高感度 InGaAs フォトダイオード KPDE030

高感度 InGaAs フォトダイオード
KPDE030
特長
• 大受光面積 (φ300µm)
• 低暗電流
• Cバンド、1310nm、Lバンドに対応
• 高信頼性
用途
• 近赤外線センサ
• LD / LED パワーモニタ
• 近赤外線分光分析
• 光計測 / センシング
絶対最大定格
項目
逆電圧
最大光入力パワー
順電流
動作温度
保存温度
記号
VR
Pi max
IF
Topr
Tstg
定格値
20
30
50
-40 to +85
-40 to +85
単位
V
mW
mA
oC
oC
備考
結露なきこと
結露なきこと
電気的・光学的特性 (指定の無い場合 Ta=25oC)
項目
Min.
Typ.
300
Max.
受光径
記号
D
単位
µm
帯域幅
BW
400
600
-
MHz
0.9
1.0
100
4
4
600
6
6
-
0.5
暗電流
チップ容量
トータル容量
ID
Cchip
Ct
0.8
0.9
-
感度均一性
∆R
-
受光感度
(1410/KPDE030)
R
A/W
pA
pF
pF
dB
条件
Pi=-10dBm, VR=5V,
Small signal modulation
λ=1310nm, VR=5V
λ=1550nm, VR=5V
VR=5V
VR=5V, f=1MHz
VR=5V, f=1MHz
λ=1530-1610nm,
Top=-10 to +85oC
http://www.kyosemi.co.jp/
高感度 InGaAs フォトダイオード
Spectral Responsivity
KPDE030
Uniformity of Spectral Responsivity
1.2
0.4
Ta=25oC
Relative responsivity (dB)
Responsivity (A/W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
800
1000
1200
1400
1600
Ta=85oC
0
-0.4
-0.8
25oC
-1.2
-10oC
-1.6
-2
1500
1800
1550
Wavelength (nm)
1600
1650
Wavelength (nm)
Frequency Response
Capacitance - Reverse Voltage
5
8
f=1MHz
0
Capacitance (pF)
Relative gain (dB)
VR=5V, RL=50Ω
-5
-10
6
4
2
-15
0.001
0
0.01
0.1
1
10
0
2
4
Frequency (GHz)
6
8
Dark Current - Reverse Voltage
10
10
VR=5V
Ta=25oC
1
Dark current (nA)
Dark current (nA)
10
Reverse voltage (V)
Dark Current - Ambient Temperature
0.1
0.01
1
0.1
0.01
0.001
0.001
-40
-20
0
20
40
60
80
Ambient temperature (oC)
(1410/KPDE030)
1700
100
0
5
10
15
20
Reverse voltage (V)
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高感度 InGaAs フォトダイオード
KPDE030
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