Si アバランシェフォトダイオード KPDA020-H8

Si アバランシェフォトダイオード
KPDA020-H8/KPDA050-H8
特長
• 1.5GHz応答（0.2mm受光径）
• 400MHz応答（0.5mm受光径）
• 高ゲイン
用途
• 短波長光通信
• 光計測
• 光センサ
• 微弱光検出
1. Anode
2. Cathode
3. Case
TO-18
Unit: mm
絶対最大定格
項目
記号
IR
IF
Topr
Tstg
逆電流
順電流
動作温度
保存温度
定格値
200
10
-40 to +85
-40 to +125
単位
µA
mA
oC
oC
備考
結露なきこと
結露なきこと
電気的・光学的特性 (指定の無い場合 Ta=25oC)
項目
受光径
記号
KPDA020
KPDA050
端子間容量
遮断周波数
D
λ
R
VB
M
ID
検出波長
受光感度
降伏電圧
増倍率
暗電流
KPDA020P
KPDA050P
KPDA020P
KPDA050P
(1410/KPDA020-H8,KPDA050-H8)
Min.
Ct
fC
400
0.3
100
100
-
Typ.
200
500
0.35
130
0.3
1.5
5
1.5
0.4
Max.
単位
条件
µm
1000
160
1
2
7
-
nm
A/W
V
nA
VR=50V, λ=800nm
IR=100µA
VR=VB-1V
VR=50V
pF
VR=0.9VB, f=1MHz
GHz
M=100, RL=50Ω,
λ=660nm
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Si アバランシェフォトダイオード
KPDA020-H8/KPDA050-H8
Temperature Dependency of VB
Dark Current - Reverse Voltage
150
100000
Ta=25oC
140
Dark current (nA)
Reverse voltage (V)
10000
VB
130
M=100
M=50
M=20
M=10
120
1000
100
10
KPDA050
1
0.1
110
0.01
100
KPDA020
0.001
-50
-25
0
25
50
75
100
0
50
(oC)
Temperature
100
150
Reverse voltage (V)
Multiplication Factor
Spectral Responsivity
1000
60
Ta=25oC
Ta=25oC
M=100
Responsivity (A/W)
Multiplication factor
50
100
10
40
30
20
M=20
10
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
400
500
Reverse voltage VR/VB
700
800
900
1000
Wavelength (nm)
Capacitance - Reverse Voltage
Frequency Response
6
100
Ta=25oC, f=1MHz
KPDA020
3
Relative gain (dB)
Capacitance (pF)
600
KPDA050
10
KPDA020
0
-3
KPDA050
-6
-9
-12
-15
M=100
RL=50Ω
Ta=25oC
-18
-21
1
-24
0
25
50
75
100
Reverse voltage (V)
(1410/KPDA020-H8,KPDA050-H8)
125
150
1
10
100
1000
10000
Frequency (MHz)
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