Si フォトダイオード KPD31S

Si フォトダイオード
KPD31S
特長
• 透明エポキシモールド
• 高感度
• SMDパッケージ
用途
• 光スイッチ
• 光学式エンコーダ
• パルス検出器
• センサ、制御機器
Unit: mm
絶対最大定格
項目
逆電圧
逆電流
動作温度
保存温度
はんだ温度
記号
VR
IR
Topr
Tstg
Tsol
定格値
10
3
-25 to +80
-25 to +85
260
単位
V
mA
oC
oC
oC
備考
結露なきこと
結露なきこと
最大3秒
電気的・光学的特性 (指定の無い場合 Ta=25oC)
項目
有効受光面積
検出波長
開放電圧
短絡電流
暗電流
端子間容量
(1410/KPD31S)
記号
S
λ
Vop
Ish
ID
Ct
Min.
400
-
Typ.
2.8 x 0.8
950(λp)
350
22
7
Max.
1100
10
-
単位
mm2
nm
mV
µA
nA
pF
条件
λp=ピーク波長
1000lx @2856K
1000lx @2856K
VR=5V
VR=5V, f=1MHz
http://www.kyosemi.co.jp/
Si フォトダイオード
KPD31S
Photocurrent - Ambient Temperature
Dark Current - Reverse Voltage
10
120
λ=890nm
Relative photocurrent (%)
Dark current (nA)
Ta=25oC
1
0.1
110
100
90
0.01
80
0
2
4
6
8
10
-25
0
50
75
Ambient temperature
Reverse voltage (V)
Photocurrent - Illuminance
100
(oC)
Dark Current - Ambient Temperature
1000
1000
Ta=25oC
VR=5V
100
Dark current (nA)
100
Photocurrent ((µA)
25
10
1
0.1
0.01
10
1
0.1
0.01
0.001
0.001
0.1
1
10
100
1000
10000
-25
0
Illuminance (lx)
25
50
75
Ambient temperature
Spectral Responsivity
100
(oC)
Directivity
100
-30o
-20o
-10o
0o
10o
20o
30o
Relative responsivity (%)
Ta=25oC
80
-40o
60
-50o
50o
50
40
20
0
400
600
800
1000
Wavelength (nm)
(1410/KPD31S)
40o
1200
-60o
60o
-70o
70o
-80o
80o
90o
-90o
0
Relative responsivity (%)
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Si フォトダイオード
KPD31S
製品の仕様、特性、データ、仕様材料、構造などは変更する可能性があります。ご使用の際は、必ず最新の仕
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