若い研究者の声 .34,NO.l (2009) 水素エネルギーシステム Vo1 若い研究者の声 . . . . . . . . . . . . . . . . ・ . ・ ・ . ・ ・ . . . . . ・ . . . . . . . . . . ・ . ・ ・ . . . . ・ . . . . . . . . . . . . . . ・ ・ ・ . . . . . . . . ・ ・ . ・ . . . ・ . ・ ・ ・ . . .φe e e 高温プロトン導電性セラミクスの水素分離への応用に向けて 宇根本篤 東北大判に特完環境訴ヰ学研矧ヰ 6 9 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6 7 5 紛 8 干9 から、ベロブ、スカイト型構造 年に岩原弘育先生のグノレーフ。 1.はじめに 系酸化物にて世界で初めて報告された材 正h Q r を有する S 会誌をご覧の皆様、こんにちは字根本篤と申し 西$ E 。特長は、固体高分子材料やプロトンをその構 ] 1 料です [ 亜 部会誌へ「若し¥研究者の声Jの執 ます。始めに、私にE 造に含むようなセラミクス材料とは異なり、例えば400C 筆機会を与えてくださった、編集委員の皆様に厚く御礼を 以上の高温領域でも材料が分解することなく、安定である 申し上げたいと思しぜす。私は現在、東北大学大朝涜環境 ことが挙げられます。このようなセラミクス材料を「高温 田達也先生と II 科学研矧ヰ博士後期課程に在籍しており J プロトン導電性セラミクス」と呼びます。岩原先生らの発 雨潜告史先生の御指導の下、日々研究活動に没頭しており 見を皮切りに、今日では、ペロブスカイト型酸化物のみな ます。私の研究テーマは、パラジウム系合釧莫や高温プロ 3] 、I.aP~[4D、 ホウ酸塩b亘)J[5D、 , 2 [ 4 0 P a . . らず、リン酸塩a トン導電性セラミクス材料を用いた水素分離膜の開発及 タングステン酸塩(L&W012[6D、ニオブ酸塩QaNbO~やタ び界面設計に関する研究です。水素透過とは物質輸法現象 ンタル酸塩QaTaO~[7] などが高温プロトン導電性を示す す。各樹才料の界面やノミノレクで、の物質輸送特性を系統的 、 で ことが知られています。 に調べることで、材料やデ、バイスの開発と設計の指童十を得 それでは、このようなセラミクス材料にはどのような用 途が期待されるのでしょうか?高温プロトン導電性セラ ることを目的としています。 材高では、私の研究で、取り扱っております「高温プロト ミクスの応用例を表 1に示しました。(a)固体酸化物形燃 ン導電性セラミクス」について紹介させていただきたいと 料電池や水蒸気簡明電解質材料、(b)種々の化学センサ 思います。私自身の高温プロトン導電性セラミクス材料の 用電解質材料(ここで~'i7.k素センサを想定しています)、 研究に対する貢献度は微々たるものであり、本紹介文を掲 叫 。 8 水素ポンプ用電解質材来いの応用が考えられます [ ω 載していただくのは'陣れますが、本誌をご覧の皆糠に少し 水素ポンプは外部回路を経由してセラミクスに電子を流 ックで穆嘩するに至り で、も知っていただきたく、このトヒ。 素を歯周切こ分離するためのシステムで、す。こ すことでフk ました。 のとき、水素ポンプ量は外部回路を経由して流した電子の 量に比例します(ポンプ量と電流量の関係はファラデ一則 含で、流すと 、水 に従しぜす。例えば、セルに電流を 1Acm . 高温プロトン導電性セラミクスについて 2 l )。 ' n i n 包r )cm u lf o m L 0( 1 素のポンプ速度はおよそ3 ロトン導電性セラミクス J 題目にあります「高温フ。 さて、 また、プロトン導電性セラミクスの中でも、プロトン導 1 8 9 U づ言葉を、皆糠ご存知でしょうか?この材料は、 1 電率と共に、電子(ホーノレ)の導電率が優勢なものが有り i 表1.プロトン伝導性セラミクス及ひヲρロトン-電子混会導電性セラミクスの電気化学テeバイスへの応用仔1 lプロ トンー電子混合導電体 プロトン導電体 ω固体酸似防形劇斗電池 )水素ポンフ。 c ( (b)化学センサ 跡蒸気動手 高1 「寸~ ) ヰ ド H 磁 経 田)醤 p H2( 総 H ヤ +e anode:1/2H2→ ト → 1/2H20 cathode:1/402+H句 e- H+ . 帽. 由 h+ 園田申 H 露H仇 0 2) 綴 0 HtPH2 ) P n( l i汁句、) f (O / h J ( + i f )O (Rη4戸 L J H2= j F JH子 n -88- ω水素透晶膜 水素エネノレギーシステム Vol .34,N0 . 1 (2009) 若い研究者の声 OH ます。例えば、セリウムリン酸塩CeP0 4のC θ十を一宮附針 36 目 で置換した材料がこれに当たり、加湿水素雰囲気、つまり STEP 1 水素分離膜として想定される使用条件においてプロトン 導電率とホール導電率はほぼ等しくなることを報告しま した [ 1 0 , 1 1 ] 。このような材料は「プロトンー電子(ホーノレ) 2 02/-HL¥ ー ( ) 2 ' → - 電気化学デバイスの電動オ料や水素透過膜(表 1G ゆ )[ 1 3 ] 3 02 としての用途が期待されます。とりわけ、水素分離の用途 ↓ 混合導電性セラミクス」と呼び、電子導電率の寄与が大き くなし 1プロトン導電体と区別します。このような材料は、 で、は、水素ポンフ。とは異なり、外部電原を必要としません。 4 透過水素流量はフ。ロトン導電率と電子(ホーノレ)導電率及 び水素供給側と透過側の水素分圧の比の関数で表現され ↓ ます(アンバイポーラ拡散)。しかしながら、プロトンー 5 02 ・ 02 込 。 ( ) 2 - M EP/H+ ¥ O各 . ・ 02 七 ¥+ 一 ・ 02 EP/H 02 ぴ ー 一各 O Q 2 ・ E F / H + ¥ EF 電子混合導電体の報告例は一部のペロブスカイト型酸化 図1 . プロトン導電性セラミクスにおけるプロトンの伝 物[ 1 制寸とセリウムリン勝盆[ 1 1 , 1 2 , 1 8 ]に限られています。 1 8 ] 0 導樹蕎[ これらの電気化学デ、バイスへプロトン導電体を用いる と、以下のようなメリットが挙げられます。 発現に加えて電子導電性発現にも重要な意味を持ちます。 1 .作動温度が高いため、高温の廃熱利用ができる 例えば、CeP0 サイトを仕で置換した場合、一 e 4におし、てc 2 .高温での耐久性が金属材料よりも期待できる 部のc 価から4 価へ酸化され、混合原子価の状態にな e は3 3 .安価なシステムを構築できる 価のセリウムイオン間でホールがホッピ ります。 3 価と 4 ング伝導することで電子導電性が発現します。 3 . プロトン導電樹黄圃プロトンー電子混合導電樹講 4 . プロトン導電性セラミクスープロトンー電子混合導電 ここではセラミクス材料のプロトン導電性及びプロト 性セラミクスの水素分離への応用に向けて ンー電子混合導電性発現j 鋪茸を説明します。前述の通り、 これまでに種々の結晶構造を有する高温プロトン導電体 表 1に示した高温プロトン導電性セラミクスの水素分 が開発されてきましたが、プロトン導電性発現のメカニズ、 離、つまり、水素ポンプへの応用に向けて、材料に要求さ ムは基本的には共通しています。セラミクス材料にプロト れる特性は以下の3 点です。 ン導電性を持たせるためには「結晶格子への酸素欠損の導 1 .高い電気導電率、とりわけフ。ロトンの輸率が 1 である 入」と「雰囲気水蒸気」の2 つが必要です。結品格子へ酸 材料を開発すること 素空孔を導入するためには、セラミクスを構成するカチオ 2 .低し、界面抵抗を有すること ンの一部を低原子価のカチオンで置換します。例えば、 3 .雰囲気ガスへの高い耐性を有すること A _ 2 + B4 t ( ) 2 " 3 で表現されるべロブスカイト型酸化物の場合、 図 2にこれまでに報告されている高温プロトン導電性 B世t eの一部を B併とし¥うカチオンで、 1 白no 跳置換すると セラミクスの電気導電率を比較しました。例えば、 ( A 2 + B4+ 0 伊 s .b.1Os-ふここでaま酸素欠損量を示します)、酸素 ⑧ 1Scm 可型支[笈)]で、あることを Na : f i O I T 1 1 7 の電気伝導率が 1 0 - 空孔は5mol~もほど生成されることになります(湖周。こ 考えると、高温プロトン導電体は見劣りします。さらに、 こで、生成した格子中の酸素空孔と気相の水蒸気がセラミ 高温で、は水蒸気が固体内から脱離し、酸素イオン導電率や クスと平衡し、固体内ぺ容解します。電気伝導種としてプ ホール導電率の寄与が大きくなります。図 2に示した種々 ロトンが酸化物イオンと弱し ¥OR t,吉合を作って相生し、こ の材料の電気導電率は酸素イオン導電率やホール導電率 の結合を切断しながら 0・0聞をホッピング伝導すると考 を含みます。例えば、 S尚~,Y)OSを見てください。この材 えられています(図 1 )[ 1 8 ] 。 料は任ゆC 以下において、プロトンの輸率(全導電率に対 一方で、プロトンー電子混合導電体の場合、一部カチオ するプロトン導電率の比)はほぼ 1ですが、さらに高温の ンを低原子価のもので置換することは、プロトン導電性の 領域で、電気導電率が一度下がり、その後大きくなります。 -89- 水素エネルギーシステム Vo1 .34,No.l(2009) 若い研究者の声 電気導電率の低下l ま水の脱離に伴うプロトパ農度の減少、 Ma白山n o t oらによって詳しく調べられています [ 2 2 , 2 3 ] 0 高温領域での電気導電率の上昇は酸化物イオン導電の寄 a畳仏系酸化物を用いた場合、ファラデ一員Ijから想定され 与に起因します[ 2 0 ] 。通常、部分導電率を言刊面するために、 る水素ポンフ特性を示す一方で、界面で、の樹先が大きいた 全導電率の水蒸気分圧や酸素分圧依存性を系統的に調べ め、単位面積当たりにポンプできる水素の量は限られてし ます。また、同位体在wρ) を用いることでプロトンが主 まいます。艇の系酸化物を用いた場合、也監仏系酸化 な電気伝新重であるか否かを知ることができます。図 2に 物よりも界面での過電圧が小さいので、良好な水素ポンプ。 示したように、 I . . a P 0 4 ' やh政)sで、はフ。ロトンが主な電気伝 特性を示しますが、大きな電 を流した場合、電子導電の 新重であるため、同位体効果による電気導電率の低下が顕 発現により、ポンフ。流量は理言制直を下回ってしまいます。 著に現れています。表 1(b)に示したような酸素や水蒸気 したがって、高温フ。ロトン導電性セラミクスの水素分離へ 濃淡電池を構成し、起電力から各電気伝朝重の輸率を調べ 応用するためには、低し 1界面抵抗の謝掛オ料を模索する必 ることがで、きます。高温フ。ロトン導電体としての電気化学 要がありますし、大きな雷戒を流した場合に電子導電の寄 デバイスへの応用を考えると、プロトンの輸率は1 である 与を小さくする必要があります。 m ことが望ましいので、高温領域で、も水蒸気が脱離しにくい アルカリ土類釘高を主構蹴オ料として含む材料、例えば 仕CeOS系やBaCeOa系の材料は良好なフ。ロトン導電性を 材料の開発もひとつの指針となります。 水素ポンフ。で、は外部回路を経由して電気を流すことで 示す一方で、炭酸ガスや水蒸気に対する化学的安定性が低 水素を分南台ずることができます。仕CeOS系や臼佐仏系ペ く、アルカリ土類創高の炭酸塩や水酸化物を生成して分解 ロブスカイト型酸化物を用いた水素ポンプ特性は してしまうことが知られています[ 2 4 ・ 2 9 ] 。したがって、ア ルカリ土類金属を主構成元素として含まないような材料 開発も指針のうちのーっとなります問。 T/K 2000 1000 500 プロトン-電子混合伝導性セラミクスを水素分自倒莫と して用いる場合、プロトン導電率と電子導電率のどちらも . . . . . B a(Ce, Y)03 透品水素流量を決定する重要なパラメータとなります。し たがって、前述2 及び3 の要求を満たした上で、プロトン ¥ S r ( Z r に 管Y }03, . . E ~3 U 、~ " . : . .B a ( Z r , Y}03 ¥ ¥ l ( J ' ) b + ' あります。図 3にこれまでに報告されているプロトン-電 ____..-、.・ :..百九~ 、¥ :~ 導電率、電子導電率のどちらも高い材料を開発する必要が 、 . ¥ : " -(La,~~)Nb04 と\ 4 子混合導電性セラミクスの水素透過流量を示しました。こ の図は、セラミクス材料でも外部回路を介することなく水 U コ コ て c u Ba(Ce, Y, R u ) 0 3 :Matsumotoe ta . l 一 P o r o u sP ta sas u r f a c ec a t a l y s t ( T h i c k n e s s :0 . 5mm) S r ( Z r , Y, R u ) 0 3 :Matsumotoe ta . l グヘ 1 P o r o u sP ta saSl Ir f a c ec a t a l v s t " E ( T h i c k n e s s :0 . 5mm)+ ーυ ト(Ce, S r ) P 04byUnemotoe ta . l o 百 7 ト μ 5 X ( L a, C a ) 6WO i2 0 t A ス ト 王 ト 世 ζ[ 7 0 = ー 日 .8~Pd 6 0 v o !件 ( C e, Sr)P04抑 制' r f a c ec 叫y s t = ( T h i c k n e s s :0 . 5mm) _______ (La , Sr)P30~ ご~ 2 T -1/ 1 0 -3K -1 」 : r : '[ λ9ト ( C e, S r ) P O ,_ . . . Witho此 SlI山cec a t a l y s t ( T h i c k n e s s :0 . 5mm) . . . . . 6勺 HH. . . . θ H・H ・ . . . . . D . . . . 向 ・ ・・ 1 . . . ・ 0 " ' : . . . 園 、 ¥ 隠 ・ _ . ・ , " _ 】 - _ . ・_ " ・ ・ ¥ 0 o r "' S r ( C 宮正lI) oJbyS . J .Songe ta . l "" ( T h i c k n c s s :1 .72mm) 図 2. 種々の高温プロトン導電性セラミクス励。~,Y)O為 Ba 佐 l , Y ) ( ) s 凶 , Sr < z r , Y ) ( ) s [ 2 O ] ,( L a ,Ca)問1 4 [ , 泊( L a , S r ) P s U 9 [ 4 ], Sm)03byS . J .Songe ta . l S r ( C e, ( T h i c k n e s s :1 . 7 2mm) ( L a , 制 改 ) a[ 5 ],( L a ,C仇iW 0 1 2 [ 6 ],( L a ,Ca ) Nω14r 司)の電気導電 自 率。新泉は全導電率、石皮線はプロトン導電率を示す。間 10 900 1 0 0 0 11 0 0 1 200 T/K 隔の大きな石麟泉は加湿ガスとしてBρ を導入した雰囲気 図3 .種々のプロトン-電子混合導電性セラミクスの水 での電気導電率を示す。 1 8 ] 。 素透品流量の比較[ -90- 水素エネルギーシステム Vo1 .34,No.1 (2009) 若い研究者の声 素が透邑することを示しています。しかしながら、水素透‘ 9 .H .1w a h a r a ,& l i dS 恒. t e 1 o 回目 8 6 8 8 , 9 -1 5( 1 ! * 渇V . 過膜として知られている純ノミラジウム膜[刻と比較する 1 0 .T. Sch土問 &lidS也te10世田 162・163, 277-281 似X白~. と、性能は大幅に小さい明男享を0.5rmnとすると、任x)む 1 1 .N .K i 担mu r a , KAm白aw , aY .To m i i ,T .Hana d a ,N .Yamamoto , T . において 1 附子程度小さし、)のが現状です。さらに、図 3 臼na , a tS.O 回 凱J .E l 聞 I 吋1emS c c .1 5 , 2A I 邸8 企 倒 包 肪. J に示したように、 c e 閲兵プロトン-電子混合導電性セラ 1 2 .A U nemoto ,N .K i 句mu r a , K Am四.wa, T . Ka wa d a , ミクス膜の場合、パラジウム系表面触媒を担持させると、 回 聞 叫1 e r r r i c a l仕r i e t y百'al1Sa c t i o n s1 3 , 3 3 千弘5臼 胤. o 水素透過能が大幅に向上していることが分かります。これ 1 3 .T .No 由I y , Y . l a r r i n g , & l i dS 阻胞 1 0 n i 田1 3 6 1 3 7 , 1 3 9 -1 4 8匂 以 ) ) . はつまり、表面即むの寄与が大きいことを示しています。 1 4 .H.Ma白山n o t o , T .虫歯nu r a ,T .回gu 必 ,H .Ta n a k a , KK a 句 h i r a ,T . したがって、非貴金属の表面触媒の開発も課題のひとつに O句k e , T .Kudo , KY a s h i r o , AK a i r m r i ,T .Ka wa d a ,J .Mzus点 J . なります。 E帥 吋1em&c1 5 2 , A必 8 A 4 9 2倒 防. J 1 5 .H .Ma白山n o t o , T .母由nu r a ,T .日 g u c h i ,T .0回k伐Y.品田ki, K 5 . おわりに Y a s h i r o , AK a 封 印 ,T .Ka wa d a ,J .乱住出品目耐吋1 e m 町r 7 2 , 8 6 1 帽部4 仮 泊 4 ) . 材高では、高温プロトン導電性セラミクスの紹介をさせ 1 6 .S . J . &ng ,E .D .Wa c h s m a n , J . Rh o d 時 S .E .l l i ロ i s , D . ていただきました。このような材料がこれまでに製品化さ れた例は、 1992 年に発売された、溶融アルミニウム中の Bala白血1 d r a n , 剖idS 旬白 1 0 回目 1 6 7 ,加 1 0 5似X W . 1 7 .S . J .&ng ,E .D .Wachs m a n ,J .Rh od 田 , H . 圃S .Y i ∞ I l l , KH .L e e ,G . 水素濃度を測定するセンサ(株式会出YK 、N目。iRP) [ 3 1 ]のみです。最適句らは、新型の固体酸化物形燃料電池 Z h a n g ,J .Ma回'.&i4 0 , 4 0 6 1 4(胎倒防. J 18.AUnemo 句 " N . K i 阻mu r a , KAm四aw , aT .Ka wa da,田町位凶1em のコンセプトとして、パラジウム膜上にフ。ロトン導電性酸 制dS七 12, 00也47 臼籾~. 化物で、あるBaODa系酸化物を0 . 7凶n堆積することでアノ 1 9 .岩原弘育、化学工業1 0 、8 4 6(1蹴D . ード支持型の燃料電池セルを構築しました。このセルは良 2 0 .T .Ku d o ,K Y a s l 由。"H.Ma白山n o t o ,K S a t o ,T .Ka wa d a , J . 好なセル特性を有し(6OOCで0 . 9W c m -、4砂 Cで1 . 4W 乱 住 出 品 c i ,& l i d銑a 胞1 0 n i 四1 7 9 , 8 5 1 部 4 位 脱. o 2 c m - [ 3 2 ]、たいへん注目されています。 2 ) 2 1 .T.No 由I y , & l i d此a 飴1 0 n a1 2 5 , 1 1 1(1任泊~. プロトン導電性セラミクスを水素分離へ応用するため 2 2 .H.Ma国町1 0 加 "S .H a m a j u n a ,H .1w a h a r a ,& l i dS 阻t e1 0 団白 1 4 5 , には超えるべきハードルがし、くつもありますが、三紹介さ 2 5 2 9低 旧 1 ) . せていただいたセラミクス材料の実用的な用途への展開 2 3 .T .白kai,H.Ma旭日n o t o ,T .Kudo ,R yi 田n a m o t o ,E .N i w , aS . に貢献する決意を表明するとともに、いつの日か水素製造 Oka d a ,S .Hashim o t o , K品 田 k i ,T .Isl世ma,田町位吋世孔Acta53 , システムにて活躍する日を夢見て、筆を置かせていただき 8 1 7 2 8 1 7 7仮泊8 ) . たいと思います。 2 4 . S _G o 伊 1 a n , AV.羽rkar , J .回 即 凶1 e m .S c c .1 4 0 , 1 任 沿1 侃5 ( 1 鈎0 3 ) . 25.MH.鎚1 0 1 1 同 J .鎚 1 ∞nm a n ,J .C .vanMil飴油田宮,H.AJ.Cb此 参考文献 段通dS 阻白 1 0 国回 6 1 , 839 1( 1 9 9 3 ) . ・ 1 . H .1 w a h a r a ,E .Es品田,H.U c h i d aa n dN .M a E r l a ;& l i dS 也t e 1 0 n i a 2 6 .N .B: m an , 部 KS.誼 l l g h i : ;B .回 l i s ,& l i dS 阻t e1 0 n i 田 7 9 ,1 6 1 ・1 7 0 3 ' 4 ,3 5 9 お3紅9 8 1 ) . ( 1 鈎5 ) . 2 .T .Nm : b yandN .α団組出削h&lidS 句t e1 0 n i a7 7 , 2 4 ひ2 4 3( 1 寝 泊. J 27.KD.魁町民 &lidS 回t e 1 0 n i 回 9 7 , 1 ・1 5 ( 1 9 9 7 ) . 3 . KAm四.wa, S .悶d血 up , T .Nmbya n dY .1 悩J .E1聞吋1em&c 2 8 .H.Ma白山no 加"S .Oka d a ,S .Hashim o 句"K白 s a k i , RYamamoto , ME n o k i ,T .I s l 世 副 司1 0 国a13 , 9 3 ・ ω臼刃7 ) . 1 4 5 , ( 1 ω8ぉ1 3 お1 9 . 4.KAm回lW , aY .四 一 吋 m a ,Y .To m i i ,N .Yamamoto ,回目位叫1em 2 9 .H .Ma包凹n o t o ,Y .1 匂W部 品ci,N.I 句 " M En o , i kT .I s l 世 田 町 &lidS 七7 , A 5 1 1 A5 1 4似X W . 田 副 凶1 emS o l i dS 七1 0 , B7 市 拍 仰7 ) . 5 . K Am回lW , aN .' D 品 田h a s l えN.Ki句mu r a ,Y .T O m l la n dN . Y田 namoω&lidS 回. t e1 0 n i a1 7 5 , 5 7 5 5 7 9包泊。6 . RHa u 伊 u d;&量dS 胞白 1 o n i a 1 7 8 , 日5 ・ 授 賞3 臼X J 7 ) . 3 0 .G . L H o l l l ぼ え J.Phys.α1em7 4 , f f 沿5 1 1( 1 9 7 0 ) . 31.片平幸司、大島智子、表面技術56 、回1 蹴 倒 防. J 3 2 _N .1 t o , MI i j i m a , K 阻m四 日 ,S .訟 u c h i ,J .PO W1町&1:立問 1 5 2 , 加 笈 氾 似X 応 . J 7 . R Hau伊udand T. No由~;Na加叫似 5, 193-196 低肪~. 8 .H .1w a h a r a ,& l i dS 恒t e 1 0 世田 7 7 , 2 紛 却8 ( 1 鈎5 ) . 。.~砂次号は「北陸先端科学校付行て学f刃て学J 研究者の声です。 -91-
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