MB39C326 - Spansion

MB39C326
ASSP 電源用
6 MHz 同期整流昇降圧
DC/DC コンバータ IC
Data Sheet (Full Production)
Publication Number MB39C326_DS405-00001
CONFIDENTIAL
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
D a t a S h e e t
MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
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MB39C326
ASSP 電源用
6 MHz 同期整流昇降圧
DC/DC コンバータ IC
Data Sheet (Full Production)
 概要
MB39C326 は、3G/GSM 携帯電話端末やほかの携帯用途の RF パワーアンプ(RFPA)用に設計された、
高効率で低ノイズ同期昇降圧型 DC/DC コンバータです。
 特長
・高効率
:最大 93%
・入力電圧範囲
: 2.5V ~ 5.5V
・出力電圧調整可能範囲
: 0.8V ~ 5.0V
・過電流制限(ピーク)値
: 3.1A/1.3A/0.49A
・最大出力電流 (降圧, PWM モード)
: 1200mA (VIN=5.0V～5.5V, Vo=5.0V 時)
: 1200mA (VIN=3.6V～5.5V, Vo=3.6V 時)
: 1200mA (VIN=3.3V～5.5V, Vo=3.3V 時)
: 900mA (VIN=3.7V～5.0V, Vo=5.0V 時)
(昇圧, PWM モード)
: 700mA (VIN=2.5V～3.6V, Vo=3.6V 時)
: 800mA (VIN=2.5V～3.3V, Vo=3.3V 時)
(降圧, PowerSave モード) : 600mA (VIN=5.0V～5.5V, Vo=5.0V 時)
: 600mA (VIN=3.6V～5.5V, Vo=3.6V 時)
: 600mA (VIN=3.3V～5.5V, Vo=3.3V 時)
(昇圧, PowerSave モード) : 500mA (VIN=3.7V～5.0V, Vo=5.0V 時)
: 400mA (VIN=2.5V～3.6V, Vo=3.6V 時)
: 500mA (VIN=2.5V～3.3V, Vo=3.3V 時)
・待機電流
: 50µA
・ 6MHz の PWM 動作により 0.5µH の小型インダクタ使用可能
オンラインデザインシミュレータ
Easy DesignSim
本製品は、回路動作や周辺部品をオンライン上で手軽に確認できるシミュレーションツールを提供しています。
下記、URL よりご利用ください。
http://www.spansion.com/easydesignsim/jp/
Publication Number MB39C326_DS405-00001
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで
す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
CONFIDENTIAL
D a t a S h e e t
・昇圧, 降圧モードの自動変換
・パワー・セーブモードによる軽負荷電流時の効率改善
・外付抵抗による出力電圧選択
・過熱保護回路内蔵
・低電圧誤動作防止回路内蔵
・パッケージ: WL-CSP (20pin 0.4 mm-ball-pitch 2.15×1.94 mm)
 アプリケーション




2
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1 セルバッテリのリチウムバッテリを電源とする製品
RF パワーアンプ
携帯電話
RF-PC カード, PDA
MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 端子配列図
TOP VIEW
4
3
2
1
EN
ILIMSEL
VCC
XPS
VSEL VSELSW
GND
GND
GND
FB
VDD
SWOUT DGND
SWIN
VOUT
VDD
SWOUT DGND
SWIN
VOUT
D
E
A
B
C
 端子機能説明
端子番号
端子名
I/O
機能
A4
E3
C3, D3, E4
B4
B1, B2
D1, D2
C1, C2
C4
D4
A1, A2
A3
B3
E1, E2
EN
FB
GND
ILIMSEL
SWOUT
SWIN
DGND
VSEL
VSELSW
VDD
VCC
XPS
VOUT
I
I
IC イネーブル入力端子(H: イネーブル, L: シャットダウン)
電圧フィードバック端子
制御部/理論部接地端子
電流制限, モード端子
インダクタ接続用端子
インダクタ接続用端子
電源接地端子
R3 を用いた出力電圧設定オプションを選択する端子
出力設定抵抗 R3 接続端子
DCDC コンバータ出力電圧用電力入力端子
本 IC の制御回路に電力を供給する端子
パワー セーブモード端子(H: 通常モード, L:パワーセーブモード)
昇降圧コンバータ出力端子
I
I
I
I
I
I
I
O
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3
D a t a S h e e t
 ブロックダイヤグラム
L1
SWOUT
VDD
CIN
SWIN
SW1
VOUT
SW5
COUT
SW4
Current
Sensor
SW2
SW3
Vbatt
DGND
VCC
Gate Controller
EN
ILIMSEL
XPS
Device
Control
Over Temp
Protection
BGR
UVLO
Err
Amp
AGND
R1
FB
R3
R2
VSELSW
Oscillator
VSEL
4
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MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 機能説明
(1) ゲート制御回路
標準動作時、発振器の設定周波数 (6 MHz) によって、内蔵された 2 つの P-ch MOS FET と 2 つの
N-ch MOS FET の同期整流動作が制御されます。
(2) 誤差増幅器 (Error Amp) と位相補償回路
出力電圧の分圧 (フィードバック電圧) と基準電圧 (VREF) を比較します。本 IC は位相補償回路
を内蔵しており、本 IC を最適に動作できるように調節します。したがって、位相補償回路の検討
が不要です。また位相補償用の外部部品も必要ありません。
(3) バンドギャップ基準回路
高精密基準電圧は、BGR (バンドギャップ基準) 回路により生成します。
(4) 発振器
内部発振器はスイッチング周波数を設定するために 6MHz のクロック信号を出力します。
(5) 過熱保護回路
過熱保護回路は保護回路として内蔵されています。接合温度が+125°C になると、過熱保護回路は
すべての N-ch MOS FET と P-ch MOS FET をオフにします。また、接合温度が+110℃に下がると、
本 IC は通常の動作をします。
(6) 過電流保護回路 (電流センサ + デバイス制御)
過電流保護回路は VDD に接続された内蔵 P-ch MOS FET から外部インダクタに流れる電流 (ILX)
を検出します。過電流保護回路は電流のピーク値(IPK)を常に制御します。
(7) パワーセーブ・モード動作
パワーセーブ・モードは軽負荷の効率を改善するために使用されます。XPS 端子を"L"レベルに設
定することで、パワーセーブ・モードになり、負荷電流に応じて PWM モードまたは、PFM モー
ドで動作します。このとき負荷電流が低い場合、本 IC は PFM (パルス周波数変調) で動作します。
VOUT = 0.8V より高くして使用しなければなりません。軽負荷時､出力電圧が設定値を下回ると数回
スイッチングが行われ出力電圧を上昇させます｡出力電圧が設定値まで達すると休止状態になり､
4 つの FET はすべて OFF となり､スイッチング損失と回路の消費電力が抑えられます。
パワーセーブモードでの休止時の消費電流は、50μA 程度になります。
 機能表
モード名
PWM モード
XPS
ILIMSEL
H
入力電圧範囲[V]
L
2.5
H
パワーセーブモード
L
L
(注意事項) (XPS, ILIMSEL=H, H) の入力禁止。
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5.5
出力電圧範囲[V]
0.8
5.0
過電流制限
値(IPK) [A]
3.1
1.3
0.49
5
D a t a S h e e t
(8) ENピン
EN ピンが"H"レベルにセットされた時デバイスは動作するようになります。EN ピンが GND に
セットされた場合、デバイスはシャットダウン･モードになります。
EN ピンを"L"レベルにすると、シャットダウン･モードになります。
シャットダウンモードでは、レギュレータはスイッチングを停止し、すべての FET スイッチはオ
フに切り換わり、負荷は入力から切り離されます。
(9) VSELピン
MB39C326 は、VSEL ピンと、追加の抵抗により、出力電圧を変更できる機能を備えています。
出力電圧設定については、
「■アプリケーションノート」の出力電圧のプログラミング(2)の項を参
照してください。
(10) 昇降圧動作
MB39C326 は、新しく開発された PWM コントローラにより、VCC, VOUT の電圧をモニターし、
降圧, 昇圧いずれかのモードで動作します。
昇圧, 降圧の行ききが滑らか、かつ高効率で行うことが可能です。
降圧時(VCC>VOUT)は、SW1,SW2 がスイッチングを行い、SW3:OFF, SW4/5:ON に固定されます。
昇圧時(VCC<VOUT)は、SW1:ON, SW2:OFF に固定、SW3,SW4,SW5 がスイッチングを行います。
降圧, 昇圧の切換りの VCC, VDD の電圧は、負荷電流, 環境温度, プロセスのばらつきによって変
化します。
(11) 起動回路
MB39C326 は起動時、突入電流を押さえるためソフトスタート機能を備えています。
起動時間は、約 100μ 秒になります。
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MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 絶対最大定格
項目
電源電圧
信号入力電圧
記号
VMAX
VINMAX
許容損失
PD
保存温度
TSTG
最大接合部温度
定格値
単位
最小
最大
VDD, VCC
-0.3
+7.0
V
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
-0.3
VDD+0.3
V
-
1080
mW
Ta ≦ +25°C
-65
+150
°C
-2000
+2000
V
VESDM
人体帯電モデル
(100pF, 1.5kΩ)
マシンモデル (200pF, 0Ω)
-200
+200
V
VESDD
デバイス帯電モデル
-1000
+1000
V
-
+95
°C
VESDH
ESD 電圧
条件
Tj-MAX
-
＜注意事項＞絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊する可能
性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
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D a t a S h e e t
 推奨動作条件
項目
電源電圧
記号
VDD
VDD, VCC
2.5*
3.7
5.5*
V
0.0
-40
-
VDD
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
700
600
600
600
500
250
800
700
1000
700
900
600
600
600
600
600
600
600
600
500
500
400
300
300
400
200
200
500
400
600
350
500
300
+85
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
動作周囲温度
Ta
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
VIN=5.5, Vo=5.0V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN =5.5, Vo=4.4V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN =5.5, Vo=3.6V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN =4.2, Vo=3.6V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN =5.5, Vo=3.3V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN =3.7, Vo=3.3V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=5.5, Vo=2.0V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=3.7, Vo=2.0V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5, Vo=2.0V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=5.5, Vo=1.2V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=3.7, Vo=1.2V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5, Vo=1.2V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=5.5, Vo=0.8V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=3.7, Vo=0.8V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5, Vo=0.8V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5V, Vo=3.3V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5V, Vo=3.6V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=3.7V, Vo=4.4V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5V, Vo=4.4V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=3.7V, Vo=5V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=2.5V, Vo=5V, XPS=H, ILIMSEL=L
VIN=5.5, Vo=5.0V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=4.4V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=3.6V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=4.2, Vo=3.6V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=3.3V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7, Vo=3.3V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=2.0V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7, Vo=2.0V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5, Vo=2.0V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=1.2V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7, Vo=1.2V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5, Vo=1.2V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=5.5, Vo=0.8V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7, Vo=0.8V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5, Vo=0.8V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5V, Vo=3.3V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5V, Vo=3.6V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7V, Vo=4.4V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5V, Vo=4.4V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=3.7V, Vo=5V, XPS=L, ILIMSEL=H
VIN=2.5V, Vo=5V, XPS=L, ILIMSEL=H
-
接合部温度範囲
Tj
-
-40
-
+95
°C
インダクタ値
L
-
-
0.5
-
µH
信号入力電圧
VIDD
Io (Max1)
Io (Max2)
規格値
単位
最小標準最大
条件
Io (Max3)
Io (Max4)
出力電流(降圧時)
PWM モード
Io (Max5)
Io (Max6)
Io (Max7)
Io (Max8)
Io (Max9)
出力電流(昇圧時)
PWM モード
Io (Max10)
Io (Max11)
Io (Max12)
Io (Max13)
Io (Max14)
Io (Max15)
出力電流(降圧時)
PowerSave モード
Io (Max16)
Io (Max17)
Io (Max18)
Io (Max19)
Io (Max20)
出力電流(昇圧時)
PowerSave モード
Io (Max21)
Io (Max22)
*: 設定条件による｡｢■機能説明 (7) パワｰセｰブ･モード動作」の「・機能表」を参照してください。
8
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MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
＜注意事項＞推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値は、
すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超
えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証していません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。
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9
D a t a S h e e t
 電気的特性
電気的特性は推奨動作条件下での値です。
項目
記号
出力電圧範囲
VO
フィードバック電圧
VFB
IO
最大出力電流
ラインレギュレーション
ロードレギュレーション
VLINE
VLOAD
過電流制限
IPK
発振周波数
シャットダウン電流
fOSC
ISD
IQ
静止時電流
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
条件
XPS = L/XPS = H,
ILIMSEL = L
VIN = 3.1 V, VO = 4.5 V
XPS = H, ILIMSEL = L
IO = 0 ~ 800mA
IO = 0 ~ 800mA
XPS = H, ILIMSEL = L
XPS = L, ILIMSEL = H
XPS = L, ILIMSEL = L
EN = L
EN = H, XPS = L,
VIN = 3.7 V, VO = 3.3 V,
IO = 0 mA
最小
規格値
標準
最大
0.8
-
5.0
V
490
500
510
mV
800
-
-
mA
2.50
1.05
0.36
5.2
-
0.2
0.3
3.10
1.30
0.49
5.8
-
3.75
1.60
0.60
6.4
2
％
％
A
A
A
MHz
μA
-
50
-
μA
63.5
124
VDD = 3.7 V, VO=3.3V,
SW FET
Rdson
82
ON 抵抗
Ta = +25°C
123
51
TOTPH
135*
過熱保護
TOTPL
110*
VUVLOH
1.9
2.0
UVLO
スレッショルド電圧
VUVLOL
1.8
1.9
VIL
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
0.0
信号入力スレッショルド
電圧
VIH
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
1.5
信号入力電流
ICTL
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
*: この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
10
CONFIDENTIAL
84
175
116
164
72
2.1
2.0
0.25
VDD
0.1
単位
mΩ
°C
°C
V
V
V
V
μA
MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 応用回路例(RF パワーアンプ)
0.5uH
VBATT
C IN
10uF
SWOUT
VDD
SWIN
VO
VOUT
C OUT
VCC
2.2uF
FB
EN
VSELSW
VSEL
Pin
DGND
AGND
PA
Pout
MB39C326
DAC
January 31, 2014, MB39C326_DS405-00001-2v1-J
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
 アプリケーションノート
 出力電圧のプログラミング
出力電圧は下記の式(1)を使って計算してください。
R1 の抵抗値は 620kΩ のものを使用してください。この抵抗値にあわせて、内蔵の位相補償回路を
作成しています。
(1) 選択可能な電圧オプション未使用
VO= VFB×
(VFB = 500 mV)
R1+R2
R2
L1
SWOUT
VBATT
VDD
CIN
SWIN
VO
VOUT
VCC
R1
EN
FB
XPS
COU T
R2
VSELSW
VSEL
ILIMSEL
DGND
GND
(2) 選択可能な電圧オプション使用
VSEL=L 時
VO= VFB×
R1+R2
R2
VSEL=H 時
VO= VFB×
R1+(R2//R3)
R2//R3
L1
SWOUT
VBATT
CIN
VDD
VCC
EN
SWIN
R1
FB
R3
XPS
L または H
VSEL
CONFIDENTIAL
COU T
R2
VSELSW
ILIMSEL
GND
12
VO
VOUT
DGND
MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(3) 動的に出力可変を行う場合
VO = -
R1
R3
×VDAC + VFB×(
R1
R3
R1
R2
+
+1)
(VFB = 500mV)
SWOUT
VBATT
VDD
VCC
CIN
SWIN
VO
VOUT
R1
FB
EN
XPS
VSELSW
VSEL
R3
COU T
R2
ILIMSEL
DGND
GND
DAC
 R1=620kΩ, R2=110kΩ, R3=330kΩ に設定した場合の出力と DAC の関係
VO - DAC
4.50
4.00
3.50
VO (V)
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0.000
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
DAC電圧 (V)
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CONFIDENTIAL
13
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 インダクタの選択
推奨インダクタは、0.5µH (0.47µH)です。
高効率を得るには、低 ESR のインダクタを選択してください。
使用条件においてコイル電流が飽和電流の定格を超えないように注意してください。
スイッチ電流制限値も考慮してください。
ESR の高いものは、流せる電流が低い場合があります。ご注意ください。
以下は推奨インダクタになります。
Vendor
Part #
Coilcraft
XPL2010-501ML
Size
L[mm]
W[mm]
H[mm]
DCR[Ω]
(max)
1.9
2.0
1.0
0.045
Isat[A]
（-30%）
2.64
 入力コンデンサの選択
少なくとも 10μF の低 ESR セラミック・バイパス・コンデンサを VDD と GND の近くに配置する
ことを推奨いたします。
セラミックコンデンサはバイアスを加えると、実行容量が大きく減少するものがあります。
サイズの小さいもの、耐圧が低いものは、その傾向が大きい場合があります。メーカの部品特性
を確認の上、選択してください。
 出力コンデンサの選択
PWM モードにおける、出力コンデンサの標準推奨容量は 2.2uF です。
PFM モードで使用する場合は、リップル電圧を抑制するために、より大きな容量値(22μF 程度)の
コンデンサを推奨します。
負荷変動での出力電圧降下を抑制する場合は、コンデンサの容量を大きくして調整してください。
リップルを小さく抑えるためには、低 ESR、大きい容量値のものを選択することが有効です。
 熱情報
許容損失は、最大 1080mW になります。
熱抵抗は、65°C /W(JEDEC)で、この値からチップ温度を計算できます。
熱抵抗は JEDEC 規格のボードを使用するのを条件として算出されています。ボードの面積, ビア
の打ち方などによって値が変わってきますので、熱設計の際、考慮に入れてください。
標準動作特性例の「許容損失 - 動作周囲温度」のグラフを参照してください。
14
CONFIDENTIAL
MB39C326_DS405-00001-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 ボードレイアウトでの注意
本 IC を安定させて動作させるためには、良好なボードレイアウトが必要となります。
周辺部品入力容量 CIN, 出力容量 COUT は IC にできる限り近づけて配置し、その配線経路も最短に
してください。
大電流が流れる経路、特に、電流が変化する経路は、なるべく表層で最短の配線を行ってくださ
い。
DGND と GND を分離して、GND は COUT の直近で一点接続してください。
IC 搭載面は極力 GND プレーンを設けてください。効果的に放熱するのに役立ちます。
R
C
VCC
FB
R
R
Vout
VDD
C
C
C
C
DGND
L
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D a t a S h e e t
 標準動作特性例
出力電圧＝
効率 - 負荷電流 (VIN=3.7V, PowerSave モード)
効率 [%]
効率 [%]
効率 - 負荷電流 (VIN= 3.7V, PWM モード)
出力電圧＝
効率 - 負荷電流 (Vo= 3.3V, PWM モード)
効率 - 負荷電流 (Vo= 3.3V, PowerSave モード)
出力電圧＝
効率 [%]
負荷電流 (A)
効率 [%]
負荷電流 (A)
出力電圧＝
効率 - 負荷電流 (Vo= 5.0V, PWM モード)
効率 - 負荷電流 (Vo= 5.0V, PowerSave モード)
出力電圧＝
効率 [%]
負荷電流 (A)
効率 [%]
負荷電流 (A)
出力電圧＝
負荷電流 (A)
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負荷電流 (A)
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最大出力電流 - 入力電圧 (PWM モード)
最大出力電流 - 入力電圧 (PowerSave モード)
出力電圧＝
最大出力電流 (A)
最大出力電流 (A)
出力電圧＝
入力電圧 [V]
入力電圧 [V]
負荷急変波形
VIN=3.7V
IO=0
0.4A
COUT=2.2μF
XPS=H,
ILIMSEL=L
VO, 100mV/div, AC
1
Output Current, 200mA/div
100μs/div
起動 (PWM mode)
EN, 2V/div
EN, 2V/div
VIN=3.7V, VO=3.3V,
IO=0A
XPS=H
ILIMSEL=L
20μs/div
VO, 1V/div
20μs/div
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起動 (PowerSave モード)
VIN=3.7V, VO=3.3V,
IO=0A
XPS=L
ILIMSEL=H
20μs/div
VO, 1V/div
20μs/div
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D a t a S h e e t
VO step response (Rise)
VO step response (Fall)
VIN=3.7V,
VO=4.0V→0.8V
Rload=11Ω
VO, 1V/div
XPS=H
ILIMSEL=L
10μs/div
VIN=3.7V,
VO=0.8V→4.0V
Rload=11Ω
VO, 1V/div
XPS=H
ILIMSEL=L
10μs/div
DAC, 2V/div
DAC, 2V/div
10μs/div
10μs/div
Pd [W]
許容損失 - 動作周囲温度
温度[°C]
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 使用上の注意
1.
最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用する
と LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
2.
推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証され
ます。
3.
プリント基板のアースラインは, 共通インピーダンスを考慮し, 設計してください。
4.
静電気対策を行ってください。
・半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
・実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
・作業台, 工具, 測定機器は、アースをしてください。
・作業する人は、人体とアースの間に 250kΩ ~ 1MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてく
ださい。
5.
負電圧を印加しないでください。
- 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合, LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあ
ります。
 実装上の注意
一般的にアンダフィルの材料や封止方法は、実装の信頼性に影響を与えます。
Spansion Inc.（スパンション）ではアンダフィル使用による実装評価はしておりません。
お客様にて十分なご評価をお願いします。
WL-CSP はパッケージ側面にシリコンと樹脂の界面が存在します。
アンダフィルの材料や塗布形状・状態により、樹脂が基板に引っ張られ、界面にストレスが発生
する可能性があります。
お客様でご採用される基板・アンダフィル材にもよって結果が異なりますので、十分にご評価い
ただき、製品への適用をお願いします。
下図のように、アンダフィルの採用時にはシリコン側面への塗布確保(フィレット形成)をお願いし
ます。
シリコンへの濡れ性確保
シリコン
アンダフィルフィレット
樹脂
アンダフィル
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 オーダ型格
型格
パッケージ
MB39C326PW
プラスチック・20 ピン, WLP
(WLP-20P-M01)
備考
 評価ボードオーダ型格
EV ボード型格
EV ボード版数
備考
MB39C326-EVB-01
MB39C326-EVB-01 REV5.0
20 ピン, WL-CSP
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 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Spansion Inc.の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭
素系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"
を付加して表します。
 製品捺印
XXXXX
26C
INDEX
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 製品ラベル(鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
22
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JEDEC 規格
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されて
います。
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 MB39C326PW 推奨実装条件
【推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
実装回数
IR (赤外線リフロー), 温風リフロー
2回
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ~ 2 回目リフローまでの
保管期間
5°C ~ 30°C, 70%RH 以下 (できるだけ低湿度)
保管期間
保管条件
【実装方法の各条件】
IR (赤外線リフロー)
260 °C
255 °C
本過熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(c)
(a)
(d)
(e)
(d')
H ランク: 260°C Max
(a) 温度上昇勾配 :平均 1°C/s ~ 4°C/s
(b) 予備加熱
:温度 170°C ~ 190°C, 60s ~ 180s
(c) 温度上昇勾配 :平均 1°C/s ~ 4°C/s
(d) ピーク温度
:温度 260°C Max
255°C up 10s 以内
(d’) 本加熱
:温度 230°C up 40s 以内
or
温度 225°C up 60s 以内
or
温度 220°C up 80s 以内
(e) 冷却
:自然空冷または強制空冷
(注意事項) パッケージボディ上面温度を記載
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 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・WLP, 20 ピン
(WLP-20P-M01)
リードピッチ
0.4 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
2.15 mm × 1.94 mm
リード形状
半田ボール
封止方法
印刷
取付け高さ
0.625 mm Max.
質量
0.005 g
コード（参考）
S-WF BGA20-2.15×1.94-0.40
プラスチック・WLP, 20 ピン
（WLP-20P-M01）
2.15 ± 0.05 (.085 ± .002)
(1.60(.063))
0.40(.016)TYP
X
4
1.94 ± 0.05
(.076 ± .002)
3
(1.20(.047))
2
Y
1
0.40(.016)
TYP
E
D
C
INDEX (Laser Marking)
B
A
1-0.13 (.005 )
20-ø0.26 ± 0.04
(20-ø.010 ± .002)
ø0.05(.002) M XYZ
0.625(.025) MAX
Z
0.05(.002) Z
C
0.21 ± 0.04
(.008 ± .002)
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED W20001Sc-1-1
最新の外形寸法図については, 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
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 主な変更内容
ページ
Revision 2.0
■電気的特性
10
Revision 2.1
-
場所
規格値を変更
-
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変更箇所
社名変更および記述フォーマットの変換
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免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用
途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求
され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお
ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2)
極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの
ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、
お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が
発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ
う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を
お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基
づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と
なります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関
する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、
開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ
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