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SEM（電子顕微鏡)
１－
観察出来る情報
主要諸元
・二次電子検出器を用いた表面形状観察
・反射電子検出器を用いた組成分布観察
・X線検出器を用いた元素分析(B～Am)
・３次元形状評価、非接触粗さ
倍率
5～300,000倍(写真サイズ)
分解能
5nm/30kV
10nm/3kV
電子銃
タングステンフィラメント
加速電圧
0.5kV～30kV
最大試料サイズ
φ 200mm x t80mm※１
装置のメーカー／型番など
本体
日立ﾊｲﾃｸﾉｼﾞｰｽﾞ㈱/ SU3500
EDS
アメテック㈱ / Octane
装置全体図
Plus
など
検出器（各検出器の信号合成可能）
二次電子検出器
SE
表面形状
四分割反射電子検出器
BSE-COMP
組成コントラスト
BSE-TOPO
凸凹
BSE-3D
凸凹強調
高感度二次電子検出器
UVD
低真空表面形状
雰囲気制御
6~650Pa
3次元観察
ライブ３次元観察
鳥瞰図、高さ測定、粗さ測定
画像連結
最大200枚
クールステージ
DEBEN Cool Unit(-20℃~)
X線検出器
SDD / 検出元素:B～Aｍ
付属ソフト等
データ管理、測長ソフト、画像連結ソフト、3D View
SE : Secondary electron
BSE : Back scattered electron
※１：所有サイズはφ127 x t55以下(Max 2kg)です
測定例
葛根（無蒸着）
二次電子像（SE）
Vacc=1.5kV
WD=10mm/x1,000
反射電子像（BSE-TOPO）
Vacc=1.5kV
WD=10mm/x1,000
反射電子像（BSE-COMP）
Vacc=1.5kV
WD=10mm/x1,000
この設備機器は、公益財団法人
JKAの機械工業振興補助事業に
より導入・設置しました
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SEM（電子顕微鏡)
測定例
ナット（#800研磨）
二次電子像（SE）
Vacc=20kV
WD=10mm/x4,000
EDS(TEAM)
エリア分析
マッピング
線分析
反射電子像（BSE-COMP）
Vacc=20kV
WD=10mm/x4,000
２－

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電界放出型走査型電子顕微鏡

ステンレス鋼板