DC/DC コンバータ IC

DC/DC コンバータ IC
ASSP 電源用
2ch PFM/PWM 同期整流降圧
MB39A214A
Data Sheet (Full Production)
Publication Number MB39A214A-DS405-00007
CONFIDENTIAL
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
D a t a S h e e t
2
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
DC/DC コンバータ IC
ASSP 電源用
2ch PFM/PWM 同期整流降圧
MB39A214A
Data Sheet (Full Production)
 概要
MB39A214A は、低出力電圧リップル対応ボトム検出コンパレータ方式を採用した、N-ch/N-ch 同
期整流方式 2ch 降圧 DC/DC コンバータ IC で、大きな入出力電圧差時の低オンデューティに対応
可能です。高スイッチング周波数設定が可能で、周辺回路が小型化, 低コスト構成が可能です。超
高速応答性, 高効率を実現し、充実した保護機能を内蔵しています。ASIC, FPGA などのコア, I/O
用, メモリー用電源に最適です。
 特長
・高効率
・内部プリセットによる周波数設定対応
：310 kHz, 620 kHz, 1 MHz
・高精度基準電圧
：±0.7% (Ta＝＋25°C)
・VIN 入力電圧範囲
：6 V～28 V
・出力電圧設定範囲
：0.7 V～5.3 V
・PFM/PWM 自動切換えモード, PWM 固定モード選択可能
・PAF 周波数制限機能(Prohibit Audio Frequency) ：> 30 kHz (最小)
・ブーストダイオード内蔵, 外付けフライバックダイオード不要
・ディスチャージ FET 内蔵
・過電圧保護機能内蔵
・低電圧保護機能内蔵
・過熱保護機能内蔵
・過電流制限機能内蔵
・負荷依存のないソフトスタート
・電流センス抵抗不要
・N-ch MOS FET 対応同期整流式出力段内蔵
・スタンバイ電流
：0 µA (標準)
・パッケージ
：TSSOP24 (4.4 mm×6.5 mm×1.2 mm [最大])
 アプリケーション
・デジタル TV
・複写機
・STB
・BD, DVD プレーヤ/ レコーダ
・プロジェクタ
など
Publication Number MB39A214A-DS405-00007
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで
す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
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 端子配列図
(TOP VIEW)
BST1
1
24
DRVH1
EN1
2
23
LX1
VOUT1
3
22
DRVL1
FB1
4
21
PGND
CS1
5
20
ILIM1
GND
6
19
VCC
FREQ
7
18
VB
CS2
8
17
MODE
FB2
9
16
ILIM2
VOUT2
10
15
DRVL2
EN2
11
14
LX2
BST2
12
13
DRVH2
(FPT-24P-M09)
2
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MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
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 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
機能説明
1
BST1
―
2
EN1
I
CH1 イネーブル端子です。
3
VOUT1
I
CH1 DC/DC 出力電圧の入力端子です。
4
FB1
I
CH1 帰還電圧入力端子です。
5
CS1
I
CH1 ソフトスタート時間設定用コンデンサ接続端子です。
6
GND
―
CH1 ブースト用コンデンサ接続端子です。
接地端子です。
7
FREQ
I
スイッチング周波数の切換え信号入力端子です。
FREQ：GND Short
スイッチング周波数
310 kHz
FREQ：Open
スイッチング周波数
620 kHz
FREQ：VB Short
スイッチング周波数
1 MHz
8
CS2
I
CH2 ソフトスタート時間設定用コンデンサ接続端子です。
9
FB2
I
CH2 帰還電圧入力端子です。
10
VOUT2
I
CH2 DC/DC 出力電圧の入力端子です。
11
EN2
I
CH2 イネーブル端子です。
12
BST2
―
CH2 ブースト用コンデンサ接続端子です。
13
DRVH2
O
CH2 外付けメイン側 FET ゲート駆動用出力端子です。
14
LX2
―
CH2 コイル, 外付けメイン側 FET ソース接続端子です。
15
DRVL2
―
CH2 外付け同期整流側 FET ゲート駆動用出力端子です。
16
ILIM2
I
CH2 過電流検出レベル設定電圧入力端子です。
17
MODE
I
DC/DC 制御モード切換え信号入力端子です。
MODE：GND Short
PFM/PWM
MODE：Open
PFM/PWM, PAF
MODE：VB Short
PWM 固定
18
VB
O
内部回路バイアス出力端子です。
19
VCC
I
制御回路および出力回路の電源入力端子です。
20
ILIM1
I
CH1 過電流検出レベル設定電圧入力端子です。
21
PGND
―
出力回路用接地端子です。
22
DRVL1
O
CH1 外付け同期整流側 FET ゲート駆動用出力端子です。
23
LX1
―
CH1 コイル, 外付けメイン側 FET ソース接続端子です。
24
DRVH1
O
CH1 外付けメイン側 FET ゲート駆動用出力端子です。
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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3
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 ブロックダイヤグラム
4
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 絶対最大定格
項目
記号
条件
定格値
最小
最大
単位
VCC 端子入力電圧
VVCC
VCC 端子
－0.3
＋30
V
BST 端子入力電圧
VBST
BST1, BST2 端子
－0.3
＋36
V
LX 端子入力電圧
VLX
LX1, LX2 端子
－1
＋30
V
－0.3
＋7
V
BST-LX 間電圧
EN 端子入力電圧
入力電圧
―
VBST-LX
VEN
EN1, EN2 端子
－0.3
＋30
V
VFB
FB1, FB2 端子
－0.3
VB＋0.3
V
VVOUT
VOUT1, VOUT2 端子
－0.3
＋7
V
VILIM
ILIM1, ILIM2 端子
－0.3
VB＋0.3
V
CS1, CS2 端子
－0.3
VB＋0.3
V
VFREQ
FREQ 端子
－0.3
VB＋0.3
V
VMODE
MODE 端子
－0.3
VB＋0.3
V
DRVH1, DRVH2 端子,
DRVL1, DRVL2 端子
―
60
mA
Ta ≦＋25°C
―
＋1282
mW
－55
＋125
°C
VCS
出力電流
IOUT
許容損失
PD
保存温度
TSTG
―
＜注意事項＞絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを
破壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注
意ください。
 推奨動作条件
項目
記号
条件
規格値
最小
標準
最大
単位
VCC 端子入力電圧
VVCC
VCC 端子
6
―
28
V
BST 端子入力電圧
VBST
BST1, BST2 端子
―
―
34
V
EN 端子入力電圧
VEN
EN1, EN2 端子
0
―
28
V
VFB
FB1, FB2 端子
0
―
VB
V
VVOUT
VOUT1, VOUT2 端子
0
―
5.5
V
VILIM
ILIM1, ILIM2 端子
0
―
2
V
VFREQ
FREQ 端子
0
―
VB
V
VMODE
MODE 端子
0
―
VB
V
IOUT
DRVH1, DRVH2 端子,
DRVL1, DRVL2 端子
Duty≦5％ (t＝1/fOSC×Duty)
－1200
―
＋1200
mA
Ta
―
－30
＋25
＋85
°C
入力電圧
ピーク出力電流
動作周囲温度
＜注意事項＞推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格
値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してくださ
い。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証して
いません。記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門
までご相談ください。
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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5
D a t a S h e e t
 電気的特性
(Ta ＝＋25 °C, VCC＝12 V, EN1, EN2＝5 V)
項目
端子
VVB
18
VB＝0 A
入力安定度
LINE
18
VCC＝6 V～28 V
負荷安定度
LOAD
18
VB＝0 A～－1 mA
出力電圧
バイアス電圧部
[ VB Reg. ]
短絡時出力電流
低電圧誤動作防止スレッショルド
電圧
回路部
[ UVLO ]
ヒステリシス幅
充電電流
最大
5.04
5.20
5.36
V
―
10
100
mV
―
10
－145 －100
100
mV
－75
mA
IOS
18
VTLH
18
VB 端子
4.0
4.3
4.6
V
VTHL
18
VB 端子
3.7
4.0
4.3
V
VH
18
VB 端子
0.3*
―
ICS
5,8
CS1, CS2 ＝0 V
3,10
EN1, EN2＝0 V,
VOUT1, VOUT2≧0.15 V
―
25*
―
Ω
3,10
EN1, EN2＝0 V,
VOUT1, VOUT2 端子
―
0.2*
―
V
―
－1.5
－1.0 －0.75
V
µA
FREQ 端子 GND 接続
VCC＝12 V, VOUT1＝1.5 V
430
538
646
ns
tON21
13
FREQ 端子 GND 接続
VCC＝12 V, VOUT2＝1.5V
320
400
480
ns
tON12
24
FREQ 端子 OPEN
VCC＝12 V, VOUT1＝1.5 V
210
263
316
ns
tON22
13
FREQ 端子 OPEN
VCC＝12 V, VOUT2＝1.5 V
160
200
240
ns
tON13
24
FREQ 端子 VB 接続
VCC＝12 V, VOUT1＝1.5 V
130
163
196
ns
tON23
13
FREQ 端子 VB 接続
VCC＝12 V, VOUT2＝1.5 V
100
125
150
ns
tONMIN11
24
FREQ 端子 GND 接続
VCC＝12 V, VOUT1＝0V
―
136
191
ns
tONMIN21
13
FREQ 端子 GND 接続
VCC＝12 V, VOUT2＝0V
―
103
145
ns
tONMIN12
24
FREQ 端子 OPEN
VCC＝12 V, VOUT1＝0V
―
77
108
ns
tONMIN22
13
FREQ 端子 OPEN
VCC＝12 V, VOUT2＝0V
―
58
82
ns
tONMIN13
24
FREQ 端子 VB 接続
VCC＝12V, VOUT1＝0V
―
55
77
ns
tONMIN23
13
FREQ 端子 VB 接続
VCC＝12 V, VOUT2＝0V
―
43
61
ns
tOFFMIN
24,
13
―
410
535
ns
スレッショルド
電圧
VTH
4, 9
Ta＝＋25°C
0.695
0.700
0.705
V
FB 端子入力電流
IFB
4, 9
FB1, FB2＝0.7 V
－0.1
0
＋0.1
µA
VOUT 端子入力
電流
IVO
3,10
VOUT1, VOUT2＝1.5 V
―
6.0
8.6
µA
オン時間
(プリセット値 3)
最小オン時間
(プリセット値 1)
最小オン時間
(プリセット値 2)
最小オン時間
(プリセット値 3)
最小オフ時間
CONFIDENTIAL
標準
24
オン時間
(プリセット値 2)
6
単位
最小
tON11
オン時間
(プリセット値 1)
誤差比較部
[ Error Comp. ]
条件
VB＝0 V
ソフトスタート/
ディスチャージ時
ディスチャージ部
RD
放電抵抗
[ Soft Start,
ディスチャージ
Discharge ]
VVOVTH
終了電圧
ON/OFF 時間
発生部
[ tON Generator ]
規格値
記号
―
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D a t a S h e e t
項目
過電流検出
オフセット電圧
過電流検出部
ILIM 端子電流
[ ILIM Comp. ]
ILIM 端子電流
温度傾斜
記号
端子
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
21-23 PGND －LX1, LX2
21-14 ILIM1, ILIM2＝500 mV
－30
0
＋30
mV
IILIM
20,16 ILIM1, ILIM2＝0 V
－6
－5
－4
µA
TILIM
20,16 Ta＝＋25°C
―
4500*
―
ppm/
°C
110
115
120
%
―
―
5*
―
%
―
10
15
20
µs
VOFFILIM
過電圧保護
回路部
[ OVP Comp. ]
過電圧検出電圧
VOVP
4, 9
ヒステリシス幅
VHOVP
4, 9
tOVP
―
低電圧保護
回路部
[ UVP Comp. ]
低電圧検出電圧
VUVP
4, 9
65
70
75
%
ヒステリシス幅
VHUVP
4, 9
―
―
10*
―
%
tUVP
―
―
100
150
200
µs
TOTPH
―
―
―
150*
―
°C
TOTPL
―
―
―
125*
―
°C
過熱保護部
[ OTP ]
検出遅延時間
検出遅延時間
保護温度
メイン側
出力オン抵抗
同期整流側
出力オン抵抗
出力ソース電流
出力シンク電流
出力部
[ DRV ]
24,13 DRVH1, DRVH2＝－100 mA
―
4
6
Ω
ROL
24,13 DRVH1, DRVH2＝100 mA
―
1
1.5
Ω
ROH
22,15 DRVL1, DRVL2＝－100 mA
―
4
6
Ω
ROL
22,15 DRVL1, DRVL2＝100 mA
―
1
1.5
Ω
ISOURCE
LX1, LX2＝0 V,
24,13 BST1, BST2＝VB
22,15 DRVH1, DRVH2＝2.5 V
Duty≦5％
―
－0.5*
―
A
ISINK
LX1, LX2＝0 V,
24,13 BST1, BST2＝VB
22,15 DRVH1, DRVH2＝2.5 V
Duty≦5％
―
0.9*
―
A
15
25
35
ns
tD
LX1, LX2＝0 V,
BST1, BST2＝VB
DRVL1, DRVL2-low→
24-22 DRVH1, DRVH2-on
13-15 LX1, LX2＝0 V,
BST1, BST2＝VB
DRVH1, DRVH2-low→
DRVL1, DRVL2-on
35
50
65
ns
BST ダイオード電圧
スイッチング
周波数制御部
[ FREQ ]
VF
1,12
IF ＝10 mA
0.75
0.85
0.95
V
IBST
LX1, LX2＝0 V,
1, 12
BST1, BST2＝5.2 V
11
15
22
µA
0
―
0.2
V
プリセット値 1 条件
VFREQ1
7
FREQ 端子：GND 接続
プリセット値 2 条件
VFREQ2
7
FREQ 端子：OPEN
0.6
―
1.2
V
2.4
―
VB
V
0.63
0.9
1.17
V
プリセット値 3 条件
VFREQ3
7
FREQ 端子：VB 接続
FREQ 端子出力電圧
VFREQ
7
FREQ＝OPEN
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
対 REF1, REF2 電圧
ROH
デッドタイム
バイアス電流
対 REF1, REF2 電圧
7
D a t a S h e e t
項目
PFM 制御
回路部
[ MODE ]
端子
規格値
条件
単位
最小
標準
最大
0
―
0.2
V
V
PFM/PWM モード条件
VPFM1
PAF 機能無効
17
MODE 端子：GND 接続
PFM/PWM モード条件
VPFM2
PAF 機能有効
17
MODE 端子：OPEN
0.6
―
1.2
PWM 固定モード条件
VPWM
17
MODE 端子：VB 接続
4.6
―
VB
V
fPAF
―
Ta＝－30°C～＋85°C
30
45
―
kHz
VMODE
17
MODE＝OPEN
0.63
0.9
1.17
V
VON
2, 11 EN1, EN2 端子
2.64
―
―
V
VOFF
2, 11 EN1, EN2 端子
―
―
0.66
V
VH
2, 11 EN1, EN2 端子
―
0.4*
―
V
入力電流
IEN
2, 11 EN1, EN2＝5V
11
15
22
µA
スタンバイ時
電源電流
ICCS
19
EN1, EN2＝0V
―
0
10
µA
休止期間電源電流
ICC1
19
LX1, LX2＝0 V
BST1, BST2：VB 接続
FB1, FB2＝0.75 V
―
600
860
µA
動作時電源電流
ICC2
19
LX1, LX2＝0V
BST1, BST2：VB 接続
FB1, FB2＝0.6 V
―
1200
1700
µA
PAF 周波数
MODE 端子電圧
オン条件
イネーブル部オフ条件
[ EN1, EN2 ]
ヒステリシス幅
電源電流
記号
＊：この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
8
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 標準特性
2000
許容損失 - 動作周囲温度
許容損失 PD (mW)
1500
1282
1000
500
0
-50 -25 +0 +25 +50 +75 +100+125
動作周囲温度 Ta (°C)
VB バイアス電圧 - 動作周囲温度
VB バイアス電圧 - VB バイアス出力電流
5.4
5.40
5.32
5.28
5.24
5.20
5.16
5.12
VCC=12V
IVB =0A
5.08
VB バイアス電圧 VVB (V)
VB バイアス電圧 VVB (V)
5.36
Ta = + 25℃
5.3
5.2
VCC=12V
5.1
VCC=28V
5.04
VCC=6V
5.00
5.0
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
-30
動作周囲温度 Ta (°C)
Error Comp.スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
-20
-15
-10
-5
0
ILIM 端子電流 - 動作周囲温度
-3.5
0.705
0.704
0.703
-4.0
ILIM 端子電流 IILIM (µA)
Error Comp. スレッショルド電圧 VTH (V)
-25
VB バイアス出力電流 IVB (mA)
0.702
0.701
0.700
0.699
0.698
0.697
0.696
0.695
-40 -20 0 +20 +40 +60 +80+100
動作周囲温度 Ta (°C)
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
9
D a t a S h e e t
DRVH2 オン時間 - 動作周囲温度
500
450
DRVH2 オン時間 tON2 (ns)
DRVH1 オン時間 tON1 (ns)
DRVH1 オン時間 - 動作周囲温度
700
650
600
FREQ=GND
550
500
VCC=12V
450
VOUT1=1.5V
400
350
FREQ=OPEN
300
250
200
150
FREQ=VB
100
-40 -20 0 +20 +40 +60 +80 +100
FREQ=GND
400
350
VCC=12V
VOUT2=1.5V
300
250
FREQ=OPEN
200
150
100
FREQ=VB
50
-40 -20
動作周囲温度 Ta (°C)
DRVH1 最小オン時間 - 入力電圧
DRVH2 最小オン時間 - 入力電圧
200
FREQ=GND
150
FREQ=OPEN
100
50
FREQ=VB
DRVH2 最小オン時間 tONMIN2 (ns)
Ta = + 25℃
200
0
Ta = + 25℃
150
FREQ=GND
100
FREQ=OPEN
50
FREQ=VB
0
5
10
15
20
25
30
5
10
15
VCC=12V
VOUT1= 0 V
120
FREQ=OPEN
80
60
FREQ=VB
DRVH2 最小オン時間 tONMIN2 (ns)
DRVH1 最小オン時間 tONMIN1 (ns)
FREQ=GND
40
120
FREQ=GND
100
VCC=12V
VOUT2=0 V
80
FREQ=OPEN
60
40
FREQ=VB
20
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
CONFIDENTIAL
30
140
160
100
25
DRVH2 最小オン時間 - 動作周囲温度
DRVH1 最小オン時間 - 動作周囲温度
180
140
20
入力電圧 VIN (V)
入力電圧 VIN (V)
10
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
250
DRVH1 最小オン時間 tONMIN1 (ns)
0
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
最小オフ時間 - 入力電圧
最小オフ時間 - 動作周囲温度
600
600
550
Ta = + 25℃
最小オフ時間 tOFFMIN (ns)
最小オフ時間 tOFFMIN (ns)
550
500
450
400
350
300
250
VCC=12V
500
450
400
350
300
250
200
5
10
15
20
25
200
-40 -20
30
入力電圧 VIN (V)
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
デッドタイム - 動作周囲温度
ブートストラップダイオード IF - VF
60
100
55
tD2
10
45
40
LX=0V
VBST =VB
35
30
IF 電流 IF (mA)
デッドタイム (ns)
50
Ta = + 85℃
1
Ta = + 30℃
0.1
Ta = + 25℃
0.01
tD1
25
20
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta (°C)
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VF 電圧 VF (V)
tD1：DRVL off から DRVH on までの期間
tD2：DRVH off から DRVL on までの期間
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
11
D a t a S h e e t
 機能説明
低出力電圧リップル対応ボトム検出コンパレータ方式について
低出力電圧リップル対応ボトム検出コンパレータ方式では、オン時間(tON)を入力電圧(VIN)と出力
電圧(VOUT)により決定し、一定時間オンします。オフ期間中は基準電圧(INTREF)と帰還電圧(FB)
を誤差比較部(Error Comp.)にて比較します。帰還電圧(FB)が基準電圧(INTREF)を下回ると RS-FF
をセットし、再度オン期間となります。こうしてスイッチングを繰り返します。このように、Error
Comp. にて基準電圧(INTREF)と帰還電圧(FB)を比較し、オフデューティを制御することで出力電
圧を安定させます。
本方式では、同期整流期間(tOFF)のコイル電流傾斜を基準電圧(INTREF)に加算することにより、ボ
トム検出コンパレータ方式に不可欠なオフ期間中の出力電圧傾斜を IC 内部で生成しています。結
果、低出力電圧リップル条件においても安定した制御が可能です。
・回路図
VOUT VIN
Bias
Reg.
VIN
tON
generator
Hi-side
Drive
tON
<Error Comp.>
FB
INTREF
+
RS-FF
R Q RS out
S
DRVH
Drive
Logic
IL
VOUT
Bias
Lo-side
Drive
+
-
DRVL
VREF
Slope
Detector
・波形
12
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
(1) バイアス電圧部 (VB Reg.)
制御回路・出力回路・ブースト回路用に、VCC 端子電圧から 5.2 V(標準)のバイアス電圧を生成し
ます。EN1 端子(2 ピン), EN2 端子(11 ピン)どちらか(もしくは双方) "H"レベルにするとスタンバイ
状態から復帰し、VB 端子(18 ピン)からバイアス電圧を供給します。
(2) ON/OFF 時間発生部 (tON Generator)
タイミング設定用コンデンサおよびタイミング設定用抵抗を内蔵しており、入力電圧と出力電圧
に依存したオン時間(tON)を発生します。FREQ 端子(7 ピン)を GND 接続, OPEN,VB 接続のいずれか
に設定することでスイッチング周波数を切換え可能です。各 CH の ON 時間は次式のように設定さ
れます。
<FREQ 端子：GND 接続>
tON1 (ns) ＝
tON2 (ns) ＝
VVOUT1
×4300
(fOSC1≒230 kHz)
×3200
(fOSC2≒310 kHz)
×2100
(fOSC1≒460 kHz)
×1600
(fOSC2≒620 kHz)
×1300
(fOSC1≒750 kHz)
×1000
(fOSC2≒1000 kHz)
VVIN
VVOUT2
VVIN
<FREQ 端子：OPEN>
tON1 (ns) ＝
tON2 (ns) ＝
VVOUT1
VVIN
VVOUT2
VVIN
<FREQ 端子：VB 接続>
tON1 (ns) ＝
tON2 (ns) ＝
VVOUT1
VVIN
VVOUT2
VVIN
チャネル間のビートを回避するため、CH1 のスイッチング周波数に対して、CH2 のスイッチング
周波数が 1.33 倍となるよう設定しています。
(3) 出力部 (DRV1, DRV2)
出力部は、メイン側, 同期整流側ともに CMOS 形式で構成しています。0.5 A(標準)のソース電流、
0.9 A(標準)のシンク電流を備え、外付け N-ch MOS FET を駆動します。メイン側 FET の出力部は
内蔵のブーストダイオードを含むブースト回路から電力供給し、同期整流側 FET の出力部は VB
から電力供給します。この回路はメイン側 FET と同期側 FET のゲート電圧を監視し、片方の FET
がオフするまで、もう一方の FET のオンのタイミングを制御することにより、貫通電流を防止し
ます。また出力部のシンク側のオン抵抗は 1 Ω (標準)と低く、同期側 FET のセルフターンオン
マージンを向上します。
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13
D a t a S h e e t
(4) 起動シーケンス
EN1 端子(2 ピン)または EN2 端子(11 ピン)を"H"レベルにすると VB 端子からバイアス電圧を供給
します。VB 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を超えると DC/DC コンバータとしての動作を
開始し、ソフトスタート動作を行います。ソフトスタートは電源起動時の突入電流を防止するた
めの機能です。
ソフトスタート開始と同時に CS1 端子(5 ピン), CS2 端子(8 ピン)に接続したコンデンサの充電を開
始し、そのランプ電圧を各 CH の誤差比較器部(Error Comp.)に入力します。DC/DC コンバータは
このランプ電圧に沿って出力電圧を発生します。よって、負荷に依存しないソフトスタート動作
となります。ソフトスタート中は過電圧保護機能 (OVP), 低電圧保護機能 (UVP)は無効です。
<タイミングチャート>
UVLO 解除
CH1 ソフトスタート完了
CH2 ソフトスタート完了
14
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
(5) DC/DC コンバータ停止シーケンス(ディスチャージ,スタンバイ)
EN1 端子(2 ピン)または EN2 端子(11 ピン)を"L"レベルにすると、IC 内部のディスチャージ用
FET(RON≒25Ω)にて出力コンデンサを放電します。VOUT1 端子(3 ピン), VOUT2 端子(10 ピン)電圧
が出力コンデンサの放電により 0.2 V (標準)以下になると IC はディスチャージ動作を停止します。
さらに EN1, EN2 を双方"L"レベルにすることで VB 端子出力も停止し、UVLO 検出後スタンバイ
状態となります。このときの VCC 端子電流(IVCC)は 10µA(最大)です。
<タイミングチャート>
スタンバイ
CH1 ディスチャージ用 FET オン
CH2 ディスチャージ用 FET オン
(6) 低電圧時誤動作防止機能 (UVLO)
低電圧時誤動作防止機能(UVLO)は、下記理由による IC の誤動作やシステムの破壊/劣化を防止し
ます。
・バイアス電圧(VB)や基準電圧(VREF)の起動時における過渡状態
・瞬時低下
VB 端子(18 ピン)の電圧低下を比較器(UVLO Comp.)で検出し、IC の動作を停止します。VB 端子が
低電圧時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
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CONFIDENTIAL
15
D a t a S h e e t
(7) 過電流制限機能 (ILIM)
出力電流が上昇した際に出力電流を制限し、出力に接続しているデバイスを保護するための機能
です。同期整流側 FET のオン抵抗 RON の起電力からコイル電流 IL を検出し、この電圧と ILIM1 端
子(20 ピン), ILIM2 端子(16 ピン)電圧 VILIM の 1/5 倍の電圧とを ILIM Comp.にて毎周期比較してい
ます。この電圧が過電流制限値を下回るまでメイン側 FET の OFF 状態を保持し、下回った後にメ
イン側 FET のオンを許可します。これによりコイル電流の下限値を制限し、過電流制限を行って
います。この結果、出力電圧が垂下する動作となります。
過電流制限値は ILIM 端子に抵抗を接続することにより設定します。ILIM 端子は 5µA(標準)の定
電流を供給しますが、この電流値は同期側 FET のオン抵抗の温度依存特性を補償するために、
4500 ppm/°C の温度傾斜を持っています。
ILIM 検出値(RON × IL＝
VILIM
)
5
この値になるまでメイン側 FET の OFF
状態を保持
出力電圧設定値
通常動作
16
CONFIDENTIAL
過電流制限動作
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D a t a S h e e t
(8) 過電圧保護機能 (OVP)
出力電圧が上昇した際に、出力電圧を停止して出力に接続しているデバイスを保護するための機
能です。
1. 内部基準電圧 INTREF1, INTREF2 (0.7 V)の 1.15 倍(標準)の電圧と、FB1 端子(4 ピン), FB2 端子
(9 ピン)の帰還電圧を OVP Comp.で比較します。
2. 1. の帰還電圧が 15μs(標準)以上高い状態を検出した場合、下記動作が実行されます。
・ RS ラッチをセット
・ DRVH1 端子(24 ピン), DRVH2 端子(13 ピン)を"L"レベルにセット
・ DRVL1 端子(22 ピン), DRVL2 端子(15 ピン)を"H"レベルにセット
以上により、DC/DC コンバータ両チャネルのメイン側 FET をオフ状態, 同期整流側 FET をオン状
態に固定し、スイッチングを停止(ラッチ停止)。
EN1 端子(2 ピン), EN2 端子(11 ピン)双方を"L"レベルにするか、バイアス電圧(VB)が UVLO の VTHL
以下となるまでいったん VCC 電源を低下することにより、過電圧保護状態を解除します。
<タイミングチャート>
出力電圧設定値
INTREF × 1.15
INTREF × 1.10
出力電圧設定値
スタンバイ
15 µs 未満
EN＝"L"による過電圧保護解除
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CONFIDENTIAL
17
D a t a S h e e t
(9) 低電圧保護機能 (UVP)
出力電圧が低下した際に、出力電圧を停止して出力に接続しているデバイスを保護するための機
能です。
1. 内部基準電圧 REF1, REF2 (0.7 V)の 0.7 倍(標準)の電圧と、FB1 端子(4 ピン), FB2 端子(9 ピン)
の帰還電圧を UVP Comp.で比較します。
2. 1.の帰還電圧が 150 µs (標準)以上低い状態を検出した場合、下記動作が実行されます。
・ RS ラッチをセット
・ DRVH1 端子(24 ピン), DRVH2 端子(13 ピン)を"L"レベルにセット
・ DRVL1 端子(22 ピン), DRVL2 端子(15 ピン)を"L"レベルにセット
以上により、DC/DC コンバータ両チャネルのメイン側 FET をオフ状態, 同期整流側 FET をオフ状
態に固定し、スイッチングを停止(ラッチ停止)。このときディスチャージ動作も同時に行い、出力
コンデンサを放電します(低電圧保護状態を解除するまでディスチャージ動作は継続します)。
EN1 端子(2 ピン), EN2 端子(11 ピン)双方を"L"レベルにするか、バイアス電圧(VB)が UVLO の VTHL
以下となるまでいったん VCC 電源を低下することにより、低電圧保護状態を解除します。
<タイミングチャート>
出力電圧設定値
INTREF × 0.8
INTREF × 0.7
出力電圧設定値
スタンバイ
150 µs 未満
18
CONFIDENTIAL
EN＝"L"による低電圧保護解除
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D a t a S h e e t
(10) 過熱保護機能 (OTP)
過熱保護部(OTP)は IC を熱破壊から保護するための機能です。接合部温度が＋150°C に達すると
DRVH1 端子(24 ピン), DRVH2 端子(13 ピン)を"L"レベルに、DRVL1 端子(22 ピン), DRVL2 端子(15
ピン)を"L"レベルにします。DC/DC コンバータ両チャネルのメイン側 FET をオフ状態, 同期整流
側 FET をオフ状態に固定し、スイッチングを停止します。このときディスチャージ動作も同時に
行い、出力コンデンサを放電します(過熱保護状態を解除するまでディスチャージ動作は継続しま
す)。接合部温度が＋125°C まで下がると再びソフトスタートを開始します(自動復帰) 。
(11) 動作モード
PWM 固定モードでは、負荷によらず FREQ 端子にて設定したスイッチング周波数で動作します。
PFM/PWM 自動切換えモードでは、軽負荷時にスイッチング周波数を低下し変換効率特性を向上
します。同期整流側 FET オン時に同期整流側 FET オン抵抗の起電力からコイル電流を監視し、コ
イル電流＝0 A で同期整流側 FET をオフします(休止期間)。出力電圧が低下するまでこの休止期間
は継続し、結果、コイル電流の臨界電流以下では負荷電流に応じスイッチング周波数を自動で低
下します。また、臨界電流以上では FREQ 端子にて設定したスイッチング周波数で動作します。
PAF 機能付き PFM/PWM 自動切換えモードでは軽負荷でのスイッチング周波数を 30 kHz (最小)以
上に保持します。
MODE 端子(17 ピン)を GND 接続, OPEN, VB 接続のいずれかに設定することでモードを切換え可
能です。
・PWM 固定モード
インダクタ電流の逆流あり
・PFM/PWM 自動切換えモード
スイッチング周波数が低減
X: 各チャネル番号
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CONFIDENTIAL
19
D a t a S h e e t
・イネーブル機能表
EN1 端子
EN2 端子
DC/DC コンバータ(CH1)
DC/DC コンバータ(CH2)
L
H
L
H
L
L
H
H
OFF
ON
OFF
ON
OFF
OFF
ON
ON
・ DC/DC 制御モード機能表
MODE 端子
DC/DC 制御
GND 接続
PFM/PWM 自動切換えモード
OPEN
PAF 機能付き PFM/PWM 自動切換えモード
VB 接続
PWM 固定モード
・スイッチング周波数制御機能表
FREQ 端子
スイッチング周波数
GND 接続
fOSC1≒230 kHz, fOSC2≒310 kHz
OPEN
fOSC1≒460 kHz, fOSC2≒620 kHz
VB 接続
fOSC1≒750 kHz, fOSC2≒1000 kHz
・保護機能一覧表
各保護機能が働いた場合の VB 端子(18 ピン), DRVH1 端子(24 ピン), DRVH2 端子(13 ピン), DRVL1
端子(22 ピン), DRVL2 端子(15 ピン)の状態を下記に示します。
検出時の各端子出力
保護機能
検出条件
低電圧誤動作防止
(UVLO)
DC/DC 出力状態
VB
DRVH1,
DRVH2
DRVL1,
DRVL2
VB < 4.0 V
―
L
L
過電流制限
(ILIM)
VPGND - VLX1, VLX2 ＞
VILIM1, VILIM2
5.2 V
過電圧保護
(OVP)
VFB1, VFB2 ＞
INTREF1, INTREF2×1.15
(15 µs 以上)
5.2 V
L
H
0 V クランプ
低電圧保護
(UVP)
VFB1, VFB2 ＞
INTREF1, INTREF2×0.7
(150 µs 以上)
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能
による放電
Tj＞＋150°C
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能
による放電
EN1, EN2：H→L
(VOUT1, VOUT2＞0.2 V)
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能
による放電
過熱保護
(OTP)
イネーブル
(EN)
20
CONFIDENTIAL
自然放電
Switching Switching 定電流で垂下
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D a t a S h e e t
 入出力端子等価回路図
FB1, FB2 端子
EN1, EN2 端子
ESD 保護素子
ESD 保護素子
FREQ 端子
MODE 端子
ILIM1, ILIM2 端子
VOUT1, VOUT2 端子
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
21
D a t a S h e e t
CS 端子
DRVL1, DRVL2 端子
DRVH1, DRVH2, BST1, BST2, LX1, LX2 端子
VB 端子
VCC 端子
22
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
 応用回路例
VIN
VCC
VIN
R1-2 R1-1
C7
3 VOUT1
PGND
VB 18
C8
FB1
R2
4
12 V
19
4
R5
3
1.0 V, 7 A
L1
VOUT1
2
+
PGND
C2-3
DRVL1 22
Q1 7 8
C2-1
17 MODE
C14
LX1 23
R23
C12
20 ILIM1
Q1 5 6
C1-1
DRVH1 24
C1-2
EN1
5 CS1
C5
2
EN1
VIN
BST1 1
1
7 FREQ
MB39A214A
R3-2 R3-1
10 VOUT2
VIN
BST2 12
3
C3-2
4
C3-1
Q3 5 6
C6
DRVH2 13
R4
9 FB2
1.8 V, 7 A
L2
VOUT2
2
PGND
6
1
C4-3
PGND
21
GND
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
DRVL2 15
ILIM2
R6
C13
16
+
C4-1
8 CS2
Q3 7 8
R24
11 EN2
EN2
C15
LX2 14
23
D a t a S h e e t
 部品表
記号
項目
条件
ベンダ
パッケージ
型格
備考
Q1
N-ch FET
VDS＝30 V, ID＝6.3 A, 8.6 A,
RON＝23 mΩ, 13 mΩ
FAIRCHILD
SOP8
FDS6982AS
DualType
(2elements)
Q3
N-ch FET
VDS＝30 V, ID＝6.3 A, 8.6 A,
RON＝23 mΩ, 13 mΩ
FAIRCHILD
SOP8
FDS6982AS
DualType
(2elements)
L1
インダクタ
1 µH (18 A)
NEC TOKIN
―
MPC1055L1R0
L2
インダクタ
1.5 µH (12.4 A)
NEC TOKIN
―
MPLC1040L1R5
C1-1
セラミック
コンデンサ
10 µF (25 V)
MURATA
3216
GRM31CB31E106K
C1-2
セラミック
コンデンサ
10 µF (25 V)
MURATA
3216
GRM31CB31E106K
C2-1
POSCAP
220 µF (2 V)
SANYO
D case
2TPLF220M6
C2-3
セラミック
コンデンサ
1000 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H102K
C3-1
セラミック
コンデンサ
10 µF (25 V)
MURATA
3216
GRM31CB31E106K
C3-2
セラミック
コンデンサ
10 µF (25 V)
MURATA
3216
GRM31CB31E106K
C4-1
POSCAP
150 µF (6.3 V)
SANYO
D case
6TPL150MU
C4-3
セラミック
コンデンサ
1000 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H102K
C5
セラミック
コンデンサ
0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C6
セラミック
コンデンサ
0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C7
セラミック
コンデンサ
0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C8
セラミック
コンデンサ
4.7µF (16 V)
TDK
1608
C1608JB1C475K
C12
セラミック
コンデンサ
3300 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H332K
C13
セラミック
コンデンサ
3300 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H332K
C14
セラミック
コンデンサ
1500 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H152K
C15
セラミック
コンデンサ
1500 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H152K
R1-1
抵抗
1.5 kΩ
SSM
1608
RR0816P152D
R1-2
抵抗
27 kΩ
SSM
1608
RR0816P273D
R2
抵抗
68 kΩ
SSM
1608
RR0816P683D
R3-1
抵抗
4.3 kΩ
SSM
1608
RR0816P432D
R3-2
抵抗
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
R4
抵抗
39 kΩ
SSM
1608
RR0816P393D
R5
抵抗
150 kΩ
SSM
1608
RR0816P154D
R6
抵抗
150 kΩ
SSM
1608
RR0816P154D
R23
抵抗
1.8 Ω
KOA
1608
RK73H1JTTD1R8F
R24
抵抗
1Ω
KOA
1608
RK73H1JTTD1R0F
24
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
FAIRCHILD
SANYO
NEC TOKIN
TDK
MURATA
SSM
：Fairchild Semiconductor Corporation
：三洋電機株式会社/パナソニック株式会社
：NEC トーキン株式会社
：TDK 株式会社
：株式会社村田製作所
：進工業株式会社
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
25
D a t a S h e e t
 アプリケーションノート
1. 動作条件の設定について
出力電圧設定について
出力電圧設定抵抗比を調整することで設定可能です。出力設定電圧は下記の式から算出します。
VOUTx ＝
R1＋R2
R2
×(0.6946＋0.2667×ΔIL×(1－
ΔVOUTx ＝ESR×ΔIL, ΔIL＝
VIN－VOUT
L
VOUTx
：出力設定電圧[V]
VIN
：電源電圧[V]
×
2.8×10-7
VOUT
VIN×fOSC
tOFF
, tOFF
)×RON_Sync)＋
＝
ΔVOUTx
2
(VIN－VOUTx)
VIN×fOSC
ΔVOUTX ：出力リップル電圧値[V]
tOFF
：オフ時間[s]
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
ESR
：出力コンデンサの直列抵抗成分[Ω]
L
：コイルのインダクタ値[H]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
VOUTX
VOUTx
R1
FBX
R2
x:各チャネル No.
出力設定抵抗の合計抵抗値(R1+R2)は 100 kΩ を上限に選定してください。
26
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D a t a S h e e t
最低電源電圧について
「IC が固定値として持つ最小オフ時間(tOFFMIN)」と「電源電圧値・出力電圧設定値によって決まる
オン時間(tON)」で、最大オンデューティが制限されます。出力電圧と電源電圧の比はこの最大オ
ンデューティ以下とする必要があります。出力電圧を維持するために最低必要な電源電圧値は以
下の式から算出します。
(VOUT＋IOUT_MAX×(RDC＋RON_Main))×VOUT
VIN_MIN ＝
VOUT－(VOUT＋IOUT_MAX×(RDC＋RON_Sync))×tOFF_MIN×fOSC×1.2
VIN_MIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
IOUT_MAX ：最大負荷電流値[A]
RON_Main
：メイン側 FET オン抵抗[Ω]
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
RDC
：コイルの直流抵抗[Ω]
fOSC
：スイッチング周波数設定値[Hz]
tOFF_MIN
：最小オフ時間(最大値)[s]
(「電気的特性」内の「ON/OFF 時間」-「最小オフ時間」を参照してくださ
い。)
より低い電源電圧で電圧出力を可能にするには、より小さなスイッチング周波数設定としてくだ
さい。
Slope 電圧について
安定したスイッチング周期とするために 15 mV 以上の Slope 電圧を確保してください。
Slope 電圧は以下の式より算出します。
VSlope ＝
(VIN－VOUT)×VOUT×RON_Sync
L×VIN×fOSC
VSlope
：スロープ電圧[V]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
RON_Sync
：同期側 FET のオン抵抗[Ω]
L
：コイルのインダクタ値[H]
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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D a t a S h e e t
ソフトスタート時間設定方法
ソフトスタート時間は以下の式から算出します。
ts ＝7×105×CCS
ts
：ソフトスタート時間[s](出力 100%になるまでの時間)
CCS
：CS 端子コンデンサの容量値[F]
ソフトスタート開始までの遅延時間は下記の式から算出します。
td ＝43×CVB
td
：VB 電圧遅延時間(VIN＝12 V 時) [s]
CVB ：VB 端子コンデンサの容量値[F]
片側チャネル起動済みの状態 (UVLO 解除：VB 既出力)で、起動した場合は遅延時間はほとんど発
生しません。
28
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D a t a S h e e t
スイッチング周波数の設定
FREQ 端子にて設定します。設定方法はスイッチング周波数制御機能表を参照してください。
過電流制限の設定
過電流制限値は ILIM 端子に接続する過電流制限設定抵抗を調整することで設定可能です。
抵抗値は下記の式から算出します。
RLIM ＝ 106×RON_Sync×(ILIM－
ΔIL
2
)
RLIM
：過電流制限値設定抵抗[Ω]
ILIM
：過電流制限値[A]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
ILIM
RLIM
コイル電流
過電流制限値
ΔIL
時間
過電流によるコイルのインダクタンス値低下が著しい場合、コイルのリップル電流が増大し、
電流制限値が上昇、もしくは制限されないことがあります。この場合は直流電流重畳特性に余裕
のあるコイルへ変更してください。
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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29
D a t a S h e e t
過電流制限値は同期整流側 FET のオン抵抗やコイルのインダクタンス値以外に、IC の「ILIM 端
子ソース電流」や「過電流検出オフセット電圧」によってもばらつきます。IC のばらつき起因に
よる過電流制限低下値は下記の式から算出します。
ΔILIM ＝
2×10-7×RLIM＋0.03
RON_Sync
ΔILIM
：過電流制限低下値 [A]
RLIM
：過電流制限値設定抵抗[Ω]
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
コイル電流
過電流制限値
ΔILIM
IC ばらつきにより低下した過電流制限値
時間
過電流検出値は最大負荷電流に対し十分なマージンを設けてください。
30
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D a t a S h e e t
許容損失・熱設計について
高電源電圧, 高スイッチング周波数, 高負荷, 高温での使用では IC の損失が増大します。IC 内部
損失は下記の式から算出します。
PIC ＝VCC×(ICC＋QG_Total1×fOSC1＋QG_Total2×fOSC2)
PIC
：IC 内部損失[W]
VCC
：電源電圧(VIN) [V]
ICC
：電源電流[A] (2 mA Max)
QG_Total1 ：CH1 メイン側, 同期整流側 FET の総電荷量合計値[C]
QG_Total2 ：CH2 メイン側, 同期整流側 FET の総電荷量合計値[C]
fOSC1
：CH1 スイッチング周波数[Hz]
fOSC2
：CH2 スイッチング周波数[Hz]
ジャンクション温度(Tj)は下記の式から算出します。
Tj ＝Ta＋Өja×PIC
Tj
：ジャンクション温度[°C] (＋125°C Max)
Ta
：周囲温度[°C]
Өja ：TSSOP-24P パッケージ熱抵抗(＋78°C/W)
PIC
：IC 内部損失[W]
単チャネル使用時の端子処理
本デバイスは 2chDC/DC コンバータ制御 IC ですが、未使用チャネルの端子に対し以下の処理を行
うことで 1chDC/DC コンバータとしても使用可能です。
VOUTx
FBx
CSx
ILIMx
ENx
LXx
BSTx
“開放”
DRVHx
“開放”
DRVLx
“開放”
x: 未使用チャネルNo.
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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31
D a t a S h e e t
2. 部品の選定
平滑コイルの選択
コイルのインダクタンス値は、目安としてコイルのリップル電流ピークピーク値が最大負荷電流
の 50%以下となるような値を目安に選択します。この場合のインダクタンス値は下記の式から算
出します。
L ≧
VIN －VOUT
×
LOR×IOUT_MAX
L
VOUT
VIN×fOSC
：コイルのインダクタンス値[H]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
LOR
：コイルのリップル電流ピークピーク値/最大負荷電流比 (= 0.5)
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
コイルに流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにコイルに流れる最大電流値を求める
必要があります。コイルの最大電流値は下記の式から算出します。
ILMAX ≧ IOUT_MAX＋
ILMAX
ΔIL
2
：コイルの最大電流値[A]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
L
：コイルのインダクタ値[H]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
コイル電流
ΔIL
時間
32
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D a t a S h e e t
スイッチング FET の選択
メイン側 FET は以下「メイン側 FET 導通損失」と「メイン側 FET スイッチング損失」が同等の値
になるような特性のものを選択すると、損失低減に効果的です。
以下のメイン側 FET 損失が定格値以内であることを確認してください。
PMainFET ＝ PRON_Main＋PSW_Main
PMainFET
：メイン側 FET 損失[W]
PRON_Main ：メイン側 FET 導通損失[W]
PSW_Main
：メイン側 FET スイッチング損失[W]
メイン側 FET 導通損失は以下のとおりです。
PRON_Main ＝ IOUT_MAX2×
VOUT
VIN
×RON_Main
PRON_Main ：メイン側 FET 導通損失[W]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力電圧[V]
RON_Main ：メイン側 FET オン抵抗[Ω]
メイン側 FET スイッチング損失は以下の式により概算できます。
PSW_Main ≒ 1.56×VIN×fOSC×IOUT_MAX×QSW
PSW_Main ：スイッチング損失[W]
VIN
：電源電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
QSW
：メイン側 FET ゲートスイッチ電荷量[C]
MOSFET は低駆動電圧品ほどゲート電荷量(QG)が大きくゲート駆動損失が増加する傾向がありま
す。そのため通常 4 V 駆動品を推奨しますが、PFM/PWM 自動切換えモードでは、軽負荷時の休
止期間(メイン側 FET, 同期整流側 FET ともにオフの期間)が長くなりメイン側 FET のゲート駆動
電圧が低下することがあります。無負荷時にもっとも低下しますが、このときのブースト電圧
(BST-LX 端子間電圧)がメイン側 FET のゲートしきい値電圧に対し十分大きい値であることを確認
してください。
不足する場合は「ブーストダイオードの追加」
「ブーストコンデンサの容量値増加」
「メイン側
FET に 2.5 V(もしくは 1.8 V)駆動品を選択」などを検討してください。
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
33
D a t a S h e e t
同期整流側 FET のオン抵抗は、以下の範囲のものを選定してください。
0.2
RON_Sync ≦
(ILIM－
ΔIL
2
, RON_Sync ≦
)
0.1
ΔIL
, RON_Sync ≧
0.015
ΔIL
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
ILIM
：過電流検出値[A]
上記式を満たした上で極力オン抵抗の低いものを同期整流側 FET に使用することが、損失低減に
効果的です。特に低オンデューティ時に効果的です。同期整流側 FET の損失は下記の式から算出
します。
PSyncFET ＝ PRON_Sync＝IOUT_MAX2×(1－
PSyncFET
VOUT
)×RON_Sync
VIN
：同期整流側 FET 損失[W]
PRON_Sync ：同期整流側 FET 導通損失[W]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力電圧[V]
RON_Sync
：同期整流側 FET オン抵抗[Ω]
同期整流側 FET のターンオン, ターンオフ電圧は一般的に小さく、スイッチング損失は無視でき
るほど小さなものであるため、ここでは省略しています。
特に高電源電圧条件にてメイン側 FET のターンオン時に同期整流側 FET のセルフターンオンによ
る貫通電流が発生することがあります。同期整流側 FET の寄生容量値が以下の条件を満たす必要
があります。
VTH_Sync ＞
Crss
×VIN
Ciss
VTH_Sync
：同期整流側 FET のスレッショルド電圧[V]
Crss
：同期整流側 FET の寄生帰還容量[F]
Ciss
：同期整流側 FET の寄生入力容量[F]
VIN
：電源電圧[V]
また、
「同期整流側 FET のゲートソース端子間直近に容量を追加」や「BST 端子-ブースト容量間
に抵抗を追加する」
などの方法が同期整流側 FET のセルフターンオンの対策として有効です(
「BST
端子-ブースト容量間に抵抗を追加する」はメイン側 FET のターンオン時間調整にも有効です)。
本デバイスはスイッチング FET のゲート電圧を監視しデッドタイムを最適化しています。スイッ
チング FET のターンオン, ターンオフの時間を調整するために、DRVH, DRVL とスイッチング FET
のゲートの間にダンピング抵抗を挿入すると、この機能が正常に機能しない可能性があります。
本デバイスでは IC の DRVH 端子, DRVL 端子とスイッチング FET ゲートの間に抵抗は接続せず、
極力低インピーダンスで接続してください。
34
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
スイッチング FET のゲート駆動電力は IC 内部の LDO(VB)から供給します。2CH 分すべてのスイ
ッチング FET の総電荷量(QG_Total1, QG_Total2)が下記の式を満たすよう選定してください。
IVB_MAX ＞ QG_Total1×fOSC1＋QG_Total2×fOSC2
IVB_MAX
：VB 負荷電流上限値(下記グラフ参照)[A]
QG_Total1
：CH1 メイン側, 同期整流側 FET の総電荷量合計値[C]
QG_Total2
：CH2 メイン側, 同期整流側 FET の総電荷量合計値[C]
fOSC1
：CH1 スイッチング周波数[Hz]
fOSC2
：CH2 スイッチング周波数[Hz]
0.08
VB 負荷電流上限値 [A]
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
VIN [V]
メイン側 FET 総電荷量上限 QG_MAX [nC]
さらにメイン側 FET の総電荷量については、以下のグラフで示すメイン側 FET 総電荷量上限値を
超えないことを目安に選定してください。
35
上段から
FREQ=GND:CH1
FREQ=GND:CH2
FREQ=OPEN:CH1
FREQ=OPEN:CH2
FREQ=VB:CH1
FREQ=VB:CH2
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
電源電圧 VIN [V]
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
35
D a t a S h e e t
スイッチング FET に流れる平均電流値からスイッチング FET に流れる電流が定格値以内であるか
を判断します。スイッチング FET の各定格値は簡易的に下記の式から算出します。
ID_Main ＞ IOUT_MAX×D
ID_Sync ＞ IOUT_MAX×(1－D)
ID_Main
：メイン側 FET ドレイン電流[A]
ID_Sync
：同期整流側 FET ドレイン電流[A]
IOUT_MAX ：最大負荷電流[A]
：オンデューティ
D
VDSS ＞ VIN
VDSS
：メイン側 FET,同期側 FET ドレイン-ソース間電圧[V]
VIN
：電源電圧[V]
フライバックダイオードの選択
通常は不要ですが、変換効率改善、もしくは同期整流側 FET の発熱を抑えたい場合にフライバッ
クダイオードを追加することで改善が可能です。スイッチング周波数が高い時や出力電圧が低い
使用条件ほど効果が得られます。極力順方向電流の小さなショットキーバリアダイオード(SBD)
を選定してください。本 DC/DC 制御 IC は同期整流方式を採用しているためフライバックダイオ
ードに電流が流れる時間はデッドタイム期間に限られます(デッドタイムについては「電気的特性」
の「出力部」を参照してください)。フライバックダイオードの各定格は下記の式から算出します。
ID ≧ IOUT_MAX×fOSC×(tD1＋tD2)
ID
：SBD の順方向電流定格[A]
IOUT_MAX
：最大負荷電流[A]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
tD1, tD2
：デッドタイム[s]
IFSM ≧ IOUT_MAX＋
ΔIL
2
IFSM
：SBD のせん頭順サージ電流定格[A]
IOUT_MAX
：最大負荷電流[A]
ΔIL
：インダクタのリップル電流ピークピーク値[A]
VR_Fly ＞ VIN
36
CONFIDENTIAL
VR_Fly
：フライバックダイオードの直流逆方向電圧[V]
VIN
：電源電圧[V]
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
入力コンデンサの選択
入力コンデンサは極力 ESR が小さいものを選定してください。セラミックコンデンサが理想です。
セラミックコンデンサでは対応できない大容量コンデンサの採用が必要な場合は ESR の低い高分
子コンデンサやタンタルコンデンサを使用してください。
電源電圧には DC/DC のスイッチング動作によるリップル電圧が発生します。許容可能なリップル
電圧により入力コンデンサの下限値を検討してください。電源のリップル電圧は簡易的に下記の
式から算出します。
ΔVIN ＝
IOUT_MAX
CIN
×
VOUT
VIN ×fOSC
＋ESR×(IOUT_MAX＋
ΔIL
2
)
ΔVIN
：電源リップル電圧ピークピーク値[V]
IOUT_MAX
：負荷電流最大値[A]
CIN
：入力コンデンサの容量値[F]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
ESR
：入力コンデンサの直列抵抗成分[Ω]
ΔIL
：インダクタのリップル電流ピークピーク値[A]
コンデンサは周波数特性, 温度特性, バイアス電圧特性などを有しており、使用条件により実効値
が極端に小さくなることがあります。使用条件での実効値にご注意ください。
入力コンデンサの各定格は下記の式から算出します。
VCIN ＞VIN
VCIN ：入力コンデンサ耐圧[V]
VIN
：電源電圧[V]
Irms ≧IOMAX×
VOUT×(VIN－VOUT)
VIN
Irms
：入力コンデンサ許容リップル電流(実効値)[A]
IOMAX ：負荷電流最大値[A]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
37
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出力コンデンサの選択
本 IC が安定動作するために、ある程度の ESR が必要となります。出力コンデンサにはタンタル
コンデンサや高分子キャパシタを使用してください。セラミックコンデンサのような低 ESR のも
のを使用するには直列に抵抗を接続し等価的に ESR を増やすことで対応可能です。
出力コンデンサの容量値は以下の条件を目安に選定してください。
COUT ≧
1
4×fOSC×ESR
COUT
：出力コンデンサの容量値[F]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
ESR
：出力コンデンサの直列抵抗成分[Ω]
また、許容オーバシュート/アンダシュート量からも出力コンデンサの容量値を算出します。下記
の式は負荷急変の遷移時間が 0s 時のワースト条件となります。遷移時間が長い場合は算出値より
小さな容量の出力コンデンサで対応可能です。
COUT ≧
COUT ≧
ΔIOUT2×L
2×VOUT×ΔVOUT_OVER
・・・オーバシュート条件
ΔIOUT2×L×(VOUT＋VIN×fOSC×tOFF_MIN)
2×VOUT×ΔVOUT_UNDER×(VIN－VOUT－VIN×fOSC×tOFF_MIN)
COUT
・・・アンダシュート条件
：出力コンデンサの容量値[F]
ΔVOUT_OVER ：出力電圧許容オーバシュート量[V]
ΔVOUT_UNDER ：出力電圧許容アンダシュート量[V]
：負荷急変電流差[A]
ΔIOUT
L
：コイルのインダクタ値[H]
VIN
：電源電圧[V]
VOUT
：出力設定電圧[V]
fOSC
：スイッチング周波数[Hz]
tOFF_MIN
：最小オフ時間
急に無負荷になると出力電圧がオーバシュートしますが、PWM 固定以外でのモードでは電流シン
クを行いません。結果、出力電圧の低下に時間を要することがあります。これにより過電圧検出
による停止となることがありますので、PWM 固定以外でのモードではオーバシュート量が過電圧
検出電圧以下(出力設定電圧の 115%以下)となるよう、容量値を選択してください。
コンデンサは周波数, 使用温度, バイアス電圧特性などを有しており、使用条件により実効容量値
が極端に小さくなることがあります。ご注意ください。
出力コンデンサの各定格は下記の式から算出します。
VCOUT ＞ VOUT
38
CONFIDENTIAL
VCOUT
：出力コンデンサ耐圧[V]
VOUT
：出力電圧[V]
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
IRMS ≧
ΔIL
2 3
IRMS
：出力コンデンサ許容リップル電流(実効値)[A]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
セラミックコンデンサ使用時に直列に抵抗を接続する場合は、抵抗の定格を以下の式から算出し
ます。
PESR ＞
ESR×ΔIL2
12
PESR
：抵抗の許容損失[W]
ESR
：抵抗値[Ω]
ΔIL
：コイルのリップル電流ピークピーク値[A]
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
39
D a t a S h e e t
ブーストコンデンサの選択
メイン側 FET のゲートを駆動するためにはブーストコンデンサに十分な電荷が蓄えられている必
要があります。0.1µF を標準としていますが、メイン側 FET の QG が大きい場合には調整が必要で
す。以下の式で算出した容量値をブーストコンデンサの最低値とし、選定してください。
CBST ≧ 10×QG
CBST ：ブーストコンデンサの容量値[F]
QG
：メイン側 FET のゲート総電荷量[C]
ブーストコンデンサの定格は下記の式から算出します。
VCBST ＞VB
VCBST ：ブーストコンデンサ耐圧[V]
VB
：VB 電圧[V]
VB 端子のコンデンサ
4.7µF を標準としていますが、使用するスイッチング FET の QG が大きい場合に調整が必要です。
スイッチング FET のゲート駆動によるリップル電圧を抑えるため、以下の式で算出した容量値を
VB コンデンサの最低値とし、選定してください。
CVB ≧ 50×QG
CVB
：VB 端子コンデンサの容量値[F]
QG
：2CH 分のメイン側 FET,同期整流側スイッチング FET のゲート電荷量の合計[C]
VB 端子コンデンサの定格は下記の式から算出します。
VCVB ＞ VB
VCVB ：VB 端子コンデンサ耐圧[V]
VB
40
CONFIDENTIAL
：VB 電圧[V]
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
基板レイアウトの注意点
下記点に配慮しレイアウト設計を行ってください。
・ IC 搭載面には極力 GND プレーンを設けてください。スイッチング部品の GND 端子, VCC およ
び VB に接続するバイパスコンデンサ, IC の PGND 端子をスイッチング GND (PGND)へ、その
他の GND 接続端子は制御 GND (AGND)へ接続し、各 GND を分離し、制御 GND (AGND)には
大電流のパスが通らないよう極力努めてください。その際、制御 GND (AGND)とスイッチング
部品 GND (PGND)は IC 直下の GND プレーンで 1 点接続してください。スイッチング部品は入
力コンデンサ(CIN),スイッチング FET,フライバックダイオード(SBD),コイル(L),出力コンデンサ
(COUT)をさします。
・スイッチング部品の接続は極力表層で行い、スルーホールを介しての接続を極力避けてください。
・スイッチング部品の GND 端子は直近にスルーホールを設け内層の GND へ接続してください。
・入力コンデンサ(CIN),スイッチング FET,フライバックダイオード(SBD)で構成されるループには
最も気を使い電流ループが極力小さくなるよう、これらの部品どうしを近くに配置して配慮し
てください。
・ブーストコンデンサ(CBST1, CBST2)は極力 IC の BSTx, LXx 端子直近に配置してください。
・ LX 端子への配線は同期側 FET のドレイン端子直近から接続してください。またこのネットは
瞬間的に大きな電流が流れます。0.8 mm 程度の配線幅を目安とし、
極力短く配線してください。
・スイッチング FET のゲートへ接続する DRVHx, DRVLx 端子のネットは瞬間的に大きな電流が流
れます。0.8 mm 程度の配線幅を目安とし、極力短く配線してください。DRVLx 端子の配線は特
に注意し、短く配線してください。
・ VCC,VB に接続するバイパスコンデンサ(CVCC, CVB)は極力 IC の端子に近づけて配置してください。
またバイパスコンデンサの GND 端子は直近にスルーホールにて内層の GND へ接続してください。
・ IC の VOUTx 端子に接続するフィードバック線は、極力出力コンデンサ端子直近から個別で引
き出してください。
VOUTx, FBx 端子に接続する配線はノイズに敏感です。この配線はスイッチング部品から極力遠
ざけるよう配慮願います。
また、この配線に接続する出力電圧設定抵抗は極力 IC の近くに配置し、FBx 端子の配線が極力
短くなるよう努め、また、搭載箇所直下の内層はリップル, スパイクノイズの少ない制御 GND
(AGND)もしくは電源のプレーンを極力設けてください。
DC/DC 動作停止時に VOUTx 端子には瞬間的にディスチャージ電流が流れる(VOUT＝5 V 時
200 mA 程度)ことを考慮し、フィードバック線の幅を確保してください。
コイル周辺またはコイル搭載箇所背面には漏れ磁束があります。ノイズに敏感な配線, 部品はコ
イル(またはコイル搭載場所背面)から離して配置, 配線を行ってください。
IC 周辺配置例
スイッチング系部品配置例
メイン側 FET
メイン側 FET
スルーホール
同期整流側
FET
LX1 端子へ
同期整流側
FET
LX2 端子へ
出力電圧設定
抵抗配置
IC 直下で AGND と PGND を接続
表層
内層
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
出力電圧 VOUT1
フィードバック
出力電圧 VOUT2
フィードバック
41
D a t a S h e e t
 参考データ
変換効率-負荷電流
90
90
80
80
70
70
60
50
VIN = 12V
VOUT1 = 1.0V
FREQ = Open
40
30
60
50
PFM
PAF
PWM
20
10
0
0.001
(%)
100
変換効率 η
変換効率 η (%)
変換効率-負荷電流
100
0.01
0.1
1
VIN = 12V
VOUT2 = 1.8V
FREQ = Open
40
30
PFM
20
PAF
10
PWM
0
0.001
10
0.01
負荷電流 IOUT1(A)
スイッチング周波数-負荷電流
スイッチング周波数-負荷電流
スイッチング周波数 fosc2 (kHz)
スイッチング周波数 fosc1 (kHz)
1.E+6
1.E+5
VIN = 12V
VOUT1 = 1.0V
FREQ = Open
1.E+4
PFM
PAF
PWM
1.E+3
0.01
0.1
1
1.E+4
PFM
PAF
PWM
10
0.01
0.1
1
負荷電流 IOUT1(A)
負荷電流 IOUT2 (A)
出力電圧-負荷電流
10
1.89
1.87
VIN = 12V
FREQ = Open
1.03
VIN = 12V
FREQ = Open
1.85
1.84
出力電圧 VOUT2 (V)
1.02
出力電圧 VOUT1 (V)
VIN = 12V
VOUT2 = 1.8V
FREQ = Open
出力電圧-負荷電流
1.04
1.01
1.00
0.99
0.98
PFM
PAF
PWM
0.97
0.96
0.01
0.1
負荷電流 IOUT1 (A)
CONFIDENTIAL
1.E+5
1.E+3
0.001
1.05
42
10
*: EN1 スタンバイモード
1.E+6
0.95
0.001
1
負荷電流 IOUT2 (A)
*: EN2 スタンバイモード
0.001
0.1
1
10
1.82
1.80
1.78
1.76
PFM
1.75
PAF
1.73
PWM
1.71
0.001
0.01
0.1
1
10
負荷電流 IOUT2 (A)
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
出力リップル波形
PFM/PWM 自動切換えモード
PAF 機能付き PFM/PWM 自動切換えモード
PWM 固定モード
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
43
D a t a S h e e t
スイッチング波形
負荷急変波形
44
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
起動・停止・保護機能動作波形
VIN = 12V
IOUT1=7A(0.14Ω)
IOUT2=7A(0.26Ω)
MODE=GND
FREQ=Open
VIN = 12V
IOUT1=7A(0.14Ω)
IOUT2=7A(0.26Ω)
MODE=GND
FREQ=Open
出力過電流波形
通常動作
過電流保護
低電圧保護
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
45
D a t a S h e e t
 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると
LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3. プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し、設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
・実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
・作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。
・作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ～1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてくださ
い。
5. 負電圧を印加しないでください。
－0.3 V 以下の負電圧を印加した場合、LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあ
ります。
46
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 オーダ型格
型格
パッケージ
MB39A214APFT
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M09)
備考
 評価ボードオーダ型格
型格
EV ボード版数
備考
MB39A214A-EVB-01
MB39A214A-EVB-01 Rev.1.0
TSSOP-24
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
47
D a t a S h e e t
 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Spansion の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭素系
難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を付
加して表します。
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
39A214A
XXXX
E1 XXX
INDEX
48
CONFIDENTIAL
鉛フリー表示
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
JEDEC 規格
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
49
D a t a S h e e t
 MB39A214APFT 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
IR (赤外線リフロー)・温風リフロー
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱～2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)
を実施の上、8 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
保管条件
5°C～30°C, 70％RH 以下 (できるだけ低湿度)
【実装方法の各条件】
(1) IR (赤外線リフロー)
260°C
245°C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
M ランク：250℃ Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d') 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
：平均 1℃/s～4℃/s
：温度 170℃～190℃, 60 s～180 s
：平均 1℃/s～4℃/s
：温度 250℃ Max
245℃ up 10 s 以内
：温度 230℃ up 40 s 以内
or
温度 225℃ up 60 s 以内
or
温度 220℃ up 80 s 以内
：自然空冷または強制空冷
(注意事項) パッケージボディ上面温度を記載
50
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(2) 手半田付け (部分加熱法)
項目
内容
開梱前
製造後 2 年以内
開梱後～実装までの保管期間
製造後 2 年以内
(部分加熱のため、保管期間の
吸湿管理不要)
保管期間
保管条件
5°C～30°C, 70%RH 以下(できるだけ低湿度)
実装条件
コテ先温度: Max. 400°C
時間:5 秒以内/ピン*
＊:パッケージボディにコテ先が触れないこと
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
51
D a t a S h e e t
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.40 mm × 6.50 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.20 mm MAX
質量
0.08 g
(FPT-24P-M09)
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
（FPT-24P-M09）
注 1）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 2）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
注 3）# 印寸法はレジン残りを含まず。
# 6.50 ±0.10(.256 ±.004)
0.145 ±0.045
(.0057 ±.0018)
13
24
BTM E-MARK
# 4.40 ±0.10 6.40 ±0.20
(.173 ±.004)(.252 ±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.10
1.10 –0.15
+.004
.043 –.006
1
12
0.50(.020)
0.20
.008
+0.07
–0.02
+.003
–.001
(Mounting height)
"A"
0.13(.005) M
0~8°
0.60 ±0.15
(.024 ±.006)
0.10 ±0.05
(Stand off)
(.004 ±.002)
0.10(.004)
C
2007-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F24032S-c-2-4
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
52
CONFIDENTIAL
MB39A214A-DS405-00007-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 主な変更内容
ページ
Revision 1.0
Revision 2.0
応用回路例
23
部品表
24, 25
参考データ
42 ~ 45
Revision 2.1
-
場所
-
Initial release
図を変更
・記号 Q1, Q3, R1-1, R3-1, R4 ~ R6 を変更
・記号 C14, C15, R23, R24 を追加
・社名を変更
図を変更
-
January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
CONFIDENTIAL
変更箇所
社名変更および記述フォーマットの変換
53
D a t a S h e e t
 目次
ページ
 概要 ................................................................................................................................... 1
 特長 ................................................................................................................................... 1
 アプリケーション ........................................................................................................... 1
 端子配列図 ....................................................................................................................... 2
 端子機能説明 ................................................................................................................... 3
 ブロックダイヤグラム ................................................................................................... 4
 絶対最大定格 ................................................................................................................... 5
 推奨動作条件 ................................................................................................................... 5
 電気的特性 ....................................................................................................................... 6
 標準特性 ........................................................................................................................... 9
 機能説明 ......................................................................................................................... 12
 入出力端子等価回路図 ................................................................................................. 21
 応用回路例 ..................................................................................................................... 23
 部品表 ............................................................................................................................. 24
 アプリケーションノート............................................................................................. 26
 参考データ ..................................................................................................................... 42
 使用上の注意 ................................................................................................................. 46
 オーダ型格 ..................................................................................................................... 47
 評価ボードオーダ型格 ................................................................................................. 47
 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) ................................................. 48
 製品捺印 (鉛フリーの場合) ........................................................................................ 48
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例) ............................................................................ 49
 MB39A214APFT 推奨実装条件 ................................................................................... 50
 パッケージ・外形寸法図 ............................................................................................. 52
 本版での主な変更内容 ................................................................................................. 53
 目次 ................................................................................................................................. 54
54
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January 31, 2014, MB39A214A-DS405-00007-2v1-J
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D a t a S h e e t
免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用
途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求
され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお
ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2)
極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの
ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、
お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が
発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ
う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を
お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基
づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と
なります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関
する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、
開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ
れるものであり、その正確性, 完全性, 実施可能性および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の
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に対しても責任を一切負いません。
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提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。
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