポーネント コストを 10% 削減します。 GPSは、個人用ナビゲーションデバイスからデジタルカメラ、腕時計、電気自動車などを含む、非常に幅広い民生品で標準機能となって います。GPS 信号の出力レベルは弱く、-155 dBm のノイズフロアを下回ります。これら製品の多く、特にスマートフォンやタブレットで は、Bluetooth や WLAN、セルラーなどの強力な送信機によって GPS LNA が圧縮状態になります。GPS LNA が圧縮状態になると利得 が小さくなり、GPS 受信能力が低下します。また、微弱な信号を上回る相互変調積と高調波が送信信号から生成されるため、GPS の受信 ができなくなります。 BGU700x/BGU800x シリーズは適応バイアスを使用して妨害波からの出力パワーをすばやく検出し、一時的に電流を増やして補償しま す。その結果、最適な GPS 信号の受信ができる限り長く維持されます。BGU700x/BGU800x シリーズの各デバイスは、入力整合インダ クタ 1 つと、電源デカップリングコンデンサ 1 つを必要とするのみで設計が完了します。これにより、非常にコンパクトな設計が可能とな り、材料費が抑えられます。 Features `` 低雑音指数 0.55 dB `` 16 ~ 19 dB のシステムに最適化された利得 `` 3.1 mA と低い電源電流 `` 9 dBm の高い帯域外 IP3 `` 入力整合インダクタ 1 つと、オプションで電源デカップリングコンデンサを必要とするのみ `` AEC-Q100 認定済み(BGU7004, BGU7008)で過酷な条件下でも最高の信頼性を実現 `` 世界最小の 6 バンプウエハレベルチップスケールパッケージ (WLCSP) 0.65 x 0.44 x 0.2 mm `` 小型 6 ピンリードレスパッケージ 1.1 x 0.7 x 0.37 mm Footprint on PCB Package (mm) Number of external components Footprint (mm2) NXP NXP NXP Competitor A Competitor B Competitor C 0.65 x 0.44 1 1.82 1.1 x 0.7 1 2.48 1.1 x 0.9 2 3.95 1.1 x 0.7 3 4.88 1.26 x 0.86 6 8.85 1.13 x 1.1 9 12.66 製品ハイライト: GPS LNA BGU8019 この柔軟性のあるデバイスは、ラジオやスマートフォンにおいて、進化を続 けるアーキテクチャに適応します。低消費電力と、共存するセルラーや接続 トランスミッタからの妨害波が存在するときでも最適なパフォーマンスが 確約されるように設計されています。妨害出力レベルが低い場合、18.5 dB の利得を 雑音指数 0.55 dB で実現します。BGU8109 は、外付け整合イン ダクタ 1 つのみ必要。 特長 �6 ピン最小リードレスパッケージ (1.1 x 0.7 x 0.37 mm) �1559 ~ 1610 MHz まで、完全な GNSS L1 バンドをカバー �雑音指数 = 0.55 dB �利得 18.5 dB �-7 dBmの高い 1 dB コンプレッションポイント �6 dBm の高い帯域外 IP3i �電源電圧 1.5 ~ 3.1 V �パワーダウンモードの電流消費 < 1 uA �4.4 mA の低供給電流で最適化されたパフォーマンス �温度安定化バイアス内蔵で設計が容易 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 29 アプリケー ション別製品 1.5.1 スマートフォンおよびタブレット向け GPS:高い線形性 788 MHz (LTE) および 2.4 GHz (WLAN) 抑制のため、個別実装の Pre-SAW および Post-SAW をともなう GNSS LNA のア プリケーション図 2.4 GHz notch (WLAN, bluetooth) 788 MHz notch (LTE) VCC C1 Ven L1 GNSS LNA RF out SAW SAW ESD protection SAW to GNSS chipset aaa-007041 推奨製品 Function Product Package SOT886 LNA MMIC SiGe:C MMIC SOT1230 SOT1232 WL-CSP Type BGU6005 BGU7004 BGU7005 BGU7007 BGU7008 BGU6009 BGU8009 BGU8011 BGU8019 BGU8004 自動車アプリケーション向けに、BGU7004 および BGU7008 は AECQ100 認定済 みで、車体などの極めて過酷な環境でも動作できます。 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: WL-CSP BGU8004 に内蔵の GPS LNA WL-CSP に内蔵された、サイズ 0.65 x 0.44 x 0.2mm のコンパクトなデバイ ス。必要なのは、外付け整合インダクタ 1 つのみです。 30 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 6 つの はんだバンプ(バンプ間隔幅 0.22 mm)付き WL-CSP (0.65 x 0.44 x 0.2 mm) `` 1559 ~ 1610 MHz まで、完全な GNSS L1 バンドをカバー `` 雑音指数(NF)= 0.65 dB `` 利得 = 17 dB `` −7.5 dBm の高い 1dB コンプレッションポイント `` 6 dBm の高い帯域外 IP3i `` 電源電圧 1.5 ~ 3.1 V `` パワーダウンモードの電流消費 < 1 µA `` 3.4 mA の低供給電流で最適化されたパフォーマンス `` 温度安定化バイアス内蔵で設計が容易 `` 入力整合インダクタ 1 つと、電源デカップリングコンデンサ 1 つのみ必要 1.5.2 GPS L2 および L5 バンド 専門的なアプリケーション向けに、L2 および L5 GPS バンドが注目を集めています。 BGU700x/BGU800x 全製品が容易に L2 および L5 バンドに対応します。 Ven Vcc RFin L1 6 5 IC1 1 2 3 アプリケー ション別製品 入力整合インダクタ(L2)および L2/C2 経由の出力整合最適化済みの値を示す GNSS LNA のアプリケーション図 C1 RFout L2 4 C2 推奨製品 Function Product Package SOT886 LNA MMIC SiGe:C MMIC SOT1230 SOT1232 WL-CSP Type BGU6005 BGU7004 BGU7005 BGU7007 BGU7008 BGU6009 BGU8009 BGU8011 BGU8019 BGU8004 自動車アプリケーション向けに、BGU7004 および BGU7008 は AECQ100 認定済 みで、車体などの極めて過酷な環境でも動作できます。 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: ベーシック GPS LNA BGU6005 および BGU6009 エントリーレベルのスマートフォン向けデバイス。はんだが容易なパッケー ジに内蔵されています。 特長 �SOT886 に内蔵の BGU6005 (1.0 x 1.45 x 0.5 mm), SOT1230 に内蔵の BGU6009 (1.1 x 0.9 x 0.47 mm) �1559 ~ 1610 MHz まで、完全な GNSS L1 バンドをカバー �雑音指数 (NF) = 0.85 dB �利得 = 17.5 dB �-6 dBm の高い 1 dB コンプレッションポイント �6 dBm の高い帯域外 IP3 �電源電圧 1.5 ~ 3.1 V �パワーダウンモードの電流消費 < 1 uA �4.8 mA の低供給電流で最適化されたパフォーマンス �温度安定化バイアス内蔵で設計が容易 �入力整合インダクタ 1 つのみ必要 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 31 1.5.3 モバイルヘルス・フィットネス:低電流 スマートウォッチなど装着可能なモバイルヘルス・フィットネスアプリケーションにおいては低電流が不可欠ですが、Bluetooth および 2.4 G WLAN のみが搭載されており、妨害波が低いため、線形性要件は緩和されます。これらの低電流アプリケーションに、NXP はわ ずか 3 mA の電流と 16 dB の利得のみを必要とする BGU8010 を提供しています。 入力整合インダクタ(L1)および post-SAW を示す装着可能なヘルス・フィットネスデバイス向けアプリケーション図 Ven Vcc Post- SAW L1 GPS Receiver IC 強力な妨害信号が存在せず、Pre-SAW が不要なため、このアプリケーションは、入力整合インダクタ L1 および Post SAW で構成されて います。 推奨製品 Function LNA Product MMIC SiGe:C MMIC Package SOT891 SOT886 SOT1209 SOT1230 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 をご覧ください。 Type BGU7003 BGU7003W BGU6101 BGU6102 BGU6104 BGU8010 製品ハイライト: 低電流 GPS LNA BGU8010 超低消費電力の BGU8010 は、共存するセルラーや接続トランスミッタか らの妨害波に暴露さらされた場合でも最適なパフォーマンスをお届けまし ます。 32 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 1559 ~ 1610 MHz まで、完全な GNSS L1 バンドをカバー `` 雑音指数(NF)= 0.85 dB `` 利得 16.1 dB `` −9 dBm の入力 1dB コンプレッションポイント `` 3 dBm の帯域外 IP3i `` 電源電圧 1.5 ~ 3.1 V `` 3.1 mA の低供給電流で最適化されたパフォーマンス `` パワーダウンモードの電流消費 < 1 mA LTE LNA 携帯電話における LTE LNA のアプリケーション図 UMTS/3G、LTE スマートフォンと比較し、LTE/4G が、消費者に対し、非常に速いデータ転送速度(最高 300 Mbit/秒)を提供している一 方で、より複雑でもあります。その理由として、より多くのアンテナを必要とし、複数のセルラーや接続周波数のために使用され、追加のス イッチやダイプレクサが必要となることが挙げられます。BGU8x1 LTE LNA では、システム最適化利得、低雑音指数、高い三次線形性を 提供することにより、LTE のメインおよびダイバーシティ受信機の受信感度が増幅します。その結果、LTE スマートフォンのユーザーは、よ り速く、より堅実なデータ転送速度を享受することができるようになります。またこれらの特長は、BGU8x1 が、アンテナに近い LTE 信号 の増幅を可能にし、線形の損失を低減するため、RF の設計者に対し、大型タブレットやスマートフォン/タブレットの組み合わせである (「ファブレット」)フォームファクターに対する特に重要な事柄において、より多くのオプションをもたらします。BGU8x1 LTE LNA は、 低(BGU8L1)、中(BGU8M1)および高(BGU8H1)セルラーバンドをご用意しています。 Main Antenna Switch and diplexers TxRx IC Diversity Antenna Filters 推奨製品 Function LNA Product RF Package MMIC SOT1232 Type BGU8L1 BGU8M1 BGU8H1 製品ハイライト: BGU8x1 バイパス搭載 LTE LNA BGU8x1 デバイスは、スマートフォンにおける無線数の増加にともない、 変化し続ける共存環境に適応します。低消費電力で、共存するセルラー や接続トランスミッタからの妨害波が発生した場合においても、最適なパ フォーマンスがもたらされるよう設計されています。妨害出力レベルが低 い場合、13 dB の利得を 雑音指数 0.7 dB で実現します。高パワーレベル の最中には、感度を向上させるため、バイアス電流を一時的に増幅させま す。BGU8x1 に必要なのは、外付け整合インダクタ 1 つのみです。 特長 �最小 6 ピンリードレスパッケージ(1.1 mm x 0.7 mm x 0.37mm) �低帯域(728 ~ 960 MHz)、中帯域(1805 ~ 2200 MHz)、高帯域 (2300 ~ 2690 MHz)の全帯域をカバー �雑音指数 (NF) = 0.7 dB �最適化された利得 13 dB �-1 dBmの高い 1 dB コンプレッションポイント �8 dBm の高い帯域内 IP3i �電源電圧 1.5 ~ 3.1 V �パワーダウンモードの電流消費 < 1 uA �5 mA の供給電流で最適化されたパフォーマンス �入力整合インダクタ 1 つのみ必要 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 33 アプリケー ション別製品 1.5.4 WLAN: アクセスポイントおよびルーター、固定家庭用電化製品 1.5.5 WLAN のアプリケーション図 WLAN RF BB B 2 GHz B B 5 GHz B aaa-007042 推奨製品 Function Product Package RF transistor SiGe:C transistor SOT343F RF MMIC SOT1189 LNA Type BFU730F BFU768F BFU730LX BGU7224 BGU7258 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: BGU7224 および BGU7258 バイパス搭載 WLAN LNA これらの完全統合型 LNA は、2.4 GHz バンドにおいて、IEEE802.11b/g/n/ ac WLAN および ISM アプリケーションを可能にします。製造された NXP の高性能 QUBiC4x SiGe:C テクノロジーは、クラス最高レベルの利得、雑 音指数、線形性、またSiGe テクノロジーとして知られるプロセス安定性や 耐久性をともなう効率性を組み合わせています。 34 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 �完全統合型、バイパス搭載の高性能 LNA (外部整合または DC ブロッキング不要) �雑音指数 1.0 dB、12 mA の低電流消費 �1 µA の低バイパス電流 �3.0 ~ 3.6 V からの単電源オペ �温度安定化バイアスネットワーク内蔵 �全ピンで、2 kV HBM の高 ESD 保護 �極小 QFN 型パッケージ (1.6 x 1.6 x 0.5 mm, 0.5 mm pitch)、 260 °C で、MSL 1 NXP の FM LNA が微弱信号を増幅して組み込みアンテナと FM ラジオ受信機間のインピーダンス不整合を解決し、クラス最高のパフォー マンスを実現し、ヘッドセットの必要なく携帯電話で FM ラジオを聴くことができます。ほとんどの携帯電話で、ユーザーはアンテナとし ても作用するヘッドセット経由でのみ FM ラジオを聴くことができます。FM RF 信号が FM 受信機によって拾われ、オーディオはオーディ オアンプによりスピーカーに送られます。75 cm の 1/4 波長アンテナとしてヘッドセットを使用することで、アンテナが共振周波数で使用 されるため、最大の信号受信が可能です。また、アンテナ出力も FM 受信機の入力に整合され、最大出力の転送が実現されます。組み込 みアンテナは、ヘッドセットなしで FM ラジオを聴くことを可能にするため、ユーザーはラジオを聴きながらほかのことをしたり、友人や家 族と一緒にラジオを聴いたりする柔軟性が得られます。組み込みアンテナは携帯電話とほぼ同じサイズで、約 10 cm です。共振周波数は FM バンドよりも高く、インピーダンス不整合のためアンテナを直接 FM 受信機に結合することはできません。 FM radio 向けアプリケーション図 NXP FM LNA は、高い入力から受け取った電圧を低い出力インピーダンスに緩衝するインターフェースとして作用し、同時に信号の整合 性を維持するために最小限のノイズを加えます。クラス最高のパフォーマンスを提供するほか(デモンストレーションは www.youtube.com/watch?v=IxSAPVLTRTw)、NXPの FM LNA は 1、2、4 mA での運用に電流が最適化された 3 種類のバージョンで 提供され、システムに対して最適化された利得と線形性をお届けします。NXP FM LNA は 1.5 ~ 5 V の電源で動作し、外付けコンポーネ ント数が最小限で済むと同時に、あらゆる高インピーダンスのアンテナに整合することが可能です。これによって、設計者は最大限の柔軟 性が得られます。 推奨製品 Function LNA Product MMIC SiGe:C MMIC Package SOT1209 SOT886 全製品のセレクションは、セクション 3.4.1 をご覧ください。 Type BGU6101 BGU6102 BGU6104 BGU7003W 製品ハイライト: BGU6102 MMIC 広帯域アンプ BGU6102 は、内蔵バイアス有効機能と広い供給電圧が特徴の不整合 MMIC です。 3 製品(BGU6101、BGU6102、BGU6104)で構成されるフ ァミリーの一部であり、2 mA での運用に最適化されています。 特長 `` 40 MHz ~ 4 GHz に対応 `` 高抵抗 FM LNA:100 MHz で 13 dB の利得と 1.0 dB の NF `` 50 Ω FM LNA:100 MHz で 15 dB の利得と 1.3 dB の NF `` 温度安定化バイアス内蔵で設計が容易 `` 外付け抵抗器でバイアス電流設定可能 `` パワーダウンモードの電流消費 < 6 µA `` ESD 保護:全ピンで 1 kV 以上(人体モデル、HBM) `` 電源電圧 1.5 ~ 5 V NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 35 アプリケー ション別製品 1.5.6 FM ラジオ 汎用 RF フロントエンド 1.5.7 典型的な RF フロントエンドでは、RF 信号は、DC ~ 20 GHz の範囲内で受信および送信されます。NXP の広帯域 SiGe アンプの完全な ポートフォリオは、このすべての領域と平行して、高速、低ノイズアプリケーションに使用することができます。その理由は、NXP の広帯域 トランジスタは、非常に多目的であるため広範囲にわたる機能に使用され、特に柔軟性を必要とする費用重視のアプリケーションに対して は、優れた選択肢となり得ます。LNA アプリケーションにおいては、GPS、衛星無線、コードレス電話、および WLAN をサポートします。 また、オシレータやドライバーを有効にし、消費者、ISM、および自動車アプリケーションを実現します。多くの設計者は、電圧可変コンデ ンサとして主にバリキャップダイオードを、2 次的なオプションとしてダイオード機能を使用しますが、これらのデバイスは、ISM バンドア プリケーションにおける VCO として理想的に適合します。 典型的な RF フロントエンドインターフェースのアプリケーション図 antenna filter LNA filter mixer buffer SPDT switch filter VCO PA driver APPLICATION CHIP SET VCO bra850 推奨製品 Function SPDT switch Product Bandswitch diode RF diode PIN diode Package SOD523 SOD323 Various Various Type BA891 BA591 BAP51* BAP1321* Function Product Package SOT23 SOT323 SOT323 Type PBR951 PRF957 PRF947 BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU760F BFU790F BGU6101 BGU6102 BGU6104 Function Function Wideband transistor RF bipolar transistor LNA MMIC Function Driver SiGe:C transistor SOT343F Low-noise wideband ampl. SOT1209 Product RF bipolar Wideband transistor transistor Gen-purp MMIC wideband amp Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 Mixer Buffer Product RF bipolar transistor Wideband transistor MMIC Linear mixer Product RF bipolar transistor Function Power amplifier Wideband transistor Product MMIC Function Generalpurpose wideband amplifier Package SOT343 SOT343 SOT343 SOT363 Type BFG410W BFG425W BFG480W BGA2022 Package SOT23 SOT323 SOT323 SOT416 Type PBR951 PRF957 PRF947 PRF949 Package Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7024 BGA7027 SOT89 Package Type SOD523 BB181 SOD323 BB156 全製品のセレクションは、セクション 3.2.1、3.2.2、3.3.1、および 3.4.1 をご覧く ださい。 VCO Varicap diodes Product VCO varicap diodes * 超小型リードレスパッケージ SOD882D でも供給 製品ハイライト: BFU730F NPN 広帯域シリコンゲルマニウム RF トランジスタ BGU730F は第 6(Si)および第 7(SiGe:C)世代 RF トランジスタファミ リーの一部であり、ほぼあらゆる RF 機能の実行に使用できます。これら広 帯域トランジスタは、利得性能に対して最高の RF 雑音指数を提供し、必要 とする電流を最小にすることができます。このパフォーマンスにより、低消 費電力で信号受信を向上するとともに、雑音が多い環境下においてもより 堅牢な RF 受信機の動作を可能にします。 36 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 2.3 GHz で動作 `` 高い最大電力利得(Gp)17.6 dB `` 雑音指数(NF)0.8 dB `` 1dB 利得圧縮時入力(Pi(1dB))-15 dBm `` 3 次入力インターセプトポイント IP3I / +4.7 dBm 最近導入された製品 Product Package SOT323 SOT23 SOT143 LNA or driver or VCO RF bipolar transistor Wideband transistor SOT143X SOT143XR SOT89 SOT223 SOT363 Type BFU520W BFU530W BFU550W BFU520A BFU530A BFU550A BFU520 BFU530 BFU550 BFU520X BFU530X BFU550X BFU520XR BFU530XR BFU550XR BFU580Q BFU590Q BFU580G BFU590G BFU520Y アプリケー ション別製品 Function 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1 をご覧ください。 製品ハイライト: BFU520x PNP 広帯域 Si RF トランジスタ 最大 2 GHz のブロードバンドアンプのサポートをする、高速・低ノイズ の ISM アプリケーションおよび ISM バンドオシレータ向け LNA である BFU520X は、プラスチック製 4 ピンデュアルエミッタ SOT143B パッケー ジで提供されます。 特長 �低ノイズ、高絶縁体 RF トランジスタ �AEC-Q101 認定済み �最低雑音指数 (NFmin) = 900 MHz で 0.7 dB �最大安定利得 900 MHz で 20 dB �11 GHz fT シリコンテクノロジー NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 37 1.6 自動車 NXP は、自動車市場において非常に活発であり、現在、ほぼすべての自動車アプリケーションには RF が使用されています。このセクショ ンでの例として、NXP のポートフォリオが、実際の自動車で通常使用されているすべての主要な RF 機能をカバーしているという証拠をお 見せしましょう。 最近、NXP は、BFU5x0 シリーズ、クラス最高の新世代、AEC-Q101 認定済み広帯域トランジスタを加えることにより、ポートフォリオを 拡大しました。各 BFU5x0 デバイスは、異なるドレイン電流を持ち、超小型から極小までの最高6 種類のパッケージをご用意しています。 このシリーズはすべて、超低ノイズ、超高絶縁破壊電圧および、900 MHz で 18 dB の最大安定利得を実現します。 1.6.1SDARS および HD ラジオ 衛星デジタルサービス(SDARS)システムでは、アクティブアンテナ LNA が搭載され、SIRIUS LNA チェーンの 3 つのステージののう ち、BFU730F 広帯域トランジスタが第 1 ステージを駆動、BFU690F が第 2、第 3 を駆動します。 SDARS アクティブアンテナ LNA - 2320-2332.5(SIRIUS、3 つのステージ)のアプリケーション図 antenna 1st stage LNA 2nd stage LNA filter 3rd stage LNA CHIPSET 001aan958 推奨製品 Function 1st stage LNA Product RF transistor Function 2nd stage LNA Product MMIC Function 3 rd stage LNA SiGe:C transistor General-purpose wideband amplifier Product RF transistor Si/SiGe:C transistor Function Product Package Package Type SOT343F BFU730F SOT323 Package SOT343F Type BFU690F BGA2869 BGA2851 BGA2803 SOT23 SOT363 Package SOT343F Type BFU690F BFU725F/N1 BFU790F SOT143 LNA or Driver or VCO RF bipolar transistor Wideband transistor SOT143X SOT143XR 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1 をご覧ください。 SOT89 SOT223 SOT363 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1 をご覧ください。 製品ハイライト: BFU5xx シリコン NPN 広帯域 RF トランジスタ BFU5xx トランジスタファミリーは、通信、自動車、産業設備等の最大 2 GHz までのアプリケーションに向けて設計されています。低供給電流、高 利得であるため、これらのデバイスは、バッテリ電源式システム用としても 適しています。これらすべて、設計が容易な小型フォームファクターパッ ケージで数種類取り揃えています。 38 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 �低ノイズ、高絶縁体 RF トランジスタ �AEC-Q101 認定済み �最低雑音指数 (NFmin) = 900 MHz で 0.7 dB �最大安定利得 900 MHz で 18 dB �11 GHz fT シリコンテクノロジー Type BFU520W BFU530W BFU550W BFU520A BFU530A BFU550A BFU520 BFU530 BFU550 BFU520X BFU530X BFU550X BFU520XR BFU530XR BFU550XR BFU580Q BFU590Q BFU580G BFU590G BFU520Y 1.6.2 リモートキーレスエントリ (RKE)、送受信専用アンテナ付き RF 汎用フロントエンド アプリケー ション別製品 RKE システムを活用することにより、車両の受信機にデータを送信するトランスミッタ搭載のキーフォブを使用し、ドライバーが 車両のロック・ロック解除を行うことができます。Tx チェーンでは、長周期かつ正確な送信を確保することにおいて、ドライバーや PA は、 重要な役割を果たします。 Rx チェーンでは、効率性や安全性を保証するためにディスクリート LNA が頻繁に使用されます。NXP では、アプリケーションに応じ て、設計者が適正な設定を行うことができるよう、幅広い VCO、ドライバーおよび PA を取り揃えています。 リモートキーレスエントリシステムのアプリケーション図 antenna filter receiver LNA filter mixer LOW FREQUENCY CHIP SET buffer VCO antenna transmitter filter PA driver VCO LOW FREQUENCY CHIP SET bra851 推奨製品 Function Product SOT886 Type PBR951 PRF957 PRF947 BGU6101 BGU6102 BGU6104 BGU7003W Product RF bipolar Wideband transistor transistor Gen-purp MMIC wideband amp Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 Product Package SOD323 SOD323 SOD523 SOD323 Type BB170 BB174 BB191 BB156 RF bipolar transistor Wideband transistor MMIC Low-noise wideband ampl. SiGe:C MMIC LNA Function Driver Function VCO Varicap diodes VCO varicap diodes Package SOT23 SOT323 SOT323 SOT1209 Function Mixer Product RF bipolar transistor Function Buffer Function Power amplifier Wideband transistor Product RF bipolar transistor Wideband transistor Product RF bipolar Wideband transistor transistor General-purpose MMIC wideband amplifier Package SOT343 SOT343 SOT343 Type BFG410W BFG425W BFG480W Package SOT23 SOT323 SOT416 SOT323 Type PBR951 PRF957 PRF949 PRF947 Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 SOT908 Type PRF957 PBR951 BGA2771 BGA2866 BGA7124 * AEC-Q101 認定済み(一部制限あり) 全製品のセレクションは、セクション 3.2.1、3.3.1、および 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: VCO としてのバリキャップダイオード バリキャップダイオードは、主として電圧可変コンデンサとして使用され、 そのダイオード機能は 2 次的なオプションになっています。これらのデバ イスは ISM 帯アプリケーションにおける電圧制御発振器(VCO)に理想的 です。 特長 `` 優れた線形性 `` 優れた整合能力 `` 極めて低い直列抵抗 `` 高い容量変化比 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 39 タイヤ空気圧監視システム 1.6.3 タイヤ空気圧監視システムのアプリケーション図 タイヤ空気圧監視システムは、RKE システムと同様のトランスミッタを使用します(セクション 1.6.2 参照)。範囲と正確性は必須なため、 ディスクリートドライバーおよび/または PA が義務付けられています。NXP は、これらの要件をサポートする幅広い VCO、ドライバーお よび PA を取り揃えています。 タイヤ空気圧監視システムのアプリケーション図 antenna filter PA driver VCO SENSOR brb216 推奨製品 Function Product RF bipolar transistor PA Function RF bipolar transistor Driver MMIC Function VCO Varicap diodes Package SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT323 Type BFR92A BFR92AW BFR94A* BFR93AW BFR94AW* Product Wideband transistor Amplifier Gen-purp wideband amp Package SOT323 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 Type PRF957 PBR951 BGA2031/1 BGA2771 BGA2866 Product Package SOD323 SOD323 Type BB171 BB156 Wideband transistor VCO varicap diodes * AEC-Q101 認定済み(一部制限あり) 全製品のセレクションは、セクション 3.2.1、3.3.1、および 3.4.1 をご覧ください。 製品ハイライト: BGU6101 MMIC 広帯域アンプ BGU6101 は、内蔵バイアス有効機能と広い供給電圧が特徴の不整合 MMIC です。 3 製品(BGU6101、BGU6102、BGU6104)で構成されるフ ァミリーの一部であり、1mA での運用に最適化されています。 40 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 40 MHz ~ 6 GHz に対応 `` 450 MHz で 13 dB の利得と 0.8 dB の NF `` 50 Ω FM LNA:100 MHz で 15 dB の利得と 1.4 dB の NF `` 温度安定化バイアス内蔵で設計が容易 `` 外付け抵抗器でバイアス電流設定可能 `` パワーダウンモードの電流消費 < 1 µA �ESD 保護:全ピンで 1 kV 以上 1.6.4 カーラジオ受信機 (CREST IC: TEF6862HL) また、標準マルチモードカーラジオ受信機で使用されるディスクリートデバイスは、より高レベルの統合を確保するための超小型カンチュー ナにも適用可能です。JFET、バリキャップ、および PIN ノードを含む、NXP のポートフォリオは、FM、AM、およびデジタルラジオを使用す る高度なアプリケーションの設計をサポートします。 FM input filter & AGC IF 1st bandpass 2nd filter mixer mixer variable IF limiter FM deBW filter amplifier modulator V FM MPX DET AM audio f AGC & hum filter oscillator アプリケー ション別製品 マルチモードカーラジオ受信機のアプリケーション図 oscillator AM LNA RF input filter 1st 2nd IF IF IF AM demixer bandpass mixer bandpass amplifier modulator filter filter bra501 推奨製品 Function AM LNA Function FM input filter and AGC Product RF transistor JFET Product Varicap diode RF diode PIN diode Package SOT23 Type BF862 Package SOT23 SOT23 SOD523 SOD323 Type BB201* BB207 BAP70-02 BAP70-03 Function AGC and hum filter Function Oscillator Product RF diode PIN diode Product RF diode Varicap diode Package Type SOT363 BAP70AM Package SOD323 SOD523 Type BB156 BB208-02 * OIRT バンド 全製品のセレクションは、セクション 3.2.1、3.2.2、および 3.5.1 をご覧ください。 製品ハイライト: JFET BF862 NXP のチューニング製品群には、カーラジオ受信機および車載メディアプ ラットフォーム向けの高度な製品が含まれています。 このアプリケーショ ン向けの NXP デバイスは、優れた受信品質とデザインインの容易さが確 約されています。 その性能はリファレンス設計で実証されています。 高 性能ジャンクション FET BF862 は AM ラジオアンプ専用に設計されて います。 特長 `` 高いトランジション周波数と最適化されたキャパシタンスにより優れた 感度を実現 `` 高い伝達アドミタンスによる高利得 �多目的かつ簡便な SOT23 パッケージに内蔵 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 41 1.7 産業・科学・医療(ISM)および RF エネルギー NXP のポートフォリオは、ISM アプリケーションにおける動作のために必要な、すべての RF 周波数、- パワーレベル、- 制御機能、および 相互接続性標準(すなわち、モノのインターネット)をサポートします。 ISM バンド 内における RF エネルギーの拡大の促進に役立つよう、NXP は、従来のマグネトロンの後継として、半導体 RF パワーソリュー ションを提供しています。また顧客の皆様と密接に協力することにより、まったく新しいアプリケーションを可能にします。過酷な動作環境 における製品の長い寿命は、このセグメントで特に重要な効率性や耐久性を作り上げます。これらの要件を満たすため、NXP は極めて高い 耐久性 (XR) を誇る LDMOS 製品の業界最高レベルのポートフォリオにつながる、最新鋭のプロセステクノロジーを使用しています。 1.7.1 ワイヤレスマイクロコントローラ IEEE802.15.4/ZigBee モノのインターネット(IoT)向けワイヤレスマイクロコントローラ NXP は、ZigBee PRO、RF4CE、JenNet-IP、または IEEE802.15.4 を使用し、ワイヤレスネットワークソリューションの開発に、あらゆる必 要なハードウェアとソフトウェアコンポーネントを組み込んだ完全なアプローチを用意しています。NXP の JN516x ワイヤレスマイクロコ ントローラチップは、高性能の処理とラジオ通信を組み合わせた、ワイヤレスネットワークノード設計に最適なハードウェアプラットフォー ムを提供します。また、NXP はモジュールに実装した JN516x ワイヤレスマイクロコントローラと、カスタムアプリケーション開発を容易に する評価キットも提供しています。JN516x アーキテクチャには、2 線式 I2C ポート、 マスターまたはスレーブのいずれかとして動作可能な SPI ポート、バッテリーモニター付 4 チャンネル ADC、温度センサーといった、幅広いアプリケーションをサポートするオンチップペリフェ ラルが含まれます。各デバイスが最大 100 要素の大型スイッチマトリクスまたは 20 キー静電容量式タッチパッドをサポートできます。 超低消費電力、ハイパフォーマンスマイクロコントローラのアプリケーション図 XTAL Watchdog Timer Integrated Antenna uFI Connector MATCHING M00 Option MATCHING 2.4 GHz Radio lncluding Diversity M03 Option PA/LNA O-QPSK Modem lEEE802.15.4 MAC Accelerator External Antenna uFI Connector Voltage Brownout SPI Master and Slave RAM 8/32K FLASH 64/160/256K 32-Bit RISC CPU 4 kB EEPROM 2-Wire Serial (Master/Slave) 4 x PWM + Timers 2 x UART 20 DIO Sleep Counter 4 Chan 10-bit ADC MATCHING M05/M06 Option Power Management 128-Bit AES Encryption Accelerator Battery and Temp Sensor Power aaa-012891 製品ハイライト: JN516x ワイヤレスマイクロコントローラ ロコントローラ製品群で、JenNet-IP、ZigBee PRO、RF4CE ネットワーキン グスタックをサポートし、ホームオートメーションや Smart energy、Light link、リモートコントロールアプリケーションの開発を促進します。高性能の 32 ビット RISC プロセッサおよび組み込みフラッシュと EEPROM メモリ を搭載、可変幅命令を通した高コード効率、 マルチステージ命令パイプライン、 42 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 プログラム可能なクロック周波数での低消費電力動作を実現します。 また、2.4 GHz IEEE802.15.4 準拠のトランシーバと包括的なアナログとデ ジタルのペリフェラルも統合しています。3 つのメモリ構成で提供され、さ まざまなアプリケーションに対応します。15 mA というクラス最高の動作 電流と、0.6μA スリープタイマーモードで、バッテリー寿命を延長し、コイ ンセルからの直接動作を可能にしています。 製品 `` JN5161-001:RF4CE および IEEE802.15.4 アプリケーション用 64kB フラッシュ、8kB RAM 搭載 `` N5164-001:RF4CE、JenNet-IP および IEEE802.15.4 アプリケーション用 160kB フラッシュ、32kB RAM 搭載 `` JN5168-001:ZigBee PRO、RF4CE、JenNet-IP および IEEE802.15.4 アプリケーション用 256kB フラッシュ、32kB RAM 搭載 `` JN5168-001-M00、JN5168-001-M03、JN5168-001-M05、JN5168-001-M06 モジュール アプリケー ション別製品 特長 `` スタックとアプリケーションを実行するためのシングルチップ IEEE802.15.4 準拠のラジオトランシーバを組み合わせた超低消費電力 MCU `` バッテリーを長持ちさせる(10 年以上)超低電流ソリューション `` 複数のネットワークスタックに対応 `` 高性能・低消費電力の拡張 32 ビット RISC プロセッサ `` アナログおよびデジタルペリフェラルの豊富な組み合わせ `` 標準出力および高出力モジュール `` JenNet-IP および ZigBee ネットワーキングスタックを含むソフトウェア開発キット(SDK) ソフトウェア 業界基準 IEEE802.15.4 に基づいたネットワークプロトコルスタックのセレクションを取り揃え、ワイヤレス接続をサポートします。このセ レクションには、JenNet-IP、ZigBee Smart Energy、Light Link、ホームオートメーション、リモートコントロールが含まれ、これらはソフト ウェアライブラリのセットとして提供されています。ZigBee は相互運用性が必要とされるアプリケーションに使用されます。JenNet-IP は あらゆる専有アプリケーションに適しており、エンドノードへの IPv6 接続を提供します。 JN516x-EK001 評価キット 製品ハイライト: MMIC MPA BGA7127 BGA7127 MMIC は、超小型 SOT908 リードレスパッケージにて提供され る低コストの 1 ステージドライバアンプです。 1 dB 利得圧縮時 27 dBm の出力電力を実現し、最大周波数 2700 MHz の各種ナローバンド応用回 路に優れた性能を発揮します 特長 `` 動作範囲:400 ~ 2700 MHz `` 2 GHz で 16 dB の小信号利得 `` 1dB 利得圧縮時出力電力 27 dBm `` アクティブバイアス内蔵 �3.3 または 5 V からの単電源オペ `` シンプルな自己消費電流調整 `` 1 μA シャットダウンモード NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 43 最大 ISM 1600 MHz 向け RF パワー 1.7.2 現場実証済み LDMOS 産業・科学・医療(ISM)市場において、RF パワーは、高出力ガスレーザーから粒子加速器、プラズマ発生器、および医用画像などのシス テムで、半導体のソースからのカスタム RF アンプや RF エネルギーシステムに頻繁に使用され、幅広いアプリケーションをサポートしま す。NXP のポートフォリオには、開発者が高性能かつ長い寿命を実現する ISM システムを作成するために役立つ現場実証済みの LDMOS デバイスが含まれています。 XR の拡張 あらゆる RF パワーアプリケーションの中でも、ISM 分野では耐久性に関して最も過酷な要件を満たすことが求められます。これらの要 件を満たすため、設計者は VDMOS トランジスタから、より新しい LDMOS トランジスタを使用するソリューションへと移行していま す。NXP は、始めから LDMOS のリーダーであり、最近開発された XR テクノロジーにより、耐久性における明らかな優位性をもたらすデ バイスを可能にします。高性能かつ低コストを兼ねる NXP の成長中のポートフォリオ、XR デバイスと新しい OMP デバイスは、顧客の皆 様に、ISM で一歩先を行くためのお手伝いするための数多くある方法の中の 2 例です。 ISM システムのアプリケーション図 PLL/VCO phase shifter MPA APPLICATION VGA blanking HPA ß Pin Pout MICROCONTROLLER aaa-012890 推奨製品 Function Product Package Type Oscillator RF transistor SOT143 SOT23 SOT323 SOT323 SOT323 SOT343 SOT363 SOT416 BFG520 BFR520 BFR92AW BFR93AW BFS520 BFG520W BFM520 BFR520T Function fmin-max (MHz) P1dB (W) Reference HPA XR HPA 0 - 500 0 - 1600 5 - 1400 5 - 600 For the complete product selection see section 3.7.2 For the complete product selection see section 3.7.2 Function Product SOT89 MMIC MPA 製品ハイライト: パワートランジスタ BLF188XR(S) この 1400 W の LDMOS パワートランジスタは、ブロードキャストや産 業アプリケーション向けに、極めて高い耐久性を誇り、ピーク時の出力 パワーにおいては、卓越した 1600 W を提供することが可能です。最高 60 V の動作が可能であり、さらに超耐久性試験をパスすることができま す。BLF188XR は、動作のクラス-C モードでの使用が可能であり、設計を 簡便化し、また ISM やブロードキャストトランスミッタアプリケーションを 含む、複数のアプリケーションに適応します。 44 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Package SOT908 SOT89 SOT908 SOT89 SOT908 特長 �簡単な電力制御 �内蔵 ESD 保護 �優れた耐久性 �高効率 �優れた熱安定性 Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7124 BGA7024 BGA7127 BGA7027 BGA7130 堅牢、高効率かつ制御可能なエネルギー向け半導体 RF 2400 ~ 2500 MHz 間の帯は、最も普及している電子レンジをはじめとした、さまざまな RF アプリケーションに向け、世界中で利用され るようになってから長い間を経ています。2.45 GHz 帯が世界中で自由に利用されるようになって以来、開発者たちはその有用性を活用す るための新しい方法を探し求めています。これら多くの新しいアプリケーションで、堅牢、高効率かつ制御可能なエネルギー源として、半 導体 RF パワージェネレータが活用されています。NXPでは、パフォーマンス、統合および業界最高レベルのシステムサポートともに、こ れらのソリューションを商業的に実現可能にする全製品のポートフォリオをご用意しております。 必須条件:専用の 2.45 GHz LDMOS トランジスタ 専用トランジスタは、この分野において必要不可欠であり、NXP では 2.45 GHz セグメント専用 LDMOS ベースのパワートランジスタを 幅広く提供しています。この帯域において性能を最適化するには、弊社の専用 LDMOS トランジスタを使用することによりコンセプトか らプロダクションへの素早い移動を促します。 RF エネルギーシステムのアプリケーション図 PLL/VCO phase shifter MPA VGA blanking APPLICATION HPA ß Pin Pout MICROCONTROLLER aaa-012890 典型的な ISM アプリケーションでは、RF シンセサイザ、可変ゲインアンプ(VGA)、および RF スイッチ、オプションの位相器を使用して 構築する小信号ジェネレータに続き、必要な出力パワーレベルをもたらす高出力アンプ(HPA)などがあります。カプラまたは検出器を使 用するフィードバックシステムを簡単に追加することができますこのような種類のジェネレータは、ディスクリート構成を使用して構築され るだけではなく、統合にも役立ちます。統合に関するニュースが入り次第、NXP から随時お伝えします。 推奨製品 Function Oscillator Product RF transistor Function Product Package Type SOT343F BFU630F BFU660F BFU690F BFU730F BFU760F BFU790F fmin (MHz) fmax (MHz) Function P1dB (W) Product Package SOT89 MPA MMIC Package SOT908 SOT89 SOT908 SOT89 SOT908 Type BGA6289 BGA6489 BGA6589 BGA7124 BGA7024 BGA7127 BGA7027 BGA7130 Type 10 2500 5.5 SOT1179 10 2500 5.5 SOT1179 2400 2500 100 SOT502 HPA 2400 2500 140 SOT502 Final 2400 2500 180 SOT539 2400 2500 250 SOT539 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1、3.4.1、および 3.7.2 をご覧ください。 Driver BLP25M705 BLP25M710 BLF2425M7L(S)100* BLF2425M7L(S)140 BLF2425M6L(S)180P BLF2425M7L(S)250P 製品ハイライト: 特長 パワートランジスタ BLF2425M7L(S)250P `` 連続波(CW)運用で高効率(51%)および高利得(15 dB) 故障条件下で優れた堅牢性(VSWR >10:1) 低い熱抵抗と優れた熱安定性 2.45 GHz での運用向けに最適化 `` 耳付き(ボルト止め)と耳なし(表面実装)版で提供 2400 ~ 2500 MHz の範囲のアプリケーション向けに熱性能を向上したセ ラミックパッケージで提供される 250 W プッシュプル LDMOS トランジス タです。BLF2425M7L(S)250P は NXP の Gen7 LDMOS テクノロジーを使 用してクラス最高の電力密度を実現したデバイスを提供し、28 V の電源で 51% の効率と 15 dB の利得を達成します。これにより、RF のアプリケーシ ョンは、RF 調理、RF 照明、RF 加熱、RF 乾燥、RF 点火、RF アブレーション など広範囲にわたり有効となります。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 45 アプリケー ション別製品 1.7.3 ISM 2.45GHz 帯向け RF パワー RF を次のレベルへ クラス最高のRFソリューションをよりスマートな世界に 届けるイノベーションへの コミットメント RELEASE THE POTENTIAL 46 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 1.8 航空宇宙および防衛 30 年以上の長きにわたり、NXP は、 マイクロ波アプリケーション向けの高性能 RF テクノロジーをリードしてきました。 NXP は、クラス最高の Si デバイスとプロセステクノロジーにより、RF 小信号およびマイクロ波アンプ向けパワートランジスタの領域で、 強固な位置づけを構築しました。NXPは、LDMOS に基づく S バンドトランジスタ(2700 ~ 3500 MHz)を供給した初の半導体企業で す。将来へ向けてその位置づけをより強固にするために、現在 NXP は窒化ガリウム(GaN)素材をベースとした新しいハイパワー、高帯 域テクノロジーの開発を進めています(GaN の詳細は、セクション 2.3 をご覧ください)。 マイクロ波アプリケーション向けアプリケーション図 RF signals video, timing, bias voltage, control and data I-f signals RF small signal ANTENNA DRIVE RF POWER BOARD RF power MPA mixer PLL VCO HPA ISOLATOR VGA local oscillator duplexer DISPLAY AND CONTROL WAVEFORM GENERATOR local oscillator signal PLL VCO control and timing video mixer DETECTOR LNA IF amplifier brb410 推奨製品 Function Product Driver HPA Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Package Type 500 2700 500 1030 1200 1200 2700 3100 960 1200 1030 1400 3500 1400 1090 1400 1400 2900 3500 1215 1400 1090 25 30 130 200 250 250 350 350 500 500 600 SOT467C SOT1135 SOT1135 SOT502 SOT502 SOM039 SOT539 SOT539 SOT634A SOT539A SOT539A BLL6H0514-25 BLS6G2735L(S)-30 BLL6H0514L(S)-130 BLA6G1011L(S)-200RG BLL6H1214L(S)-250 BLL6H1214P2S-250* BLS7G2729L(S)-350P BLS7G3135L(S)-350P BLA6H0912-500 BLL6H1214-500 BLA6H1011-600 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 全製品のセレクションは、セクション 3.7.3 をご覧ください。 製品ハイライト: パワートランジスタ BLS7G3135L(S)-350P BLS6G2735L(S)-30 は、3.1 ~ 3.5 GHz の範囲におけるレーダーアプリケー ション向け 50 W LDMOS パワートランジスタです。 特長 �簡単な電力制御 �内蔵 ESD 保護 �パルスフォーマットに対する高い柔軟性 �優れた耐久性 �高効率 �優れた熱安定性 �ブロードバンド運用向けの設計(3.1 ~ 3.5 GHz) �使いやすい内部整合 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 47 アプリケー ション別製品 1.8.1L バンド・S バンドレーダーおよびアビオニクスアプリケーション向けマイクロ波製品 Test signal performance Type number Product fmax (MHz) fmin (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) CLF1G0060(S)-10* 0 6000 10 Driver CLF1G0060(S)-30* 0 6000 30 CLF1G0035(S)-50* Driver/final 0 3500 50 CLF1G0035(S)-100* 0 3500 100 CLF1G0035(S)-100P* Final 0 3500 100 CLF1G0035(S)-200P* 0 3500 200 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 全製品のセレクションは、セクション 3.7.4 をご覧ください。 Function LNA and mixer Product RF transistor Function SiGe:C transistor Product 50 50 50 50 50 50 MMIC Function Product RF IC Function Product Gp (dB) Test signal Package version 10 30 50 100 100 200 33.2 59 49 59.5 50.1 43.5 17 15.9 13 13.9 12.7 11.5 Pulsed Pulsed Pulsed Pulsed Pulsed Pulsed SOT1227 SOT1227 SOT467 SOT467 SOT1228 SOT1228 Type SOT343F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F Package Type SOT363 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2816 BGA2850 BGA2865 BGA2866 BGM1014 BGM1013 BGM1012 General-purpose wideband amplifiers PLL/VCO LO generator ηD (%) Package MMIC IF amplifier PL (W) Package Type SiGe:C IC SOT616 TFF1003HN TFF1007HN Gain range Package Type BGA7210 BGA7204 Single VGA MMIC 31 dB SOT617 Function Product Gain range Package Type BGA7350 BGA7351 BGA7352 Dual VGA MMIC 24 dB 28 dB SOT617 Function Product PL (1 dB) @ 940 MHz Package MMIC 24 dBm 28 dBm 25 dBm 28 dBm 30 dBm MPA Type BGA7024 BGA7027 BGA7124 BGA7127 BGA7130 SOT89 SOT908 全製品のセレクションは、セクション 3.3.1、3.4.1、および 3.4.5 をご覧ください。 製品ハイライト: BGA28xx IF ゲインブロック BGA28xx IF ゲインブロックは、6 ピン SOT363 プラスチック SMD パッケージに内部整合回路を搭載したシリコン MMIC 広帯域アンプです。 48 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 特長 `` 出力ステージでの使用に出力インダクタが不要 `` 50 Ω に内部整合 `` 最大 2 GHz で 30 dB 超のリバースアイソレーション `` 2 次歪成分が低い優れた線形性 アプリケー ション別製品 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 49 RELEASE IMAGINATION RF ソリューションに活力を与える NPXの幅広い製品ポートフォリオとコラボレーションアプローチで、 皆様のRF設計をよりスマートな世界に促進します。 50 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 2. テクノロジー 2.1SiGe:C のトップメーカーをお探しですか? NXP で決まりです! 優れた RF 信号品質とより多くの機能性をワンデザインに シリコンゲルマニウム(SiGe)プロセステクノロジーに基づく QUBiC4 は、高い RF 性能を競争力のあるコストで提供すると同時 に、堅牢で高度に統合された機能と付加価値ソリューションを通し て優れた信号品質を確約します。 この社内プロセスは、2002 年から大量生産を行っている成熟し たプロセスに基づいて構築されています。QUBiC4 プロセスは、よ り小さいフットプリントと優れた信頼性、製造効率で 1 つのデバイ スにより多くの機能を組み込むことを可能にし、お客様に明確な競 争上の優位性をお届けします。 単なる代替品を超越 QUBiC4 には複数のメリットがあります。 線形性、雑音指数、位 相雑音に関して GaAs に匹敵する RF 性能を達成します。 また、 より堅牢性と信頼性(能動的な ESD 保護)に優れた設計に加え、 同一のミックスドシグナル IC 上に高密度のアナログ回路とデジタ ル制御をに統合するオプションを提供します。 さらに、SiGe はよ り低い DC 消費電力を実現します。 ワイヤレス機器メーカーは、 競争力のあるコスト、より優れた信頼性および製造効率で、より小 さいスペースにより多くの機能を追加することが可能になります。 QUBiC4 により、最先端・低ノイズのパフォーマンスと IP 可用性を 実現することで、お客様の GaAs テクノロジーからシリコンへの移 行を加速します。 QUBiC4 は 4 種類(QUBiC4+、QUBiC Gen7RF、 QUBiC Gen8RF、および新しくリリースされた QUBiC Gen9RF) を用意、それぞれが特定のアプリケーション分野向けに最適化され ています。 QUBiC4+ QUBiC4+プロセスは、高密度のデジタルロジックをベースとした スマートな機能の統合と、高周波ミックスドシグナル設計向けの アクティブおよびパッシブデバイスの豊富な組み合わせに対応し た、高品質インダクタ用の厚いトップメタルレイヤを含む金属 5 層 の 0.25 μm CMOS です。 デバイスのセットには、3.8V 絶縁破 壊電圧(BVce0)および低雑音指数(NF < 1.1 dB @ 2 GHz)の 35 GHz fT NPN、5 GHz fT VPNP、5.9 V 絶縁破壊電圧の 28 GHz 高電圧 NPN、Q 値 30 超の差動およびシングルエンドバリキ ャップ、Q 値 20 超のスケーラブルインダクタ、800 MHz FT ラテ ラル PNP、0.25 μm CMOS、137、220、12 ~ 2000 Ω/sq. の ポ リおよびアクティブ抵抗、、270 Ω/sq. の SiCr 薄膜抵抗、5.7 fF/ μm2 酸化皮膜コンデンサ、5 fF/μm2 MIM コンデンサ、1 ~ 6 fF/μm2 酸化皮膜コンデンサおよび L-PNP、絶縁 NMOS、3.3 V CMOS や RF-CMOS トランジスタコンデンサなどのデバイスもあり ます。 QUBiC4+ プロセスはシリコンベースで、最大 5 GHz(fT = 35 GHz, NF < 1.1 dB @ 2 GHz)のアプリケーション、および中出 力 QUBiC4X に最適です。 QUBiC Gen7RF QUBiC4X プロセスは、SiGe:C をベースとした QUBiC4 プロセス の高周波ミックスドシグナル設計に向けた拡張版で、2.0 V 絶縁 破壊電圧および超低雑音指数(NF < 1.0 dB @ 10 GHz)の 110 GHz fT NPN、0.25 μm CMOS、各種抵抗器、5.7 fF/μm2 酸化皮膜コンデンサ、5 fF/μm2 MIM コンデンサなどを含む、豊 富なトランジスタデバイスを提供しています。QUBiC4x は、ワイヤ レスインフラストラクチャ、Satcom、ポイントツーポイントワイヤ レス接続など、通常 30 GHz までで動作するアプリケーションに 最適です。 QUBiC Gen8RF QUBiC4Xi プロセスは、QUBiC4X プロセスをさらに拡張したも のです。200 GHz fT NPN と超低雑音指数(NF < 0.6 dB @ 10 GHz)、0.25 μm CMOS、複数の抵抗器、5.7 fF/μm2 酸 化皮膜コンデンサ、5 fF/μm2 MIM コンデンサを提供していま す。QUBiC4xi は、ワイヤレスインフラストラクチャ、ポイントツーポ イント、自動車用レーダー、航空宇宙など高周波(> 20 GHz)で動 作するアプリケーションに最適です。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 51 テクノロジー NXP の QUBiC4 BiCMOS SiGe:C テクノロジーは、より高い周波数、より高い統合性を含めたより高いパ フォーマンスレベルで動作する、低ノイズアンプ、中出力アンプ、局部発振器(LO)ジェネレータなど、次 世代の RF 製品を実現します。使用事例としては、基地局や携帯電話、その他携帯型プラットフォームお よび通信インフラストラクチャ機器のパフォーマンスを向上します。QUBiC4 プロセスは衛星追跡を加速 し、GPS システムにおける GPS 信号との接続性を高め、衛星、WLAN、 マイクロ波無線アプリケーションを 強化するとともに、レーダーなどのパフォーマンスを向上するためにも役立ちます。 最新のプロセスにより、高出力パワーおよび高線形アプリケーショ ンで使用するための高パワーデバイスを提供します。 この広範な高電圧デバイスは、高絶縁能力と高速を兼ね備えてい ます。BV_CEO は、5.5 V まで増幅され、BV_CBO は、18 V に対 応しています。 QUBIC4 Gen9RF 最新リリースの QUBIC ファミリーは、ミリ波周波数でクラス最高 の雑音指数を提供します。最新世代は、is optimized for NFmin 用に測定値 0.27 dB @ 2GHz、0.35 dB @ 5GHz、0.49 dB @ 10GHz で最適化されています。 52 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 2.2 あらゆる RF パワーアプリケーションを駆動するクラス最高の LDMOS LDMOS(横方向拡散金属酸化膜半導体)は、10 MHz ~ 3.8 GHz の周波数範囲で動作する高出力 RF ア ンプで使用される主要なデバイステクノロジーです。LDMOS は、非常に優れた耐久性と効率、高利得、低 コストパッケージングプラットフォームとの互換性など、シリコンバイポーラトランジスタに比べ多くのメリ ットがあります。また LDMOS は、GaN HBT などの別のテクノロジーと比較して、大手産業ベースとの組み 合わせにより、最も採算性に優れたソリューションです。 現在、次世代 Gen9 は、基地局アプリケーション向けにサンプリングが行われている最中で、2014 年半ばに完全製品化される予定で す。LTE 向けに最適化され、2.6 GHz @ 50% の範囲での変調効率を備え、さらに最大パフォーマンスを 3.4 ~ 3.8 GHz まで増加させ、 効率的なだけではなく一歩先を行くデバイスとなっています。 高度なプロセスとアーキテクチャ これらの高い効率は Gen8 LDMOS 素子をドハティなどの特殊なアンプ回路設計と組み合わせることで達成されます。 このテクノ ロジーは、ドハティアンプにより高出力、高効率、より少ないメモリ効果、より優れたプリディストーション性能を実現します。 ドハティアンプは完全統合型トランジスタのシングルパッケージで提供され、技術者は回路の複雑な設計に頭を悩ませる必要があ りません。スプリッタ、遅延ライン、コンバイナのすべてがすでに含まれており、クラス AB 回路と類似したデザインインが可能 です。 高い出力密度と耐久性 航空宇宙および防衛、放送、ISM 市場では、これらのアプリケーションで必要とされる特殊なニーズに合わせて微調整されたデバイスに対 し、NXP は実績のある Gen6 および Gen7 LDMOS プラットフォームを使用しています。たとえば、Gen6 テクノロジーは 42 ~ 50 V の運用 向けに Gen6HV プロセスで再度最適化されてから、さらに旧来の VDMOS テクノロジーに匹敵する極めて優れた耐久性をデバイスに実現す るために Gen6XR でより一層の改善が図られています。Gen6XR プロセスは重度の不整合条件に悩ませられる ISM アプリケーションにとっ て不可欠です。これは、Gen6XR のおかげで製品が RF パフォーマンスで妥協することなくそれらに耐えることができるからです。 これまで、ブロードキャスト市場は出力ニーズに主導されてきました。 NXP は出力密度において新たな基準を打ち立てる LDMOS 製品の継承を携え、再びこの課題に立ち向かいました。 これらの製品は、ダイ上の電力分配および製造における一貫性をバッチ毎 に、年々、新たなレベルへと引き上げる NXP の LDMOS の強みを明らかに顕示しています。 LDMOS テクノロジーの進歩によって、航空宇宙・防衛レーダー市場は Si バイポーラパワートランジスタを使用した設計から LDMOS へと移行することが可能になりました。 LDMOS の RF 性能は現在ほとんどの点で Si バイポーラに匹敵しており、いくつ かではそれらを超越しています。 また、LDMOS は応用がより容易な技術であり、これらの市場で大きな総所有コストの優位性が あります。 これら市場で、NXP は 2.7 ~ 3.5 GHz 範囲の 350 W S バンドデバイスで LDMOS の水準を引き上げています。 利点 特長 `` LDMOS がカバーするあらゆるアプリケーションに適合する競争 `` 28〜32 Vのための強化されたVBW性能を持つ 基地局、航空宇 力のある製品 `` 市場ニーズに遅れをとらない継続的な技術向上 `` 特定のアプリケーション要件に対応して設計された専門のテクノ ロジーノード 宙、および防衛アプリケーション Gen8/9 `` 極めて高い耐久性を必要とする 42 ~ 50 V の ISM アプリケーシ ョン向け Gen6XR `` 42 ~ 50 V の高出力密度ブロードキャストアプリケーション向け Gen6HV NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 53 テクノロジー NXP の LDMOS テクノロジープラットフォームは 28 ~ 50 V の供給電圧で動作するデバイス向けに設計され、卓越した効率と出力、耐久 性を備えています。このテクノロジーは、35 年の長きにわたり RF の分野で NXP が積み上げてきた実績のある製品と技術革新という伝 統を基盤としています。現在その第 8 世代である NXP の LDMOS デバイスは最大 3.8 GHz という記録的なパフォーマンスを提供し、た とえばワイヤレスネットワーク事業者がクラス最高の効率で無線基地局の運用コストを削減するお手伝いをします。 2.3 窒化ガリウム(GaN): NXP が GaN を主流にすることで明確な優位性を獲得 RF パワートランジスタ提供において 35 年以上にわたる経験を擁する NXP は、ワイヤレスインフラストラクチャ、 産業・科学・医療(ISM)、航空宇宙および防衛アプリケーション向けの安全で信頼できる主流サプライチェーンを通 した GaN RF パワーデバイス提供で業界をリードしています。 NXP の第 1 世代 GaN プロセステクノロジーは、クラス最高の線形性 を実現すると同時に、設計者がパワーと堅牢性、効率を維持すること を可能にします。 これによって、コンポーネント数を最小限に抑え、ア ンプのフットプリントを削減した妥協のないアンプ設計が実現します。 GaN の更なる利点としては、非常な高温にも耐える堅固な半導体 材料であることです。NXP の GaN トランジスタは、Si LDMOS の 225 ℃ と比較して、250 ℃ という最高温度にも耐えます。そのよ うな高温に対応するには、この特性を生かすことができるパッケー ジが必要です。この点に関して、お客様は NXP の 35 年にもわたる RF パワー製品の実績から恩恵を受けることができます。 NXP の最先端バックエンドアセンブリ施設では、GaN の高い出力密度 をより小さく、より広帯域の回路に一貫して活用しています。 ハイパフ ォーマンスの GaN および LDMOS 製品の幅広いポートフォリオを通し 簡単に言うと、GaN テクノロジーはほとんどのアプリケーションで Si て、NXP はお客様のアプリケーションに最適な設計を可能にする偏り LDMOS よりも 1 ステップ上の効率と出力密度性能を実現します (図を参照)。独立市場調査会社の予測が実現すれば、GaN 製品の のないチョイスをお届けします。 売り上げは 、航空宇宙・防衛のアプリケーションを超えた新しいアプ リケーション分野に向かって成長していくことでしょう。しかしこの 主な特長 分野の成長には、NXP のような主流の RF パワー企業が何年にもわ ``高い周波数、帯域幅最大 6 GHz たりGaN テクノロジーへの投資などでサポートを行なうことが必要 ``高効率 となります。 ``優れた線形性 ``高い出力密度 ``高い熱伝導性 ``より高温でも信頼性を損なうことなく動作可能(250 ℃、Si LDMOS の 225 ℃と比較) ``優れた耐久性 アプリケーション ``商用ワイヤレスインフラストラクチャ(基地局) ``レーダーシステム ``広帯域および狭帯域汎用アンプ ``公衆モバイル無線 ``ISM アプリケーション ``ジャマー ``試験器具 ``EMC 試験 RF パワーアンプの新たな性能基準を打ち立てる GaN 製品は高電子移動度トランジスタ(HEMT)と呼ばれますが、これ は高電子ドリフト速度という GaN の内在的メリットの 1 つを表す名 称です。 しかし、これらのトランジスタはデイプリーション型素子であ り、つまりノーマリーオン型で、オフに切り替えるには負のゲートバイア スが必要となります。 このバイアスは簡単ではないため、NXP は実績 と信頼を備えたバイアス回路も用意しています。 54 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 現在、NXP はお客様に製品の卓越した信頼性、コスト競争力、サプラ イチェーンにおける高い信頼をもたらす産業基盤を活用した GaN 製 品のポートフォリオをリリースしています。まさに、NXP が GaN を主 流にするのです。 2.4 ハイパフォーマンス、小型パッケージ NXP のリードレスパッケージプラットフォームと WL-CSP テクノロジーによって実現されるハイパフォーマンス、 小型パッケージ NXP は複数のアプローチでこれらのトレンドに対応 `` スペースに制約のないアプリケーションについては、ガルウィングバージョンに代わりフラットパックパッケージ(例:SOT343 に代わり SOT343F)を使用、より短いリード長で寄生インピーダンスを減少します。これにより、Ku および Ka バンド(13 ~ 20GHz)でのパフ ォーマンスが向上します。 SOT343 SOT343F SOT1230 SOT1223 スペースに制約のあるアプリケーションについては、フォームファクタと寄生インピーダンスを削減する方法が 2 つあります。 - リードレスパッケージプラットフォーム - ウェハーレベルチップスケールパッケージ(WL-CSP)テクノロジー リードレスパッケージプラットフォーム 25 種類がすでに発売済 み)は、パッケージサイズ、パッケージの高さ、および I/O ピッチに おいては高い柔軟性があります。 たとえば、6 ピンパッケージの場 合、サイズ 1.45 x 1 x 0.5 mm、ピッチ 0.5 mm からサイズ 0.8 x 0.8 x 0.35 mm、ピッチ 0.3 mm まであります。 コンパクト設計のため、ワイヤ長および寄生インピーダンスも制限され ます。 リードがないことで、インダクタンスがさらに減少されます。 ウェハーレベルチップスケールパッケージテクノロジー I/O ピッチが チップ領域に適合する必要がある RF 機能に最適です。より小型の 設計は(したがって有効なチップ領域がほとんどない)、I/O ピッ チがより小さくなるためボードへの適用が更に困難になりますが、 この小型の機能では SOT1232 パッケージ内で反転することが可 能になり、0.4mm ピッチの標準リードレスパッケージと同様に取 り付けることができます。 ワイヤがないため、寄生インダクタンスが最小になります。 SOT886 SOT891 SOT1208 (0.09ミリメートルボール含む)×0.440.65 X0.29ミリメートル 5 I / Oの@0.22ミリメートルピッチ NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 55 テクノロジー RF 小信号パッケージは部分的に重複する 2 つの主要トレンドが動力 RF 性能を高める低寄生インピーダンス ポータブルアプリケーション向けの小型フォームファクタ 2.5 RF パワートランジスタパッケージ パッケージは、RF パワートランスミッタのコスト効果とパフォーマンスの両方にに関係する重要な要素で す。ピーク時のパワー範囲 5 W ~ 1 kW 以上で、パッケージの全ファミリーがすべてのアプリケーション をカバーするのに必要とされることは明らかです。パフォーマンスとコストのトレードオフの必要性に応じ て、中空構造パッケージまたはオーバーモールドプラスチックパッケージを使用することができます。 中空構造パッケージ RF パワートランスミッタ用の従来のパッケージは、セラミックリッド付き中空構造パッケージです。フランジ(またはヒートシンク)素材 は、数年来進化を遂げ、現在最も一般的に使用されている素材は、銅および酸化銅モリブデンの基板、CPC(Cu/Mo70Cu/Cu)です。 この素材は、低 Rth(従来使用されていた Cu-W と比較)で、なおかつアクティブなダイスおよび内部整合コンデンサに使用されるシリ コンと適合する優れた CTE(熱膨張係数)を提供するその熱的特性により選ばれました。 パッケージは、フランジ、リングフレーム、リッドの 3 つの部分で構成されています。フランジは、高温でリングフレームにロウ付けされ、 そのコンポーネントは、ヘッダとして知られています。次にアクティブかつパッシブなダイスが、フランジにはんだ付けされ、整合回路やリー ドとの接続を行うためワイヤボンディングが使用されます。最後に、上部にリッドをのり付けしてトランジスタを閉じ、最終的な手順とし て仕様のコンプライアンスのために製品に一連の試験を行います。 中空構造セラミック(ACC)パッケージ 中空構造セラミックパッケージは、長年にわたり、その信頼性とパフォーマンスにおいて実績を築き上げ、多種多様なサイズやパワーレベ ルが揃っています。中空構造セラミックパッケージには数多くのメリットがある反面、デメリットもあります。まず、気孔セラミックパッケー ジは 1 つ 1 つアセンブリが必要なため、処理に時間がかかりすぎることやリングフレームにフランジをロウ付けする際に、ストレスや歪 みが生じることなどが挙げられます。また、各パッケージのバリエーション(リードの追加やリードの短縮など)には、固有のヘッダの作 成が必要となるため、スケールメリットに限界が生じます。 SOT608 SOT1120 ACC パッケージの構造 SOT1121 SOT539 ACP トランジスタの 3 つのコンポーネント: CPC フランジ、ポリマー製リングフレーム、ポリマー製 リッド 中空構造プラスチック(ACP)パッケージ 中空構造パッケージの性能優位性をキープしつつ、これらの限界を回避するため に、NXP は、中空構造プラスチック(ACP)として知られるパッケージの新しいファ ミリーを導入しました。中空構造プラスチックの構造は、ACC と類似しているもの の、そのリッドとリングフレームには、セラミックの代わりにポリマーが使用されてい ます。これにより、リングフレームがフランジにロウ付けではなく、のり付けされるた め、フランジのストレスや歪みを軽減します。また同様に、より薄型の整合コンデン サが使用できるようになるため、ゲートおよびドレイン両方において、RF 損失を削減 します。結果、ACC に比べ、より高利得、高効率となります。 56 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 トランジスタのストリップ さらに、アセンブリプロセスにおいて、個別ヘッダではなくストリップの使用が可能なため、処理時間が短縮される他、ロジスティックスの 簡素化と同時にリードの形状や長さにおいて、バリエーションが広がります。一言で言うならば、ACP パッケージは、コストカットを兼ね備 えた更なるパフォーマンスを提供するということです。 SOT1275 SOT1251 オーバーモールドプラスチック(OMP)パッケージ 第 3 のトランジスタパッケージファミリーは、費用重視のアプリケーションに使用されています。OMP と言われるもので、その構造は、銅製フ ランジや成形体を持ち、整合回路と似ていますが、RF パフォーマンスを向上させるために整合ネットワークにおいて、ディスクリートワイヤボ ンディングが頻繁に使用されます。OMP パッケージは、低消費電力ドライバーに使用される HVQFN パッケージから、ドライバー、MMIC、 およびディスクリートに使用される SOT502 形式のパッケージなど数々の主要な部分では使用されません。 HVQFN MMIC Driver Discrete final 今、パフォーマンス(利得、効率、VBW)や中空構造トランジスタへのパワーにおけるディスクリートの終わりが非常に近づいています。た だし、中空構造パッケージは、最新の割合やデシベルが問題になる高性能なアプリケーションに対しては、まだパッケージの選択肢となり 得ます。 結果として、NXP が提供する幅広いパッケージにより、皆様の正確なアプリケーションに対し、最適化された適切なデバイスの選択を可能 にし、コスト面とパフォーマンス面の間で最良の妥協案を見つけることができることでしょう。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 57 テクノロジー NXP は、SOT502 および SOT539 パッケージ形式で ACP パッケージを製造しており、以下の 2 種類を含み、多くの種類が既に大量生 産されています。 RF パフォーマンス強化 NXP には、最高の RF パフォーマンスを実現する証明済みの 実績があります。だからこそ、すべての衛星ソリューション の半数に NXP のコンポーネントが使用されているのです。 よりスマートな世界のための RF。 RELEASE PERFORMANCE 58 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3. 機能別製品 NXP RF 製品カタログ: http://www.nxp.com/rf 3.1 新製品 DEV = 開発中 CQS = 顧客認定サンプル RFS = 供給開始 Application/description Expected status June 2014 Planned release GPS LNA, 17.5 dB gain GPS LNA, 17.5 dB gain GPS LNA, 17 dB gain GPS LNA, 18.5 dB gain RFS RFS RFS RFS Released Released Released Released 3.4.1 NEW: MMIC broadband amplifiers for TV and distribution systems BGA3021 Extreme broadband amplifier, 16 dB gain, SOIC8 BGA3 022 Extreme broadband amplifier, 18 dB gain, SOIC8 BGA3023 Extreme broadband amplifier, 20 dB gain, SOIC8 DEV DEV DEV Q3 2014 Q3 2015 Q3 2016 3.4.1 3.4.1 3.4.1 NEW: Upstream VGA for DOCSIS 3.0 BGA3031 5 - 85 MHz high-linearity variable-gain amplifier, 58 dB gain range RFS Released 3.4.1 2.4 GHz LNA for WLAN, 802.11b/g/n 5.8 GHz LNA for WLAN, 802.11a/n/ac RFS RFS Released Released 3.4.1 3.4.1 LNA from 0.7 to 1 GHz, 0.7 dB NF LNA from 1.8 to 2.2 GHz, 0.8 dB NF LNA from 2.3 to 2.7 GHz, 0.9 dB NF RFS RFS RFS Released Released Released 3.4.1 3.4.1 3.4.1 Variable gain high-linearity LNA 1.8 GHz, 0.77 dB NF Variable gain high-linearity LNA 1.9 GHz, 0.77 dB NF Variable gain high-linearity LNA 2.5 GHz, 1.05 dB NF RFS CQS CQS Released Q2 2014 Q2 2014 3.4.1 3.4.1 3.4.1 Downconverter with PLL/VCO for VSAT, eight different Ku sub-bands with one crystal Downconverter with PLL/VCO for satellite LNBs CQS RFS Q2 2014 Released 3.4.1 3.4.1 RFS RFS RFS Released Released Released 3.6.3 3.6.3 3.6.3 Type Section NEW: SiGe:C LNAs (for e.g. GPS) 3.4.1 3.4.1 機能別製品 BGU6005 BGU6009 BGU8004 BGU8019 NEW: LNAs for WLAN BGU7224 BGU7258 NEW: LNAs for LTE BGU8L1 BGU8M1 BGU8H1 NEW: LNAs for wireless infrastructures BGU7062N2 BGU7073 BGU7075 NEW: Downconverters for satellite TFF1024HN TFF1012HN NEW: CATV power doublers CGD982LC CGD985LC CGD1042L 1 GHz power doubler, from 22 to 24 dB, 48 dBmV 1 GHz power doubler, from 24 to 26 dB, 48 dBmV 1 GHz power doubler, from 22 to 24 dB, 54 dBmV NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 59 NEW: RF wideband transistors for DC - 2 GHz application Type Application/description Expected status June 2014 Planned release Section BFU520W BFU530W BFU550W BFU520A BFU530A BFU550A BFU520 BFU530 BFU550 BFU520X BFU530X BFU550X BFU520XR BFU530XR BFU550XR BFU580Q BFU590Q BFU580G BFU590G BFU520Y RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT323 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT323 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT323 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT23 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT23 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT23 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143X RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143X RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143X RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143R RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143R RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT143R RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT89 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT89 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT223 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT223 RF transistor, high-speed, High-breakdown, LNA, Driver or VCO application, SOT363 RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released Released 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 3.3.1 NEW: RF power transistors for base stations Type Application/description Expected status June 2014 Planned release Section BLP8G0727S-05 BLP8G0727S-10 BLM8G0710S-15PB(G) BLP6H10S-10 BLM8G0710S-30PB(G) BLM8G0710S-45AB(G) BLF6H10LS-150 BLP8G10S-200(G)W BLP8G10S-270(G)W BLF6H10LS-300P BLC8G10LS-310AV BLC8G10LS-450AV BLM7G1822S-20PB(G) BLM7G1822S-40AB(G) BLM7G1822S-60PB(G) BLM7G1822S-80AB(G) BLP8G20S-80P BLF8G20LS-140(G)V BLF8G22LS-160(G)V BLF8G20LS-160V BLP8G21S-160PV BLP8G22S-200(G)W BLF8G20LS-210(G)V BLC8G22LS-100AV BLP8G1822S-100A(G)W BLC8G21LS-160AV BLP8G1822S-160A(G)W BLP8G1822S-210A(G)W BLC8G20LS-310AV BLC8G22LS-360AV BLC8G20LS-360AV BLC8G20LS-400AV BLC8G22LS-450AV BLP8G2327S-20 BLF8G24LS-100(G)V BLF8G27LS-100(G)V BLC8G27LS-210PV BLC8G27LS-60AV BLC8G27LS-100AV BLC8G27LS-140AV QFN Driver QFN Driver MMIC for Basestations High Voltage driver MMIC for Basestations MMIC for Basestations High Voltage final OMP Transistor for Basestations OMP Transistor for Basestations High Voltage final ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations MMIC for Basestations MMIC for Basestations MMIC for Basestations MMIC for Basestations OMP Transistor for Basestations Ceramic Transistor for Basestations Ceramic Transistor for Basestations Ceramic Transistor for Basestations OMP Transistor for Basestations OMP Transistor for Basestations Ceramic Transistor for Basestations ACP PAD for Basestations OMP Transistor for Basestations ACP PAD for Basestations OMP Transistor for Basestations OMP Transistor for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations QFN Driver Ceramic Transistor for Basestations Ceramic Transistor for Basestations ACP Transistor for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV CQS DEV DEV DEV RFS RFS DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV DEV RES RES DEV DEV DEV DEV Q4 2014 Q4 2014 Q4 2014 Q2 2014 Q4 2014 Q1 2015 Q4 2014 Q1 2015 Q1 2015 Q4 2014 Q4 2014 Q4 2014 Q2 2014 Q4 2014 Q1 2015 Q4 2014 Q3 2014 Q2 2014 Q3 2014 Released Released Q1 2015 Q2 2014 Q4 2014 Q1 2015 Q3 2014 Q1 2015 Q4 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q1 2015 Released Released Q3 2014 Q3 2014 Q2 2014 Q2 2014 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 60 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 NEW: RF power transistors for base stations Type Application/description Expected status June 2014 Planned release Section BLC9G27LS-150AV BLC8G27LS-180AV BLC8G27LS-200AV BLC8G24LS-240AV BLC8G27LS-240AV BLC8G27LS-245AV BLC8G27LS-310AV BLF8G38LS-75V BLC9G38LS-100AV BLC9G38LS-160AV ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations Ceramic Transistor for Basestations ACP PAD for Basestations ACP PAD for Basestations DEV DEV DEV CQS DEV DEV DEV RFS DEV DEV Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q2 2014 Q2 2014 Q2 2014 Q4 2014 Released Q3 2014 Q1 2015 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 3.7.1 RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS RFS DEV DEV DEV RFS RFS RFS Released Released Released Released Released Released Released Released Released Q3 2014 Q3 2014 Q2 2014 Released Released Released 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 3.7.2 DEV Q4 2014 3.7.3 DEV RFS RFS Q4 2014 Released Released 3.7.3 3.7.3 3.7.3 RFS RFS Released Released 3.7.3 3.7.3 DEV DEV DEV DEV DEV DEV Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 Q3 2014 3.7.4 3.7.4 3.7.4 3.7.4 3.7.4 3.7.4 BLF10M6(LS)135 BLF10M6(LS)160 BLF188XR(S) BLF2425M7L(S)100 BLF2425M8L(S)140 BLF644P BLF647P(S) BLF888D(S) BLP05M7200 BLP10H603 BLP10H605 BLP10H610 BLP15M7160P BLP25M705 BLP25M710 Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications XR ceramic push-pull LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Ceramic High Voltage LDMOS transistor for UHF broadcast applications Broadband OMP LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Broadband OMP LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Broadband OMP LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Broadband OMP LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Gen7 OMP LDMOS transistor for broadcast & ISM applications Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast & ISM applications Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast & ISM applications 機能別製品 NEW: RF power LDMOS transistors for 1 - 1600 MHz (UHF/VHF/ISM) NEW: RF power LDMOS transistors for Avionics BLA6H0912L(S)-1000 Gen6 high-voltage ceramic LDMOS transistor for avionics applications NEW: RF power LDMOS transistors for L-band BLL6H1214P2S-250 BLL6G1214L(S)-250 BLL6H1214LS-500 Gen6 high voltage 2-stage LDMOS pallet for L-band applications Gen6 ceramic LDMOS transistor for L-band applications Gen6 high-voltage ceramic LDMOS transistor for L-band applications NEW: RF power LDMOS transistors for S-band BLS7G2729L(S)-350P BLS7G3135L(S)-350P Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications Gen7 ceramic push-pull LDMOS transistor for S-band radar applications NEW: Gallium Nitride (GaN) RF power amplifiers CLF1G0035(S)-50 CLF1G0035(S)-100 CLF1G0035(S)-100P CLF1G0035(S)-200P CLF1G0060(S)-10 CLF1G0060(S)-30 Gen1 ceramic GaN broadband amplifier Gen1 ceramic GaN broadband amplifier Gen1 ceramic GaN push-pull broadband amplifier Gen1 ceramic GaN push-pull broadband amplifier Gen1 ceramic GaN broadband driver amplifier Gen1 ceramic GaN broadband driver amplifier NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 61 3.2RF ダイオード バリキャップダイオード 3.2.1 バリキャップのセレクションガイドは www.nxp.com/varicaps をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設 計に適したバリキャップをお選びいただけます。 NXP のバリキャップダイオードが選ばれる理由: `` テレビおよびラジオチューニング向けのリファレンス設計 `` ダイレクト整合プロセス `` 小さい公差 `` 短納期対応 `` 幅広い周波数範囲と多様なパッケージ(リードレスを含む)を取り揃えた完璧なポートフォリオ `` 信頼性の高い量産供給 VCO および FM ラジオチューニングバリキャップダイオード Type Package Number of diodes Config BB145B BB156 BB201 BB202^ BB207* BB208-02* BB208-03* SOD523 SOD323 SOT23 SOD523 SOT23 SOD523 SOD323 1 1 2 1 2 1 1 SG SG CC SG CC SG SG Cd min Cd typ (pF) 6.4 14.4 89 28.2 76 19.9 19.9 (pF) 16 95 81 - Cd @ VR = Cd min max (pF) (V) (pF) 7.2 1 2.55 17.6 1 4.2 102 1 25.5 33.5 0.2 7.2 86 1 25.5 23.2 1 4.5 23.2 1 4.5 @ f = 1 MHz Cd @ VR = Cd1/Cd2 Cd1/Cd2 @ V1 = @ V2 = max min max (pF) (pF) (V) (V) (V) 2.95 4 2.2 1 4 4.8 5.4 7.5 2.7 3.9 1 7.5 27.6 29.7 7.5 3.1 3.8 1 7.5 11.2 2.3 2.5 0.2 2.3 27.6 29.7 7.5 2.6 3.3 1 7.5 5.4 7.5 3.7 5.2 1 7.5 5.4 7.5 3.7 5.2 1 7.5 Cd typ * FM カーラジオ(CREST-IC:TEF6860) 向けの特別設計を含む 接続タイプ: ^ 携帯電話チューナー IC 向けの特別設計を含む rs typ r s max @f= (Ω) 0.4 0.25 0.35 0.2 0.35 0.35 (Ω) 0.6 0.7 0.5 0.6 0.4 0.5 0.5 (MHz) 470 470 100 100 100 100 100 CC:コモンカソード SG:シングル UHF バリキャップダイオード @ f = 1 MHz Type Package Unmatched BB174 SOD523 BB174LX SOD882D Unmatched BB135 SOD323 Cd min Cd typ Cd max @ VR = Cd1/Cd2 typ Cd1/Cd2 max @ V1 = @ V2 = (V) (V) (Ω) @f= @ Cd @ V1 = @ V2 = @ N s = ∆C /C d d = (Ω) (MHz) (pF) r s typ r s max (pF) (pF) (pF) (V) 1.951 1.95 2.1 2.1 2.225 2.22 28 28 8.45 8.45 9 9 10.9 10.9 1 1 28 28 0.6 0.65 0.75 - 470 470 9 30 1.7 - 2.1 28 8.9 - 12 0.5 28 - 0.75 470 9 太字 = 推奨製品 62 Cd1/Cd2 min NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 (V) (V) 2 2 1 1 28 28 10 5 - - - - VHF バリキャップダイオード Type Unmatched BB170 BB171 BB172 BB173 BB173LX BB175 BB131 BB181 BBY40 Package SOD323 SOD323 SOD323 SOD523 SOD882D SOD523 SOD323 SOD523 SOT23 @ f = 1 MHz @ V1 @ VR Cd min Cd typ Cd max Cd1/Cd2 Cd1/Cd2 Cd1/Cd2 = = typ max min (pF) (pF) (pF) (V) (V) 2.4 2.48 2.361 2.361 2.36 2.48 0.7 0.7 4.3 2.6 2.7 2.6 2.6 2.6 2.7 - 2.75 2.89 2.754 2.754 2.75 2.89 1.055 1.055 6 28 28 28 28 28 28 28 28 25 14.5 20.6 13.5 13.5 13.5 20.6 12 12 5 15 22 15 15 15 22 - 16 16 6.5 @ V2 = (V) 1 1 1 1 1 1 0.5 0.5 3 r s typ r s max 28 28 28 28 28 28 28 28 25 @f= @ Cd = (Ω) (Ω) (MHz) (pF) 1 0.65 0.65 0.7 1 - 0.9 1.2 0.8 0.8 1.2 3 3 0.7 100 100 100 100 470 100 470 470 200 12 30 30 30 30 30 9 9 25 ∆Cd/Cd @ V1 = @ V2 = 2 2 2 2 2 2 - (V) (V) 0.5 1 1 1 1 1 - 28 28 28 28 28 28 - @ Ns = 10 10 10 10 5 10 - 3.2.2PIN ダイオード Cd (fF) PIN ダイオードのセレクションガイドは www.nxp.com/pindiodes をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設計 に適した PIN ダイオードをお選びいただけます。 brb407 700 600 BAP65LX Freq = 100 MHz, Cd @ VR = 0 V rD @ 0.5 mA rD @ 10 mA BAP65LX 500 400 BAP50LX BAP63LX BAP63LX BAP1321LX BAP51LX BAP51LX BAP1321LX BAP142LX BAP142LX 300 200 BAP64LX BAP70-02 100 0 10−1 1 10 25 Freq = 1800 MHz, Isolation @ VR = 0 V Insertion Loss @ 0.5 mA Insertion Loss @ 10 mA 20 BAP70-20 BAP50LX BAP64LX BAP51LX BAP142LX BAP1321LX BAP63LX 15 10 BAP65LX 5 BAP51LX BAP142LX BAP1321LX BAP63LX 10−1 1 @ f = 100 MHz Config VR max (V) IF max (mA) BAP65LX BAP65-02 BAP65-03 BAP65-05 BAP65-05W BAP63LX BAP63-02 BAP63-03 BAP63-05W SOD882D SOD523 SOD323 SOT23 SOT323 SOD882D SOD523 SOD323 SOT323 1 1 1 2 2 1 1 1 2 SG SG SG CC CC SG SG SG CC 30 30 30 30 30 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 100 100 100 BAP70-02 10 Insertion Loss (dB) 詳細情報 www.nxp.com/pindiodes PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA ≤ 2、スイッチングダイオード Number of diodes BAP50LX BAP64LX BAP65LX 0 10−2 Package 102 rD (Ω) brb408 Isolation (dB) Type BAP64LX BAP70-02 機能別製品 NXP の PIN ダイオードが選ばれる理由 } 幅広い製品群 } 比類のないパフォーマンス } 短納期対応 } 低直列インダクタンス } 低挿入損失 } 低キャパシタンス BAP50LX @ IF = 0.5 mA @ IF = 1 mA @ f = 1 MHz @ VR = @ IF = 10 mA 0V @ VR = 1 V @ VR = 20 V rD typ (Ω) rD max (Ω) rD typ (Ω) rD max (Ω) rD typ (Ω) rD max (Ω) Cd typ (pF) Cd typ (pF) Cd max (pF) Cd typ (pF) Cd max (pF) 2.3 2.5 2.5 2.5 3.3 3.5 3.5 3.5 0.94 1 1 1 1 1.87 1.95 1.95 1.95 3 3 3 3 0.49 0.56 0.56 0.56 0.56 1.19 1.17 1.17 1.17 0.9 0.9 0.9 0.9 0.9 1.8 1.8 1.8 1.8 0.61 0.65 0.65 0.7 0.7 0.34 0.36 0.4 0.4 0.48 0.55 0.55 0.575 0.575 0.29 0.32 0.35 0.35 0.85 0.9 0.9 0.9 0.9 - 0.37 0.375 0.375 0.425 0.425 0.24 0.25 0.27 0.3 0.3 0.32 0.32 0.35 IF = IF = PIN ダイオード: SOD882D パッケージ品のアイソレーションと挿入損失による選択 ISL (isolation ) f= f= IL (Insertion loss) f= 900 MHz 1800 MHz 2450 MHz f= f= f= 900 MHz 1800 MHz 2450 MHz Type BAP65LX BAP63LX BAP55LX BAP142LX BAP51LX BAP64LX BAP50LX 太字 = 推奨製品 VR = VR = VR = IF = IF = 0V 0V 0V 0.5 mA 1 mA 10 15.9 19 18 19 22 20.3 5.5 10.5 14 13 15 16 17.9 3.9 8.3 12 11 13 14 16.5 0.09 0.2 0.24 0.24 0.36 1.22 1.82 0.06 0.17 0.17 0.18 0.25 0.22 1.07 IF = IF = IF = 10 mA 100 mA 0.5 mA 0.06 0.12 0.08 0.1 0.12 0.12 0.25 SG = シングル SR = 直列 0.05 0.11 0.05 0.07 0.9 0.09 - 0.09 0.2 0.25 0.24 0.36 1.21 1.8 IF = 1 mA 0.07 0.17 0.18 0.19 0.26 0.23 1.06 IF = IF = IF = 10 mA 100 mA 0.5 mA 0.07 0.13 0.09 0.11 0.14 0.13 0.26 0.06 0.11 0.07 0.09 0.1 0.1 - 0.1 0.21 0.26 0.25 0.38 1.22 1.81 IF = 1 mA 0.08 0.19 0.19 0.25 0.27 0.24 1.08 10 mA 100 mA 0.08 0.15 0.1 0.12 0.15 0.15 0.27 0.07 0.15 0.08 0.1 0.12 0.11 - CC = コモンカソード CA = コモンアノード NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 63 PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA = 2.2 - 2.4、スイッチングダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) BAP55LX BAP1321-02 BAP1321-03 BAP1321-04 BAP1321LX BAP142LX SOD882D SOD523 SOD323 SOT23 SOD882D SOD882D 1 1 1 2 1 1 SG SG SG SR SG SG 50 60 60 60 60 50 100 100 100 100 100 100 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 3.3 3.4 3.4 3.4 3.3 3.3 @ IF = 1 mA rD max (Ω) 4.5 5 5 5 5 5 rD typ (Ω) 2.2 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 rD max (Ω) 3.3 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 @ f = 1 MHz @ VR = @ VR = 20 V @ VR = 1 V 0V Cd rD Cd Cd Cd Cd max max typ typ max typ (pF) (Ω) (pF) (pF) (pF) (pF) 1.2 0.28 0.23 0.18 0.28 1.8 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32 1.8 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32 1.8 0.42 0.375 0.45 0.275 0.325 1.8 0.32 0.27 0.38 0.21 0.28 1.8 0.25 0.22 0.16 0.26 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 0.8 1.2 1.2 1.2 1.2 1 PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA = 3.2 - 3.6、スイッチングダイオード @ f = 100 MHz Type BAP51LX BAP51-02 BAP51-03 BAP51-04W BAP51-05W BAP51-06W Package SOD882D SOD523 SOD323 SOT323 SOT323 SOT323 Number of diodes Config 1 1 1 2 2 2 SG SG SG SR CC CA VR max (V) IF max (mA) 60 60 50 50 50 50 100 50 50 50 50 50 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 4.9 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 @ IF = 1 mA rD max (Ω) 9 9 9 9 9 - rD typ (Ω) 3.2 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 rD max (Ω) 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 - @ f = 1 MHz @ VR = 0V Cd rD max typ (Ω) (pF) 2.5 0.3 2.5 0.4 2.5 0.4 2.5 0.4 2.5 0.4 0.4 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 1.4 1.5 1.5 1.5 1.5 2 @ VR = 1 V Cd typ (pF) 0.22 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 Cd max (pF) 0.4 0.55 0.55 0.55 0.55 - @ VR = 20 V Cd typ (pF) 0.17 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 Cd max (pF) 0.3 0.35 0.35 0.35 0.35 - PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA = 10、アッテネータ/スイッチングダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes BAP64Q SOT753 4 BAP64-02 SOD523 1 BAP64-03 SOD323 1 BAP64-04 SOT23 2 BAP64-04W SOT323 2 BAP64-05 SOT23 2 BAP64-05W SOT323 2 BAP64-06 SOT23 2 BAP64-06W SOT323 2 BAP64LX^ SOD882D 1 ^ = アッテネータ/スイッチングダイオード Config VR max (V) SR 100 SG 175 SG 175 SR 175 SR 100 CC 175 CC 100 CA 175 CA 100 SG 60 *= @ VR = 20 V IF max (mA) @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 31 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 rD max (Ω) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 50 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 16 rD max (Ω) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 26 @ f = 1 MHz @ VR = 0V Cd rD max typ (Ω) (pF) 3,8 0.52 3.8 0.48 3.8 0.48 3.8 0.52 3.8 0.52 3.8 0.52 3.8 0.52 3.8 0.52 3.8 0.52 4.4 0.48 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2.6 @ VR = 1 V Cd typ (pF) 0.37 0.35 0.35 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.34 Cd max (pF) - @ VR = 20 V Cd typ (pF) 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.17* Cd max (pF) 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 0.3* PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA = 14 - 16、アッテネータダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes Config VR max (V) IF max (mA) BAP50-02 BAP50-03 BAP50-04 BAP50-04W BAP50-05 BAP50-05W BAP50LX SOD523 SOD323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOD882D 1 1 2 2 2 2 1 SG SG SR SR CC CC SG 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 25 25 25 25 25 25 26 rD max (Ω) 40 40 40 40 40 40 40 @ IF = 1 mA rD typ (Ω) 14 14 14 14 14 14 14 rD max (Ω) 25 25 25 25 25 25 25 @ f = 1 MHz @ VR = 0V Cd rD max typ (Ω) (pF) 5 0.4 5 0.4 5 0.45 5 0.45 5 0.45 5 0.45 5 0.4 @ IF = 10 mA rD typ (Ω) 3 3 3 3 3 3 3 @ VR = 1 V Cd typ (pF) 0.3 0.3 0.35 0.35 0.3 0.35 0.28 Cd max (pF) 0.55 0.55 0.6 0.6 0.5 0.6 0.55 @ VR = 5 V Cd typ (pF) 0.22 0.2 0.3 0.3 0.35 0.3 0.19 Cd max (pF) 0.35 0.35 0.5 0.5 0.6 0.5 0.35 PIN ダイオード:標準 rD @ 1 mA = 40、アッテネータダイオード @ f = 100 MHz Type Package Number of diodes Config VR max (V) BAP70Q BAP70-02 BAP70-03 BAP70-04W BAP70-05 BAP70AM 太字 = 推奨製品 SOT753 SOD523 SOD323 SOT323 SOT23 SOT363 4 1 1 2 2 4 SR SG SG SR CC SR 50 50 50 50 50 50 64 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 IF max (mA) 100 100 100 100 100 100 SG = シングル SR = 直列 @ IF = 0.5 mA rD typ (Ω) 77 77 77 77 77 77 @ IF = 1 mA rD rD rD max typ max (Ω) (Ω) (Ω) 100 40 50 100 40 50 100 40 50 100 40 50 100 40 50 100 40 50 CC = コモンカソード CA = コモンアノード @ f = 1 MHz @ VR = @ IF = 10 mA 0V rD typ (Ω) 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 rD max (Ω) 7 7 7 7 7 7 Cd typ (pF) 0.6 0.57 0.57 0.6 0.6 0.57 @ VR = 1 V Cd typ (pF) 0.43 0.4 0.4 0.43 0.43 0.4 Cd max (pF) - @ VR = 20 V Cd max (pF) 0.25 0.2 0.2 0.25 0.25 0.2 Cd typ (pF) 0.3 0.25 0.25 0.3 0.3 0.25 3.2.3 バンドスイッチダイオード バンドスイッチダイオードのセレクションガイドは www.nxp.com/ products/diodes をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、 お客様の設計に適したバンドスイッチダイオードをお選びいただけます。 NXP のバンドスイッチダイオードが選ばれる理由: `` 信頼性の高い量産供給元 `` 短納期対応 `` 低直列インダクタンス `` 低挿入損失 `` 低キャパシタンス `` 高リバースアイソレーション Type Package BA591 BA891 BAT18 IF max (mA) rD max (Ω) @ IF = (mA) @f= (MHz) Cd max (pF) @ VR = (V) @f= (MHz) 35 35 35 100 100 100 0.7 0.7 0.7 3 3 5 100 100 200 0.9 0.9 1 3 3 20 1 1 1 ショットキーダイオード 機能別製品 3.2.4 SOD323 SOD523 SOT23 VR max (V) ショットキーダイオードのセレクションガイドは www.nxp.com/ rfschottkydiodes をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、 お客様の設計に適したショットキーダイオードをお選びいただけます。 NXP のショットキーダイオードが選ばれる理由: `` 低ダイオードキャパシタンス `` 低順方向電圧 `` シングルおよびトリプル絶縁ダイオード `` 小型パッケージ アプリケーション } デジタルアプリケーション: - 超高速スイッチング - クランプ回路 } RF アプリケーション: - ダイオードリングミキサー - RF 検出器 - RF 電圧ダブラー 低キャパシタンスショットキーダイオード Type Package Configuration BAT17 PMBD353 PMBD354^ 1PS76SB17 1PS66SB17 1PS79SB17 1PS88SB82 1PS70SB82 1PS70SB84 1PS70SB85 1PS70SB86 1PS66SB82 1PS10SB82 SOT23 SOT23 SOT23 SOD323 SOT666 SOD523 SOT363 SOT323 SOT323 SOT323 SOT323 SOT666 SOD882 Single Dual-series Dual-series Single Triple-isolated Single Triple-isolated Single Dual-series Dual c.c Dual c.a. Triple-isolated Single 太字 = 推奨製品 VR max. (V) 4 4 4 4 4 4 15 15 15 15 15 15 15 IF max. (mA) 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 VF max. (mV) 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 450 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA 340 @ IF = 1 mA CD max. (pF) 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V 1 @ VR = 0 V ^ ダイオードのキャパシタンスは整合済み NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 65 3.3 バイポーラトランジスタ 3.3.1 広帯域トランジスタ RF 広帯域トランジスタのセレクションガイドは www.nxp.com/rftransistors をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設計に適した PIN 広帯域トランジスタをお選びいただけます。 NXP の広帯域トランジスタが選ばれる理由: `` 幅広い製品群(第1 世代 ~ 第 7 世代) `` 短納期対応 `` 最小パッケージ `` 量産供給 広帯域トランジスタ 図の fT-IC 曲線は、第 7 世代の RF 広帯域トランジスタのトランジシ ョン周波数 (fT) 特性をコレクタ電流 (IC) の関数として表していま す。 同じコレクタ電流 IC と類似したトランジション周波数 fT を持 つトランジスタのグループを 1 つの曲線で表しています。 曲線番号 は、詳しい RF 特性を示した本セクションのセレクション表(各表 3 列目)に記載されている番号と一致しています 。 周波数ごとの広帯域トランジスタのラインアップ bra510 100 (33) (37) fT (GHz) 7th generation (39) (35) (27) (26) (29) (25) (36) 10 (20) (30) (31) (38) (40) 4th generation (23) (22) (21) (19) (34) (15) (14) (16) 3rd generation (18) (11) (7) (9) (8) (12) (10) 2nd generation (4) (1) 1 0.1 0.2 0.5 1 (3) 2 5 10 1st generation 20 50 100 Pin 4 1 図 1 66 3 2 3 2 6th generation 5th generation (32) (41) 4 1 図 2 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 200 500 IC (mA) 1000 Description Type (Figure 1) Collector Base Emitter Emitter Type/X (Figure 1) Collector Emitter Base Emitter Type/XR (Figure 2) Collector Emitter Base Emitter 広帯域トランジスタ Function LNAs, mixers, frequency multipliers, buffers High-linearity, high-output amplifiers and drivers Oscillators Frequency range <6 GHz 6 – 12 GHz 12 – 18 GHz <6 GHz 6 – 12 GHz 12 – 18 GHz <6 GHz 6 – 12 GHz 12 – 18 GHz Band Type L, S, C X, Ku low Ku high, Ka L, S, C X, Ku low Ku high L, S, C X, Ku low Ku high, Ka BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU725F/N1 BFU710F BFU730F BFU760F BFU790F • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 赤 = アプリケーションノートは NXP.com でご覧いただけます。 Type Package VCEO (max) (V) IC (max) (mA) P tot (max) (mW) Polarity GUM (typ) (dB) @ f = (MHz) @ IC = (mA) @ VCE = (V) ポータブル機器向け RF パワートランジスタ (VHF) BLT50 BLT70 BLT80 BLT81 SOT223 SOT223H SOT223 SOT223 10 8 10 9.5 500 250 250 500 2000 2100 2000 2000 NPN NPN NPN NPN - - - - 太字 = 推奨製品 1 -10 10 10 10 10 6 10 10 10 1 1 -10 10 12 15 7.5 7.5 10 10 5.5 8 7 8 7 8 8 1000 -30 800 100 800 50 2000 80 2000 70 2000 15 2000 15 2000 70 2000 15 2000 30 2000 15 2000 30 2000 30 2000 15 -5 10 8 4 12 8 8 12 8 8 10 8 8 10 4.5 4.5 3.8 2 3.75 3.3 3.5 3 2 2.5 1.8 1.8 2.5 2.5 2.4 2.4 1.7 1.7 1.3 1.9 2.1 1.9 1.5 2.0 500 500 500 1000 500 500 800 2000 1000 800 1000 1000 500 500 500 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 2 2 1 5 -50 50 30 5 5 2 1 0.5 -5 -5 -10 -10 15 15 5 5 5 5 5 5 5 5 1 10 -10 10 6 10 10 5 1 1 -10 -10 -5 -5 8 8 8 8 10 8 8 10 3 2.1 3 3 3 2.5 2.5 2.7 3 3 3 2.1 3 2000 5 1000 5 2000 5 1000 -5 1000 -10 2000 5 2000 5 2000 15 2000 5 2000 10 2000 5 2000 5 2000 10 10 10 10 -10 -5 8 8 8 8 8 8 8 8 ^ AEC-Q101 認定済み(一部制限あり) NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 67 機能別製品 NF (typ) (dB) 1 -70 100 15 70 50 30 15 15 14 0.5 0.5 -15 @ VCE = (V) @ VCE = (V) 800 800 800 2000 800 800 800 2000 2000 800 1000 1000 1000 @ IC = (mA) @ IC = (mA) 12 12 11 11 12 7.5 11.5 8 8 13.5 13 15 11 @ f = (MHz) @ f = (MHz) 1 -10 10 10 10 -10 10 10 10 -10 -10 -5 -5 10 8 4 12 8 8 12 8 8 10 8 8 10 NF (typ) (dB) NPN NPN NPN 18 500 1 PNP 16 500 -70 NPN 15 500 100 NPN 16 1000 15 NPN 16 500 70 PNP 12 500 -50 NPN NPN 11.5 500 50 NPN NPN 14 1000 15 NPN 14 1000 15 NPN NPN NPN PNP 18 500 -14 PNP 17 500 -15 PNP 16.5 500 -30 PNP 15.5 500 -30 NPN 16 500 100 NPN 18 500 50 NPN 13 900 80 NPN 13 900 70 NPN 17 1000 15 NPN 17 1000 15 NPN 11 900 70 NPN 13 1000 15 NPN 13 1000 30 NPN 14 1000 15 NPN 13 1000 30 NPN 13 1000 30 NPN 14 1000 15 @ VCE = (V) 300 300 30 1000 1000 400 1000 1000 1000 1000 500 300 300 300 32 32 300 300 300 300 1000 1000 400 2000 380 380 2250 300 300 300 300 300 300 @ IC = (mA) P tot (max) (mW) 25 50 6.5 -100 150 25 100 -100 150 100 100 25 25 25 6.5 6.5 -25 -35 -35 -50 150 100 200 200 50 50 200 50 35 25 35 35 25 @ f = (MHz) IC (max) (mA) 15 15 5 -15 18 15 15 -15 18 15 15 15 15 15 5 5 -15 -15 -12 -12 15 10 15 15 10 10 15 10 12 15 12 12 15 GUM (typ) (dB) VCEO (max) (V) 1 1.6 2.3 5 4 5 5.5 5 4 5.5 5 5 5 2.8 5 5 5 4 5 4 7 8 5 7 8 8 7 8 6 6 6 5 5 @ VCE = (V) f T (typ) (GHz) SOT23 SOT323 SOT23 SOT223 SOT223 SOT143B SOT223 SOT89 SOT89 SOT89 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT223 SOT223 SOT143B SOT223 SOT143B SOT143B SOT89 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT323 SOT323 @ IC = (mA) Package 3 3 1 10 11 7 10 10 11 10 10 7 7 4 18 18 7 7 9 9 16 15 22 22 14 14 22 14 8 8 8 8 8 @ f = (MHz) Curve 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 GUM (typ) (dB) Generation BFS17 BFS17W BFT25 BFG31 BFG35 BFG92A/X BFG97 BFQ149 BFQ18A BFQ19 BFR106 BFR92A BFR92AW BFS17A BFS25A BFT25A BFT92 BFT92W BFT93 BFT93W BFG135 BFG198 BFG590/X BFG591 BFG67 BFG67/X BFQ591 BFQ67W BFR93A BFR94A^ BFR93AR BFR93AW BFR94AW^ Polarity Type RF 広帯域トランジスタ第 1 ~ 3 世代 PL(1dB) (typ) (dBmW) @ VCE = (V) @ f = (MHz) @ IC = (mA) IP3 (typ) (dBm) @ IC = (mA) @ VCE = (V) 4 4 4 4 4 17 17 17 17 17 21 21 21 21 21 21 21 4 5 17 17 21 4 17 21 - 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 6 6 6 6 8 6 6 8 - 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 - 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 5 20 20 40 5 20 40 - 10 10 10 10 10 26 26 26 26 26 34 34 34 34 34 34 34 10 10 26 26 34 10 26 34 - 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 5 20 20 40 5 20 40 - 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 6 6 6 6 8 6 6 8 - @ IC = (mA) @ VCE = (V) @ IC = (mA) @ f = (MHz) 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 5 6 6 1.9 2000 5 6 6 1.9 2000 5 6 6 1.85 2000 5 6 6 1.85 2000 5 6 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 8 2.1 2000 10 8 3 1.9 2000 5 3 3 1.9 2000 5 3 8 8 2.7 2000 15 8 6 1.9 2000 5 6 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 5 6 6 1.9 2000 5 6 8 2.1 2000 10 8 6 1.9 2000 1.25 6 6 1.9 2000 5 6 8 2.1 2000 10 8 6 2 2000 5 6 6 2 2000 5 6 6 2.1 2000 5 6 6 2.1 2000 5 6 6 1.8 2000 5 6 @ f = (MHz) 900 5 900 5 900 5 900 5 900 5 900 20 900 20 900 20 900 5 900 5 900 10 900 10 900 10 900 10 900 10 900 10 900 10 900 1 900 5 900 40 1000 15 900 5 900 1.25 900 5 900 5 900 10 900 1.25 900 5 900 10 1000 5 1000 5 1000 5 1000 5 1000 5 NF (typ) (dB) 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.1 1.1 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.1 1.2 1.9 1.7 1.2 1.2 1.1 1.1 1.3 1.2 1.1 1.3 1.4 1.3 1.5 1.5 1.3 @ VCE = (V) 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 8 8 8 8 8 8 8 3 3 8 6 6 6 6 8 6 6 8 6 6 6 6 6 @ IC = (mA) 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 40 40 40 40 40 40 40 5 20 15 5 5 20 20 40 5 20 40 15 30 15 15 30 @ f = (MHz) NF (typ) (dB) NPN 13 2000 NPN 13 2000 NPN 12 2000 NPN 12 2000 NPN 12 2000 NPN 13 2000 NPN 13 2000 NPN 13 2000 NPN 11 2000 NPN 11 2000 NPN 11 2000 NPN 11 2000 NPN 11 2000 NPN 10 2000 NPN 10 2000 NPN 10 2000 NPN 9 2000 NPN 10 2000 NPN 9 2000 NPN NPN 8 2000 NPN 10 2000 NPN 10 2000 NPN 9 2000 NPN 9 2000 NPN 7 2000 NPN 10 2000 NPN 9 2000 NPN 8 2000 NPN 9.5 2000 NPN 8 2000 NPN 10 2000 NPN 10 2000 NPN 9.2 2000 @ VCE = (V) @ f = (MHz) Polarity 18 150 18 150 18 500 18 500 18 500 70 300 70 300 70 300 70 500 70 500 120 400 120 400 120 400 120 500 120 500 120 500 120 650 18 500 70 1000 120 1,200 50 300 18 150 18 150 70 300 70 150 120 500 18 150 70 300 120 500 50 360 100 365 50 250 50 150 100 270 GUM (typ) (dB) P tot (max) (mW) 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 8 8 15 10 15 15 15 15 15 15 15 15 10 10 10 10 10 @ IC = (mA) SOT143B 9 SOT143B 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT343R 9 SOT143B 9 SOT143B 9 SOT143R 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT143B 9 SOT143B 9 SOT143R 9 SOT343N 9 SOT343N 9 SOT343R 9 SOT223 9 SOT363A 9 SOT363A 9 SOT89 9 SOT23 8 SOT23 9 SOT416 9 SOT23 9 SOT416 9 SOT23 9 SOT323 9 SOT323 9 SOT323 9 SOT23 8 SOT23 8 SOT323 8.5 SOT416 9 SOT323 8.5 IC (max) (mA) 19 19 19 19 19 20 20 20 20 20 21 21 21 21 21 21 21 19 20 21 14 19 19 20 20 21 19 20 21 20 21 20 20 21 VCEO (max) (V) Curve 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 f T (typ) (GHz) Generation BFG505 BFG505/X BFG505W BFG505W/X BFG505W/XR BFG520 BFG520/X BFG520/XR BFG520W BFG520W/X BFG540 BFG540/X BFG540/XR BFG540W BFG540W/X BFG540W/XR BFG541 BFM505 BFM520 BFQ540 BFQ67 BFR505 BFR505T BFR520 BFR520T BFR540 BFS505 BFS520 BFS540 PBR941 PBR951 PRF947 PRF949 PRF957 Package Type RF 広帯域トランジスタ第 4 および 4.5 世代 太字 = 推奨製品 68 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 1 1 2 2 2 8 1 5 20 50 2 5 5 5 20 50 10.8 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2.1 5 5 12 12 12 20 8 5 1 2 2 2 2 3.6 2 2.1 900 1 6 1 2000 10 15 10 2000 25 22 25 2000 25 22 25 2000 25 22 25 2000 1 28 80 14 8 23 25 30 60 35 90 14.5 8 5800 25 19 25 20.5 25 26 12.4 23 60 24 90 5800 10.8 19 10.8 @ VCE = (V) 2000 2000 2000 2000 2000 2000 5800 2400 2400 2400 12000 5800 5800 5800 2400 2400 5800 @ IC = (mA) @ VCE = (V) 1.6 1.2 1.2 1.2 1.2 1.8 1.4 0.73 0.75 0.9 1.5 0.7 0.8 0.8 0.6 0.7 0.7 IP3 (typ) (dBm) PL(1dB) (typ) (dBmW) 1900 1 3.6 2000 3 2 1 900 1 2 2000 10 2 0.9 900 1 2 2000 25 2 0.8 900 2 2 2000 25 2 0.8 900 2 2 2000 25 2 0.8 900 2 2 2000 80 2 1.2 900 8 2 5800 8 2 0.75 2400 1 2 2400 25 2 0.58 1500 5 2 1500 60 2 0.6 1500 20 2 1500 90 2 0.7 1500 50 2 12000 8 2 0.9 5800 2 2 5800 25 2 0.47 2400 5 2 5800 25 2 0.56 2400 5 2 5800 25 2 0.55 2400 5 2 2400 60 2 0.5 1500 20 2 2400 90 2 0.56 1500 50 2 5800 10.8 2.1 0.5 2400 10.8 2.1 @ VCE = (V) 10 22 21 23 22 20 16 21 28 28.5 25.6 16.5 18 18.5 13.3 25 20.4 13 @ IC = (mA) GUM (typ) (dB) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN @ f = (MHz) Polarity 600 16 54 135 135 135 360 50 130 200 300 30 136 130 160 220 250 220 NF (typ) (dB) P tot (max) (mW) 500 3.6 12 30 30 30 250 10 30 70 100 10 40 30 30 70 100 70 @ VCE = (V) IC (max) (mA) 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 5 5 5 5 2.8 2.8 2.8 3.0 2.8 2.8 2.8 @ IC = (mA) VCEO (max) (V) 17 22 25 25 25 21 40 40 40 40 70 70 70 53 70 70 70 @ f = (MHz) f T (typ) (GHz) SOT343R SOT343R SOT343R SOT343F SOT343R SOT343R SOT343R SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT343F SOT883C SOT343F SOT343F SOT343F NF (typ) (dB) Package 32 25 26 27 27 27 29 34 36 38 40 35 37 33 39 41 39 @ VCE = (V) Curve 5 5 5 5 5 5 5 6 6 6 6 7 7 7 7 7 7 7 @ IC = (mA) Generation BFG21W BFG403W BFG410W BFG424F BFG424W BFG425W BFG480W BFU610F BFU630F BFU660F BFU690F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU730LX BFU760F BFU790F BFU768F @ f = (MHz) Type RF 広帯域トランジスタ第 5 ~ 7 世代 1 2 2 2 2 2 5 5 5 5 2 2 2 2.3 2 2 2.1 2 30 450 23 433 5 8 19 900 5 24 2 40 450 24 433 10 8 19 900 10 8 0.8 433 10 8 @ VCE = (V) @ IC = (mA) @ f = (MHz) @ VCE = (V) IP3o_50Ω (typ)(dBm) 7 @ IC = (mA) 8 @ f = (MHz) @ VCE = (V) 24 12 PL(1dB)_50Ω (typ)(dBm) 12 95 @ IC = (mA) 0.8 900 5 95 11 @ f = (MHz) @ VCE = (V) @ IC = (mA) @ f = (MHz) @ VCE = (V) @ IC = (mA) @ f = (MHz) Gp(max)(typ)(dB) @ VCE = (V) @ IC = (mA) @ f = (MHz) Gp(max)(typ)(dB) P tot (max)(mW) IC (max)(mA) VEBO (max)(V) VCES (max)(V) VCEO (max)(V) hFE(typ) NFmin (typ)(dB) 8 0.7 433 5 8 10 900 10 8 17 900 10 8 0.9 900 10 8 10 900 15 8 20 900 15 8 BFU550W 11 95 12 24 2 50 450 24 433 15 8 18 900 15 8 BFU520A 10 95 12 24 2 30 450 23 433 5 8 18 900 5 11 95 12 24 2 40 450 23 433 10 8 18 900 10 8 0.8 433 10 8 0.9 900 10 8 10 900 15 8 20 900 15 8 1.0 900 15 8 14 900 25 8 23 900 25 8 BFU530A SOT23 0.9 433 15 8 0.9 900 15 8 14 900 25 8 23 900 25 8 8 0.7 433 5 8 0.8 900 5 8 7 900 10 8 17 900 10 8 BFU550A 11 95 12 24 2 50 450 24 433 15 8 18 900 15 8 BFU520 11 95 12 24 2 30 450 20 900 5 8 17 1800 5 11 95 12 24 2 40 450 21 900 10 8 17 1800 10 8 0.9 900 10 8 1.0 900 15 8 1.1 1800 15 8 13 1800 25 8 23 1800 25 8 8 0.8 900 5 8 0.9 1800 5 BFU530 SOT143 0.9 433 15 8 8 0.8 900 5 8 0.9 1800 5 8 7 1800 10 8 17 1800 10 8 1.0 1800 10 8 10 1800 15 8 19 1800 15 8 BFU550 11 95 12 24 2 50 450 21 900 15 8 15 1800 15 8 BFU520X 11 95 12 24 2 30 450 20 900 5 8 17 1800 5 BFU530X SOT143X 11 95 12 24 2 40 450 21 900 10 8 17 1800 10 8 0.9 900 10 8 1.0 900 15 8 1.1 1800 15 8 14 1800 25 8 23 1800 25 8 8 0.8 900 5 8 0.9 1800 5 BFU550X 11 95 12 24 2 50 450 22 900 15 8 16 1800 15 8 BFU520XR 11 95 12 24 2 30 450 20 900 5 8 17 1800 5 BFU530XR SOT143XR 11 95 12 24 2 40 450 21 900 10 8 17 1800 10 8 0.9 900 10 8 8 10 1800 10 8 20 1800 10 8 1.0 1800 10 8 10 1800 15 8 20 1800 15 8 8 7 1800 10 8 17 1800 10 8 1.0 1800 10 8 10 1800 15 8 19 1800 15 8 BFU550XR 11 95 12 24 2 50 450 22 900 15 8 16 1800 15 8 1.0 900 15 8 1.1 1800 15 8 13 1800 25 8 23 1800 25 8 BFU580Q 11 95 12 24 2 60 1000 20 433 20 8 14 900 20 8 1.0 433 20 8 1.1 900 20 8 15 900 30 8 25 900 30 8 BFU590Q BFU580G BFU590G BFU520Y SOT89 SOT223 SOT363 8 95 12 24 2 200 2000 18 433 50 8 11 11 95 12 24 2 60 1000 22 433 20 8 16 900 20 8 900 50 8 9 95 12 24 2 200 2000 20 433 50 8 13 900 50 8 10 95 12 24 2 30 450 23 433 8 19 900 5 5 - 433 50 8 1.0 433 20 8 - 433 50 8 8 0.7 433 5 8 - 900 50 8 22 900 80 8 32 900 80 8 1.1 900 20 8 15 900 30 8 24 900 30 8 - 900 50 8 22 900 80 8 31 900 80 8 0.8 900 5 8 7 900 10 8 17 900 10 8 太字 = 推奨製品 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 69 機能別製品 SOT323 NFmin (typ)(dB) BFU520W BFU530W f T(typ)(GHz) Type Package DC - 2 GHz アプリケーション向け RF 広帯域トランジスタ 3.4 RF ICs 3.4.1 RF MMIC アンプおよびミキサー RF MMIC アンプおよびミキサーのセレクションガイドは www.nxp.com/mmics をご利用くださ い。使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設計に適した RF MMIC をお選びいただけます。 NXP の RF MMIC アンプおよびミキサーが選ばれる理由: `` 少ない RF コンポーネント数 `` 簡単な回路のデザインイン `` 基板面積の削減 `` 開発期間の短縮 `` 幅広い製品群 `` 量産供給 `` 短納期対応 汎用広帯域アンプ (50 Ω) Gp [dB] Type Package Pl(1dB) [dBm] NF [dB] IP3o [dBm] Vcc (V) Is (mA) 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 500 MHz 750 MHz 250 MHz 750 MHz 31.2 31.1 250 MHz 19.9 23.6 17.6 20.7 22.2 25.6 25.8 24.5 19.6 30.1 23.3 15.6 21.1 23.2 26.4 22.5 22.4 22.9 30.9 35.3 30.2 31.1 31.0 950 MHz 20.5 23.4 21.9 20.4 22.4 25.8 25.3 24.7 20.0 29.8 24.7 21.5 21.2 23.9 27.2 22.7 22.8 23.2 30.9 35.6 32.2 31.0 30.6 2150 MHz 20.2 23.0 17.8 20.8 23.0 25.5 25.2 25.1 20.4 30.0 25.2 23.3 22.0 24.3 27.2 23.0 22.9 23.2 32.2 32.1 34.3 5.0 5.0 250 MHz 4.0 4.0 950 MHz -6.0 -6.0 -9.2 -7.9 2.0 1.0 5.0 6.0 6.0 6.0 -4.0 -8.0 0.2 4.0 6.5 8.3 8.9 7.2 8.8 13.0 11.2 4.0 4.0 2150 MHz -2.0 -8.0 -10.9 -9.0 0.0 -3.0 1.0 5.0 3.4 4.0 -5.0 -8.5 -2.0 3.0 4.9 5.7 6.1 6.0 7.6 8.1 5.7 3.1 3.0 250 MHz 3.7 3.7 1.7 2.4 3.8 4.2 3.7 3.9 4.9 3.5 4.0 2.6 4.2 3.9 3.7 4.3 5.5 4.7 3.8 4.6 4.3 3.2 3.1 950 MHz 3.6 3.6 1.9 2.2 3.8 4.1 3.8 3.9 4.8 3.3 3.2 2.6 3.9 3.8 3.8 4.0 5.3 4.9 3.9 4.6 4.2 3.7 3.4 2150 MHz 3.7 3.4 2.4 3.0 3.9 3.6 3.7 3.8 4.9 3.3 3.0 3.1 4.3 3.9 3.7 5.1 5.5 5.3 4.0 4.9 4.2 15.0 19.0 950 MHz 11.0 5.0 -1.9 2.1 14.0 13.0 17.0 18.0 18.0 18.0 8.0 2.3 11.0 17.0 18.8 22.0 22.2 18.6 20.0 22.7 20.5 13.0 17.0 2150 MHz 8.0 2.0 -1.4 0.0 9.0 6.0 10.0 15.0 13.0 14.0 5.0 0.6 6.0 12.0 14.1 14.0 15.9 14.4 19.0 18.6 15.1 BGA2870 BGA2874 SOT363 SOT363 2.5 2.5 15.6 16.0 BGA2800 BGA2803 BGA2748 BGA2714 BGA2801 BGA2802 BGA2815 BGA2817 BGM1012 BGA2818 BGA2851 BGA2715 BGA2712 BGA2866 BGA2867 BGA2709 BGA2716 BGA2776 BGA2869 BGM1013 BGM1014 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10.5 5.8 5.7 4.6 14.3 12.5 18.2 20.0 14.6 19.9 7.0 4.3 12.3 17.4 21.7 23.5 15.9 24.4 22.0 27.5 21.0 -7.8 2.0 3.0 8.0 6.0 7.0 -3.0 4.0 6.8 8.8 Zout [Ohm] External Inductor 50 50 N N 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 75 75 N N N N N N N N Y N N N N N N Y Y Y N Y Y 汎用 LNA MMIC |S21|2 [dB] Type Package Vcc BGA2001 BGA2002 (1) BGA2003 BGA2011 BGA2012 BGU7003 BGU7003W BGU6101 BGU6102 SOT343R SOT343R SOT343R SOT363 SOT363 SOT891 SOT886 SOT1209 SOT1209 (V) 2.5 2.5 2.5 3 3 2.5 2.5 3 3 BGU6104 SOT1209 3 太字 = 推奨製品 (1) AEC-Q101 認定済み 70 (2) Icc 3 mA (3) Is (mA) 4.0 4.0 10.0 15.0 7.0 5.0 5.0 1.5 3.0 6.0 Icc 6 mA 450 900 1800 2400 MHz MHz MHz MHz 18.0 14.0 18.0 14.0 19.0 14.0 19.0 16.0 20.0 15.2 20.0 15.2 13.0 12.0 13.0 (2) 18.5 16.5 14.0 (3) 22.5 18.5 (4) Icc 12 mA NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 12.8 (4) Pl (1dB) [dBm] NFmin [dB] 5800 450 900 2400 450 900 1800 MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz 1.3 1.3 1.3 1.3 1.8 1.8 1.5 1.7 11.4 0.6 11.4 0.6 -11.0 -11.5 -6.5 (2) 0.8 0.8 -5.0 -5.5 0 (3) 0.7 0.8 0.5 0.5 6.5 (4) 0.8 0.8 ESD protection IP3o [dBm] 2400 5800 450 900 1800 MHz MHz MHz MHz MHz -7.4 -4.5 -7.4 -4.5 -6.5 -4.8 10.0 10.0 0.8 1.5 0.8 1.5 1.3 (2) -2.5 -2.0 1.2 (3) 5.5 6.0 6.5 (2) 11.5 (3) 3 3 1.1 (4) 18.5 (4) 3 11.0 12.0 2400 5800 MHz MHz kV HBM 1 1 汎用 LNA MMIC (続き) |S21|2 [dB] Type BGU7224 BGU7258 (5) Package Vcc SOT1189 SOT1189 -5.5 dB in bypass mode Is 450 900 1800 (mA) MHz MHz MHz 13 12 (V) 3.3 3.3 -19 dB in bypass mode (6) (7) Pl (1dB) [dBm] NFmin [dB] ESD protection IP3o [dBm] 2400 5800 900 2400 5800 450 900 1800 2400 5800 450 900 1800 2400 5800 MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz MHz -3 (6) 1.0 5.5 15 (5) -4 (8) 1.5 8 13 (7) -7.5 dB in bypass mode kV HBM 2 2 18 dB in bypass mode (8) SiGe:C LNA (GPS およびその他アプリケーション向け) (dBm) (dBm) - 2.85 - 4.5 - - 16.5 / 17.5* - 0.9 - - 2.85 2.85 2.85 3.1 3.1 2.2 3.1 3.1 3.1 3.1 - 4.5 4.8 4.8 3.4 4.1 4.6 4.4 3.0 4.4 4.4 - - 16.5 / 17.5* 18.5 / 19.5* 18.5 / 19.5* 17 / 18* 17.5 / 19.0 19.0 / 20.5* 17.6 / 20* 16.1 / 17* 16.3 / 17.5* 18.5 / 20* - 0.9 0.9 0.9 0.6# 0.6# 0.75# -15 -12 0.65 0.70# 0.65# 0.55# - -14 -15 -15 - -11 -12 -12 -10 -10 -10 -12 -8 -10 - - - 5 12 9 4 4 4 5 3 0 6 2 2 - 5 - - 5 12 2 5 2 5 - 6 - 8 - - 6 - 3 - 7 - 6 -8 -11 -11 -8 -8 -7 -9 -6 -7 Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA wVcc = 2.85 V, Min Vcc = 2.85 V, Typ 9 5 1 1 - Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA 5 4 - Vcc = 2.2 V, Typ - 1 - Vcc = 1.8 V, Typ - -11 -14 -14 - Vcc = 2.2 V, Min -11 -8 - Vcc = 1.5 V, Typ - -10 - 0.85# 0.92# 0.8 * dB、ジャマーあり/なし - - 20 - 0 -13 - 17.5 17.0 18.3 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 - - 16 1.5 SOT886 SOT886 SOT886 WP-CSP WL-CSP SOT886 SOT1230 SOT1230 SOT1230 SOT1232 - -14 -11 15 BGU7005 BGU7007 BGU7008^ BGU8004 BGU8006 BGU8007 BGU8009 BGU8010 BGU8011 BGU8019 3 5 - -20 5.7 5.7 - BGU7004^ SOT886 - - 3 3.1 3.1 2.85 - - Typ 1.5 1.5 2.2 - -9 -7 - Max BGU6005 SOT886 BGU6009 SOT1230 BGU7003 SOT891 -6 -4 - - Typ Min - - Typ Max Min Max 6 7 - ^ AEC-Q101 認定済み(一部制限あり) # 評価ボードのロスは除く セットトップボックス向け LNA (75 Ω) Type Package Frequency range BGU7031 SOT363 (MHz) 40 - 1000 BGU7032 SOT363 40 - 1000 BGU7033 SOT363 40 - 1000 BGU7041 SOT363 40 - 1000 BGU7042 SOT363 40 - 1000 BGU7044 SOT363 40 - 1000 BGU7045 SOT363 40 - 1000 @ Mode VCC ICC GP 10 dB GP 10 dB Bypass GP 10 dB GP 5 dB Bypass GP 10 dB GP 10 dB Bypass GP 14 dB GP 14 dB Bypass (V) 5 5 5 5 5 5 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 (mA) 43 43 4 43 43 4 38 38 3 34 34 3 Gain (1) NF PL (1dB) OIP3 FL (2) RLout RLin (dB) 10 10 -2 10 5 -2 10 10 -2 14 14 -2 (dB) 4.5 4.5 2.5 4.5 6 2.5 4 4 2.5 2.8 2.8 2.5 (dBm) 14 14 14 9 12 12 13 13 - (dBm) 29 29 29 29 29 29 29 29 29 29 29 27 (dB) -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 (dB) 12 12 8 12 12 8 12 12 10 12 12 10 (dB) 18 18 8 18 17 8 21 21 10 20 20 9 LTE (50 Ω) 向け LNA Type Package Vcc Icc Frequency (V) (mA) BGU8L1 SOT1232 2.8 4.6 BGU8M1 SOT1232 2.8 5.0 BGU8H1 SOT1232 2.8 5.0 Gain NF IP3i PL(1dB) ton toff (MHz) (dB) (dB) (dB) (dB) (μs) (μs) 740 882 943 1843 1960 2140 2350 2655 14.5 14.5 14.0 13.5 13.5 13.0 13.0 12.5 0.7 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9 0.9 1.0 1 2 2 4 5 6 8 8 -5 -3 -3 -2 -2 -2 -1 0 3 1 太字 = 推奨製品 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 71 機能別製品 (dB) Vcc = 2.2 V, Typ IP3i (dB) Vcc = 1.8 V, Typ PL(1dB) (mA) Vcc = 2.2 V, Min NF (V) Vcc = 1.5 V, Typ |s21|2 Vcc = 1.8 V, Min Icc Min Input third-order intercept point f1 = 1713 MHz, f2 = 1851 MHz Vcc = 1.5 V, Min Vcc Package Input power at 1 dB gain compression Vcc = 1.8 V, Min Noise figure Vcc = 2.85 V, Typ Insertion power gain Vcc = 2.85 V, Min Supply current Vcc = 1.5 V, Min Type Supply voltage ワイヤレスインフラストラクチャ向け LNA (50 Ω) Type Package @ VCC [typ] (V) @ ICC [typ] (mA) BGU7051 SOT650-1 3.3 65 BGU7052 SOT650-1 3.3 80 BGU7053 SOT650-1 3.3 90 BGU7060 SOT1301AA 5 BGU7061 SOT1301AA BGU7062 frange [min] (MHz) 500 750 900 1500 1850 1950 2300 2700 frange [max] (MHz) 750 850 1500 1750 1900 2500 2500 2800 200 700 800 5 200 800 950 SOT1301AA 5 185 1710 1785 BGU7062N2 SOT1301AA1 5 215 1710 1785 BGU7063 SOT1301AA 5 190 230 1920 1980 BGU7073 SOT1301AA3 5 229 1920 1980 BGU7075 SOT1301AA3 5 BGU8051 SOT1327 5 50 BGU8052 SOT1327 5 47 BGU8053 SOT1327 5 51 2500 2570 500 900 900 1500 1900 1900 2300 2500 2500 900 900 1500 1900 1900 2300 2500 2500 5000 Gass [typ] (dB) 23.5 21.5 21 21.5 20 19.7 18.5 17.5 3 12 18 35 3 12 18 35 3 12 18 35 3 17 18 35 18 35 3 17 18 35 3 17 18 35 NF [typ] (dB) 0.6 0.63 0.65 0.76 0.76 0.79 0.85 0.9 21 15 7.2 1 21 15 7.2 1 20.6 15 9.3 0.98 22.1 10.5 5.95 0.94 6.4 1.05 20.3 10.2 6.2 1 20 10 6 1.2 PL(1dB) [typ] (dBm) 17 16.5 16.5 15.5 14.5 14.5 13.5 13 11 7.5 -7 -12.5 11 7.5 -7 -12.5 10.7 5.4 -7 -12.8 10.9 5.8 -6.1 -12.3 -6.4 -12.5 11.5 5.8 -4.7 -12.1 10.3 9.5 -5.9 -12.2 IP3O [typ] (dBm) 32 32 33 37 35.5 35 36 36 25.5 22.5 4.5 2.5 25.5 22.5 4.5 2.5 25.6 21 3.4 1 30 20.9 4.6 1 5.4 0.9 22.8 18.1 5.8 0.7 22.2 17.7 4.6 -0.4 RLin [typ] (dB) 27.5 26 24.5 23 23 22 23 26 20 20 20 24 20 20 20 24 23 23 23 26 RLout [typ] (dB) 18 17.5 18 22 22 21 19.5 23 19 19 19 19 19 19 19 19 16 16 16 16 22 17.3 23.5 35 31 17.5 15 15 23.3 15.6 23.8 17.5 19 16 23 18 18 0.43 19.3 41 27 20 18 0.52 19 39 27 12 18 0.63 20 39 23 12 ワイヤレスインフラストラクチャ向け VGA Type Package BGA7204 BGA7210 SOT617-3 SOT617-3 Type Single Single Gp @ minimum attenuation Attenuation range [max] (MHz) (dB) (dB) 400 700 18.5 700 1450 18.5 115 1450 2100 115 2100 2750 @ VCC @ ICC frange frange [typ] (V) [typ] (mA) [min] (MHz) 5 115 5 115 5 5 NF PL(1dB) IP3O [typ] (dB) [typ] (dBm) [typ] (dBm) 31.5 7 21 38 31.5 6.5 21 37.5 17.5 30.5 6.5 20.5 36 16.5 30 7 20 34 39 5 185 700 1400 30 31.5 6.5 21 5 185 1400 1700 29.5 31.5 6.5 21 37 5 185 1700 2200 29 31.5 6.5 21 35 35 5 185 2200 2800 28 30.5 7 23 5 185 3400 3800 26 29.5 8 19 27 BGA7350 SOT617-1 Dual 5 245 50 250 18.5 24 6 17 43 BGA7351 SOT617-1 Dual 5 280 50 250 22 28 6 16.5 46 太字 = 推奨製品 72 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Type Package Frequency range MHz 40 - 1006 BGA3012 SOT89 5 - 300 40 - 1006 BGA3015 SOT89 5 - 300 40 - 1006 BGA3018 SOT89 5 - 300 BGA3021 SOIC8 40 - 1200 BGA3022 SOIC8 40 - 1200 BGA3023 SOIC8 40 - 1200 @ VCC @ ICC Gain NF P1dB OIP3 OIP2 [typ] (V) [typ] (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBm) (dBm) 8 5 8 5 8 5 8 5 8 5 8 5 8 8 110 70 110 70 110 70 110 70 120 75 120 75 350 175 12 12 12 12 15 15 15 15 18 18 18 18 16 16 3.1 2.9 3.0 2.9 2.5 2.3 2.3 2.3 2.1 2.2 1.9 1.9 6 4.5 21.5 18.0 23.0 17.0 22.5 18.0 24.0 18.0 23.5 18.0 25.0 20.0 29.5 22.5 40 36 40 40 40 36 40 40 40 36 40 36 46 37 60 54 60 55 60 55 60 55 60 54 60 54 75 60 5 175 16 4.5 22.5 37 60 8 8 5 8 8 5 350 175 175 350 175 175 16 18 20 20 20 20 5.5 5.5 5 5 3.5 3.5 30 30 30 30 23.5 23.5 46 46 46 45.5 37 37 75 75 75 75 60 60 機能別製品 超広帯域アンプ 汎用中出力アンプ @ VCC @ ICC [typ] (V) [typ] (mA) Frequency range [min] (MHz) SOT89 4.1 84 100-3000 BGA6489 SOT89 5.1 78 100-3000 BGA6589 SOT89 4.8 81 100-3000 BGA7024 SOT89 5 110 400 - 2700 BGA7027 SOT89 5 165 400 - 2700 BGA7124 SOT908 5 140 400 - 2700 BGA7127 SOT908 5 180 400 - 2700 BGA7130 SOT908 5 450 400 - 2700 BGA6130 SOT908 3.6 70 400 - 2700 @ VCC @ ICC frange frange [typ] (V) [typ] (mA) [min] (MHz) 5 310 5 Type Package BGA6289 RF input frequency [max] (MHz) 900 1800 900 1800 900 1800 940 1960 2140 2445 940 1960 2140 940 1960 2140 2445 940 1960 2140 2445 750 2140 434 915 Gain PL(1dB) IP3O NF [typ] (dB) 15.0 13.0 20.0 16.0 22.0 17.0 22.0 16.0 15.0 14.0 19.0 11.5 11.0 23.0 16.5 16.0 14.0 20.0 13.0 12.0 10.5 18.0 10.0 17.0 14.0 [typ] (dBm) 17.0 15.0 20.0 17.0 21.0 20.0 24.0 25.5 25.5 24.5 29.0 27.5 28.0 25.0 24.5 24.5 23.5 27.5 28.5 28.0 27.5 30.0 30.0 28.0 29.0 [typ] (dBm) 31.0 28.0 33.0 30.0 33.0 32.0 37.5 38.0 38.0 37.5 41.5 43.0 42.5 38.5 38.0 37.5 36.0 41.5 42.5 42.0 41.5 43.0 44.0 29.5 30.0 [typ] (dB) 3.5 3.7 3.1 3.3 3 3.3 2.9 3.7 3.7 4.0 2.6 3.8 3.9 5.2 4.6 4.8 5.4 3.1 4.5 4.6 4.7 5.0 5.0 4.5 4.0 DOCSIS 3.0 用アップストリーム VGA Type BGA3031 Package SOT662 太字 = 推奨製品 (1) Gain = GP、電力利得 (2) Gp @ minimum attenuation Attenuation range [max] (MHz) (dB) 85 34 Type Single NF PL(1dB) IMD3 @ 64 dBmV (dB) [typ] (dB) [typ] (dBmV) [typ] (dBc) 58 3.5 74 -70 DG = 利得制御範囲 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 73 2 ステージ可変利得リニアアンプ @ Type BGA2031/1 (1) Vs (V) 3 Package SOT363 Gain = GP、電力利得 (2) Frequency Gain(1) range (dB) 800 - 2500 24 Is (mA) 51 @ 900 MHz DG(2) P1dB (dB) (dBm) 62 11 ACPR (dBc) 49 @ 1900 MHz DG(2) P1dB (dB) (dBm) 56 13 ACPR (dBc) 49 @ 1900 MHz NF Gain(1) OIP3 (dB) (dB) (dBm) 9 6 10 Vs (V) 4 Gain(1) (dB) 23 Vs (V) 3.3 Limits Is (mA) 77 P tot (mW) 200 DG = 利得制御範囲 広帯域リニアミキサー @ (1) Type Package BGA2022 SOT363 Vs (V) 3 RF input Frequency range 800 - 2500 Is (mA) 6 IF output Frequency range 50 - 500 NF (dB) 9 @ 880 MHz Gain(1) OIP3 (dB) (dBm) 5 4 Limits Is (mA) 10 Ptot (mW) 40 Gain = GP、電力利得 ワイヤレスインフラストラクチャ IC 3.4.2 ワイヤレスインフラストラクチャ向け IQ 変調器 Type Package @ VCC @ ICC [typ] [typ] (V) (mA) BGX7100 SOT616-3 5 BGX7101 SOT616-3 5 165 165 173 173 178 178 184 172 172 180 180 178 182 188 flo range (MHz) 400 4000 400 4000 flo (MHz) 750 910 1840 1960 2140 2650 3650 750 910 1840 1960 2140 2650 3650 Po BWmod Nflr(o) * PL(1dB) IP2O IP3O SBS CF [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] [typ] (dBm) (MHz) (dBm/Hz) (dBm) (dBm) (dBm) (dBc) (dBm) -159 / -158.5 -159 / -158.5 -158.5 / -158 -158.5 / -158 -158.5 / -158 -158 / -158 -158 / -158 -159 / -158.5 -159 / -158.5 -158.5 / -158 -158.5 / -158 -158.5 / -158 -158 / -158 -158 / -158 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 11.5 12 12 12 12 12 12 12 71 72 69 72.5 74 62 60 71 75 71 72 75 65 65 29 29 27 27 27 26 25 28 28 27 27 27 26 25 55 49 47 49 51 60 53 63 49 55 57 63 50 57 -55 -55 -50 -48 -45 -45 -43 -51 -57 -50 -47 -45 -45 -42 -0.2 400 4 650 * 変調なし/変調あり ワイヤレスインフラストラクチャ向けデュアルミキサー Type BGX7220 BGX7221 @ VCC @ ICC RF input frequency RF input frequency Local oscillator frequency Local oscillator frequency Second-order spurious rejection 2RF-2LO NFSSB singlesideband IP3i Gconv [typ] [typ] [min] [max] [min] [max] [max] [typ] [typ] [typ] (V) (mA) (MHz) (MHz) (MHz) (MHz) (dBc) (dB) (dBm) (dB) 5 5 330 365 700 1400 950 2700 500 1500 1150 2500 -60 -60 10 10 26 25.5 8 8.5 Package SOT1092-2 SOT1092-2 太字 = 推奨製品 74 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3.4.3 衛星 LNB RF IC PLL/VCO 搭載ダウンコンバータ Type TFF1012HN TFF1013HN TFF1014HN TFF1015HN TFF1017HN TFF1018HN 3.4.4 Input freq range Package SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 SOT763-1 Vcc I Gconv NF OIP3 LO Freq (V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (GHz) 5 5 5 5 5 5 56 56 52 52 52 52 30 34 36 39 42 45 8 8 7 7 7 7 17 17 13 13 13 13 9.75 / 10.6 9.75 / 10.6 9.75 / 10.6 9.75 / 10.6 9.75 / 10.6 9.75 / 10.6 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 Vcc I Gconv NF OIP3 LO Freq Integrated phase noise density (degrees RMS) (V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (GHz) 5 54 30 7 16 9.75 / 11.3 10.7 - 12.75 10.7 - 12.75 10.7 - 12.75 10.7 - 12.75 10.7 - 12.75 10.7 - 12.75 Integrated phase noise density (degrees RMS) VSAT LNB RF IC VSAT 向け PLL/VCO 搭載ダウンコンバータ TFF1024HN Input freq range Package SOT763-1 10.7 - 12.75 1 機能別製品 Type 3.4.5VSAT および汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズ LO ジェネレータ NXP の低ノイズ LO ジェネレータが選ばれる理由: `` 最も低い総所有コスト `` アラインメント不要コンセプト `` 簡単な回路のデザインイン `` LO 安定性の向上 VSAT アプリケーション向け低ノイズ LO ジェネレータ Type TFF1003HN TFF1007HN VCC ICC PLL phase noise @ N=64, @ 100 kHz Typ Typ Max fo(RF) Typ Max Min (MHz) (V) (mA) (dBc/Hz) (GHz) (dBm) (dB) (dBm) 50 - 815 230.46 - 234.38 3.3 3.3 100 100 -92 -104 12.8 - 13.05 14.62 - 15 -5 -3 -10 -10 -10 -10 fIN(REF) Package SOT616 SOT616 PLL Output buffer Po RLout(RF) Input Si 汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズ LO ジェネレータ Type TFF11088HN TFF11092HN TFF11096HN TFF11101HN TFF11132HN TFF11139HN TFF11142HN TFF11145HN Package fIN(REF) SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 SOT616 (MHz) 34 - 562 35 - 588 37 - 616 39 - 633 51 - 846 53 - 886 55 - 901 55 - 927 VCC ICC Typ (V) 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 Typ (mA) 100 100 100 100 100 100 100 100 PLL phase noise @ N=64 @ 100 kHz @ 10 MHz (dBc/Hz) (dBc/Hz) -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 -95 -131 Min (GHz) 8.59 8.99 9.41 9.92 12.9 13.54 14.13 14.17 PLL fo(RF) Typ (GHz) 8.79 9.2 9.63 10.02 13.2 13.85 14.27 14.5 Max (GHz) 8.99 9.41 9.85 10.13 13.5 14.17 14.42 14.83 Output buffer Po RLout(RF) Typ Max (dBm) (dB) -5 -10 -5 -10 -5 -10 -3 -10 -5 -10 -5 -10 -4 -10 -5 -10 Input Si Min (dBm) -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 Frequency band X X X X Ku Ka X Ka 太字 = 推奨製品 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 75 3.5 RF MOS トランジスタ 3.5.1JFETs JFET のセレクションガイドは www.nxp.com/rffets をご利用ください。 使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設計に適した接合型電界 効果トランジスタをお選びいただけます。 NXP の JFET が選ばれる理由: `` 信頼性の高い量産供給元 `` 短納期対応 `` 幅広い製品群 スイッチング用 N チャンネル接合型電界効果トランジスタ Type Package BSR56 BSR57 BSR58 PMBFJ108 PMBFJ109 PMBFJ110 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBF4391 PMBF4392 PMBF4393 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 VDS IG (V) max 40 40 40 25 25 25 40 40 40 40 40 40 (mA) max 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 min 50 20 8 80 40 10 20 5 2 50 25 5 max 10 6 4 10 6 4 10 5 3 10 5 3 RDSON (Ω) max 25 40 60 8 12 18 30 50 100 30 60 100 Characteristics C rs (pF) min max 5 5 5 15 15 15 3 (typ) 3 (typ) 3 (typ) 3.5 3.5 3.5 max 10 6 4 2.25 RDSON (Ω) max 85 125 250 300 Characteristics C rs (pF) min max 4 (typ) 4 (typ) 4 (typ) 4 (typ) Vgsoff (V) I DSS (mA) max 100 80 150 75 30 min 4 2 0.8 3 2 0.5 3 1 0.5 4 2 0.5 t on (ns) typ 4 4 4 13 13 13 - t off (ns) max 15 15 15 typ 6 6 6 35 35 35 - max 25 50 100 20 35 50 スイッチング用 P チャンネル接合型電界効果トランジスタ Type Package PMBFJ174 PMBFJ175 PMBFJ176 PMBFJ177 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 VDS IG (V) max 30 30 30 30 (mA) max 50 50 50 50 Vgsoff (V) I DSS (mA) min 20 7 2 1.5 max 135 70 35 20 min 5 3 1 0.8 t on (ns) typ 7 15 35 45 t off (ns) max - typ 15 30 35 45 max - 汎用 RF アプリケーション向け N チャンネル接合型電界効果トランジスタ Type Package VDS IG (V) max (mA) max Characteristics min DC, LF, and HF amplifiers BF545A SOT23 30 10 2 BF545B SOT23 30 10 6 BF545C SOT23 30 10 12 BF556A SOT23 30 10 3 Pre-amplifiers for AM tuners in car radios SOT23 25 10 2 BF861A BF861B SOT23 25 10 6 BF861C SOT23 25 10 12 BF862 SOT23 20 10 10 RF stages FM portables, car radios, main radios, and mixer stages SOT23 20 10 0.7 BF510 (1) SOT23 20 10 2.5 BF511(1) (1) SOT23 20 10 6 BF512 BF513 (1) SOT23 20 10 10 Low-level general-purpose amplifiers SOT23 25 5 4 BFR30 BFR31 SOT23 25 5 1 General-purpose amplifiers BFT46 SOT23 25 5 0.2 AM input stages UHF/VHF amplifiers SOT23 25 50 12 PMBFJ308 PMBFJ309 SOT23 25 50 12 PMBFJ310 SOT23 25 50 24 PMBFJ620 SOT363 25 50 24 太字 = 推奨製品 76 (1) 非対称 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Vgsoff (V) I DSS (mA) |Yfs| (mS) C rs (pF) max min max min max min max 6.5 15 25 7 0.4 0.4 0.4 0.5 7.5 7.5 7.5 7.5 3 3 3 4.5 6.5 6.5 6.5 - 0.8 0.8 0.8 0.8 - 6.5 15 25 25 0.2 0.5 0.8 0.3 1.0 1.5 2 2 12 16 20 35 20 25 30 - 2.1 2.1 2.1 typ. 1.9 2.7 2.7 2.7 - 0.4 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 1.5 1.5 - >1 1.5 - > 10 > 10 > 10 10 1.3 1.3 1.3 1.3 2.5 2.5 2.5 2.5 3 7 12 18 typ. 0.8 typ. 1.5 typ. 2.2 typ. 3 10 5 <5 < 2.5 1.5 < 1.2 60 30 60 60 1 1 2 2 2.5 4 6 7 1 1.5 6.5 4 6.5 6.5 4 4.5 3.5.2MOSFET RF MOSFET のセレクションガイドは www.nxp.com/rffets をご利用ください。使いやす いパラメータフィルタで、お客様の設計に適した RF MOSFET をお選びいただけます。 NXP の MOSFET が選ばれる理由: `` テレビチューニング向けのリファレンス設計 `` 短納期対応 `` 幅広い製品群 `` 最小パッケージ `` チューナーアプリケーション向けの 2-in-1 FET `` 信頼性の高い量産供給 `` テレビチューニングに最高のパフォーマンスを発揮する MOSFET スイッチング用 N チャンネルシングル MOSFET Package BSS83 SOT143 Silicon RF Switches SOT23 BF1107 BF1108 SOT143B BF1108R SOT143R BF1108W SOT343 BF1108WR SOT343R BF1118 SOT143B BF1118R SOT143R BF1118W SOT343 BF1118WR SOT343R (V) max 10 ID (mA) max 50 3 3 3 3 3 3 3 3 3 10 10 10 10 10 10 10 10 10 I DSS (mA) min max - 100 100 100 100 100 100 100 100 100 VGS(th) (V) min max 0.1 2 - 7 7 7 7 7 7 7 7 7 RDSON (Ω) max 45 Characteristics C rs t on (pF) (ns) min max typ max typ.0.6 1 20 20 20 20 20 22 22 22 22 - - - t off (ns) typ - max 5 |S21(on)|2 (dB) max - - - 2.5 3 3 3 3 3 3 3 3 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Depl. Depl. Depl. Depl. Depl. Depl. Depl. Depl. Depl. VHF UHF - |S21(off)|2 (dB) min - MODE Enh. 機能別製品 Type VDS 太字 = 推奨製品 N チャンネルデュアルゲート MOSFET Type Package With external bias SOT143 BF908 BF908R SOT143R BF908WR SOT343R BF991 SOT143 BF992 SOT143 BF994S SOT143 BF996S SOT143 BF998 SOT143 BF998R SOT143R BF998WR SOT343R Fully internal bias BF1105R SOT343R Characteristics VDS ID (V) max (mA) max min max min max min 12 12 12 20 20 20 20 12 12 12 40 40 40 20 40 30 30 30 30 30 3 3 3 4 4 4 2 2 2 27 27 27 25 20 20 18 18 18 - -2 -2 -2 -2.5 -1.3 -2.5 -2.5 -2.0 -2.0 -2.5 7 30 8 16 - 0.3 I DSX VGS(th) |Yfs| C is C os (mA) (V) (mS) max (pF) typ (pF) typ F @ 800 MHz (dB) typ 36 36 36 10 20 15 15 21 21 22 50 50 50 - 3.1 3.1 3.1 2.1 4 2.5 2.3 2.1 2.1 2.1 1.7 1.7 1.7 1.1 2 1 0.8 1.05 1.05 1.05 1.5 1.5 1.5 1 1.2(1) 1(1) 1.8 1 1 1 X X X X X X X X X X X X X X X X 2 25 -2.2 (3) 1.2 (2) 1.7 X X @ 200 MHz (2) COSS (3) Cig (1) NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 77 3.6RF モジュール CATV モジュールのセレクションガイドは www.nxp.com/catv をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、お客様の設計 に適した CATV モジュールをお選びいただけます NXP の RF モジュールが選ばれる理由: `` 優れた線形性、安定性、信頼性 `` 耐久性に優れた構造 `` 超低ノイズ `` 高い出力利得 `` 低い総所有コスト C タイプ(中国) `` CATV プッシュプル、セクション 3.6.1: BGY588C、BGE788C、CGY888C `` CATV パワーダブラー、セクション 3.6.3: BGD712C、CGD982HCi、 CGD985HCi、CGD987HCi、CGD982LC、CGD985LC `` CATV 光レシーバ、セクション 3.6.4: BGO807C、BGO807CE 中国向け CATV タイプ(C タイプ)および 1 GHz GaAs HFET ラ インアップ C タイプは、中国市場向けに特化した設計で、2 つの政府プロジェ クト向けにカスタマイズされた製品です。 GaAs HFET ファミリー には全世界に向けたハイエンドアプリケーション向けに 1 GHz の ラインアップが含まれます。 1 GHz GaAs HFET ハイエンドハイブリッド `` CATV プッシュプル、セクション 3.6.2: CGY1032、CGY1041、 CGY1043、CGY1047、CGY1049 `` CATV パワーダブラー、セクション 3.6.3: CGD1040Hi、 CGD1042Hi、CGD1044Hi、CGD1046Hi、CGD1042H、 CGD1044H 3.6.1CATV プッシュプル Type BGY588C BGY785A BGE788C BGY787 BGE787B BGE885 BGX885N BGY885A BGY887 CGY888C BGY835C BGY887B BGY888 Frequency range (MHz) (1) Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (2) RLIN/RLOUT (dB) CTB (dB) (3) 40 - 550 33.5 - 35.5 18 - 19 33.2 - 35.2 21 - 22 28.5 - 29.5 16.5 - 17.5 16.5 - 17.5 18 - 19 21 - 22 34.5 - 36.5 33.5 - 34.5 28.5 - 29.5 33.5 - 34.5 0.2 - 1.7 0-2 0.3 - 2.3 0 - 1.5 0.2 - 2.2 0.2 - 1.2 0.2 - 1.4 0-2 0.2 - 2 1.5 0.5 - 2.5 0.5 - 2.5 0.5 - 2.5 0.5 0.1 0.6 0.2 0.45 0.5 0.3 0.2 0.2 0.25 0.5 0.5 0.2 16 / 16 20 / 20 16 / 16 20 / 20 20 / 20 14 / 14 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 -57 -54.5 -49 -54.5 -48 40 - 750 40 - 870 X mod (dB) (3) -57.5 -54 -52 -65 -64.5 -65 -60 -60 -63.5 -65 -64.5 -72 -60 -63 CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) -62 -62 -52 -57.5 -56 77 110 110 110 110 44 44 44 44 44 -67 -67.5 -63 -55 -60 -64 49 49 112 49 49 49 44 44 44 44 44 44 8 6 8 5 6.5 8 8 6 5 4 7 6.5 5.5 345 225 325 220 340 240 240 225 220 280 340 340 325 3.6.2CATV プッシュプル 1 GHz @ Vo NF @ fmax Itot (mA) (dB) (dBmV) Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (1) RLIN/RLOUT (dB) CGY1041 21 - 22.5 1.2 - 2.7 0.9 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.3 265 CGY1043 23 - 24.5 1.2 - 2.7 0.9 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.2 265 250 Frequency range (MHz) (1) Type CGY1047 X mod CSO CTB (dB) (3) (dB) (3) (dB) (3) @ Ch 27 - 28.5 1.5 - 2.5 0.8 20 / 18 -64 -60 -66 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.5 29 - 31 0.85 - 2.35 0.85 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.5 265 CGY1032 32 - 34 1.05 - 2.55 0.85 20 / 18 -62 -58 -64 79 NTSC channels + 75 digital channels 44 4.4 265 BGY1085A 18 - 19 0-2 0.3 20 / 20 -53 -54 -56 150 40 7.5 240 CGY1049 40 - 1003 太字 = 推奨製品 周波数範囲:データ特性(@ Ch / @ Vo)を示す最小および最大周波数(MHz) FL は周波数応答の平坦度 (3) 最大周波数における、CTB、Xmod、CSO、IMD2、IMD3 特性を示すチャンネル数と出力電圧、@ fmax (4) S は光レシーバの最小応答 (1) (2) 78 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3.6.3CATV パワーダブラー Type BGD712 BGD712C BGD714 BGD812 BGD814 BGD816L CGD942C CGD944C CGD1040HI CGD1042HI CGD1044HI CGD1046HI CGD1042H CGD1044H CGD982HCI CGD985HCI CGD987HCI CGD982LC CGD985LC CGD1042L Frequency range (MHz) (1) 40 - 750 40 - 870 40 - 1003 Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (1) 18.2 - 18.8 18.2 - 18.8 20 - 20.6 18.2 - 18.8 19.7 - 20.3 21.2 - 21.8 22 - 24 24 - 26 19.5 - 22 22 - 23.5 23.5 - 25.5 26.5 - 28 22 - 24 24 - 26 22 - 24 23.5 - 25.5 26 - 28 22 - 24 24 - 26 22 - 24 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 0.4 - 1.4 0.5 - 1.5 0.5 - 1.5 1-2 1-2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.7 - 2.2 1.5 1 0.5 - 2 0.5 - 2 0.7 - 2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.5 - 2 0.35 0.35 0.35 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1 1 1 1 0.5 0.5 1 1 1 0.8 0.8 0.8 RLIN/RLOUT CTB (dB) (3) (dB) 17 / 17 17 / 17 23 / 23 25 / 23 25 / 24 22 / 25 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 21 20 / 21 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 X mod (dB) (3) -62 -62 -61 -57 -56 -55 -66 -66 -70 -70 -70 -75 -75 -75 -66 -66 -66 -65 -65 -75 -63 -62 -62 -61 -58 -66 -66 -66 -65 -64 -68 -67 -67 -68 -68 -68 -60 -60 -68 CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) -63 -63 -62 -58 -57 -56 -66 -66 -76 -75 -75 -70 -76 -76 -69 -69 -66 -70 -70 -77 112 112 112 132 132 132 98 98 79 79 79 79 79 79 98 98 98 98 98 79 44 44 44 44 44 44 48 48 58.4 58.4 58.4 56.4 59 59 48 48 48 48 48 54 7 7 7 7.5 7.5 7.5 3.5 3.5 5.5 5.5 5 5 5 5 5.5 5 5 6.5 6.5 6.5 395 410 395 395 395 360 450 450 440 440 440 450 450 450 440 440 440 365 365 375 Type Frequency range (MHz) (1) S (V/W) (4) Slope (dB) FL (dB) (1) RLOUT (dB) IMD3 (dB) (3) IMD2 (dB) (3) @ fmeasured (MHz) @ Pi(opt) (mW) NF @ fmax (dB) Itot (mA) Connectors BGO807C BGO807CE 40 - 870 750 750 0-2 0-2 1 1 11 11 -71 -69 -55 -53 854.5 854.5 1 1 8.5 8.5 205 205 FC and SC FC and SC CSO (dB) (3) @ Ch @ Vo (dBmV) NF @ fmax (dB) Itot (mA) 4 14 22 22 28 50 48 50 50 50 3.5 5 5.5 5.5 5.5 135 135 215 215 160 3.6.5CATV リバースハイブリッド Type BGY68 BGY66B BGY67 BGY67A BGR269 Frequency range (MHz) (1) Gain (dB) Slope (dB) FL (dB) (1) RLIN/RLOUT (dB) CTB (dB) (3) X mod (dB) (3) 5 - 75 5 - 120 29.2 - 30.8 24.5 - 25.5 21.5 - 22.5 23.5 - 24.5 34.5 - 35.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.5 -0.2 - 0.6 0.2 0.2 0.2 0.2 0.5 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 20 / 20 -68 -66 -67 -67 -57 -60 -54 -60 -59 -50 5 - 200 -66 太字 = 推奨製品 周波数範囲:データ特性(@ Ch / @ Vo)を示す最小および最大周波数(MHz) FL は周波数応答の平坦度 (3) 最大周波数における、CTB、Xmod、CSO、IMD2、IMD3 特性を示すチャンネル数と出力電圧、@ fmax (4) S は光レシーバの最小応答 (1) (2) NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 79 機能別製品 3.6.4CATV 光レシーバ 3.7RF パワートランジスタ NEW : RF パワートランジスタのセレクションガイドは www.nxp.com/ rfpower をご利用ください。使いやすいパラメータフィルタで、お客 様の設計に適したRF パワートランジスタをお選びいただけます。 基地局向け RF パワートランジスタ 3.7.1 Device naming Base Stations 基地局向け RFconventions パワートランジスタのデバイスの命名規則 B L F 8 G 22 L S -45 P R B N A G V W supply thru V-leads video bandwidth enhanced gullwing-shaped leads asymmetrical Doherty specialty option: current sense lead enhanced ruggedness push-pull device P1dB power option: earless package flange material L = CPC, X =Cu operating frequency (in 100 MHz; maximum) G: standard H: high voltage LDMOS (50 V) LDMOS technology generation F: ceramic package C: air cavity plastic (ACP) package D: fully integrated Doherty amplifier M: MMIC module P: overmolded plastic package (OMP) L: high-frequency power transistor B: semiconductor die made of Si NXP の基地局向け RF パワートランジスタが選ばれる理由: `` 最先端のテクノロジー(第 6 、7、8 世代 LDMOS) `` 最高の効率 `` 最高の耐久性 `` 最先端のドハティアンプ設計 `` 非常に広帯域(ビデオ帯域拡張済み)の素子 `` 業界初の 3.8 GHz ドハティ `` 業界初の 3 ウェイ 900 MHz ドハティ `` 業界初の 50 V、600 W、シングルパッケージドハティ NXP は、あらゆるセルラー技術 (MC-GSM/EDGE, TDMA, (TD-S)CDMA, W-CDMA/UMTS, LTE)および WiMAX インフラストラクチャ を網羅する、800 MHz から 3.8 GHz で動作可能な基地局向け RF パワートランジスタの完全なラインアップを提供しています 3.7.1.1 0.4 - 1.0 GHz トランジスタ Test signal performance Type number Product BLP7G22-05 BLF6G21-10G Driver BLP7G22-10 BLM6G10-30(G) MMIC BLF6G10L-40BRN BLF6G10(S)-45 Driver/final BLP8G10S-45P(G) BLF6G10LS-135RN BLP7G07S-140P BLF6G10LS-160RN BLF6H10L(S)-160 BLF8G10L(S)-160 BLF8G10LS-160V BLF6G10-200RN Final BLF6G10LS-200RN BLF7G10L(S)-250 BLF6G10L(S)-260PRN BLF8G09LS-270(G)W BLF8G10LS-270 BLF8G10LS-270(G)V BLF8G10LS-300P BLF8G09LS-400P(G)W 太字 = 推奨製品 80 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 700 1 700 860 700 700 700 700 700 700 729 920 925 700 700 920 700 716 820 790 700 716 2700 2200 2700 960 1000 1000 1000 1000 1000 1000 960 960 960 1000 1000 960 1000 960 960 960 1000 960 5 10 10 30 40 45 45 135 140 160 160 160 160 200 200 250 260 270 270 270 300 400 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package I/O I/O I I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 50 30 30 28 28 30 28 28 28 28 28 28 1 0.7 2 2 2.5 1 2.5 26.5 40 32 45 35 35 40 40 60 40 67 67 50 65 95 23 15 25 11.5 15 8 19.8 28 29.6 27 34 29 30 28.5 28.5 30.5 26.5 33 33 31 32 30 16 18.5 17.4 29 23 23 20.8 21 20.9 22.5 20 19.7 19.9 20 20 19.5 22 20 18.5 19.5 20.5 20.6 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT538 SOT1179 SOT834 SOT1112 SOT608 SOT1223 SOT502 SOT1223 SOT502 SOT467C SOT502 SOT1244 SOT502 SOT502 SOT502 SOT539 SOT1244 SOT502 SOT1244 SOT539 SOT1242 3.7.1.2 1.3 - 1.7 GHz トランジスタ Test signal performance BLP7G22-05 BLF6G21-10G BLP7G22-10 BLF6G15L-40(B)RN BLF7G15LS-200 BLF6G15L(S)-250PBRN BLF7G15LS-300P Product Driver Driver/Final Final Matching PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 1 0.7 2 2.5 50 60 85 23 15 25 13 29 34 31 16 18.5 17.4 22 19.5 18.5 18 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT538 SOT1179 SOT1112 SOT502 SOT1110 SOT539 P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package 2200 2170 2170 2000 2000 2170 2000 2000 2000 1990 2000 1990 2000 1990 2000 1990 2000 2000 10 20 40 45 75 90 110 140 140 140 160 170 180 200 200 210 220 230 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 32 28 28 28 28 28 0.7 0.5 4 2.5 6.3 84 25 35.5 12.5 35 35.5 60 50 55 55 50 55 55 15 12 12 14 37.5 41 32 30 41 30 34 32 29.5 33 33 25 34 31.7 18.5 31.5 31.5 19.2 19 19.5 19 16.5 17.5 18 20 18 18 18 17.5 18.5 18.9 18 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA GSM EDGE GSM EDGE 2-c WCDMA 2-c WCDMA GSM EDGE 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT538 SOT1212 SOT1211 SOT608 SOT502 SOT1121 SOT502 SOT502 SOT1121 SOT1244 SOT1239 SOT1120 SOT539 SOT502 SOT1120 SOT1244 SOT502 SOT1239 fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 28 32 30 28 28 28 28 28 28 28 1 0.7 2 0.5 2 16 2.5 13.5 2.5 13.5 4 2.5 8 8 32 25 20 30 30 33 45 45 43 55 20 50 50 55 55 55 55 70 80 50 23 15 25 12 9 11.3 16 30 16 30 12 13 43 40 11.3 29 28.5 28.5 32 32.5 34 34 30 32 30 27.5 25 31 29 33 28.5 31 30 29 16 18.5 17.4 31.5 29.5 31.5 19 19 18.5 19 31.5 18.5 14.5 14 31.5 18.2 19.1 17 18.5 18.5 18 18 18 18 17.5 17.5 16 18.5 19 17 19 18.5 17.7 17.3 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA TD-SCDMA TD-SCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT538 SOT1179 SOT1211 SOT822 SOT1212 SOT1112 SOT1121 SOT1112 SOT1121 SOT1211 SOT608 SOT1130 SOT1130 SOT1212 SOT502 SOT1121 SOT502 SOT502 SOT502 SOT1121 SOT1121 SOT502 SOT1120 SOT1221 SOT539 SOT502 SOT502 SOT1244 SOT502 SOT502 SOT539 SOT502 SOT1244 fmax (MHz) P1dB (W) 700 1 700 1450 1450 1450 1450 2700 2200 2700 1550 1550 1550 1550 5 10 10 40 200 250 300 fmin (MHz) fmax (MHz) 1 1805 1805 1800 1800 1427 1800 1800 1800 1805 1800 1800 1800 1805 1800 1805 1800 1800 3.7.1.3 1.8 - 2.0 GHz トランジスタ Type number Product BLF6G21-10G BLM7G1822S-20PB(G)* BLM7G1822S-40PB(G) BLF6G20(S)-45 BLF6G20LS-75 BLF7G20L(S)-90P BLF6G20(LS)-110 BLF6G20LS-140 BLF7G20LS-140P BLF8G20LS-140(G)V* BLF8G20LS-160V* BLF8G19LS-170BV BLF6G20-180PN BLF7G20L(S)-200 BLF8G20LS-200V BLF8G20LS-210(G)V* BLF8G20LS-220 BLF8G20L(S)-230V Driver MMIC Driver/final Final Test signal performance 3.7.1.4 2.0 - 2.2 GHz トランジスタ Type number Product fmin (MHz) 機能別製品 Type number VDS (V) fmin (MHz) Test signal performance BLP7G22-05 700 2700 5 BLF6G21-10G Driver 1 2200 10 BLP7G22-10 700 2700 10 BLM7G1822S-20PB(G) 1805 2170 20 I/O BLM6G22-30(G) MMIC 2100 2200 30 I/O BLM7G24S-30BG 2100 2400 30 I/O BLF6G22L-40BN 2000 2200 40 I/O BLF6G22L-40P 2110 2170 40 I/O BLF6G22LS-40BN 2000 2200 40 I/O BLF6G22LS-40P 2110 2170 40 I/O BLM7G1822S-40PB(G) Driver/final 1805 2170 40 I/O BLF6G22-45 2000 2200 45 I/O BLD6G21L(S)-50 2010 2025 50 O BLD6G22L(S)-50 2110 2170 50 I/O BLM7G22S-60PB(G) 2100 2200 60 I/O BLF6G22LS-100 2000 2200 100 I/O BLF7G22L(S)-100P 2000 2200 100 I/O BLF6G22L(S)-130 2000 2200 130 I/O BLF7G22LS-130 2000 2200 130 I/O BLF8G22LS-140 2000 2200 140 I/O BLF7G21L-160P 1800 2050 160 I/O BLF7G21LS-160(P) 1800 2050 160 I/O BLF7G22L-160 2000 2200 160 I/O BLF8G22L(S)-160BV 2000 2200 160 I/O Final BLP8G21S-160PV 1880 2025 160 I/O BLF6G22-180PN 2000 2200 180 I/O BLF6G22LS-180RN 2000 2200 180 I/O BLF7G22L(S)-200 2110 2170 200 I/O BLF8G22LS-200(G)V 2110 2170 200 I/O BLF8G22LS-220 2110 2170 220 I/O BLF8G22LS-240 2110 2170 240 I/O BLF7G22L(S)-250P 2110 2170 250 I/O BLF8G22LS-270 2110 2170 270 I/O I/O BLF8G22LS-270(G)V 2110 2170 270 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 81 3.7.1.5 2.3 - 2.4 GHz トランジスタ Test signal performance Type number BLP7G22-05 BLP7G22-10 BLM7G24S-30BG BLF7G24L(S)-100 BLF8G24LS-100(G)V* BLF7G24L(S)-140 BLF8G24LS-150(G)V BLF7G24L(S)-160P BLF8G24L-200P BLF8G24LS-200P(N) BLC8G24LS-240AV* Product Driver MMIC Final Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 30 1 2 1.6 20 25 30 45 30 60 60 63 23 25 11.3 27 30 26.5 30 27.5 32 32 45 16 17.4 31.5 18 18 18.5 18 18.5 17.2 17.2 15 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA NCDMA/IS95 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA SOT1179 SOT1179 SOT1212 SOT502 SOT1244 SOT502 SOT1244 SOT539 SOT539 SOT539 SOT1252 P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2690 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2690 2700 2700 10 40 45 50 75 90 100 100 100 100 100 100 140 140 150 150 160 200 240 I I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 28 28 28 32 28 22.5 20 7 3 12 16 17 14 20 25 25 25 30 32 30 45 32 65 56 20 37 24 14.5 26 29 45 23 28 28 33 28 22 32 26 30 43 29 45 19 17.5 18 16.5 17 18.5 15.5 16.5 18 17 18 17 16.5 17.4 16.5 18 14.5 16.5 15.5 NCDMA/IS95 1-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA NCDMA/IS95 NCDMA/IS95 1-c WCDMA 1-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA 1-c WCDMA 2-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA NCDMA/IS95 2-c WCDMA 1-c WCDMA 2-c WCDMA 1-c WCDMA SOT975 SOT1121 SOT608 SOT1112 SOT1121 SOT1121 SOT1275 SOT502 SOT502 SOT502 SOT1121 SOT1244 SOT502 SOT502 SOT539 SOT1244 SOT1275 SOT1110 SOT1252 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) GP (dB) Test signal Package 3400 3400 3400 3400 3400 3600 3800 3800 3800 3600 10 25 50 75 100 I I/O I/O I/O I/O 28 28 28 30 28 2 4,5 9 20 18,5 20 24 23 26 21.5 14 15 14 15.5 13 NCDMA/IS95 NCDMA/IS95 NCDMA/IS95 1-c WCDMA NCDMA/IS95 SOT975 SOT608 SOT502 SOT1239 SOT502 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 700 700 2100 2300 2300 2300 2300 2300 2300 2300 2300 2700 2700 2400 2400 2400 2400 2400 2400 2400 2400 2400 5 10 30 100 100 140 150 160 200 200 240 fmin (MHz) fmax (MHz) 2300 2500 2500 2500 2300 2500 2490 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2496 2600 2500 3.7.1.6 2.5 - 2.7 GHz トランジスタ Test signal performance Type number Product BLF6G27-10(G) BLF6G27L(S)-40P BLF6G27(S)-45 BLF6G27L(S)-50BN BLF7G27L(S)-75P BLF7G27L(S)-90P BLC8G27LS-100AV* BLF6G27-100 BLF7G27L(S)-100 BLF8G27LS-100 BLF8G27LS-100P(GV) BLF8G27LS-100V BLF7G27L(S)-140 BLF8G27LS-140(V) BLF7G27L(S)-150P BLF8G27LS-150(G)V BLC8G27LS-160AV BLF7G27L-200PB BLC8G27LS-240AV* Driver Driver/final Final 3.7.1.7 3.5 - 3.8 GHz トランジスタ Test signal performance Type number BLF6G38-10G BLF6G38(S)-25 BLF6G38(LS)-50 BLF8G38LS-75V* BLF6G38(LS)-100 Product Driver Driver/final Final 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 82 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Freq band (MHz) 758 - 803 MHz PPEAK (dBm) POUT-AVG (dBm) VDS (V) Gain (dB) Drain efficiency (%) Type Main transistor Peak transistor 773 - 803 773 - 803 758 - 803 758 - 803 728 - 821 MHz 50.5 52.2 55 55.6 41.5 44.5 48.4 48.4 28 28 28 28 17.1 17.8 16.5 17.8 39 46.5 49 47 SYM SYM SYM SYM 1/2 BLP7G10LS-140P 1/2 BLP7G07LS-140P BLP7G10LS-140P BLF8G10Ls-160 1/2 BLP7G10LS-140P 1/2 BLP7G07LS-140P BLP7G10LS-140P BLF8G10Ls-160 728 - 768 790 - 821 728 - 768 790 - 821 728 - 768 790 - 821 728 - 768 790 - 960 MHz 51.7 55.5 48.3 57.2 58 55.7 56 45 47 41 49.5 50 47.9 47.7 28 28 28 32 32 28 28 19 19 19 20 20.5 19.3 19.4 48 42 45 42 47 44 44 SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM 1/2 BLP7G10LS-140P 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN 1/2 BLP8G10S-45P BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN 1/2 BLF8G10L-300P 1/2 BLF8G10L-300P 1/2 BLP7G10LS-140P 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN 1/2 BLP8G10S-45P BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN 1/2 BLF8G10L-300P 1/2 BLF8G10L-300P 790 - 960 869 - 960 MHz 55.4 47 50 18.5 40 SYM BLF6H10L-160 BLF6H10L-160 35.5 40 48 49 38 44 44.5 47.5 30 28 50 50 28 28 28 28 20 17 18.7 16.8 24 20 15 17.3 38 47 42 49 51 48 50 48 SYM SYM SYM 3-WAY SYM SYM 3-WAY SYM BLP7G22S-10 1/2 BLP8G10S-45P BLF6H10L-160 BLF6H10L-160 BLF6G21-10G BLF6G10S-45 BLF6G10S-45 BLF6G10LS-135RN BLP7G22S-10 1/2 BLP8G10S-45P BLF6H10L-160 2xBLF6H10L-160 BLF6G21-10G BLF6G10S-45 2x BLF6G10S-45 BLF6G10LS-135RN 48 47.1 48 48 50 49 49 49.3 50.8 49.7 52 50 50.9 49.2 49.3 50.4 36 52 50.5 49 44 52 49.3 49.5 39.2 30 28 28 28 30 30 28 30 30 28 28 32 32 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 16.9 20.5 16.5 18.5 18.8 16.1 15 16 18 20.5 18.2 20.5 22 15.8 16.5 16 24.3 16.1 16.4 17 16.6 15.2 15.1 16 18 46.3 44 48.5 40 44.5 46.7 48 50 48.8 40 50.1 46 47 48 49.5 52 38 49.1 49 46 46 580 47 46 47 SYM SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM ASYM SYM / MPPM SYM/MMPP SYM SYM / MMPP SYM SYM ASYM CLASS AB ASYM SYM SYM SYM ASYM SYM SYM SYM BLF8G10LS-160V 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN 1/2 BLF8G10L-300P BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-200RN BLF8G10LS-160 BLF8G10LS-160 BLF8G10LS-160 BLF6G10LS-200RN BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-260PRN BLF6G10-200RN BLF6G10L(S)-260PRN BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 BLP7G22-10P BLF6G10LS-200RN BLF8G10LS-270 BLF7G10LS-250 1/2 BLP7G10LS-140P BLF8G10LS-270 1/2 BLF8G09LS-400PW 1/2 BLF8G10LS-400PGV 1/2 BLP8G10LS-45P BLF8G10LS-160V 1/2 BLF6G10L(S)-260PRN 1/2 BLF8G10L-300P BLF6G10LS-135RN BLF6G10LS-200RN BLF7G10LS-250 2xBLF8G10LS-160 BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 BLF6G10L(S)-260PRN BLF6G10LS-260PRN BLF6G10-200RN BLF6G10L(S)-260PRN BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250 BLF7G10LS-250X2 48.6 49.6 50.6 28 28 32 18.4 16 16.5 42 42 42 SYM ASYM SYM BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-200 BLF6G15LS-250PBRN BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-300P BLF6G15LS-250PBRN 45 40 42.8 44.5 49 47.5 47 48.1 28 28 28 28 28 31 28 30 14.5 15.4 15.8 16 15.5 16.3 16 15.2 46.5 42.4 48 44 47 49 41 48 SYM SYM SYM SYM SYM ASYM SYM ASYM 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G21LS-160P BLF7G21LS-160 BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G20L(S)-250P BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF7G20LS-90P 1/2 BLF7G21LS-160P BLF7G21LS-160 BLF7G21LS-160 1/2 BLF7G20L(S)-250P BLF7G20LS-200 42 28 14.6 44 SYM 1/2 BLF7G27L(S)-75P 1/2 BLF7G27L(S)-75P 46 925 - 960 48 925 - 960 55.8 869 - 960 57.4 925 - 960 46 920 - 960 52 869 - 894 52.7 869 - 894 54.7 920 - 960 920 - 960 55.2 920 - 960 55.1 920 - 960 55.5 920 - 960 56.2 920 - 960 56.6 920 - 960 57.1 920 - 960 57.1 57.3 920 - 960 57.5 869 - 894 57.7 925 - 960 57.9 869 - 894 58 869 - 894 58.9 925 - 960 57 920 - 960 57.2 869 - 894 59.2 869 - 894 43 920 - 960 58.9 869 - 894 58.5 869 - 895 57.3 869 - 895 51.5 869 - 895 59.9 869 - 895 56.4 920-960 57.1 869-895 47.5 860-895 1476 - 1555 MHz 56.6 1526 - 1555 58.1 1476 - 1511 1476 - 1511 58.6 1805 - 1880 MHz (DCS) 52.6 1845 - 1880 48 1805 - 1880 50 1805 - 1880 52.5 1805 - 1880 55 1805 - 1880 55.4 1805 - 1880 55.5 1805 - 1880 56.1 1805 - 1880 2300 - 2400 MHz (WiBRO/LTE) 2300 - 2400 49.5 機能別製品 3.7.1.8パワー LDMOS ドハティ設計 2xBLF7G10LS-250 BLF8G10LS-270 BLF7G10LS-250 1/2 BLP7G10LS-140P 2xBLF8G10LS-270 1/2 BLF8G09LS-400PW 1/2 BLF8G10LS-400PGV 1/2 BLP8G10LS-45P NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 83 Freq band (MHz) 1805 - 1881 1805 - 1880 1805 - 1880 1805 - 1880 1805 - 1880 1805 - 1880 1805 - 1880 1805 - 1880 PPEAK (dBm) 56.2 57.1 57.5 57.5 58.2 58.6 54 56.2 POUT-AVG (dBm) 49 49 49.5 50.5 50 51 47 49.3 VDS (V) 28 28 30 28 28 28 28 28 Gain (dB) 15 14.3 16 14 16 16 16 15 Drain efficiency (%) 52.3 45.1 42 48 42 47.6 49 47.5 Type Main transistor Peak transistor ASYM ASYM SYM ASYM SYM MPPM 3-WAY SYM SYM BLF8G19LS-170BV BLF7G21LS-160 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-200 BLF6G20LS-110V BLF8G20LS-200V 1805 - 1880 56.5 49 28 32 45.5 E-SYM BLF6G21-10G + BLF7G20LS-200 1805 - 1880 57.8 1805 - 1880 57.3 1805 - 1880 57.3 1805 - 1880 58.2 1930 - 1990 MHz (PCS) 50.4 50 50.5 50.5 30 28 30 28 16 15.7 17 14.2 41.5 48 50 50 SYM ASYM ASYM ASYM BLF7G20LS-250P BLF8G20LS-200V BLF8G20LS-220 BLF8G20LS-220 BLF8G20LS-220 2x BLF7G21LS-160 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P 2x BLF7G20LS-200 BLF6G20LS-110 BLF8G20LS-200V BLF6G21-10G + BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P BLF8G20LS-220 2XBLF8G20LS-220 1930 - 1990 53 1930 - 1990 54.2 1930 - 1990 54.3 1930 - 1990 55.2 1930 - 1990 55.5 1930 - 1990 55.7 1930 - 1990 56 1930 - 1990 56 1930 - 1990 57 1930 - 1990 57 1930 - 1990 58.2 1930 - 1990 56.8 1930 - 1990 58.5 1930 - 1990 57.3 1930 - 1990 57.3 1930 - 1990 58.5 1930 - 1990 55.3 1805 - 2025 MHz (TD-SCDMA) 45 47.4 47.4 47.2 47.5 49 48 48 49 49.5 50 49.1 50.5 50.5 50 50.7 47.5 28 28 28 28 28 28 31 28 30 28 28 28 30 30 28 32 28 16.5 16.6 16.7 16 14.5 14.5 15.3 14.8 17.2 15.1 16 32 15.7 17 16.2 15.9 16.8 40 47.7 48.2 40 46 48 38 45 41 46 40 42.3 43 50 44 44 46 SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM SYM ASYM SYM ASYM SYM E-SYM 3-WAY ASYM ASYM 3-WAY ASYM 2010 - 2025 47 1880 - 2025 50 2010 - 2025 50 1805 - 2050 52 1880 - 1920 52.5 2010 - 2025 52.2 2110 - 2170 MHz (UMTS/LTE) 2110 - 2170 55.8 2110 - 2170 47 2110 - 2170 48.3 2110 - 2170 48.5 2110 - 2170 50 2110 - 2170 49 2110 - 2170 49 2110 - 2170 54.7 2110 - 2170 54.9 2110 - 2170 55 2110 - 2170 55 2110 - 2170 55 2110 - 2170 55.5 2110 - 2171 55.6 2110 - 2170 55.7 2110 - 2170 55.9 2110 - 2170 56 2110 - 2170 56 2110 - 2170 56 2110 - 2170 56.5 2110 - 2170 57 2110 - 2170 57.2 2110 - 2170 58 39 42 42 44.5 44.5 44 28 28 28 28 28 28 14.4 17 17.2 15.2 16 15.6 41 46 47.2 41.5 44 43 SYM SYM SYM SYM SYM SYM BLD6G21L(S)-50 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P BLD6G21L(S)-50 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G20L(S)-90P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 1/2 BLF7G21LS-160P 48 39 40 40.5 42 40.5 40.5 46.5 47 46.7 47 47 46.4 49 49 47.9 48 48 48 48.5 49 49.2 50 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 30 30 28 28 32 28 32 16 13 17 17.2 17 28 28 16.5 17 16 17 15.5 15 15 14.5 17.3 16 15.8 15 16.2 14.5 16 15 41 38 44 46 42 34 34 43 43 43 43 38 43 52 47 42 47 45 48 41 41 47 40 SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM SYM ASYM ASYM 3-WAY SYM ASYM 3-WAY SYM BLP7G22LS-140P BLD6G22L(S)-50 1/2BLF6G22LS-40P 1/2 BLF6G22L-40P 1/2 BLF7G22LS-100P 1/2 BLM7G22S-60PBG 1/2 BLM7G22S-60PBG BLF6G22LS-100 BLF7G22L(S)-130 BLF8G22LS-140 1/2 BLF7G22LS-250P BLF6G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-200 BLF8G22LS-220 BLF7G22LS-200 BLF7G22LS-160 BLF8G22LS-310A_peak BLF8G22LS-310AV_peak 2x BLF7G22L(S)-130 84 BLF6G20-75 BLF6G20-75 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-110 1/2 BLF7G20LS-250P 1/2 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-90P BLF7G20LS-200 BLF7G21LS-160 BLF7G20LS-200 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140 BLF7G20LS-140P BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 BLF7G21LS-160 2x BLF7G21LS-160 BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P BLF6G21-10G + BLF7G20LS-200 BLF6G10-G + BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-200 2x BLF7G20LS-200 BLF8G20LS-220 BLF8G20LS-220 BLF8G20LS-200V BLF7G20LS-250P BLF8G19LS-170BV 2x BLF8G19LS-170BV BLF8G20LS-260A_main BLF8G20LS-260A_peak 2110 - 2170 56.8 50.5 28 30 49 E-SYM 2110 - 2170 56.5 49 28 14.2 46 ASYM BLP7G22LS-140P BLD6G22L(S)-50 1/2 BLF6G22LS-40P 1/2 BLF6G22L-40P 1/2 BLF7G22LS-100P 1/2 BLM7G22S-60PBG 1/2 BLM7G22S-60PBG BLF6G22LS-100 BLF7G22L(S)-130 BLF8G22LS-140 1/2 BLF7G22LS-250P BLF6G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-130 BLF8G22LS-140 BLF7G22LS-130 BLF7G22LS-160 BLF8G22LS-310A_main BLF8G22LS-310AV_main BLF7G22L(S)-130 BLF7G22L(S)-200 BLF6G22-100 BLF7G22LS-160 BLF6G22-180PN BLF6G21L-10G + BLF8G22LS-220 BLF7G22LS-160 2110 - 2170 57.6 50 28 17.2 40 SYM BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200V 2110 - 2170 58 50 32 17.5 40 SYM BLF7G22LS-250P BLF7G22LS-250P NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 BLF7G22L(S)-200 BLF6G22-180PN 2x BLF7G22L(S)-160 BLF6G22-180PN BLF6G21S-10G + BLF8G22LS-220 BLF7G22LS-200 VDS (V) 28 28 30 30 28 28 30 31 28 Gain (dB) 15 15.5 15 15 15.2 15.4 15.7 15.5 15.5 Drain efficiency (%) 42.3 45 40 42 44 38.4 34.4 36.8 42.1 Type Main transistor Peak transistor SYM SYM SYM ASYM ASYM SYM SYM SYM SYM 1/2 BLF7G24LS-160P BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-140 BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-100 1/2 BLF7G27LS-90P 1/2 BLF7G27LS-90P 1/2 BLF7G27LS-90P BLF8G24LS-200P 1/2 BLF7G24LS-160P BLF7G24LS-100 BLF7G24LS-140 BLF7G24LS-100 X2 BLF7G24LS-140 1/2 BLF7G27LS-90P 1/2 BLF7G27LS-90P 1/2 BLF7G27LS-90P BLF8G24LS-200P 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 30 28 28 28 28 28 28 30 32 32 28 32 32 32 28 29 14.6 14.4 14.6 15 13.9 15 14.5 14 14 14 14 15.2 14 13 15 13 15.2 14.2 15 15.4 15.2 15.7 15.6 15.6 14.1 17 15.2 15.2 13.6 13.4 46.2 41 44 43 39 37.5 39 40 40 40 38 43 43 44.5 41 37 45 44.5 40.4 43.7 41.9 43.5 41 40 34.4 19 33 39.1 41.5 42.5 ASYM SYM SYM SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM ASYM SYM SYM ASYM ASYM ASYM ASYM ASYM ASYM SYM SYM SYM SYM ASYM ASYM BLF6G27-10G 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF7G27L(S)-75P 1/2 BLF7G27LS-90PG BLF6G27S-45 1/2 BLF7G27LS-90P BLF6G27-45 BLF6G27-45 BLF6G27-45 1/2 BLF7G27LS-150P BLF7G27LS-100 BLF8G27LS160AV_main BLF8G27LS-200AV_main BLF7G27LS-100 BLF8G27LS-140G BLF8G27LS-100V 1/2BLF8G27LS-100P BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-100 1/2 BLF7G27L-200PB 1/2 BLF7G27L-200PB BLF7G27L-135 BLF8G27LS-140V BLF8G27LS-100GV BLF8G27LS-200PGV 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF6G27LS-40P 1/2 BLF7G27L(S)-75P 1/2 BLF7G27LS-90PG BLF6G27S-45 1/2 BLF7G27LS-90P 2x BLF6G27-45 2x BLF6G27-45 BLF6G27(LS)-100 1/2 BLF7G27LS-150P BLF7G27LS-100 BLF8G27LS160AV_peak BLF8G27LS-200AV_peak BLF7G27LS-140 BLF8G27LS-140G x2 BLF8G27LS-100V 1/2BLF8G27LS-100P BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 BLF7G27LS-140 1/2 BLF7G27L-200PB 1/2 BLF7G27L-200PB BLF7G27L-135 BLF8G27LS-140V BLF8G27LS-150GV BLF8G27LS-200GV (2X) 28 28 28 10 11.5 12.3 30 32 36 ASYM SYM SYM BLF6G38LS-50 BLF6G38-50 BLF6G38S-10G BLF6G38LS-100 BLF6G38-50 BLF6G38S-10G 機能別製品 Freq band PPEAK POUT-AVG (MHz) (dBm) (dBm) 2300 - 2400 53 45 2300 - 2400 54.1 47 2300 - 2400 56.2 48.5 2300 - 2400 56.8 48.5 2300 - 2400 55 47.5 2300 - 2400 50.6 42 2300 - 2400 51.1 41.5 2300 - 2400 51.1 42.5 2300 - 2401 56.8 49 2500 - 2700 MHz (WiMAX/LTE) 2620 - 2690 46.9 39 2580 - 2620 48.2 40 2620 - 2690 48.2 40 2570 - 2620 49.5 42 2570 - 2620 49.8 42 2500 - 2700 50 42 2500 - 2700 50.3 42.3 2500 - 2600 52 44 2600 - 2700 52 44 2600 - 2700 52 44 2500 - 2700 52.5 44.5 2570 - 2620 54.1 47 2530 - 2630 53 45 2500 - 2700 54 46 2620 - 2690 55.2 47.2 2620 - 2690 57.5 48 2545 - 2660 54 46.5 2570 - 2620 51.1 43 2570 - 2620 55.4 47 2545 - 2575 55.3 47.5 2620 - 2690 54.9 47 2620 - 2690 55 47.5 2570 - 2620 55.9 48 2620 - 2690 56 48 2545 - 2630 53.8 44.9 2620 - 2690 54.8 45 2620 - 2690 56.17 47.6 2620 - 2690 56.2 48 2496 - 2690 55.3 47 2620 - 2690 58.8 50.2 3300 - 3800 MHz (WiMAX) 3500 - 3700 52 45 3400 - 3600 51 43 3400 - 3600 46 39 3.7.1.9 シングルパッケージ非対称型ドハティ(PAD) パワートランジスタ Type Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package BLC8G10LS-310AV* BLC8G10LS-450AV* BLC8G22LS-100AV* BLP8G1822S-100A(G)W* BLC8G21LS-160AV* BLP8G1822S-160A(G)W* BLP8G1822S-210A(G)W* BLF8G20LS-260A BLC8G20LS-310AV* BLC8G22LS-360AV* BLC8G20LS-360AV* BLC8G20LS-400AV* BLC8G22LS-450AV* BLC8G27LS-60AV* BLC8G27LS-100AV* BLC8G27LS-140AV* BLC8G27LS-160AV BLC9G27LS-150AV* BLC8G27LS-180AV* BLC8G27LS-200AV* BLC8G24LS-240AV* BLC8G27LS-240AV* ACP PAD ACP PAD ACP PAD OMP PAD ACP PAD OMP PAD OMP PAD Ceramic PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD 800 800 2000 1800 2000 1800 1800 1800 1800 2100 1800 1800 2100 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2300 2500 1000 1000 2200 2200 2100 2200 2200 1900 1900 2200 1900 1900 2200 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2700 2400 2700 310 450 100 100 160 160 210 260 310 360 400 400 450 60 100 140 160 160 180 200 240 240 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 32 30 28 28 28 28 28 28 28 28 28 tbd tbd tbd tbd 22 tbd tbd 50 56 tbd tbd 85 83 9 17 28 30 28.2 32 40 63 56 tbd tbd tbd tbd 47 tbd tbd 44 45 tbd tbd 45 45 50 45 44 29 45 43 43 29 45 tbd tbd tbd tbd 15 tbd tbd 15.5 17 tbd tbd 14.9 14.5 16 15.5 14.5 18 14.5 14.3 13.5 18 15.5 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1251 SOT1251 SOT1275 SOT1221 SOT1275 SOT1221 SOT1221 SOT1121 SOT1251 SOT1251 SOT1251 SOT1258 SOT1258 SOT1275 SOT1275 SOT1275 SOT1275 SOT1275 SOT1275 SOT1275 SOT1252 SOT1252 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 85 3.7.1.9シングルパッケージ非対称型ドハティ(PAD) パワートランジスタ (続き) Type Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package BLC8G27LS-245AV* BLC8G27LS-310AV* BLC9G38LS-100AV* BLC9G38LS-160AV* ACP PAD ACP PAD ACP PAD ACP PAD 2500 2500 3400 3400 2700 2700 3800 3800 245 310 100 160 I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 56 tbd tbd tbd 43 tbd tbd tbd 14.5 tbd tbd tbd 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1251 SOT1258 SOT1275 SOT1275 3.7.1.10 OMP パワートランジスタ Type BLP7G22-05 BLP7G22-10 BLP8G10S-45P(G) BLP8G22S-60P(G) BLP7G07S-140P BLP7G09S-140P(G)* BLP8G21S-160PV BLP8G10S-200P(G)* Product Driver Driver/final Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package 700 700 700 1800 700 900 1800 700 2200 2200 1000 2200 900 1000 2025 1000 5 10 45 60 140 140 160 200 I/O I/O O O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 1 2 2.5 4 35 35 45 40 26 26 21.4 20 28 28 33 28.5 17 17 21.5 18 19 19 18 20 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT1179 SOT1223/4 SOT1223/4 SOT1223 SOT1223/4 SOT1223 SOT1223/4 3.7.1.11 MMIC パワートランジスタ Type BLM8G0710S-15PB(G)* BLM8G0710S-30PB(G)* BLM8G0710S-45AB(G)* BLM7G1822S-20PB(G)* BLM7G1822S-40AB(G)* BLM7G1822S-40PB(G) BLM7G1822S-60PB(G)* BLM7G22S-60PB(G) BLM7G1822S-80AB(G)* BLM7G24S-30B(G) (1) Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) (1) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package MMIC 700 700 700 1800 1800 1800 1800 2100 1800 2100 1000 1000 1000 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2400 15 30 45 20 40 40 60 60 80 30 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 1.5 3.0 3.0 2.0 2.0 / 4.0 4.0 3.0 1.6 4.0 /8.0 3.0 45 45 45 23.5 23.5 25 23 11 23 11.3 32 32 32 32 31.5 31.5 31 31.5 31 31.5 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA 1-c WCDMA SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT1212 PL per section 3.7.1.12 スモールセルパワートランジスタ Part Number Type fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package BLP8G0727S-05 BLP8G0727S-10 BLM8G0710S-15PB(G) BLP6H10S-10 BLM8G0710S-30PB(G) BLM8G0710S-45AB(G) BLP8G10S-45P(G) BLP7G22-05 BLP7G22-10 BLF6G21-10G BLM7G1822S-20PB(G) BLF6G22LS-40P BLM7G1822S-40AB(G) BLM7G1822S-40PB(G) BLF6G20S-45 BLM7G1822S-60PB(G) BLM7G22S-60PB(G) BLM7G1822S-80AB(G) BLF6G27-10G BLP8G2327S-20 BLM7G24S-30B(G) BLF6G27LS-40P BLF7G27LS-75P BLC8G27LS-60AV BLF6G38-10G BLF6G38S-25 BLF6G38LS-50 BLF8G38LS-75V OMP driver OMP driver OMP MMIC High Voltage driver OMP MMIC OMP MMIC PAD OMP Discrete OMP driver OMP driver Ceramic Discrete OMP MMIC Ceramic Discrete OMP MMIC PAD OMP MMIC Ceramic Discrete OMP MMIC OMP MMIC OMP MMIC PAD Ceramic Discrete QFN driver OMP MMIC Ceramic Discrete Ceramic Discrete ACP PAD Ceramic Discrete Ceramic Discrete Ceramic Discrete Ceramic Discrete 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 1800 2110 1800 1800 1800 1800 2100 1800 2300 2300 2100 2500 2300 2300 3400 3400 3400 3400 2700 2700 1000 1000 1000 1000 1000 2200 2200 2200 2200 2170 2200 2200 2000 2200 2200 2200 2700 2700 2400 2700 2700 2700 3800 3800 3800 3800 5 10 15 10 30 45 45 5 10 10 20 40 40 40 45 60 60 80 10 20 30 40 75 60 10 25 50 75 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I I/O I/O I/O I/O I/O I I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 tbd tbd tbd tbd tbd tbd 2.5 1 2 0.7 0.5 13.5 tbd 4 2.5 tbd 32 tbd 2 tbd tbd 20 12 9 2 4.5 9 20 tbd tbd tbd tbd tbd tbd 19.8 23 25 15 12 30 tbd 12 14 tbd 11.3 tbd 25 tbd tbd 37 26 50 20 24 23 26 tbd tbd 32 tbd 32 32 20.8 16 17.4 18.5 31 19 31 31.5 19.2 31 31.5 30 22.5 tbd 31.5 17.5 17 16 14 15 14 15.5 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT1179 SOT1212 SOT1179 SOT1212 SOT1212 SOT1224 SOT1179 SOT1179 SOT975 SOT1212 SOT1224 SOT1212 SOT1212 SOT608 SOT1212 SOT1212 SOT1212 SOT975 QFN SOT1212 SOT1121 SOT1121 SOT1275 SOT975 SOT608 SOT502 SOT1239 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 86 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3.7.1.13 高電圧パワートランジスタ Type Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package BLP6H10S-10 BLF6H10L(S)-160 Driver Final 729 729 960 960 10 160 - 50 50 tbd 38 tbd 34 tbd 20 2-c WCDMA 2-c WCDMA SOT1179 SOT467 3.7.2 放送/ISM アプリケーション向け RF パワートランジスタ NXP の放送/ISM アプリケーション向け RF パワートランジスタが選ばれる理由: `` 最高の出力 `` 最高の耐久性 `` 最高の広帯域性能 `` クラス最高の設計サポート `` 比類のない高い信頼性を実現する極めて低い熱抵抗設計 NXP の世界をリードする LDMOS テクノロジーと高度なパッケージコンセプトにより、クラス最高のパフォーマンスを実現するパワーアン プをお届けします。 業界最高の出力と耐久性をあらゆるブロードキャストテクノロジーに提供します。NXP の製品群は、極超短波 (UHF)、 超短波 (VHF) 、高周波 (HF) アプリケーションおよび ISM 周波帯に対応しています。 3.7.2.1 1-500 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS トランジスタ Type number BLP10H605* BLP10H610* BLF571 BLF871(S) BLF881(S) BLP05M7200 BLF573(S) BLF174XR(S) BLF574 BLF574XR(S) BLF184XR(S) BLF178P BLF578 BLF178XR(S) BLF188XR(S) BLF578XR(S) Product Driver Final fmax (MHz) P1dB (W) 10 10 10 1 1 425 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 1400 1400 500 1000 1000 450 500 128 500 500 600 128 500 128 600 500 5 10 20 100 140 200 300 600 600 600 700 1200 1200 1400 1400 1400 Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version - 50 50 50 40 50 28 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 5 10 20 100 140 210 300 600 500 600 700 1200 1000 1400 1200 1400 59.6 58 70 60 49 77 70 73 70 74.7 73.5 75 75 72 73 69 22.4 18 27.5 21 21 21 27.2 29 26.5 24 23.9 28.5 26 28 24.4 23.5 CW CW CW CW CW CW CW Pulsed RF CW Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF CW Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF SOT1352 SOT1352 SOT467 SOT467 SOT467 SOT1138 SOT502 SOT1214 SOT539 SOT1214 SOT1214 SOT539 SOT539 SOT539 SOT539 SOT539 PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version 27.5 19 21 21 21 21 20 17 21 CW CW CW CW CW CW DVB-T DVB-T DVB-T SOT467 SOT467 SOT467 SOT467 SOT1121 SOT539 SOT539 SOT539 SOT539 機能別製品 Test signal performance fmin (MHz) 3.7.2.2 470-860 MHz (UHF) LDMOS トランジスタ Test signal performance Type number BLF571 BLF642 BLF871(S) BLF881(S) BLF884P(S) BLF879P(S) BLF888A(S) BLF888D(S) BLF888B(S) Product Driver Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) 10 1 1 1 470 470 470 470 470 500 1400 1000 1000 860 860 860 806 860 20 35 100 140 300 500 600 600 650 I I I I I 50 32 40 50 50 42 50 50 50 20 35 100 1400 150 200 250 134 250 70 63 60 49 46 47 31 40 33 PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version 5 10 12 100 140 140 180 250 23 23 60 27 52 56 53.5 51 16 16 19 18 18.5 19 13.3 15 Pulsed RF Pulsed RF CW 1-c WCDMA CW CW CW CW SOT1179 SOT1179 SOT975 SOT502 SOT502 SOT502 SOT539 SOT539 3.7.2.3 2.45 GHz ISM LDMOS トランジスタ Test signal performance Type number BLP25M705 BLP25M710 BLF25M612(G) BLF2425M7L(S)100 BLF2425M7L(S)140 BLF2425M8L(S)140 BLF2425M6L(S)180P BLF2425M7L(S)250P Product Drivel Final fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching VDS (V) 10 10 2400 2300 2400 2400 2400 2400 2500 2500 2500 2400 2500 2500 2500 2500 5 10 12 100 140 140 180 250 I I/O I/O I/O I/O I/O 28 28 28 28 28 28 28 28 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 87 3.7.2.4 1-1600 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOS トランジスタ Test signal performance Type number BLP10H605* BLP25M705 BLF640 BLP10H610* BLP25M710 BLF571 BLF642 BLF644P BLF645 BLF871(S) BLF10M6(LS)135 BLF881(S) BLF10M6(LS)160 BLP15M7160P BLF10M6(LS)200 BLF647P(S) BLF6G13L(S)-250P BLF6G15L(S)-500H BLF10H6600P(S) 3.7.3 Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 10 10 10 10 10 10 1 10 1 1 700 1 700 10 700 10 1300 1400 400 1400 2500 2200 1400 2500 500 1400 1300 1400 1000 1000 1000 1000 1500 1000 1500 1300 1500 1000 5 5 10 10 10 20 35 70 100 100 135 140 160 160 200 200 250 500 600 Driver Driver/final Final Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version I I I I I/O I 50 28 28 50 28 50 32 32 32 40 28 50 32 28 28 32 50 50 50 5 5 5 10 10 20 35 90 100 100 40 140 40 160 40 75 250 65 250 59.6 23 31 58 23 70 63 66 56 60 28 49 27 59.7 28.5 70 56 19 46 22.4 16 19.3 18 16 27.5 19 23.5 18 21 21 21 22.5 19.4 20 18 17 16 20.8 CW Pulsed RF 1-c WCDMA CW Pulsed RF CW CW CW CW CW 2-c WCDMA CW 2-c WCDMA CW 2-c WCDMA Pulsed RF CW DVB-T CW SOT1352 SOT1179 SOT538 SOT1352 SOT1179 SOT467 SOT467 SOT1228 SOT540 SOT467 SOT502 SOT467 SOT502 SOT1223 SOT502 SOT1121 SOT1121 SOT539 SOT539 VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version 50 28 28 50 48 50 50 50 25 200 200 450 600 600 600 1000 50 65 65 50 52 58 58 50 19 20 20 17 17 19.8 20 15.5 Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF SOT467C SOT502A SOT502A SOT634A SOT539A SOT539A SOT539B SOT539A 航空宇宙・防衛向け RF パワートランジスタ Device naming conventions Microwave 航空宇宙・防衛のためのRFパワー・トランジスタのデバイスの命名規則 B L S 6 G 2731 L S -120 G option: gullwing shaped leads P: push-pull device R: enhanced ruggedness P1dB power S: earless package P: pallet flange material L = CPC frequency band (in 100 MHz; here: 2700-3100) G: standard LDMOS ( 28 V) H: high voltage LDMOS (50 V) LDMOS technology generation A: avionics frequency band operation L: L-Band frequency operation S: S-Band frequency operation L: high-frequency power transistor B: semiconductor die made of Si NXP のマイクロ波 RF パワートランジスタが選ばれる理由: `` 高利得 `` 高効率 `` 最高の信頼性 `` パルスドループおよび挿入位相の向上 `` 耐久性の向上 - リスクなく +5 dB までオーバードライブ `` コンポーネント数を削減し、L および S バンドのレーダー設計を簡素化 `` 無害な RoHS 準拠のパッケージを使用 3.7.3.1 アビオニクス LDMOS トランジスタ Test signal performance Type number Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Matching BLL6H0514-25 500 1400 25 Driver BLA6G1011-200R 1030 1090 200 I BLA6G1011L(S)-200RG 1030 1090 200 I BLA6H0912-500 960 1215 500 I/O BLA6H1011-600 1030 1090 600 I Final BLF988(S) 500 1000 600 I BLU6H0410L(S)-600P 400 900 600 I BLA6H0912L(S)-1000* 960 1215 1000 I 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 88 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 3.7.3.2L バンド LDMOS トランジスタ Test signal performance Type number Product BLL6H0514-25 BLL6H0514L(S)-130 BLL6G1214L(S)-250 BLL6H1214L(S)-250 BLL6H1214-500 BLL6H1214LS-500 BLL6H1214P2S-250* Driver Final Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version I I/O I/O I/O I/O I/O @ 50 Ω 50 50 36 50 50 50 45 25 130 250 250 500 500 250 50 50 45 55 50 50 48 19 17 15 17 17 17 27 Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF SOT467 SOT1135 SOT502 SOT502 SOT539 SOT539 SOM039 P1dB (W) Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version 6 20 30 105 120 120 130 130 150 200 200 350 350 I I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 32 32 32 30 32 32 32 32 32 32 32 32 32 6 20 35 110 120 120 130 130 150 220 200 350 350 33 45 50 55 48 43 50 47 47 48 43 50 43 15 15.5 13 16.5 13.5 11 12 12.5 13.5 12 12 13 12 Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF Pulsed RF SOT975 SOT608 SOT1135 SOT502 SOT502 SOT502 SOT922 SOT922 SOT922 SOT539 SOT502 SOT539 SOT539 fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) 500 500 1200 1200 1200 1200 1200 1400 1400 1400 1400 1400 1400 1400 25 130 250 250 500 500 250 fmin (MHz) fmax (MHz) 2700 3100 2700 2300 2700 3100 2700 2900 2900 2700 3100 2700 3100 3100 3500 3500 2500 3100 3500 3100 3300 3300 3000 3500 2900 3500 3.7.3.3S バンド LDMOS トランジスタ Type number Product BLS6G2731-6G BLS6G3135(S)-20 BLS6G2735L(S)-30 BLS7G2325L-105 BLS6G2731(S)-120 BLS6G3135(S)-120 BLS6G2731S-130 BLS6G2933S-130 BLS7G2933S-150 BLS7G2730L(S)-200P BLS7G3135LS-200 BLS7G2729L(S)-350P BLS7G3135L(S)-350P Driver Final 機能別製品 Test signal performance 窒化ガリウム (GaN) RF パワーアンプ 3.7.4 Device conventions GaN RF power amplifiers GaN RFnaming パワーアンプのデバイスの命名規則 C L F 1G 0040 S 50 P P: push-pull indicator, P = push-pull type; no P means single-ended transistor 2 to 1500: nominal P3dB in Watts: eg 50 = 50 W S earless type, S = earless; no S means eared package 35 to 60: upper frequency, 10x GHz value: 35 = 3.5 GHz; 60 = 6.0 GHz 00 to 40: lower frequency, 10x GHz value: 00 = 0 GHz or DC; 40 = 4.0 GHz 1G: technology generation: 1G = 1st generation F: package style: F = ceramic, P = overmolded plastic L: high-frequency power transistor C: primary material identifier: C = wide band-gap compound materials, eg GaN Test signal performance Type number CLF1G0060(S)-10* CLF1G0060(S)-30* CLF1G0035(S)-50* CLF1G0035(S)-100* CLF1G0035(S)-100P* CLF1G0035(S)-200P* Matching VDS (V) PL (W) ηD (%) Gp (dB) Test signal Package version 10 30 - 50 50 10 30 33.2 59 17 15.9 Pulsed Pulsed SOT1227 SOT1227 50 100 100 200 - 50 50 50 50 50 100 100 200 49 59.5 50.1 43.5 13 13.9 12.7 11.5 Pulsed Pulsed Pulsed Pulsed SOT467 SOT467 SOT1228 SOT1228 Product fmin (MHz) fmax (MHz) P1dB (W) Driver 0 0 6000 6000 0 0 0 0 3500 3500 3500 3500 Driver/final Final 太字 = 推奨製品 * このタイプはまだ量産が開始されていないため、セクション 3.1 で状況をご確認ください。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 89 ワイヤレスマイクロコントローラチップセットおよびモジュール 3.8 Type Module/ single chip JN5148-001-M00 Module JN5148-001-M03 Module JN5148-001-M04 Module JN5148-J01 Single chip JN5148-001 Single chip JN5148-Z01 Single chip JN5161-001 Single chip JN5164-001 Single chip JN5168-001 Single chip JN5168-001-M00 Module JN5168-001-M03 Module JN5168-001-M05 Module JN5168-001-M06 Module JN516X-EK001 Evaluation kit 90 Application 2.4 - 2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP 2.4 - 2.4835 GHz JenNet & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz ZigBee PRO 2.4 - 2.4835 GHz RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 2.4 - 2.4835 GHz JenNet - IP & ZigBee & RF4CE & IEEE802.15.4 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 TX power Receiver sensitivity TX current RX Operating current voltage Form factor +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3 - 3.6 V +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3 - 3.6 V +20 dBm –98 dBm 110mA 23 mA 2.7 - 3.6 V +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3 - 3.6 V 8 x 8 mm QFN56 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3 - 3.6 V 8 x 8 mm QFN56 +2.5 dBm –95 dBm 15 mA 17.5 mA 2.3 - 3.6 V 8 x 8 mm QFN56 +2.5 dBm -95 dBm 15 mA 17 mA 2.3 - 3.6 V 6 x 6 mm QFN40 +2.5 dBm -95 dBm 15 mA 17 mA 2.3 - 3.6 V 6 x 6 mm QFN40 +2.5 dBm -95 dBm 15 mA 17 mA 2.3 - 3.6 V 6 x 6 mm QFN40 +2.5 dBm -95 dBm 15 mA 17 mA 2.3 - 3.6 V +2.5 dBm -95 dBm 15 mA 17 mA 2.3 - 3.6 V +9.5 dBm -96 dBm 35 mA 22 mA 2.3 - 3.6 V +22 dBm -100 dBm 175 mA 22 mA 2.3 - 3.6 V n/a n/a n/a n/a n/a Integral antenna 18 x 32 mm U.FL connector 18 x 30 mm U.FL connector 18 x 41 mm Integral antenna 16 x 30 mm UFL connector 16 x 21 mm UFL connector 16 x 30 mm UFL connector 16 x 30 mm n/a 機能別製品 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 91 RELEASE EXPERIENCE RFのリーダーシップを築き上げ数十年 NXP のアプリケーションエキスパートたちが皆様と協力し、あらゆ る設計上の困難を解決し、皆様が明確な競争上の強みを実感できる ようお手伝いします。 92 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 4. 設計サポート 本章では、NXP 製品のデザインインを容易にする各種ツール、ドキュメント、資料およびリンクをご紹介 します。 4.1NXP の RF ポートフォリオ情報 4.3 製品評価 この RF マニュアル以外にも、NXP テクニカルアカデミー、各種ウェ NXP では、RF 製品を評価し、特定のアプリケーションのパフォー ブセミナー、YouTube の NXP チャンネルで、NXP の豊富な RF 製 マンスを最適化するために役立つ幅広いサポート資料を用意して 品群について知ることができます。 います。 NXP テクニカルアカデミーではトレーニングモジュールを提供して データシートおよびアプリケーションノート おり、NXP の製品およびアプリケーションに関する知識を得たり、 この RF マニュアルの第 1 章には、アプリケーション図、推奨品番、 実践トレーニングを視聴したり、認定を受けたりすることができま および製品ハイライトが記載されています。 第 2 章、製品データシ す。 トレーニングモジュールは携帯端末でも視聴できます ート、あるいは NXP Web サイトのアプリケーションノートセクショ elearning.nxp.com. ン (www.nxp.com/products/all_appnotes) では、より詳細なアプ リケーション情報を入手できます。 NXP は、定期的に RF ウェブセミナーを実施しています。 www.nxp.com/news/meet-nxp/webinars-and-podcasts.html#rf シミュレーションツール めに、NXP は小信号の Touchstone 形式 S パラメータやバイアス nxpsemiconductors) では、NXP の製品群やアプリケーション情 条件に応じてカスタマイズできるパラメータモデルなど、多様なシ 報、お使いのシステムパフォーマンスを最適化するヒントおよび方法 ミュレーションツールを用意しています。 パラメータモデルは、物 などを説明する短いビデオを用意しています。 理ベースモデルで広く認められている Philips Research によって開 発されたクラス最高の Mextram モデルおよび RFLDMOS モデルを 4.2NXP.com の製品セレクション ベースとしています。 パラメータモデルは AC、DC、S パラメータ、 調波平衡および時間領域シミュレーションを完全サポートしていま す。 これらのモデルにより、設計者は開発プロセスの初期の段階で 各 RF 製品について、NXP Web サイト上に Web ページを用意してい 複雑なシステムのパフォーマンスを評価することができます。 ます。 それらページには、製品ツリーから、アプリケーションエリアか ら、またはクロスレファレンス検索からアクセスすることができます。 モデルは Advanced Design System(ADS)、Microwave Office あるいは、Google 検索バーに「nxp <製品名>」を入力するだけです。 (MWO)、Genesys および Ansoft Designer に対応しています。 ほとんどすべての商用設計ツールで使用できる多様なパラメータモ 製品ツリーおよびパラメータ検索 デルの Spice バージョンもご用意しています。 NXP のオンライン製品ツリー (www.nxp.com/products/rf) では、 製品が機能別に分類されています。 パラメータ検索ツールを使用し て、性能要件に基づきセレクションを絞り込むことができます。 アプリケーションエリア 各アプリケーションエリアで NXP が提供する製品を検索するに は、NXP Web サイトの [アプリケーションを検証] セクションを使 用します。 クロスレファレンス NXP は、競合製品および NXP 代替品のクロスレファレンスを定期 的に更新しています。 このリストは、NXP Web サイトの検索ツール バーからオンラインで、または X レファレンスツールをインストール してオフラインで検索できます。 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 93 設計サポート お客様の特定のアプリケーションで当社製品を評価していただくた NXP の YouTube チャンネル (www.youtube.com/user/ 顧客評価キットおよびサンプル NXP 製品の評価用キットを複数ご用意しています。 ボードには業 界基準の RF コネクタが搭載されており、測定およびデザインイン を促進します。 各キットの特長と内容は、NXP Web サイトの対応 する製品ページに記載されています。 顧客評価キットのページに は、最新のユーザーマニュアルやソフトウェアアップデートなどサポ ート資料も用意されています。 全製品少数注文が可能なため、試 作品を構築して評価することができます。 キットの入手またはサン プルの注文については、地域の NXP 営業所または正規代理店にお 問い合わせください。 4.5RF 小信号コミュニティ NXP のオンラインコミュニティは、技術者同士が集い、RF 小信号 の上級者が協力し、テクニカルサポートを得たり、アイデアを共有し たりするための空間です。質問があるとき、あるいは RF 技術者と して日々直面している課題を討論したいときに、ぴったりの場所で す。NXP 社内の RF 小信号エキスパートもこのコミュニティの一員で す。トピックに精通した人々とつながることができます。 ぜひ www.nxp.com/RFcommunity を訪問してください。 4.6 追加設計サポート さらなるデザインインサポートが必要な場合は、地域の NXP 営業 所または正規代理店にお問い合わせください。 NXP Web サイトの ウェブフォームからご質問を送信していただくこともできます。 4.7 アプリケーションノート Application Description Filename Product category: RF power transistors 4.4RF パワー寿命計算機 RF パワー寿命計算機は、NXP の LDMOS デバイスの寿命におけ るインタラクティブな推定を可能にします。故障する母集団の 50% の時間であるメジアン故障時間(MTF)を、デバイスの接合部温度 の関数として計算し、摩耗故障メカニズムとして、エレクトロマイグ レーションを推測します。これにより、最適なシステムレベルのソリ ューションを生成するお客様のプロジェクトの熱特性を最大限に General applications Mounting and Soldering of RF transistors AN10896 General applications Bias module for 50 V GaN demonstration boards AN11130 General applications Life-time requirements of NXP HVSON12 plastic drivers AN11198 General applications TTL bias switching AN11226 General applications Life-time requirements of NXP Semiconductors HVSON12 highvoltage (50 V) plastic drivers AN11520 Broadcast Broadband DVB-T UHF power amplifier with BLF888 AN10869 ISM and broadcast Using BLF574 in the 88 - 108 MHz FM band AN10714 ISM and broadcast Using BLF578 in the 88 to 108 MHz FM band AN10800 ISM and broadcast 174 to 230 MHz DVB-T power amplifier with BLF578 AN10858 ISM and broadcast Dependency of BLF578 gate bias voltage on temperature AN10882 ISM and broadcast 174 to 230 MHz DVB-T power amplifier with BLF881 AN10945 ISM and broadcast 1805 to 1880 MHz asymmetrical Doherty amplifier with BLF7G20LS-90P and BLF7G21LS-160P AN10951 ISM and broadcast BLF645 10 to 600 MHz 120 W amplifier AN10953 ISM and broadcast BLF578 demo for 352 MHz 1 kW CW power AN10967 ISM and broadcast Broadband DVB-T UHF power amplifier with BLF888A AN11062 ISM and broadcast Using BLF574 in the 88 - 108 MHz FM band AN10714 ISM and broadcast Using BLF578 in the 88 to 108 MHz FM band AN10800 利用することを可能にします。 また、オンラインセレクションおよび計算プロセスは、特定の RF パ ワートランスミッタおよびその性能を迅速に検索するため、特性多 数の製品情報に目を通す必要性を排除します。 RF パワー寿命計算機は、NXP 設計ポータル www.nxp.com/ design-portal/mtf.html で入手可能であり、製品ページにリンク されています。 94 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Application Description Filename Application Description Filename ISM and broadcast 174 to 230 MHz DVB-T power amplifier with BLF578 AN10858 Mounting and soldering recommendations for CATV modules AN10376 ISM and broadcast Broadband DVB-T UHF power amplifier with BLF888 Broadband communication infrastructure AN10869 ISM and broadcast Dependency of BLF578 gate bias voltage on temperature AN10882 Broadband communication infrastructure CGY1047 - 1 GHz, 27 dB gain GaAs push-pull amplifier AN10848 ISM and broadcast 174 to 230 MHz DVB-T power amplifier with BLF881 AN10945 Broadband communication infrastructure BGA301x Wideband Variable gain amplifier application AN11228 ISM and broadcast BLF645 10 to 600 MHz 120 W amplifier AN10953 AN10967 Broadband communication infrastructure BGA301x - 40 MHz to 1006 MHz push-pull application AN11299 ISM and broadcast BLF578 demo for 352 MHz 1 kW CW power ISM and broadcast Broadband DVB-T UHF power amplifier with BLF888A AN11062 CATV push-pull amplifier UGY1088 MMIC AN11104 Wireless communication infrastructure Doherty RF performance using BLF6G20-230PRN AN10847 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3012 - 1 GHz 12 dB gain wideband amplifier MMIC AN11220 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3015 - 1 GHz 15 dB gain wideband amplifier MMIC AN11221 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3018 - 1 GHz 18 dB gain wideband amplifier MMIC AN11222 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3012 - 5 MHz to 300 MHz 12 dB reverse amplifier application AN11293 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3015 - 5 MHz to 300 MHz 15 dB reverse amplifier application AN11294 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3018 - 5 MHz to 300 MHz 18 dB reverse amplifier application AN11295 Broadband communication infrastructure, TV and Satalite BGA3018 - 40 MHz to 2600 MHz wideband amplifier application AN11296 TV and Satalite Set-Top Box LNAs BGU703X and BGU704X AN11209 TV and Satalite, wireless connectivity CMMB LNA with BGU7003, 400 to 800 MHz AN11097 Wireless communication Doherty RF performance analysis using AN10885 infrastructure BLF7G22LS-130 Wireless communication infrastructure BLF7G20LS-200 Doherty 1.805 - 1.88 GHz RF power amplifier AN10921 Wireless communication infrastructure 1.5 GHz Doherty power amplifier for base station applications using BLF6G15L-250PBRN AN10923 Wireless communication 2.5 to 2.7 GHz Doherty power amplifier AN10933 infrastructure using BLF7G27LS-150P Wireless communication infrastructure 1930 to 1990 MHz Doherty amplifier using BLF7G20LS-200 AN10944 Wireless communication Doherty RF performance analysis using AN10885 infrastructure BLF7G22LS-130 Wireless communication infrastructure BLF7G20LS-200 Doherty 1.805 - 1.88 GHz RF power amplifier AN10921 Wireless communication infrastructure 1.5 GHz Doherty power amplifier for base station applications using BLF6G15L-250PBRN AN10923 Wireless communication 2.5 to 2.7 GHz Doherty power amplifier AN10933 infrastructure using BLF7G27LS-150P Wireless communication infrastructure 1930 to 1990 MHz Doherty amplifier using BLF7G20LS-200 1805 to 1880 MHz asymmetrical Wireless communication Doherty amplifier with BLF7G20LS-90P infrastructure and BLF7G21LS-160P Wireless connectivity Doherty RF performance using BLF6G20-230PRN AN10944 AN10951 AN10847 Product category: mixer / modulator TV and Satalite Universal Single LNB with TFF101x FIMOD IC AN11144 TV and Satalite, wireless connectivity, automotive BGU7003 400 MHz and 900 MHz application AN11072 Wireless communication infrastructure BGX7221 evaluation board application note AN10998 TV and Satalite, wireless connectivity, automotive BGU7003 LNA application for GPS L2 band AN11086 Wireless communication infrastructure BGX7100 evaluation board application note AN11014 TV and Satalite, wireless connectivity, automotive BGU7003 1900 to 2100 MHz LNA application AN11148 Wireless communication infrastructure BGX7220 evaluation board application note AN11132 TV and Satalite, wireless 2.62 ~ 2.69GHz LNA by using BGU7003 connectivity, automotive AN11481 Wireless communication infrastructure BGX7101 evaluation board application note AN11189 Wireless communication infrastructure BGU7063 evaluation board application note AN11171 Wireless communication infrastructure 1900 MHz low noise, high linearity amplifier using BGU8052 AN11416 Product category: RF small signal amplifiers Aerospace and defense Replacing HMC625 by NXP BGA7204 AN11135 Wireless communication infrastructure 900 MHz low noise, high linearity amplifier using BGU8051 AN11417 General applications Reducing the Spurs at RF_out caused by the biasing choke during fast switching on and off in TDD system AN11152 Wireless communication infrastructure 2500 MHz low noise, high linearity amplifier using BGU8053 AN11418 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 95 設計サポート アプリケーションノート(続き) アプリケーションノート(続き) Application Description Filename Wireless communication infrastructure, aerospace and defense BGA7210 Operation Frequency Extension Down to 400 MHz AN11251 Wireless communication infrastructure, ISM, broadcasting, aerospace and defense Application Note for the BGA7130 EVB 865 - 880 MHz AN11190 Application Description Filename Wireless connectivity BGU8011 GNSS LNA evaluation board AN11337 Wireless connectivity BGU8011 GNSS front-end evaluation board AN11338 Wireless connectivity BGU8009/BGU7005 L2 and L5 Band LNA application AN11353 Wireless connectivity BGU8009 Matching Options for 850 MHz / 2400 MHz Jammer Immunity AN11357 Wireless connectivity BGU8019 and BGU8019W GNSS LNA evaluation board AN11368 Wireless connectivity BGU8004 GNSS LNA evaluation board AN11369 Wireless connectivity NXP GPS LNA - GPS LNA voltage supply via a coax cable coming from the GPS receiver AN11420 Wireless connectivity, automotive High Ohmic FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU7003W AN11034 Wireless connectivity, automotive 50 Ohm FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU7003W AN11035 Wireless connectivity, automotive 50 Ohm FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU6102 AN11090 Wireless connectivity, automotive Ohmic FM LNA for embedded Antenna in Portable applications with BGU6102 AN11091 Wireless communication infrastructure, ISM, broadcasting, aerospace and defense Application Note for the BGA7130 EVB 1930 - 1995 MHz Wireless connectivity High Linearity Low Noise 2.4-2.5GHz WiFi LNA with ON5096 AN11283 Wireless connectivity BGU8007/BGU7005 Matching Options for Improved LTE Jammer Immunity AN11068 Wireless connectivity BGU7007 GPS front end evaluation board AN11101 Wireless connectivity Externally-matched 900 MHz LNA using BGU7005 AN11103 Wireless connectivity Low Noise Fast Turn ON/OFF 5-5.9GHz WiFi LNA with BFU768F AN11184 Wireless connectivity Low Noise Fast Turn ON/OFF 2.42.5GHz WiFi LNA with BFU768F AN11185 Wireless connectivity BGU8009 GNSS LNA evaluation board AN11288 Wireless connectivity BGU8009 GNSS front-end evaluation board AN11317 Wireless connectivity and ISM BGU8006 GNSS LNA evaluation board AN11230 Wireless connectivity BGU8010 GNSS LNA evaluation board AN11336 Wireless connectivity and ISM BGU8006 GNSS front end evaluation board AN11284 96 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 AN11191 4.8 シミュレーションモデル 4.8.1RF パワーデバイス向けシミュレーションモデル この概要のアップデートは、PDF形式で提供されています。 http://www.nxp.com/wcm_documents/models/RFPower_Model_Overview.pdf RF パワーモジュールの概要 ADS model ADS 2009 ADS 2011 Microwave Office model ADS 2012 Library manual BLA0912-250 S-parameter data Simulation example 36 V, 150 mA BLA6G1011-200R Available Available BLA6H0912-500 Available Available BLA6H0912L-1000 Available BLA6H1011-600 Available BLC8G24LS-240AV Available Available Available Available BLC8G27LS-160AV Available BLC8G27LS-240AV Available BLD6G22L-50 Available Available BLD6G22LS-50 Available Available BLF1043 28 V, 50 mA BLF1046 28 V, 300 mA BLF145 14 V, 250 mA 28 V, 250 mA BLF147 14 V, 1000 mA 28 V, 1000 mA 25 V, 150 mA 50 V, 150 mA 25 V, 100 mA 50 V, 100 mA 6.25 V, 20 mA 12.5 V, 20 mA 14 V, 10 mA 28 V, 10 mA BLF174XR Available Available BLF174XRS Available Available BLF175 BLF177 BLF178XR Available Available BLF178XRS Available Available BLF184XR Available Available BLF184XRS Available BLF188XR Available Available Available BLF188XRS Available Available Available Available BLF202 BLF242 BLF2425M7L140 Available BLF2425M7L250P Available BLF2425M7LS140 Available BLF2425M7LS250P Available BLF2425M8L140 Available BLF2425M8LS140 Available Available Available Available Available BLF244 12.5 V, 25 mA 14 V, 25 mA BLF245 12.5 V, 50 mA 14 V, 50 mA BLF246 14 V, 50 mA 14 V, 100 mA BLF248 14 V, 250 mA 28 V, 250 mA BLF278 25 V, 500 mA 50 V, 500 mA BLF346 14 V, 3000 mA 28 V, 3000 mA 14 V, 250 mA 16 V, 250 mA BLF368 BLF369 設計サポート Type Available NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 97 RF パワーモジュールの概要 (続き) ADS model Type ADS 2009 ADS 2011 Microwave Office model ADS 2012 Library manual BLF3G21-30 26 V, 450 mA BLF368 14 V, 250 mA BLF369 BLF3G21-6 16 V, 250 mA Available BLF3G21-30 26 V, 450 mA Available BLF404 6.25 V, 50 mA 12.5 V, 50 mA BLF521 6.25 V, 10 mA 12.5 V, 10 mA BLF542 14 V, 10 mA 14 V, 50 mA BLF544 14 V, 40 mA 28 V, 40 mA 14 V, 160 mA 28 V, 160 mA BLF548 BLF571 Available Available Available BLF573 Available Available BLF573S Available Available BLF574 Available Available BLF574XR Available Available BLF574XRS Available BLF578 Available Available Available Available BLF578XR Available Available BLF578XRS Available Available BLF642 Available Available BLF644P Available Available BLF645 Available Available BLF647P Available Available BLF647PS Available Available BLF6G10-200RN Available BLF6G10-45 Available BLF6G10L-260PRN Available BLF6G10L-40BRN Available BLF6G10LS-135RN Available BLF6G10LS-200RN Available BLF6G10LS-260PRN Available Available Available BLF6G10S-45 Available Available BLF6G13L-250P Available Available Available BLF6G13LS-250P Available BLF6G15L-250PBRN Available BLF6G15L-40BRN Available BLF6G15L-500H Available BLF6G15LS-500H Available BLF6G20-230PRN Available BLF6G20-45 Available BLF6G20LS-180RN Available BLF6G20S-45 Available Available BLF6G21-10G Available Available BLF6G22-45 Available Available BLF6G22L-40P Available Available BLF6G22LS-180RN Available 98 S-parameter data Simulation example NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Available RF パワーモジュールの概要 (続き) ADS model Type ADS 2009 ADS 2011 Microwave Office model ADS 2012 Library manual BLF6G22LS-40P Available Available BLF6G22S-45 Available Available BLF6G27-10 Available BLF6G27-10G Available Available BLF6G27-45 Available Available BLF6G27-75 Available BLF6G27L-40P Available BLF6G27LS-135 Available BLF6G27LS-40P Available BLF6G27LS-75 Available BLF6G27S-45 Available Available Available Available BLF6G38-10 Available BLF6G38-100 Available BLF6G38-10G Available Available BLF6G38-25 Available Available Available BLF6G38-50 Available BLF6G38LS-100 Available BLF6G38LS-50 Available Available BLF6G38S-25 Available Available BLF6H10L-160 Available Available Available BLF7G10L-250 Available Available BLF7G10LS-250 Available Available BLF7G15LS-200 Available BLF7G15LS-300P Available BLF7G20L-200 Available Available BLF7G20L-250P Available Available BLF7G20L-90P Available Available BLF7G20LS-140P Available BLF7G20LS-200 Available Available BLF7G20LS-250P Available Available BLF7G20LS-90P Available Available BLF7G21L-160P Available BLF7G21LS-160P Available BLF7G22L-100P Available BLF7G22L-130 Available BLF7G22L-160 Available BLF7G22L-200 Available Available BLF7G22LS-100P Available BLF7G22LS-130 Available BLF7G22LS-160 Available BLF7G22LS-200 Available BLF7G22LS-250P Available BLF7G24L-100 Available BLF7G24L-140 Available Available 設計サポート BLF6H10LS-160 BLF7G22L-250P S-parameter data Simulation example Available Available Available Available NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 99 RF パワーモジュールの概要 (続き) ADS model Type ADS 2009 BLF7G24L-160P Available BLF7G24LS-100 Available BLF7G24LS-140 Available BLF7G24LS-160P Available BLF7G27L-100 Available BLF7G27L-140 Available BLF7G27L-150P Available BLF7G27L-200PB Available BLF7G27L-75P Available ADS 2011 Microwave Office model ADS 2012 Library manual Available Available Available BLF7G27L-90P Available Available BLF7G27LS-100 Available Available BLF7G27LS-140 Available BLF7G27LS-150P Available Available Available BLF7G27LS-75P Available BLF7G27LS-90P Available Available BLF871 Available Available BLF871S Available Available BLF878 Available Available BLF879P Available Available BLF879PS Available Available BLF881 Available Available BLF881S Available Available BLF884P Available Available (separate from library) BLF884PS Available Available (separate from library) BLF888 Available BLF888A Available Available Available BLF888AS Available BLF8G09LS-270GW Available BLF8G09LS-270W Available BLF8G10L-160 Available BLF8G10LS-160 Available BLF8G10LS-160V Available BLF8G10LS-270 Available BLF8G10LS-270GV Available BLF8G19LS-170BV Available Available BLF8G20LS-200V Available BLF8G20LS-220 Available BLF8G20LS-230V Available BLF8G20LS-260A Available BLF8G20LS-400PGV Available BLF8G22LS-140 Available BLF8G22LS-200GV Available BLF8G22LS-220 Available BLF8G22LS-240 Available BLF8G22LS-270GV Available BLF8G24L-200P 100 Simulation example Available Available NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 S-parameter data RF パワーモジュールの概要 (続き) ADS model ADS 2009 BLF8G24LS-200P BLF8G27LS-100 ADS 2011 Microwave Office model ADS 2012 Library manual S-parameter data Simulation example Available Available BLF8G27LS-100GV Available BLF8G27LS-100V Available Available BLF8G27LS-140 Available BLF8G27LS-140V Available Available BLF8G27LS-150GV Available Available BLF8G38LS-75V Available BLF988 Available (separate from library) BLF988S Available (separate from library) BLL6H0514-25 Available Available BLL6H0514L-130 Available Available BLL6H0514LS-130 Available Available BLL6H1214-500 Available BLF8G10LS-300P Available BLL6H1214L-250 Available Available BLL6H1214LS-250 Available Available BLL6H1214LS-500 Available BLM6G10-30 Available BLM6G22-30 Available BLM7G1822S-40PBG Available BLM7G22S-60PBG Available BLP15M7160P Available BLP25M705 Available BLP25M710 Available BLP7G07S-140P Available BLP7G22-05 Available BLP7G22-10 Available BLP8G10S-45PG Available BLP8G21S-160PV Available BLS6G2731-6G Available BLS6G2731S-130 Available BLS6G2735L-30 Available BLS6G2735LS-30 Available BLS6G3135-20 Available BLS6G3135S-120 Available BLS6G3135S-20 Available BLS7G2729L-350P Available BLS7G2729LS-350P Available BLS7G2730L-200P Available BLS7G2730LS-200P Available BLS7G2933S-150 Available BLS7G3135L-350P Available BLS7G3135LS-200 Available BLS7G3135LS-350P Available CLF1G0035-100 Available Available Available 設計サポート Type Available Available Available Available Available Available Available 50 V, 330 mA NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 101 RF パワーモジュールの概要 (続き) ADS model Type Microwave Office model ADS 2012 Library manual S-parameter data Simulation example ADS 2009 ADS 2011 CLF1G0035-100P Available Available Available 50 V, 340 mA CLF1G0035-50 Available Available Available 50 V, 150 mA CLF1G0035S-100 Available Available Available 50 V, 330 mA CLF1G0035S-100P Available Available Available 50 V, 340 mA CLF1G0035S-50 Available Available Available 50 V, 150 mA CLF1G0060-10 Available Available Available 50 V, 20 mA CLF1G0060-30 Available Available Available 50 V, 50 mA CLF1G0060S-10 Available Available Available 50 V, 20 mA CLF1G0060S-30 Available Available Available 50 V, 50 mA 4.8.2RF バイポーラ広帯域トランジスタ向けシミュレーションモデル Attached to PIP / model page Device model - BFG10 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG10W √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG10W/X √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - Device model Demo board Spice model - S-parameters ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer √ Mextram model - √ Spice model - √ BFG67 S-parameters - BFG67/X Wideband transistors Mextram model Supported simulators ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer BFG135 √ √ BFG198 √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG21W √ BFG25A/X BFG25AW/X - BFG31 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG35 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG310/XR √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG310W/XR √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG325/XR √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG325W/XR √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG403W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG410W √ BFG424F BFG424W √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG425W √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG480W √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG505 BFG505/X √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG505W/X √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG520 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG520W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG520X √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG520/XR √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG540 √ √ BFG540/X √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG540/XR √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG540W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG541 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG590 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG590/X BFG591 102 √ √ √ - NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 RF バイポーラ広帯域トランジスタ向けシミュレーションモデル (続き) Attached to PIP / model page Mextram model Device model √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG97 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFM505 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFM520 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFQ149 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFG18A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFQ19 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ BFQ540 √ - BFQ67 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFQ67W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR106 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR505 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR505T √ Microwave Office - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR520 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR540 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR92A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR92AW √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR93A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFR93AW √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS17 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS17A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS17W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS25A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS505 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS520 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFS540 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFT25 √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BFT25A √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFT92 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFT92W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFT93 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFT93W √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFU520 √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU520A √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU520W √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU520X √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU520XR √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU520Y √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU530 √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU530A √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU530W √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU530X √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU530XR √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU550 √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU550A √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU550W √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU550X √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU550XR √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU580G √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU580Q √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - BFU590G √ √ √ √ ADS 2011 - ADS 2011 - NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 設計サポート Spice model - BFG94 Device model - Mextram model - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer BFG92A/X Spice model - √ S-parameters ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer √ Demo board - BFG93A Wideband transistors S-parameters Supported simulators 103 RF MOSFET トランジスタ向けシミュレーションモデル 4.8.3 √ Device model Mextram model √ Mextram model Spice model √ Spice model S-parameters √ S-parameters Demo board BFU590Q Supported simulators Device model Wideband transistors Attached to PIP / model page ADS 2011 - ADS 2011 - BFU725F √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFU725F/N1 √ √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BFU610F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office BFU630F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU660F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU690F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU710F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU730F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU730LX √ √ √ ADS 2011 ADS 2011 ADS 2011 - BFU760F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - BFU790F √ √ √ √ ADS 2009, ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office - PBR941 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - PBR951 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - PRF947 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - PRF949 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - PRF957 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BF1211 √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF1211R √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF1211WR √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF1212 √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF1212R √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF1212WR √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF511 √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF513 √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF862 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BF904 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BF908 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BF909 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BF998 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2001 104 √ √ NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 RF MMIC アンプ向けシミュレーションモデル Device model Mextram model - - - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2711 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2748 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2771 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BGA2776 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2709 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2712 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2714 √ - - - - BGA2715 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2716 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2717 BGA2011 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2012 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2031 √ - - - BGA6289 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA6489 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA6589 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2800 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2801 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BGA2815 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2816 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2850 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA2865 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGA6130 √ - - - ADS 2011 ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - √ BGA2866 √ √ BGA3012 √ √ √ ADS 2011 ADS 2011 ADS 2011 BGA3015 √ √ √ ADS 2011 BGA3018 √ √ √ ADS 2011 BGA7024 √ √ - - - - BGA7027 √ √ - - - - BGA7124 √ √ - - - - BGA7127 √ √ - - - - BGA7130 √ - - - ADS 2011 √ ADS 2011 BGM1011 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGM1012 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGM1013 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BGM1014 √ √ ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - - BGU3012 √ ADS 2011 - - - BGU3015 √ ADS 2011 - - - BGU3018 √ ADS 2011 - - BGU6102 √ - - - - BGU7031 √ - - - - BGU7032 √ - - - - BGU7033 √ - - - - BGU7041 √ - - - BGU7042 √ - - - - BGU7044 √ - - - - BGU7045 √ - - - - BGU7050 √ - - - BGU7051 √ - - - - BGU7052 √ - - - - BGU7053 √ - - - - BGU7061 √ - - - - BGU7062 √ - - - - BGU7063 √ - - - - NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 105 設計サポート √ Supported simulators S-parameters Device model √ Mextram model √ Spice model Demo board BGA2002 BGA2003 S-parameters Wideband transistors Attached to PIP / model page Spice model 4.8.4 RF MMIC アンプ向けシミュレーションモデル (続き) BGU7003W √ BGU7004 √ √ BGU7005 √ √ - - - - - - - - - - ADS 2011 - - - √ ADS 2011 - - ADS 2011 √ Spice model S-parameters - Device model Mextram model Device model √ √ Supported simulators Mextram model BGU7064 BGU7003 Spice model S-parameters Demo board Wideband transistors Attached to PIP / model page BGU7007 √ √ √ ADS 2011 - - ADS 2011 BGU8006 √ √ √ ADS 2011 - - ADS 2011 BGU8007 √ √ ADS 2011 - - - BGU8009 √ √ ADS 2011 - - ADS 2011 √ 4.8.5RF バリキャップダイオード向けシミュレーションモデル Spice model Mextram model Device model - - - BB201 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BB202 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BB207 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - BB208-2 √ - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - - Device model - ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer Mextram model ADS 2009, ADS 2011, Microwave Office, Ansoft Designer - Spice model - √ Demo board √ BB156 Varicap S-parameters Supported simulators BB145B 106 S-parameters Attached to PIP/ model page NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 5. クロスレファレンスおよび代替製品 NXP クロスレファレンス: http://www.nxp.com/xref/nxp?typenumber NXP の生産終了製品: http://www.nxp.com/products/eol/ 5.1 クロスレファレンス:他社製品品番に対応する NXP 製品品番 メーカー別製品品番(アルファベット順) 省略表記: 航空宇宙・防衛 ブロードキャスト/産業、科学、医療 バンドスイッチダイオード CATV光レシーバ CATVパワーダブラー CATVプッシュプルアンプ CATVプッシュプルアンプ高利得 CATVリバースアンプ 電界効果トランジスタ 低ノイズアンプ モノリシックマイクロ波集積回路 P 型、真性、N 型ダイオード バリキャップダイオード 広帯域トランジスタ第1~4世代 広帯域トランジスタ第5~7世代 Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family 1SS314 1SS356 1SS390 1SV172 1SV215 1SV228 1SV231 1SV232 1SV233 1SV234 1SV239 1SV241 1SV246 1SV247 1SV248 1SV249 1SV250 1SV251 1SV252 1SV263 1SV264 1SV266 1SV267 1SV269 1SV270 1SV271 1SV284 1SV288 1SV294 1SV305 1SV307 1SV308 Toshiba ROHM ROHM Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Sanyo Sanyo Toshiba Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Toshiba Sanyo Sanyo Sanyo Sanyo Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Sanyo Toshiba Toshiba Toshiba BA591 BA591 BA891 BAP50-04 BB172 BB201 BB171 BB170 BAP70-03 BAP64-04 BB145B BAP64-02 BAP64-04W BAP70-02 BAP50-02 BAP50-04W BAP50-03 BAP50-04 BAP50-04W BAP50-02 BAP50-04W BAP50-03 BAP50-04 BB170 BB156 BAP50-03 BB156 BB171 BAP70-03 BB202 BAP51-03 BAP51-02 BS diode BS diode BS diode PIN diode Varicap Varicap Varicap Varicap PIN diode PIN diode Varicap PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode PIN diode Varicap Varicap PIN diode Varicap Varicap PIN diode Varicap PIN diode PIN diode 1T363A 1T368A 1T369 1T379 1T397 1T399 2F1G20DS 2F1G20DS 2F1G20P 2F1G22DS 2F1G22DS 2F1G22DS 2F1G23P 2F1G23P 2F1G24D 2F1G24D 2F1G24DS 2F722DS 2F8718P 2F8719DS 2F8720DS 2F8723P 2F8734P 2N4856 2N4857 2N4858 2SA1977(NE97733) 2SA1978(NE97833) 2SC2735 2SC3356 2SC3356 2SC3357 Sony Sony Sony Sony Sony Sony RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC RFHIC Standard Standard Standard Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas BB172 BB170 BB171 BB131 BB171 BB170 CGD1040Hi CGD1042H CGY1041 CGD1042H CGD1042Hi CGD982HCi CGY1041 CGY1043 CGD1044Hi CGD985HCi CGD1044H BGD816L BGY885A BGD812 BGD814 BGY887 CGY888C BSR56 BSR57 BSR58 BFT93 BFT93 BFU530W BFR540 / BFU550A BFU590Q BFU580Q Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap Varicap CATV PD CATV PD CATV PP CATV PD CATV PD CATV PD CATV PP CATV PP CATV PD CATV PD CATV PD CATV PD CATV PP CATV PD CATV PD CATV PP CATV PP FET FET FET WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 107 クロスレファレンス および代替製品 A&D Broadcast/ISM BS diode CATV OR CATV PD CATV PPA CATV PPA/HG CATV RA FET LNA MMIC PIN diode Varicap WB trs 1-4 WB trs 5-7 Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family Manufacturer type Manufacturer NXP type Product family 2SC3357 2SC3583(NE68133) 2SC3585(NE68033) 2SC4093(NE85639E) 2SC4094 2SC4094 2SC4095 2SC4095 2SC4182 2SC4182 2SC4184 2SC4184 2SC4185 2SC4185 2SC4186 2SC4186 2SC4226 2SC4226 2SC4227 2SC4227 2SC4228 2SC4228 2SC4247 2SC4248 2SC4315 2SC4320 2SC4321 2SC4325 2SC4394 2SC4536 2SC4536 2SC4537 2SC4537 2SC4570(NE58130) 2SC4571(NE58230) 2SC4592 2SC4592 2SC4593 2SC4593 2SC4703 2SC4703 2SC4784 2SC4784 2SC4807 2SC4807 2SC4842 2SC4899 2SC4899 2SC4900 2SC4900 2SC4901 2SC4901 2SC4926 2SC4957(NE68539E) 2SC4988 2SC4988 2SC5004(NE58219) 2SC5006 2SC5006-T1-A 2SC5007(NE68119) 2SC5008(NE68019) 2SC5010(NE68519) 2SC5011 2SC5011 2SC5012 2SC5012 2SC5013(NE68018) 2SC5015(NE68518) 2SC5065 2SC5085 2SC5087 2SC5088 2SC5090 2SC5092 2SC5095 2SC5107 2SC5180(NE68618) 2SC5181(NE68619) 2SC5185(NE68718) 2SC5186(NE68719) 2SC5288(NE68939) 2SC5289(NE69039) 2SC5336 Renesas Renesas Renesas Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas NEC Renesas Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba NEC Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas NEC Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Toshiba Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas NEC Renesas Renesas Renesas NEC Renesas NEC Renesas Renesas Renesas Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Toshiba Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas Renesas BFU590Q BFU520A BFU520A BFU550A BFU520XR BFU520XR BFU520XR BFU520XR BFU530W BFU530W BFU530W BFU530W BFU530W BFU530W BFU520W BFU520W BFU550W BFU550W BFU530W BFU530W BFU520W BFU520W BFR92AW BFR92AW BFG520/XR BFG520/XR BFQ67W BFS505 PRF957 BFU580Q BFU580Q BFU530W BFU530W BFU520W BFU530W BFU520XR BFU520XR BFU520W BFU520W BFU580Q BFU580Q BFU520W BFU520W BFU590Q BFU590Q BFG540W/XR BFU520W BFU520W BFU520XR BFU520XR BFU520W BFU520W BFG520/XR BFU520/X BFU580Q BFU580Q PRF949 BFR520T BFR520T PRF949 PRF949 BFR520T BFU550W BFU550W BFU550W BFU550W BFG425W BFG425W PRF957 PRF957 BFG520/XR BFG540W/XR BFS520 BFG520/XR BFS505 BFS505 BFG410W BFG410W BFG425W BFG425W BGA7024 BGA7027 BFU590Q WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB 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Infineon Infineon Vishay Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Standard Standard Standard Infineon Vishay Infineon Vishay Vishay Infineon Infineon Infineon BAP70-03 BAP70-03 BAP70-03 BA891 BA891 BA891 BAP70-02 BAP70-03 BAP70-03 BAP70-03 BAP50-03 BAP50LX BAP50-02 BAP50-03 BAP50-05 BAP70-02 BAP50-03 BAP50-03 BAP63-03 BAP63-02 BAP63LX BAP63-02 BAP63-02 BAP63-03 BAP63-05W BAP63-05W BAP63-02 BAP63-05W BAP64LX BAP64-02 BAP64-02 BAP64-03 BAP64-04 BAP64-04W BAP64-05 BAP64-05W BAP64-06 BAP64-06W BAP64-02 BAP64-04 BAP64-05 BAP64-06 BAP64-06W BAP65LX BAP65-02 BAP65-02 BAP65-03 BAP65-02 BAP1321-04 BAP1321-02 BAP1321-03 BAT18 BB170 BB172 BB171 BB171 BB171 BB201 BB131 BB131 BB131 BB202 BB202 BF1105R BF1105R BFR93A PBR951 BFS540 BFG540 BFR92A BFR92A BFR92AW BF861A BF861B BF861C BF998 BF998 BF998R BF998R BF998WR BF998WR BFG135 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Vishay Infineon Freescale Vishay Infineon Infineon Vishay Infineon Freescale Infineon Vishay Vishay Vishay Freescale Infineon Infineon Vishay Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon Infineon BFG31 BFG541 BFG97 BFG135 BFG505/X BFG67/X BFG67/X BFG67/X BFG520/X BFG520/XR BFG520/X BFG520W/X BFG540/X BFG540W/XR BFG540/X BFG540/XR BFG540W/XR BFG540W/X BFG540W/XR BFG505/X BFG410W BFG425W BFG480W BFU660F BFU630F BFU660F BFU690F BFU760F BFU790F BFG67/X BFG67/X BFU710F BFU730F BFU710F BFU725F/N1 BFU730F BFU725F/N1 BFU690F BFU760F BFU790F BFQ540 BFQ19 BFQ67W BFR106 BFR505 BFS505 BFR520 BFR520 BFS520 BFS520 PBR941 PRF947 PBR951 PBR951 PRF957 PRF957 PBR951 PRF957 PRF957 BFR540 BFS540 BFR92A BFR92A BFR92AW BFR92A BFR92AW BFR93A BFR93A BFR93A BFR93AW BFR93AW BFS17 BFS17A BFS17 BFS17A BFS17W BFS17W BFM505 BFM520 BGU7003 BGU7003 BGU7007 BGU8007 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 WB trs 1-4 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MMIC BGA2851 BB152 Varicap BB171 BGD712 CATV BGD812 BB153 Varicap BB172 BGD712C CATV BGD812 BB181LX Varicap BB181 BGD714 CATV BGD814 BB202LX Varicap BB202 BGD802 CATV BGD812 BB804 Varicap BB207 BGD802N CATV BGD812 BBY42 Varicap BBY40 BGD802N/07 CATV BGD812 BF245A FET BF545A BGD804 CATV BGD814 BF245B FET BF545B BGD804N CATV BGD814 BF245C FET BF545C BGD804N/02 CATV BGD814 BF556B FET BF556A BGD902 CATV BGD812 BF556C FET BF556A BGD902L CATV BGD812 BF689K WB trs BFS17 BGD904 CATV BGD814 BF763 WB trs BFS17 BGD904L CATV BGD814 BF851A FET BF861A BGD906 CATV CGD942C BGE888C BF851C FET BF861C BGE787B CATV BF992/01 FET BF992 BGE788 CATV BGE788C BFC505 WB trs BFM505 BGO807C CATV BGO807C/FCO BFC520 WB trs BFM520 BGO807CE CATV BGO807CE/SCO BFET505 WB trs BFM505 BGO827 CATV BGO807CE/FCO BFET520 WB trs BFM520 BGO827/SCO CATV BGO807CE/SCO BFG17A WB trs BFS17A BGQ34/01 WB trs BFG35 BFG197 WB trs BFG198 BGU2003 WB trs BGA2003 BFG197/X WB trs BFG198 BGX885/02 CATV BGX885N BFG410W/CA WB trs BFG410W BGY1085A/07 CATV BGY1085A BFG425W/CA WB trs BFG425W BGY585A CATV BGY785A BFG505/XR WB trs BFG505/X BGY588N CATV BGY588C BFG505W/XR WB trs BFG505 BGY66B/04 CATV BGY66B BFG520W/XR WB trs BFG520W/X BGY67 CATV BGY67A BFG590/XR WB trs BFG590/X BGY67A/04 CATV BGY67A BFG67/XR WB trs BFG67 BGY67A/14 CATV BGY67A BFQ34/01 WB trs BFG35 BGY68/01 CATV BGY68 BFR92 WB trs BFR92A BGY685A CATV BGY785A BFR92AR WB trs BFR92A BGY685AD CATV BGY785A NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 クロスレファレンス および代替製品 BS diode CATV FET PIN diode RFP trs Varicap WB trs 115 NXP discontinued type Product family NXP Replacement type NXP NXP discontinued type Product family NXP Replacement type NXP BLL6H0514-25 BLS6G2731-120/ BLS6G2731S-130 BLS6G2731-120/ BLS6G2731S-130 BLS2735L-30 BGY685AL CATV BGY785A BLL1214-35I RFP trs BGY785A/07 CATV BGY785A BLS2731-110 RFP trs BGY785A/09 CATV BGY785A BGY785AD CATV BGY785A BLS2731-110T RFP trs BGY785AD/06 CATV BGY785A BLS2731-20 RFP trs BGY785AD/8M CATV BGY885A BLS2731-50 RFP trs BLS2735L-30 BGY883 CATV BGY885A BLS2933-100 RFP trs BLF6G2933S-130 BGY887/02 CATV BGY887 BLS3135-50L RFP trs BLA0912-250 RFP trs BLA6H0912-500 BLS3135-65I RFP trs BLA0912-250R RFP trs BLA6H0912-500 BLA1011-10 RFP trs BLL6H0514-25 BLA1011-2 RFP trs BLL6H0514-25 BLA1011-200 RFP trs BLA6G1011-200R BLA1011-200H RFP trs BLA6G1011-200R BLA1011-200R RFP trs BLA6G1011-200R BLA1011-200R RFP trs BLA1011-300 RFP trs CATV CGD1044 CATV CGD1044H CGD914 CATV CGD1042H CGY887A CATV CGY1043 CGY887B CATV CGY1047 GD923 CATV CGD942C J108 FET PMBFJ108 J109 FET PMBFJ109 J110 FET PMBFJ110 BLA1011S-200 RFP trs BLA6G1011-200R BLA6G1011-200R/ BLA6H1011-600 BLA6G1011-200R BLA1011S-200R RFP trs BLA6G1011LS-200RG J111 FET PMBFJ111 BLA1011S-200R RFP trs BLA6G1011-200R J112 FET PMBFJ112 BLC6G10LS-160RN RFP trs BLF8G10LS-160 J113 FET PMBFJ113 BLF1043 RFP trs BLF640/BLP25M710 J174 FET PMBFJ174 BLF145 RFP trs BLF642/BLP15M630 J175 FET PMBFJ175 J176 FET PMBFJ176 J177 FET MX0912B251Y RFP trs MX0912B351Y RFP trs BLF175 RFP trs BLF177 RFP trs BLF647P/BLP15M7160P BLP10H850/BLF642/ BLP15M630 BLF572XR/BLP05H6200P BLF147 116 CGD1042 BLS6G2735L-30 BLS6G2735L-30/ BLS6G3135-20 CGD1042H RFP trs BLF177C RFP trs BLF572XR/BLP05H6200P BLF177CR RFP trs BLF572XR/BLP05H6200P BLF177R RFP trs BLF572XR/BLP05H6200P MZ0912B100Y RFP trs PMBFJ177 BLL6G1214L-250/ BLL6H1214L-250 BLL6G1214L-250/ BLL6H1214L-250/ BLL6H1214-500 BLL6H0514L-130 BLF202 RFP trs BLP10L703 MZ0912B50Y RFP trs BLL6H0514-25 BLF2043F RFP trs BLF640/BLP25M710 OM7650 CATV BGY588C BLF242 RFP trs BLP15M705 OM7670 CATV BGE788C BLF244 RFP trs BLF571 ON4402H RFP trs BLF572XR/BLP05H6200P BLP15M660P BLF245 RFP trs BLF642/BLP15M630 ON4739 RFP trs BLF245B RFP trs BLF642/BLP15M630 ON4831-2 CATV BGY885A BLF246 RFP trs BLP15M660P ON4876 CATV BGY1085A BLF246B RFP trs BLP15M660P ON5040 RFP trs BLF572XR/BLP05H6200P BLF248 RFP trs BLF573XR PMBT3640/AT WB trs BFS17 BLF278 RFP trs BLF573XR PN4392 FET PMBF4392 BLF278/01 RFP trs BLF573XR PN4393 FET PMBF4393 BLF278C RFP trs BLF573XR RX1214B130YI RFP 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Package Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOD323/SC-76 1.7 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOD523/SC-79 1.2 x 0.8 x 0.6 3,000 10,000 8,000 20,000 115 135 315 335 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel 2 mm pitch tape and reel 2 mm pitch tape and reel SOD882D 1.0 x 0.6 x 0.4 10,000 315 Reel SOT23 2.9 x 1.3 x 0.9 3,000 10,000 215 235 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT54 4.6 x 3.9 x 5.1 5,000 5,000 10,000 10,000 112 412 116 126 Bulk, delta pinning Bulk, straight leads Tape and reel, wide pitch Tape ammopack, wide pitch SOT89/SC-62 4.5 x 2.5 x 1.5 1,000 4,000 115 135 12 mm tape and reel 12 mm tape and reel SOT115 44.5 x 13.65 x 20.4 100 112 4 tray/box Plastic SOT121B 24.8 x 6.4 x 6.7 40 112 Blister, tray Air-cavity ceramic SOT143(N/R) 2.9 x 1.3 x 0.9 3,000 10,000 215 235 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT223/SC-73 6.7 x 3.5 x 1.6 1,000 4,000 115 135 12 mm tape and reel 12 mm tape and reel SOT262A 34 x 9.8 x 5.4 60 112 Blister, tray SOT307 10 x 10 x 1.75 1,500 96 480 518 551 557 13" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT323/SC-70 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT341 5.3 x 10.2 x 2.0 1,000 658 118 112 13" tape and reel Tube SOT343(N/R) 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT343F 2.1 x 1.25 x 0.7 3,000 115 8 mm tape and reel SOT360 6.5 x 4.4 x 0.9 2,500 118 16 mm tape and reel SOT363/SC-88 2.0 x 1.25 x 0.9 3,000 10,000 115 135 8 mm tape and reel 8 mm tape and reel SOT401 5 x 5 x 1.4 2,000 360 118 151 13" tape and reel 1 tray SOT403 5.0 x 4.4 x 0.9 2,500 118 12 mm tape and reel SOT416/SC-75 1.6 x 0.8 x 0.75 3,000 115 8 mm tape and reel SOT467B 9.7 x 5.8 x 4.3 60 400 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT467C 20.3 x 5.8 x 4.3 60 112 Blister, tray SOT502A 34.0 x 9.8 x 4.1 60 300 100 112 135 118 Blister, tray Reel Tape and reel Type Plastic Air-cavity ceramic Plastic 梱包とパッケージ情報 6.1 Air-cavity ceramic NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 117 FM 2 CD FM 2 Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOT502B 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT502C 20.6 x 9.8 x 4.1 60 112 Blister, tray SOT502D 34 x 9.8 x 4.1 60 112 Blister, tray SOT502E 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 24 96 112 118 127 127 Blister, tray Blister, tray Tube Tube SOT538A 5.5 x 4.1 x 2.2 500 112 Blister, tray SOT539A 41.2 x 10.2 x 4.5 60 300 100 112 135 118 Blister, tray Reel Tape and reel SOT539B 32.3 x 10.2 x 4.5 60 112 Blister, tray SOT540A 34.0 x 9.8 x 5.4 60 112 Blister, tray SOT608A 20.3 x 10.2 x 4.2 60 100 300 112 118 135 Blister, tray Tape and reel Reel SOT608B 10.2 x 10.16 x 4.2 60 300 112 135 Blister, tray Tape and reel SOT616 4.0 x 4.0 x 0.85 6,000 1,500 100 118 115 551 12 mm tape and reel 8 mm tape and reel Tray SOT617 5 x 5 x 0.85 6,000 118 Tape and reel SOT618 6 x 6 x 0.85 4,000 1,000 490 2,450 118 515 551 157 13" tape and reel 7" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray SOT634A 34 x 13.7 x 4.3 60 112 Blister, tray SOT638 14 x 14 x 1 1,000 90 450 518 551 557 13" tape and reel dry pack 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT650-1 3.0 x 3.0 x 0.85 6,000 118 Reel SOT666 1.6 x 1.2 x 0.7 4,000 115 8 mm tape and reel SOT684 8 x 8 x 0.85 1,000 260 260 1,300 518 151 551 157 13" tape and reel dry pack 1 tray 1 tray dry pack 5 tray dry pack SOT724 8.7 x 3.9 x 1.47 2,500 118 16 mm tape and reel SOT753 2.9 x 1.5 x 1.0 3,000 125 8 mm tape and reel SOT763-1 2.5 x 3.5 x 0.85 3,000 6,000 115 135 Reel Reel SOT778 6.0 x 6.0 x 0.85 490 4,000 551 518 Tray Multiple trays SOT822-1 15.9 x 11 x 3.4 180 127 Tube SOT834-1 15.9 x 11 x 3.4 180 127 Tube SOT883 1.0 x 0.6 x 0.5 3,000 115 8 mm tape and reel SOT886 1.45 x 1.0 x 0.5 5,000 115 8 mm tape and reel SOT891 1.0 x 1.0 x 0.5 5,000 132 8 mm tape and reel SOT908 3.0 x 3.0 x 0.85 6,000 118 12 mm tape and reel Type SO T8 83 CD FM 4 CD FM 2 CD Package 118 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Air-cavity ceramic Plastic Air-cavity ceramic Plastic Air-cavity ceramic Package Package dimensions L x W x H (mm) Packing quantity Product 12NC ending Packing method SOT922-1 17.6 x 9.4 x 3.9 60 112 Blister, tray SOT975B 7.1 x 6.9 x 3.3 180 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT975C 7.1 x 6.9 x 3.3 180 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT979A 41.2 x 10.2 x 5.3 60 112 Blister, tray SOT1110A 41.2 x 10.2 x 4.9 60 112 Blister, tray SOT1110B 32.3 x 10.2 x 4.9 60 112 Blister, tray SOT1112A 20.3 x 9.8 x 4.2 60 112 Blister, tray SOT1112B 9.8 x 9.8 x 4.2 60 112 Blister, tray 34.0 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1120B 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1121A 34.0 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1121B 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister,tray Tape and reel SOT1121C 20.6 x 9.8 x 4.1 24 96 127 127 Blister, tray Blister, tray SOT1130A 20.3 x 9.8 x 4.2 60 112 Blister, tray SOT1130B 9.8 x 9.8 x 4.2 60 112 Blister, tray SOT1135A 20.3 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Reel SOT1135B 9.8 x 9.8 x 4.2 60 112 Blister, tray SOT1138-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel SOT1179-1 6.0 x 4.0 x 0.9 500 135 Tape and reel SOT1198-1 10.0 x 5.5 x 0.8 1,000 115 Tape and reel SOT1204-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel SOT1209 2 x 1.3 x 0.35 5,000 147 8 mm tape and reel SOT1230 1.1 x 0.0 x 0.37 5,000 115 Reel SOT1242B 32.2 x 10 x 4.9 100 15 60 115 127 127 Tape and reel Tube Tube SOT1242C 32.2 x 10.2 x 4.9 100 15 60 115 127 127 Tape and reel Tube Tube Air-cavity ceramic Air-cavity ceramic Plastic (OMP) HS OP 1 6F SOT1244B 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray, tape and reel Blister, tray, tape and reel SOT1244C 20.6 x 9.8 x 4.1 100 24 96 118 127 127 Tape and reel Tube Tube SOT1211-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel SOT1212-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel SOT1214A 34 x 9.8 x 4.1 60 112 Blister, tray SOT1214B 20.6 x 9.8 x 4.1 60 112 Blister, tray 梱包とパッケージ情報 XS ON 6 HX SO N6 SOT1120A Type Air-cavity ceramic HS OP 16 Plastic (OMP) Air-cavity ceramic NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 119 HS OP 6F SOT1221-1 Package dimensions L x W x H (mm) 20.6 x 10 x 3.6 Packing quantity 100 Product 12NC ending 118 Packing method Tape and reel HS OP 6 SOT1222-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel HS OP 4F SOT1223-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel HS OP 4 SOT1224-1 20.6 x 10 x 3.6 100 118 Tape and reel SOT1227A 14 x 4.1 x 2.9 60 112 Blister, tray SOT1227B 5.1 x 4.1 x 2.9 60 112 Blister, tray SOT1228A 29 x 5.8 x 4.7 60 112 Blister, tray SOT1228B 17.3 x 5.8 x 4.7 60 112 Blister, tray SOT1247B 32.3 x 10.2 x 4.9 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1250-1 32.3 x 10.2 x 4.5 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1251-1 32.3 x 10.2 x 4.5 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1252-1 32.3 x 10.2 x 4.5 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel FM SOT1270-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel T112 0B SOT1271-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel 244B SOT1272-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1273-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1274-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel SOT1275-1 20.6 x 9.8 x 4.1 60 100 112 118 Blister, tray Tape and reel Package Type SO T112 1B SO T1 SO CD 2 SO T1 242B SO T111 0B CD FM 4 Plastic (OMP) 120 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Air-cavity ceramic Air-cavity ceramic 6.2 マーキングコード 一般的にデバイスマーキングには、製品番号、製造情報および NXP ロゴが含まれます。 パッケージが製品番号全体を記載するのに小さ すぎる場合は、短縮品番をマーキングコードとして使用します(%=製造場所コード)。 正式な製品番号は常にボックス上の梱包ラベル またはデバイスの個別梱包に記載されています。 Marking code 7 2550 %13 %1V %1W %3A %4A %5A %6G %6J %6K %6K %6L %6N %6S %6W %6W %6X %6X %6Y %6Y %7N %8N %E7 %E8 %E9 %ED %M1 %M2 %M9 %MA %MB %MC %ME %MF %MG %MK %ML %MM %MM %MN %MP %MP %MR %MV %TA %TB %TC %TE %TF %TG %TJ %TK %TL %VA %VB 10% 1001 0010 1001 0011 1001 0100 Type BA891 BLP25M705 BB207 BFR93AW/DG BAP51-05W BGA6289 BGA6489 BGA6589 PMBF4393 PMBF4391 PMBF4392 BGA7024 BGA7027 ON5088 PMBFJ176 PMBFJ175 BGA3012 PMBFJ174 BGA3015 PMBFJ177 BGA3018 ON5087 ON5089 BGA2800 BGA2801 BGA2815 BGA2866 BF908 BF908R BSS83 BF991 BF992 BF904 BFG505 BFG520 BFG540 BFG505/X BFG520/X BFG540/X ON4832 BFG590/X BFG520/XR ON4973 BFG540/XR BFG67/X BFU520 BFU530 BFU550 BFU520X BFU530X BFU550X BFU520XR BFU530XR BFU550XR BGU7041 BGU7042 BAT18 Package SOD523 SOT1179 SOT23 SOT323 SOT323 SOT89 SOT89 SOT89 SOT23 SOT23 SOT23 SOT89 SOT89 SOT343 SOT23 SOT23 SOT89 SOT23 SOT89 SOT23 SOT89 SOT343 SOT343 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT363 SOT363 SOT23 BAP142LX SOD882D BAP50LX SOD882D BAP51LX SOD882D Marking code 1001 0101 1001 0110 1001 1001 1111 1111 1111 1011 1111 1101 1A 1B 1C 1C% 1N% 1N% 20% 21% 22% 24% 28% 29% 2A% 30% 31% 32% 33% 34% 38% 39% 40% 41% 42% 47% 48% 49% 4H 4J 4K 4K% 4L% 4W% 50% 5K% 5W% 6F% 6K% 6L% 6W% 7K% 8K% 8K% A A A1 A1 A1 A1% A2 A2 A2% Type Package BAP63LX SOD882D BAP65LX SOD882D BB187LX SOD882D BAP64LX SOD882D BAP55LX/A SOD882D BAP55LX SOD882D BGU6101 BGU6102 BGU6104 BAP50-05 BAP70-04W/A BAP70-04W BF545A BF545B BF545C BF556A BF861A BF861B BF862 BF861C BFR505 BFR520 BFR540 BFT25A PMBFJ108 PMBFJ109 PMBFJ110 PMBFJ111 PMBFJ112 PMBFJ113 PMBFJ308 PMBFJ309 BB170 BB171 BB172 BAP64-04 BAP50-04 BAP64-04W PMBFJ310 BAP64-05 BAP64-05W BAP1321-04 BAP64-06 BAP70-04 BAP50-04W BAP65-05 BAP70-05 BAP70-05/A BGU8009 BGU8019 BA591 BB208-02 BAP64Q BGA2001 BB208-03 BAP70Q BGA2002 SOT1209 SOT1209 SOT1209 SOT23 SOT323 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOD323 SOD323 SOD323 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23 SOT1230 SOT1232 SOD323 SOD523 SOT753 SOT343 SOD323 SOT753 SOT343 Marking code A2% A3 A3% A3% A5 A5% A6% A8 A8 A8% A9 A9 AC B B1000 B1025 B1050 B1500 B1550 B2250 B2500 B3 B5% B6 B7 B7% B7% BA% BC% BFG135 BFG198 BFG31 BFG35 BFG541 BFG591 BFG97 BFU580 BFU590 BLT50 BLT70 BLT80 BLT81 C C2% C4% C5% CE CF CH D D1 D1% D2 D2% D3 D3% D4% D5% D6% D7% D8% D9% E Type BGA2022 BAP64-03 BGA2003 BGA2031/1 BAP51-03 BGA2011 BGA2012 BAP50-03/A BAP50-03 PMBFJ620 BAP70-03/A BAP70-03 BGU7005 BGU8010 BLP10H610 BLP10H603 BLP10H605 BLP15M710 BLP15M705 BLP7G22-05 BLP25M710 BGU7003 BSR12 BGU7007 BGU7008 BFU725F/N1 BGA2716 BGA2714 BFQ591 BFG135 BFG198 BFG31 BFG35 BFG541 BFG591 BFG97 BFU580G BFU590G BLT50 BLT70 BLT80 BLT81 BGU8011 BGM1012 BGM1013 BGM1014 BB173 BB174 BB175 BGU8L1 BGU6005/N2 BFU610F BAP63-03 BFU630F BAP65-03 BFU660F BFU690F BFU710F BFU730F BFU760F BFU790F BFG425W/DG/B2 BGU8M1 Package SOT363 SOD323 SOT343 SOT363 SOD323 SOT363 SOT363 SOD323 SOD323 SOT363 SOD323 SOD323 SOT886 SOT1230 SOT1352 SOT1352 SOT1352 SOT1179 SOT1179 SOT1179 SOT1179 SOT891 SOT23 SOT886 SOT886 SOT343 SOT363 SOT363 SOT89 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT1230 SOT363 SOT363 SOT363 SOD523 SOD523 SOD523 SOT1232 SOT886 SOT343 SOD323 SOT343 SOD323 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT1232 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 121 梱包とパッケージ情報 p = 香港製 t = マレーシア製 W = 中国製 Marking code E1% E1% E2% E2% E2% E3% F F F1% F2% F3% F4% F5% F6% FB FF FG G2% G3% G4% HV% HW% HY% HZ% JR JS JS K1 K2 K4 K5 K6 K7 K8 K8 L2 LB% LJ% LK% LP% LR% LS% M1% M2% M26 M27 M3% M4% M5% M6% M74 M91 M92 MA% MB% MB% MC% MD% MD% MG% MH% MO% MO% MO4 MS% MT% N N0 N0% N0% N2 N2% N2% N2% N3% N33 N36 N37 122 Type BFS17 BFS17W BFS17A ON5023 BGA2712 BGA2709 BGU6009/N2 BGU8H1 BFU910F BFU915F BFU920F BFU930F BFU960F BFU990F BFQ19 BFQ18A BFQ149 BGA2711 BGA2748 BGA2771 BFU570A BFU550A BFU530A BFU520A BB156/DG/B2 BAP64-03/DG/ B2/A BAP64-03/DG/ B2 BAP51-02 BAP51-05W BAP50-02 BAP63-02 BAP65-02 BAP1321-02 BAP70-02/A BAP70-02 BB202 PBR941B BGU7044 BGU7045 BGA2867 BGA2874 BGA2817 BFR30 BFR31 BF908 BF908R BFT46 BSR56 BSR57 BSR58 BSS83 BF991 BF992 BGA2802 BF998WR BGA2803 BGA2851 BF908WR BGA2869 BF994S BF996S BF998 BF998R BF904 BFR92A/DG/B2 BF862/DG/B2 BB181 BFR505T BFS505 BFM505 BFR520T BFS520 ON5030 BFM520 BFG520W BFG505 BFG520 BFG540 Package SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT363 SOT363 SOT1230 SOT1232 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT343 SOT89 SOT89 SOT89 SOT363 SOT363 SOT363 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOD323 SOD323 SOD323 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT23 SOT23 SOT143 SOT143 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT143 SOT143 SOT143 SOT363 SOT343 SOT363 SOT363 SOT343 SOT363 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT23 SOT23 SOD523 SOT416 SOT323 SOT363 SOT416 SOT323 SOT323 SOT363 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Marking code N39 N4 N4% N4% N42 N43 N43 N44 N48 N49 N6% N7% N8% N9% N9% N9% NA% ND% NE% NG% NG% NH% NL% none ON5046 P1 P1% P2% P2% P3% P4% P5 P5% P6% PF R2% R2% R7% R8% S S2% S3% S58 S59 S6% S7% S8% S9% SC% SC% SD% SE% TA% UW UY UZ V0% V0% V1% V12 V2% V2% V3% V4% V6% V8 VB% VC% VC% VD% W1% W1% W2% W2% W4% W4% W6% W7% W9% WB% Type BFG505/X BFQ540 BFS540 BFG520W/X BFG520/X BFG540/X ON4832 BFG590/X BFG520/XR BFG540/XR BFS25A BFG540W/X BFG540W/XR BFG540W BAP70AM BAP70AM/A BF1105R BFG424W BFG424F BF1108 BF1108/L BF1108R BFR94A BFR540 ON5046 BB131 BFG21W BFR92A BFR92AW BFG403W BFG410W BB135 BFG425W BFG48 0W BB156 BFR93A BFR93AW BFR106 BFG93A BAP64-02 BBY40 BF1107 BFU580Q BFU590Q BF510 BF511 BF512 BF513 BB201 BGU7031 BGU7032 BGU7033 BGA2818 BGU7003W BGU7004 BGU8007 PBR941 PRF947 BFT25 BFG67/X BFQ67 BFQ67W BFG67 BAP64-06W BAP65-05W BAP1321-03 BF1118W BF1118 BF1118WR BF1118R BFT92 BFT92W PBR951 PRF957 BAP50-05W/A BAP50-05W BAP51-04W BAP51-06W BAP63-05W BFU520Y Package SOT143 SOT89 SOT323 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT143 SOT323 SOT343 SOT343 SOT343 SOT363 SOT363 SOT143 SOT343 SOT343 SOT143 SOT143 SOT143 SOT23 SOT143 SOT223 SOD323 SOT343 SOT23 SOT323 SOT343 SOT343 SOD323 SOT343 SOT343 SOD323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT143 SOD523 SOT23 SOT23 SOT89 SOT89 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT363 SOT363 SOT363 SOT363 SOT886 SOT886 SOT886 SOT23 SOT323 SOT23 SOT143 SOT23 SOT323 SOT143 SOT323 SOT323 SOD323 SOT343 SOT143 SOT343 SOT143 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT323 SOT323 SOT323 SOT323 SOT323 SOT363 Marking code X1% X1% XG% Y3 Y3 Y4 Y4 Type BFT93 BFT93W BFR94AW BAP70-02/DG/ B2/A BAP70-02/DG/ B2 BAP64-02/DG/ B2/A BAP64-02/DG/ B2 Package SOT23 SOT323 SOT323 SOD523 SOD523 SOD523 SOD523 YC% BGA2870 SOT363 Z ZA% ZA% ZB% ZB% ZC% ZD ZD% ZE% BB145B BFU520W BFU668F BFU530W BFU768F BFU550W BFU730LX BFU570W ON5096 SOD523 SOT323 SOT343 SOT323 SOT343 SOT323 SOT883 SOT323 SOT343 7. 缩写 BiCMOS BS diode BPF CATV CATV PD CATV PPA CATV PPA/HG CATV RA CATV OR CDMA CFR CMMB CMOS Config CQS CSO CTB CW dB DDC DEV DiSEqC DOCSIS DPD DSP DUC DVB EDGE ESD FET FM Freq GaAs GaN Gen GHz GNSS GPS GSM HBM HD HDTV HF HFC HFET HPA HVQFN IC IEEE IF IoT IP IQ ISM JFET kW LDMOS LNA LNB LO LPF LTE mA MC-GSM 自動利得制御 振幅変調 非対称型ドハティ設計 (メインおよびピークに異なるデバイスを使用) 双極性相補型金属酸化物半導体 バンドスイッチダイオード バンドパスフィルタ コミュニティアンテナテレビジョン CATV パワーダブラー CATV プッシュプルアンプ CATV プッシュプルアンプ高利得 CATV リバースアンプ CATV 光レシーバ 符号分割多重接続 波高率低減 中国マルチメディアモバイルブロードキャスティング 相補型金属酸化物半導体 構成 顧客認定サンプル 複合 2 次歪み 複合 3 次歪み 無変調連続波 デシベル デジタルダウンコンバージョン 開発中 ダイセック方式 データオーバーケーブルサービスインターフェイス仕様 デジタル歪補償 デジタル信号プロセッサ デジタルアップコンバージョン デジタルビデオ放送 GSM 進化型高速データレート 静電気放電 電界効果トランジスタ 周波数変調 周波数 ヒ化ガリウム 窒化ガリウム 世代 ギガヘルツ 全地球航法衛星システム 衛星測位システム 汎欧州デジタル移動電話方式 人体モデル 高精細度 ハイビジョンテレビ 短波(3~30 MHz) ファイバー同軸ハイブリッド ヘテロ構造電界効果トランジスタ 高出力アンプ 熱強化型プラスチック極薄クアッド フラットリードレスパッケージ 集積回路 米国電気電子学会 中間周波数 モノのインターネット インターネットプロトコル I/Q データ(デジタル) 産業・科学・医療 (ISM) 用周波数帯 接合型電界効果トランジスタ キロワット 横拡散金属酸化膜半導体 低雑音アンプ 低雑音ブロック 局部発振器 ローパスフィルタ ロングタームエボリューション ミリアンペア マルチキャリア GSM MHz MIM MMIC MMPP MPPM MOSFET MPA NF NIM OIRT OMP PA PAD PIN diode PLL QFN QUBiC RF RFP trs RFS RF4CE RKE RoHS Rx SARFT SAW SDARS SDK SiGe:C SMATV SMD SOD SOM SOT SPDT STB SYM TDD TDMA TD-SCDMA TTL Tx µA UHF UMTS UWB V Varicap VCO VDMOS VGA VHF VoIP VSAT W WB trs 1-4 WB trs 5-7 WCDMA WiFi WiMAX WLAN WL-CSP XR メガヘルツ 金属-絶縁体-金属 モノリシックマイクロ波集積回路 プッシュプルトランジスタの半分を別々に使用したメインデバイ スとピークデバイス 同じプッシュプルトランジスタを(2 回)使用したメインデバイ スとピークデバイス 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ 中出力アンプ 雑音指数 ネットワークインターフェースモジュール 国際放送機構 樹脂プラスチック パワーアンプ シングルパッケージ非対称型ドハティ P 型、真性、N 型ダイオード 位相同期回路 クワッドフラットノーリード 高品質 BiCMOS 無線周波数 RF パワートランジスタ 供給開始 家電向け無線周波数 リモートキーレスエントリー 有害物質使用制限 受信 国立ラジオ、映画、テレビ管理省 表面弾性波 衛星デジタル音声ラジオサービス ソフトウェア開発キット シリコンゲルマニウム炭素 サテライトマスターアンテナテレビジョン 表面実装型デバイス スモールアウトラインダイオード スモールアウトラインモジュール スモールアウトライントランジスタ 単極双投 セットトップボックス 対称型ドハティ設計(メインおよびピークに同一タイプのトラン ジスタを使用) 時分割複信 時分割多元接続 時分割同期符号分割多重接続 トランジスタ - トランジスタ論理回路 送信 マイクロアンペア 極超短波(470-860 MHz) ユニバーサル移動体通信システム 超広帯域 ボルト バリキャップダイオード 電圧制御オシレータ 垂直二重拡散金属酸化物半導体 可変利得アンプ 超短波(30-300 MHz) ボイスオーバーインターネットプロトコル 超小型衛星通信地上局 ワット 広帯域トランジスタ第 1~4 世代 広帯域トランジスタ第 5~7 世代 広帯域符号分割多重接続 ワイヤレスファイデリティ 全世界相互運用性マイクロ波アクセス 無線 LAN ウェハーレベルチップスケールパッケージ 極めて高い耐久性 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 123 省略表記 AGC AM ASYM 8. お問い合わせ先およびウェブリンク 正規代理店および地域の NXP 営業所のお問い合わせ先です。 正規代理店 ウェブリンク アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific_dist NXP セミコンダクターズ: http://www.nxp.com 欧州/アフリカ/中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe_dist NXP RF マニュアルウェブページ: http://www.nxp.com/rfmanual 北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica_dist NXP RF 製品: http://www.nxp.com/rf NXP アプリケーションノート: http://www.nxp.com/technical-support-portal 地域の NXP 営業所 アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific 欧州/アフリカ/中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe 北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica NXP クロスレファレンス: http://www.nxp.com/xref/nxp/ NXP オンライン設計ツール: http://www.nxp.com/design-portal NXP パッケージ: http://www.nxp.com/package NXP の生産終了製品: http://www.nxp.com/products/eol NXP 品質ハンドブック: http://www.standardics.nxp.com/quality/handbook NXP 資料: http://www.nxp.com/products/discretes/documentation NXP 営業所および代理店: http://www.nxp.com/profile/sales お問い合わせ先および ウェブリンク さらにサポートが必要な場合には、NXP ヘルプデスクまでお問い 合わせください: [email protected] 124 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 9. 製品索引 Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter 1PS10SB82 3.2.4 BB156 3.2.1 BFG505 3.3.1 BFU520W 3.3.1 1PS66SB17 3.2.4 BB170 3.2.1 BFG505/X 3.3.1 BFU520X 3.3.1 1PS66SB82 3.2.4 BB171 3.2.1 BFG505W 3.3.1 BFU520XR 3.3.1 1PS70SB82 3.2.4 BB172 3.2.1 BFG505W/X 3.3.1 BFU520Y 3.3.1 1PS70SB84 3.2.4 BB173 3.2.1 BFG505W/XR 3.3.1 BFU530 3.3.1 1PS70SB85 3.2.4 BB173LX 3.2.1 BFG520 3.3.1 BFU530A 3.3.1 1PS70SB86 3.2.4 BB174(LX) 3.2.1 BFG520/X 3.3.1 BFU530W 3.3.1 1PS76SB17 3.2.4 BB175 3.2.1 BFG520/XR 3.3.1 BFU530X 3.3.1 1PS79SB17 3.2.4 BB181 3.2.1 BFG520W/(X) 3.3.1 BFU530XR 3.3.1 1PS88SB82 3.2.4 BB201 3.2.1 BFG540 3.3.1 BFU550(A) 3.3.1 BA591 3.2.3 BB202 3.2.1 BFG540/X 3.3.1 BFU550W 3.3.1 BA891 3.2.3 BB207 3.2.1 BFG540/XR 3.3.1 BFU550X 3.3.1 BAP1321-02 3.2.2 BB208-02 3.2.1 BFG540W 3.3.1 BFU550XR 3.3.1 BAP1321-03 3.2.2 BB208-03 3.2.1 BFG540W/X 3.3.1 BFU580G 3.3.1 BAP1321-04 3.2.2 BBY40 3.2.1 BFG540W/XR 3.3.1 BFU580Q 3.3.1 BAP1321LX 3.2.2 BF1105R 3.5.2 BFG541 3.3.1 BFU590G 3.3.1 BAP142LX 3.2.2 BF1107 3.5.2 BFG590/X 3.3.1 BFU590Q 3.3.1 BAP50-02 3.2.2 BF1108 3.5.2 BFG591 3.3.1 BFU610F 3.3.1 BAP50-03 3.2.2 BF1108R 3.5.2 BFG67 3.3.1 BFU630F 3.3.1 BAP50-04 3.2.2 BF1108W 3.5.2 BFG67/X 3.3.1 BFU660F 3.3.1 BAP50-04W 3.2.2 BF1108WR 3.5.2 BFG92A/X 3.3.1 BFU690F 3.3.1 BAP50-05(W) 3.2.2 BF1118 3.5.2 BFG97 3.3.1 BFU710F 3.3.1 BAP50LX 3.2.2 BF1118R 3.5.2 BFM505 3.3.1 BFU725F/N1 3.3.1 BAP51-02 3.2.2 BF1118W 3.5.2 BFM520 3.3.1 BFU730F 3.3.1 BAP51-03 3.2.2 BF1118WR 3.5.2 BFQ149 3.3.1 BFU730LX 3.3.1 BAP51-04W 3.2.2 BF510 3.5.1 BFQ18A 3.3.1 BFU760F 3.3.1 BAP51-05W 3.2.2 BF511 3.5.1 BFQ19 3.3.1 BFU768F 3.3.1 BAP51-06W 3.2.2 BF512 3.5.1 BFQ540 3.3.1 BFU790F 3.3.1 BAP51LX 3.2.2 BF513 3.5.1 BFQ591 3.3.1 BGA2001 3.4.1 BAP55LX 3.2.2 BF545A 3.5.1 BFQ67 3.3.1 BGA2002 3.4.1 BAP63-02 3.2.2 BF545B 3.5.1 BFQ67W 3.3.1 BGA2003 3.4.1 BAP63-03 3.2.2 BF545C 3.5.1 BFR106 3.3.1 BGA2011 3.4.1 BAP63-05W 3.2.2 BF556A 3.5.1 BFR30 3.5.1 BGA2012 3.4.1 BAP63LX 3.2.2 BF861A 3.5.1 BFR31 3.5.1 BGA2022 3.4.1 BAP64-02 3.2.2 BF861B 3.5.1 BFR505 3.3.1 BGA2031/1 3.4.1 BAP64-03 3.2.2 BF861C 3.5.1 BFR505T 3.3.1 BGA2709 3.4.1 BAP64-04(W) 3.2.2 BF862 3.5.1 BFR520 3.3.1 BGA2712 3.4.1 BAP64-05(W) 3.2.2 BF908 3.5.2 BFR520T 3.3.1 BGA2714 3.4.1 BAP64-06(W) 3.2.2 BF908(W)R 3.5.2 BFR540 3.3.1 BGA2715 3.4.1 BAP64LX 3.2.2 BF991 3.5.2 BFR92A(W) 3.3.1 BGA2716 3.4.1 BAP64Q 3.2.2 BF992 3.5.2 BFR93A 3.3.1 BGA2748 3.4.1 BAP65-02 3.2.2 BF994S 3.5.2 BFR93AR 3.3.1 BGA2776 3.4.1 BAP65-03 3.2.2 BF996S 3.5.2 BFR93AW 3.3.1 BGA2800 3.4.1 BAP65-05(W) 3.2.2 BF998 3.5.2 BFR94A 3.3.1 BGA2801 3.4.1 BAP65LX 3.2.2 BF998(W)R 3.5.2 BFR94AW 3.3.1 BGA2802 3.4.1 BAP70-02 3.2.2 BFG135 3.3.1 BFS17(A) 3.3.1 BGA2803 3.4.1 BAP70-03 3.2.2 BFG198 3.3.1 BFS17W 3.3.1 BGA2815 3.4.1 BAP70-04W 3.2.2 BFG21W 3.3.1 BFS25A 3.3.1 BGA2817 3.4.1 BAP70-05 3.2.2 BFG31 3.3.1 BFS505 3.3.1 BGA2818 3.4.1 BAP70AM 3.2.2 BFG35 3.3.1 BFS520 3.3.1 BGA2851 3.4.1 BAP70Q 3.2.2 BFG403W 3.3.1 BFS540 3.3.1 BGA2866 3.4.1 BAT17 3.2.4 BFG410W 3.3.1 BFT25(A) 3.3.1 BGA2867 3.4.1 BAT18 3.2.3 BFG424F 3.3.1 BFT46 3.5.1 BGA2869 3.4.1 BB131 3.2.1 BFG424W 3.3.1 BFT92(W) 3.3.1 BGA2870 3.4.1 BB135 3.2.1 BFG425W 3.3.1 BFT93(W) 3.3.1 BGA2874 3.4.1 BB145B 3.2.1 BFG480W 3.3.1 BFU520(A) 3.3.1 BGA3012 3.4.1 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 製品索引 Type 125 126 Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter BGA3015 3.4.1 BGU7224 3.4.1 BLF574 3.7.2.1 BLF7G22LS-130 3.7.1.4 BGA3018 3.4.1 BGU7258 3.4.1 BLF574XR(S) 3.7.2.1 BLF7G24L(S)-100 3.7.1.5 BGA3021 3.4.1 BGU8004 3.4.1 BLF578 3.7.2.1 BLF7G24L(S)-140 3.7.1.5 BGA3022 3.4.1 BGU8006 3.4.1 BLF578XR(S) 3.7.2.1 BLF7G24L(S)-160P 3.7.1.5 BGA3023 3.4.1 BGU8007 3.4.1 BLF640 3.7.2.4 BLF7G27L(S)-100 3.7.1.6 BGA3031 3.4.1 BGU8009 3.4.1 BLF642 3.7.2.2 BLF7G27L(S)-140 3.7.1.6 BGA6130 3.4.1 BGU8010 3.4.1 BLF644P 3.7.2.4 BLF7G27L(S)-150P 3.7.1.6 BGA6289 3.4.1 BGU8011 3.4.1 BLF645 3.7.2.4 BLF7G27L(S)-75P 3.7.1.6 BGA6489 3.4.1 BGU8019 3.4.1 BLF647P(S) 3.7.2.4 BLF7G27L(S)-90P 3.7.1.6 BGA6589 3.4.1 BGU8051 3.4.1 BLF6G10(S)-45 3.7.1.1 BLF7G27L-200PB 3.7.1.6 BGA7024 3.4.1 BGU8052 3.4.1 BLF6G10-200RN 3.7.1.1 BLF871(S) 3.7.2.1 BGA7027 3.4.1 BGU8053 3.4.1 BLF6G10L(S)-260PRN 3.7.1.1 BLF879P(S) 3.7.2.2 BGA7124 3.4.1 BGX7100 3.4.2 BLF6G10L-40BRN 3.7.1.1 BLF881(S) 3.7.2.1 BGA7127 3.4.1 BGX7101 3.4.2 BLF6G10LS-135RN 3.7.1.1 BLF884P(S) 3.7.2.2 BGA7130 3.4.1 BGX7220 3.4.2 BLF6G10LS-160RN 3.7.1.1 BLF888A(S) 3.7.2.2 BGA7204 3.4.1 BGX885N 3.6.1 BLF6G10LS-200RN 3.7.1.1 BLF888B(S) 3.7.2.2 BGA7210 3.4.1 BGY1085A 3.6.2 BLF6G13L(S)-250P 3.7.2.4 BLF888D(S) 3.7.2.2 BGA7350 3.4.1 BGY588C 3.6.1 BLF6G15L(S)-250PBRN 3.7.1.2 BLF8G09LS-270(G)W 3.7.1.1 BGA7351 3.4.1 BGY66B 3.6.5 BLF6G15L-40(B)RN 3.7.1.2 BLF8G09LS-400P(G)W 3.7.1.1 BGD712 3.6.3 BGY67(A) 3.6.5 BLF6G20(LS)-110 3.7.1.3 BLF8G10L(S)-160 3.7.1.1 BGD712C 3.6.3 BGY68 3.6.5 BLF6G20(S)-45 3.7.1.3 BLF8G10LS-160V 3.7.1.1 BGD714 3.6.3 BGY785A 3.6.1 BLF6G20-180PN 3.7.1.3 BLF8G10LS-270 3.7.1.1 BGD812 3.6.3 BGY787 3.6.1 BLF6G20LS-140 3.7.1.3 BLF8G10LS-270(G)V 3.7.1.1 BGD814 3.6.3 BGY835C 3.6.1 BLF6G20LS-75 3.7.1.3 BLF8G10LS-300P 3.7.1.1 BGD816L 3.6.3 BGY885A 3.6.1 BLF6G21-10G 3.7.1.1 BLF8G19LS-170BV 3.7.1.3 BGE787B 3.6.1 BGY887 3.6.1 BLF6G22-180PN 3.7.1.4 BLF8G20LS-140(G)V 3.7.1.3 BGE788C 3.6.1 BGY887B 3.6.1 BLF6G22-45 3.7.1.4 BLF8G20LS-160V 3.7.1.3 BGE885 3.6.1 BGY888 3.6.1 BLF6G22L(S)-130 3.7.1.4 BLF8G20LS-200V 3.7.1.3 BGM1012 3.4.1 BLA6G1011-200R 3.7.3.1 BLF6G22L(S)-40P 3.7.1.12 BLF8G20LS-210(G)V 3.7.1.3 BGM1013 3.4.1 BLA6G1011L(S)-200RG 3.7.3.1 BLF6G22L-40BN 3.7.1.4 BLF8G20LS-220 3.7.1.3 BGM1014 3.4.1 BLA6H0912-500 3.7.3.1 BLF6G22L-40P 3.7.1.4 BLF8G20LS-260A 3.7.1.9 BGO807C 3.6.4 BLA6H0912L(S)-1000 3.7.3.1 BLF6G22LS-100 3.7.1.4 BLF8G22L(S)-160BV 3.7.1.4 BGO807CE 3.6.4 BLA6H1011-600 3.7.3.1 BLF6G22LS-180RN 3.7.1.4 BLF8G22LS-140 3.7.1.4 BGR269 3.6.5 BLC8G20LS-400AV 3.7.1.9 BLF6G22LS-40BN 3.7.1.4 BLF8G22LS-200(G)V 3.7.1.4 BGU6005 3.4.1 BLC8G22LS-450AV 3.7.1.9 BLF6G22LS-40P 3.7.1.4 BLF8G22LS-220 3.7.1.4 BGU6009 3.4.1 BLC8G22LS-60AV 3.7.1.12 BLF6G27(S)-45 3.7.1.6 BLF8G22LS-240 3.7.1.4 BGU6101 3.4.1 BLC8G24LS-240A 3.7.1.9 BLF6G27-10(G) 3.7.1.6 BLF8G22LS-270 3.7.1.4 BGU6102 3.4.1 BLC8G24LS-240AV 3.7.1.5 BLF6G27-100 3.7.1.6 BLF8G22LS-270(G)V 3.7.1.4 BGU6104 3.4.1 BLC8G27LS-100AV 3.7.1.6 BLF6G27L(S)-40P 3.7.1.6 BLF8G24L-200P 3.7.1.5 BGU7003(W) 3.4.1 BLC8G27LS-160AV 3.7.1.6 BLF6G27L(S)-50BN 3.7.1.6 BLF8G24LS-100(G)V 3.7.1.5 BGU7004 3.4.1 BLC8G27LS-240AV 3.7.1.6 BLF6G38(LS)-100 3.7.1.7 BLF8G24LS-150(G)V 3.7.1.5 BGU7005 3.4.1 BLC8G27LS-60AV 3.7.1.12 BLF6G38(LS)-50 3.7.1.7 BLF8G24LS-200P(N) 3.7.1.5 BGU7007 3.4.1 BLD6G21L(S)-50 3.7.1.4 BLF6G38(S)-25 3.7.1.7 BLF8G27LS-100 3.7.1.6 BGU7008 3.4.1 BLF10H6600P(S) 3.7.2.4 BLF6G38-10(G) 3.7.1.12 BLF8G27LS-100P(GV) 3.7.1.6 BGU7031 3.4.1 BLF10M6(LS)135 3.7.2.4 BLF6G38-10G 3.7.1.7 BLF8G27LS-100V 3.7.1.6 BGU7032 3.4.1 BLF10M6(LS)160 3.7.2.4 BLF6G38LS-25 3.7.1.12 BLF8G27LS-140(V) 3.7.1.6 BGU7033 3.4.1 BLF10M6(LS)200 3.7.2.4 BLF6G38LS-50 3.7.1.12 BLF8G27LS-150(G)V 3.7.1.6 BGU7041 3.4.1 BLF174XR(S) 3.7.2.1 BLF6H10L(S)-160 3.7.1.1 BLF8G38LS-75V 3.7.1.7 BGU7042 3.4.1 BLF178P 3.7.2.1 BLF7G10L(S)-250 3.7.1.1 BLF988(S) 3.7.3.1 BGU7044 3.4.1 BLF178XR(S) 3.7.2.1 BLF7G15LS-200 3.7.1.2 BLL6G1214L(S)-250 3.7.3.2 BGU7045 3.4.1 BLF184XR(S) 3.7.2.1 BLF7G15LS-300P 3.7.1.2 BLL6H0514-25 3.7.3.1 BGU7051 3.4.1 BLF188XR(S) 3.7.2.1 BLF7G20L(S)-200 3.7.1.3 BLL6H0514L(S)-130 3.7.3.2 BGU7052 3.4.1 BLF2425M6L(S)180P 3.7.2.3 BLF7G20L(S)-90P 3.7.1.3 BLL6H1214-500 3.7.3.2 BGU7053 3.4.1 BLF2425M7L(S)100 3.7.2.3 BLF7G20LS-140P 3.7.1.3 BLL6H1214L(S)-250 3.7.3.2 BGU7060 3.4.1 BLF2425M7L(S)140 3.7.2.3 BLF7G21L-160P 3.7.1.4 BLL6H1214LS-500 3.7.3.2 BGU7061 3.4.1 BLF2425M7L(S)250P 3.7.2.3 BLF7G21LS-160(P) 3.7.1.4 BLL6H1214P2S-250 3.7.3.2 BGU7062(N2) 3.4.1 BLF2425M8L(S)140 3.7.2.3 BLF7G22L(S)-100P 3.7.1.4 BLM6G10-30(G) 3.7.1.1 BGU7063 3.4.1 BLF25M612(G) 3.7.2.3 BLF7G22L(S)-200 3.7.1.4 BLM6G22-30(G) 3.7.1.4 BGU7073 3.4.1 BLF571 3.7.2.1 BLF7G22L(S)-250P 3.7.1.4 BLM7G1822-10 3.7.1.12 BGU7075 3.4.1 BLF573(S) 3.7.2.1 BLF7G22L-160 3.7.1.4 BLM7G1822S-20PB(G) 3.7.1.4 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter Type Portfolio chapter BLM7G1822S-40AB(G) 3.7.1.12 BLS6G2735L(S)-30 BLM7G1822S-40PB(G) 3.7.1.3 BLS6G2933S-130 3.7.3.3 CGD982LC 3.7.3.3 CGD985HCI 3.6.3 PMBFJ174 3.5.1 3.6.3 PMBFJ175 BLM7G1822S-60PB(G) 3.7.1.12 BLS6G3135(S)-120 3.7.3.3 3.5.1 CGD985LC 3.6.3 PMBFJ176 BLM7G1822S-80AB(G) 3.7.1.12 BLS6G3135(S)-20 3.5.1 3.7.3.3 CGD987HCI 3.6.3 PMBFJ177 BLM7G22S-60PB(G) 3.7.1.4 3.5.1 BLS7G2325L-105 3.7.3.3 CGY1032 3.6.2 PMBFJ308 BLM7G2325-10 3.5.1 3.7.1.12 BLS7G2729L(S)-350P 3.7.3.3 CGY1041 3.6.2 PMBFJ309 3.5.1 BLM7G24S-30BG 3.7.1.4 BLS7G2730L(S)-200P 3.7.3.3 CGY1043 3.6.2 PMBFJ310 3.5.1 BLM8G0710S-30PB(G) 3.7.1.12 BLS7G2933S-150 3.7.3.3 CGY1047 3.6.2 PMBFJ620 3.5.1 BLP05M7200 3.7.2.1 BLS7G3135L(S)-350P 3.7.3.3 CGY1049 3.6.2 PRF947 3.3.1 BLP10H605 3.7.2.1 BLS7G3135LS-200 3.7.3.3 CGY888C 3.6.1 PRF949 3.3.1 BLP10H610 3.7.2.1 BLT50 3.3.1 CLF1G0035(S)-100 3.7.4 PRF957 3.3.1 BLP15M7160P 3.7.2.4 BLT70 3.3.1 CLF1G0035(S)-100P 3.7.4 TFF1003HN 3.4.5 BLP25M705 3.7.2.3 BLT80 3.3.1 CLF1G0035(S)-200P 3.7.4 TFF1007HN 3.4.5 BLP25M710 3.7.2.3 BLT81 3.3.1 CLF1G0035(S)-50 3.7.4 TFF1012HN 3.4.3 BLP7G07S-140P 3.7.1.1 BLU6H0410L(S)-600P 3.7.3.1 CLF1G0060(S)-10 3.7.4 TFF1013HN 3.4.3 BLP7G09S-140P(G) 3.7.1.10 BSR56 3.5.1 CLF1G0060(S)-30 3.7.4 TFF1014HN 3.4.3 BLP7G22-05 3.7.1.1 BSR57 3.5.1 PBR941 3.3.1 TFF1015HN 3.4.3 BLP7G22-10 3.7.1.1 BSR58 3.5.1 PBR951 3.3.1 TFF1017HN 3.4.3 BLP8G10S-200P(G) 3.7.1.10 BSS83 3.5.2 PMBD353 3.2.4 TFF1018HN 3.4.3 BLP8G10S-45P(G) 3.7.1.1 CGD1040HI 3.6.3 PMBD354 3.2.4 TFF1024HN 3.4.4 BLP8G1822S-60P(G) 3.7.1.12 CGD1042H 3.6.3 PMBF4391 3.5.1 TFF11088HN 3.4.5 BLP8G21S-160PV 3.7.1.4 CGD1042HI 3.6.3 PMBF4392 3.5.1 TFF11092HN 3.4.5 BLP8G22S-250V 3.7.1.10 CGD1042L 3.6.3 PMBF4393 3.5.1 TFF11096HN 3.4.5 BLP8G22S-60P(G) 3.7.1.10 CGD1044H 3.6.3 PMBFJ108 3.5.1 TFF11101HN 3.4.5 BLP8G27-10 3.7.1.12 CGD1044HI 3.6.3 PMBFJ109 3.5.1 TFF11132HN 3.4.5 BLP8G27-20 3.7.1.12 CGD1046HI 3.6.3 PMBFJ110 3.5.1 TFF11139HN 3.4.5 BLS6G2731(S)-120 3.7.3.3 CGD942C 3.6.3 PMBFJ111 3.5.1 TFF11142HN 3.4.5 BLS6G2731-6G 3.7.3.3 CGD944C 3.6.3 PMBFJ112 3.5.1 TFF11145HN 3.4.5 BLS6G2731S-130 3.7.3.3 CGD982HCI 3.6.3 PMBFJ113 3.5.1 製品索引 Type NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 127 メモ 128 NXPセミコンダクターズ RF マニュアル第 18版 www.nxp.com www.nxp.com © 2014 NXP Semiconductors N.V. 複製を禁ず。 本書の全部または一部の複製には、事前に著作権者からの書面による同意が必要です。本書に記載され ている情報は、見積もりや契約の一部には含まれません。情報の正確さや信頼性には万全を期しております。また、情 報は予告なく変更されることがあります。本書の情報を用いた結果について、発行者は一切の責任を負いかねます。本 書は、特許権あるいはその他の工業的または知的所有権の使用ライセンスを提供するものでも、その提供を暗示するも のでもありません。 リリース日:2014 年 6 月 ドキュメント注文番号:9397 750 17596 印刷:オランダ
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