Powering
Your Innovation
Powering Your Innovation
主要な IP
(Intellectual Property)
高周波での電力変換
インテグレートされた
電源管理システム
インダクタ
コントローラ
磁気工学
特別に設計された即使用
可能なソリューション
完全にシミュレーション、
特性評価、検証済み
システム・レベルで検証済み
電源のパッケージ化と構造
MOSFET x 2
インダクタとキャパシタの
選択作業が不要に
高周波フィルタ・
キャパシタ
Enpirion の利点
システム電源デザインに関する、現在と未来の課題に対応します。
PowerSoC の比較
最高の電力密度と最小の実装面積
PowerSoC - 他のソ
リューションに比べ、
25% ∼ 75% 小さい実
装面積を実現
他のディスクリート・スイッチングレギュレータやモジュールと比べて、
Point-of-load として要求されるプリント基板の面積、および高さのプロファ
イルを大幅に縮小しました。
高い効率と熱のパフォーマンス
最高 96% の効率で最適化されています。高効率デバイスは工業用グレー
ドで、85℃ の周囲温度でも負荷ディレーティングやエアフローは必要あり
ません。
競合他社のモジュール
最少の部品点数と信頼性の向上
PowerSoC は完全な電源システムとして設計され、シミュレーション、特性
評価、製造検査されています。部品点数の削減と、綿密に制御された IC
製造プロセスにより、MTBF が 280,000 year という最高の信頼性が実現さ
れています。
容易な設計と市場投入期間の短縮
競合他社のディスクリート・
レギュレータ
インダクタと補償回路を内蔵した PowerSoC により、即使
用可能なデザインが実現できます。ディスクリート・スイッ
チング・レギュレータと比べて、開発工数を大幅に削減する
PWM
コントローラ
ことができます。
補償回路
完全に検証された電源ソリューション
完全に検証されたプリント基板のレイアウトと技術資料に
より、ほぼ 100% の確率で初回のテストに合格できます。
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
イネーブル
ゲート・
ドライブ
インダクタ
詳細
低放射ノイズ
Enpirion
競合製品
QSPR 22 クラス B 10m
dB (µV/メータ)
レベル (dBµV/m 単位)
CFR 47 パート 15 クラス H 10m
CISPR クラス A 10m
CFR 47 パート 15 クラス B 10m
CISPR クラス B 10m
周波数 (Hz 単位)
周波数 (MHz)
低リップル
高速ダイナミック応答
競合製品
Enpirion
競合製品
Enpirion
5 V 入力
5 V 入力
5 V 入力
5 V 入力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
500 MHz 帯域幅
500 MHz 帯域幅
アプリケーション
装置メーカーは市場からのプレッシャーを受け、フォーム・ファクタを小型化しエネルギー効率の改善を目指しながら、
より多くの特長や機能を追加し、広帯域化を図っています。最新の 28nm および 20nm FPGA、プロセッサ、およびそ
の他の SoC は、より細かく精密な電源管理を導入することで、これらの課題に対応しています。その結果、電源レール
数が増加し、パワーアップ・シーケンス要件が複雑化し、ノイズ許容値が厳しくなっています。アルテラの Enpirion® 電源
ソリューションは、電源デザインに関するこれらの課題を解決し、多くのアプリケーションで幅広く使用されています。
コンピュータ
サーバーのマザーボード
企業向けストレージ
NIC および HBA カード
SATA、SAS、mSATA、
マイクロ・サーバー
ストレージ・システム
RAID コントローラ
ネットワークと通信機器
無線基地局
PCI Express® (PCIe®)
テスト & 計測機器
ネットワーク・アナライザ
( マクロ、ピコ、フェムト )
自動テスト装置 (ATE)
( マイクロウェーブ、有線 )
スコープ、アナライザ、
バックホール
データ収集
メディア・ゲートウェイ
信号ジェネレータ
(ATCA/AMC)
産業用および組み込み
半導体ドライブ (SSD)：
セキュリティ・システム／
デジタル・ビデオ・レコーダ (DVR)
産業用コンピューティング
産業用通信モジュール
光ネットワーク
光モジュール：SFP、XFP、
CXP、CFP
アクティブ光ケーブル
再プログラム可能な Add/
Drop 多重
BMUFSBDPKQFOQJSJPO パッ
ケー
ジ・
サイ
ズ
(ピ
ン
)
0.6−VIN
0.6
2.4−5.5
0.6−VIN
EP5368QI
0.6
EP5388QI
0.8
EP53A8xQI
1
EP53A7xQI
EN6310QI
囲
2.4−5.5
0.6
1
1
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.7−5.5
uQFN16
0.6−VIN
QFN16
0.6−VIN
0.6−VIN
0.6−VIN
0.6−VIN
QFN24
2
2.4−5.5
0.6−VIN
EN5337QI
EN5339QI
EN5365/6QI
EN5367QI
EN5395QI
EN5396QI
3
3
6
6
9
9
6 V 入力製品
EN5311QI
EN5335/6QI
EN6337QI
EN6347QI
EN5364QI
EN6360QI
EN5394QI
EN63A0QI
1
2.4−5.5
9
12 V 入力製品
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
QFN24
4.5−6.6
QFN58
QFN20
EQC1240QI
4
4
0.6−1.2
1−1.8
0.6−1.2
2.9−14
2.9−14
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
NA−NA
NA−NA
28
1.1
21
1.1
5
1.85
6
1.1
21
65
1.1
40
1.1
58
7
1.85
75
12
1.85
229
12
1.85
277
3
6
6
6
5
1.1
1.1
3
1.85
1.1
55
55
55
210
282
36
4
7
1.85
75
QFN68
QFN68
QFN68
4
7
1.85
1.85
8
11
8
11
1.85
8
11
11
3
3
QFN76
10
QFN36
5.5
5.5
0.9
QFN68
8
11
3
QFN68
0.60−3.3
1.1
QFN38
QFN38
0.60−3.3
4.5−14
4
・ ・
157
4.5−14
0.75−5.0
10
21
1.85
QFN68
1−1.8
NA
4
・ ・
10
0.75−5.0
8
NA
4
1.1
14
7.5
8
8
11
11
11
3
QFN16
3.3
3.3
0.9
QFN
8
11
3
QFN24
QFN24
4
4
10
4
4
190
3
3
0.75
0.75
・
・ ・
・ ・
・ ・
・
・
・
・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・ ・
・
・
・
・
・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・
・
・
・
・
・ ・
・
・
・ ・
・ ・
・
・ ・ ・
・
・ ・
・
・ ・
・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・ ・
・ ・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・
・ ・
200
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
235
・ ・
325
・
・ ・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・
・
・ ・ ・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・ ・ ・
・ ・
・
・
・
・ ・ ・ ・
・
・ ・ ・ ・
・
・
・
・
・
・
・ ・ ・
・
・
・
・ ・ ・ ・
・
・
・ ・ ・ ・
200
・ ・
・ ・
・
40
・ ・
・
140
125
・ ・
・
・
・
・ ・
・ ・
・ ・
227
200
12
5.5
195
3
13
QFN54
160
200
10
QFN92
75
3
QFN76
電流検知およびモニタリング製品
EQC1241QI
3
1.1
QFN44
4.5−14
0.5−0.9
EV1380QI
4
3
12
1−1.8
5
3
10
DDR メモリ終端製品
EV1340QI
3
3
QFN58
3
EV1320QI
3
3
2.4−5.5 0.75−VIN
0.60−3.3
15
3
10
4.5−14
EN23F0QI
3
5.5
4.5−14
9
14
QFN54
4
6
1.1
2.5−5.5 0.75−VIN
EN2340QI
EN2390QI
0.6−VIN
2.4−5.5 0.75−3.3
8.0−13
EN2360QI
2.5 2.25
10
4
4
20
QFN58
EC2630QI
EN2342QI
0.9
2.4−5.5 0.75−VIN
2.4−5.5
2.4−6.6 0.6−VIN
12
1.75
2
2.5 2.25
4
4
8
QFN24
H
QFN38
2.4−6.6 0.75−VIN
6
QFN16
W
2.4−5.5 0.75−VIN
3
3
QFN16
QFN24
EN5322QI
2
QFN16
0.6−VIN
0.6−VIN
EN5329QI
QFN16
QFN38
2.4−5.5
2.4−5.5
uQFN16
0.6−3.3
1.5
1.5
uQFN14
0.6−VIN
EP53F8QI
EN5319QI
パッ
ケー
ジ
V in
0.4
EP5357xUI
EP5358xUI
( VD
C)
EP5348QI
Vo
範
C)
( VD
)
t(A
Iou
PN
5 V 入力標準製品
L
(m
ソリ
m)
ュー
ショ
抵
ン
抗デ
・サ
イズ
VID ィバイ
(m
ダ
VO
m2
VO
UT
)
PO
UT
セ
Kフ
ット
セッ
ト
ソフ ラグ
ト・
スタ
高
ート
精度
をプ
イ
ネー
入
ログ
力同
ブル
ラム
クロ 期
可能
ック
並列 出力
機
スイ 能
ッチ
ン
低
負荷 グ周
波
プリ モード 数を
バイ
(AB プロ
グラ
-L
過電 アス
ム可
・ス LM)
圧
保
能
ター
護
過電
トア
流
ップ
保
過
護
熱
保
護
IBC
へ
の
使
VD
用承
DQ
認
トラ
外部
ッキ 済み
リフ
ン
グ
マー
ァ
ジニ レン
ス
ング
・ピ
ン
プロダクト・セレクター・ガイド
・
・
・ ・
・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
EP5368QI 600mA PowerSoC
■仕様：
■特長：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V)
・低リップル (5 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ
・3-PIN VID 出力プログラミング
・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要
・連続出力電流：600 mA
・保護：OCP、熱、UVLO
・外部ディバイダで Comp を変更可能
・抵抗ディバイダ・オプション
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：<24 mm2
表 1 VID 電圧選択設定
VS2
VS1
VS0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
VOUT
3.3V
2.5V
1.8V
1.5V
0
1.25V
0
0.8V
1
1
・VID ピンを動的に変更可能
・イネーブル・ピン
1
1.2V
ユーザーが選択可能
EP5388QI 800mA PowerSoC
■特長：
■仕様：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V)
・低リップル (5 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ
・3-PIN VID 出力プログラミング
・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要
・連続出力電流：800 mA
・保護：OCP、熱、UVLO
・外部ディバイダで Comp を変更可能
・抵抗ディバイダ・オプション
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：<28 mm2
表 1 VID 電圧選択設定
・VID ピンを動的に変更可能
・イネーブル・ピン
VS2
VS1
VS0
0
0
1
2.5V
1
1.5V
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
VOUT
3.3V
1.8V
1.25V
1.2V
0.8V
ユーザーが選択可能
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN6310QI 1A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.7 V ∼ 5.5 V
・VOUT 範囲 :0.6 V ∼ 3.3 V
・連続出力電流：1 A
・動作周波数：2.2 MHz
・4 mm x 5 mm x 1.85 mm QFN
・ソリューション・フットプリント：65 mm2
4 mm x 5 mm x 1.85 mm
・高精度出力：
項目
条件
初期 DC 精度 VIN=5.0 V または 3.3 V；I_Load=100 mA；TA=25 ℃
VIN=3.3 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃
VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-20 ℃ TA +85 ℃
DC 精度
VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃
■特長：
・低 VOUT に最適化
・高い変換効率
・SERDES および IO 用に極めて低いリップル
・クラス最高の過渡応答
・抵抗ディバイダ VOUT プログラミング
・ソフト・スタートをプログラム可能
・シーケンシング用イネーブルおよび POK
・過電流と短絡から保護
・熱保護：140 ℃/30 ℃
・低入力電圧ロックアウト：2.2 V
最小 最大 単位
%
+1
-1
-2 +2.25 %
%
+2
-2
%
+2
-3
EP53F8QI 1.5 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：1500 mA
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：40 mm2
■特長：
・低リップル ( 最小 8 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・3 x 3 x 1.1 mm QFN パッケージ
・高出力密度：275 mW/mm2
・エラー・モニタリング用 POK フラグ
・保護：OCP、熱、UVLO
・イネーブル・ピン
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
EN6337QI 3 A 高効率 PowerSoC
4 mm x 7 mm x 1.85 mm
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
■仕様：
・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：3 A
・静止電流 (LLM)：650 uA
・ソリューション・フットプリント：
・上面最大面積：75 mm2
・裏面最大面積：50 mm2
■特長：
・IBC と 互換
・ピーク効率：95 %
・過電流保護：4.5 A (Typ)
・低入電圧ロックアウト：2.2 V
・バイアス低負荷モード (LLM)
・ソフト・スタートをプログラム可能
・カスタマイズ可能な制御ループ
・EN6347QI 4 A と ピン互換
・EN5337QI 3 A と準ピン互換
・外部クロックに同期
・イネーブル兼 POK フラグ
EN6347QI
4 A 高効率 PowerSoC
4 mm x 7 mm x 1.85 mm
■仕様：
・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：4 A
・静止電流 (LLM モード )：650 uA
・ソリューション・フットプリント：
・上面最大面積：75 mm2
・裏面最大面積：50 mm2
■特長：
・ IBC と 互換
・ピーク効率：95 %
・過電流保護：6 A (Typ)
・低電圧ロックアウト：2.2 V
・バイアス低負荷モード (LLM)
・ソフト・スタートをプログラム可能
・カスタマイズ可能な制御ループ
・EN6337QI 3 A と 互換
・EN5337QI 3 A と 準ピン互換
・外部クロックに同期
・イネーブル兼 POK フラグ
EN6360QI 8 A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：8 A
・スイッチ周波数：1.2 MHz
・ソリューション・フットプリント：190 mm2
11 mm x 8 mm x 3 mm
■特長：
・IBC と 互換
・最大 96 % の高い効率
・熱ディレーティングは不要
・スイッチング周波数をプログラム可能
・外部クロックに同期
・高精度イネーブルしきい値
・ソフト・スタートをプログラム可能
・並列動作可能
・保護：熱、OC、SC、UVLO
・ソフト・シャットダウン
EN63A0QI 12 A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：12 A
・スイッチ周波数：1.2 MHz
・ソリューション・フットプリント：230 mm2
11 mm x 10 mm x 3 mm
■特長：
・IBC と 互換
・最大 96 % の高い効率
・スイッチング周波数をプログラム可能
・外部クロック同期可能
・高精度イネーブルしきい値
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・並列動作可能
・保護：熱、OC、SC、UVLO
・RoHS 準拠、MSL レベル 3、リフロー：260 C
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN2342QI 12 V/4 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：4 A
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・ソリューション・フットプリント：200 mm2
8 mm x 11 mm x 3 mm
Q)
9,1
■特長：
・効率：94 %
・外部クロックに同期
・ソフト・スタートをプログラム可能
・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱
・EN2340QI 4 A、EN2360QI 6 A、EN2362QI 6 A と
ピン互換
・イネーブル兼 POK フラグ
・熱ディレーティングなし
+)
9287
3* %703 9''% %*1'
9287
39,1
59%
N
+)
21
2))
(14,
(1$%/(
& 287
5$
&$
$9,12
+)
+)
$9,1
5 &$
9)%
66
Q)
3*1'
3*1'
)$'-
$*1'
5)6
5&/;
5%
5&/;
EN2360QI 12 V/6 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：6 A
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・ソリューション・フットプリント： 200 mm2
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱
・EN2340QI 4 A、EN2342QI 4 A とピン互換
・イネーブル兼 POK フラグ
・制限付き熱ディレーティング
8 mm x 11 mm x 3 mm
EN2390QI 12 V/9 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 3.3 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：9 A
・ソリューション・フットプリント：235 mm2
10 mm x 11 mm x 3 mm
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・周囲温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・保護：短絡、UVLO、熱
・イネーブル兼 POK フラグ
・並列可能
EN23F0QI 12 V/15 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.65 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：15 A
・ソリューション・フットプリント：308 mm2
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・保護：短絡、UVLO、熱
・イネーブル兼 POK フラグ
・並列可能
12 mm x 13 mm x 3 mm
EV1320QI 2 A 高効率 DDR 終端
■仕様：
・入 DDR2、DDR3、DDR4 対応 VTT
・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V
・3.3 V AVIN
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・ソースおよびシンク能力：2 A
・ソリューション・フットプリント：40 mm2
3 mm x 3 mm x 0.55 mm
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：96 %
・8 A VTT には最大 4 個のデバイスを並列
・ソフト・スタートをプログラム可能
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
・RoHS 準拠、MSL 3、リフロー：260 C
・ソフト・シャットダウン
EV1340QI 5 A 高効率 DDR 終端
10 mm x 5.5 mm x 3 mm
■仕様：
・DDR2、DD3、DD4 対応
・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・AVIN 供給：3.3 V
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・公称 Fsw：1.5 MHz
・ソースおよびシンク能力：5 A
・ソリューション・フットプリント：125 mm2
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：91.5 %
・プリバイアス対応
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EV1380QI 8 A 高効率 DDR 終端
11 mm x 8 mm x 3 mm
■仕様：
・DDR2、DD3、DD4 対応
・VDDQ VIN 範囲：1.16 V ∼ 1.65 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・AVIN 供給：3.3 V
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・公称 Fsw：1.5 MHz
・ソースおよびシンク能力：8 A
・ソリューション・フットプリント：200 mm2
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：94 %
・並列可能
・プリバイアス対応
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
EC7401QI + ET4040 40 A ソリューションの機能
EC7401QI
・2、3、または 4 フェーズ動作
・フェーズごとに周波数を 1 MHz まで調整可能
・差動リモート電圧検知
・出力電圧精度 ±0.5 %（入力電圧、負荷、温度、経年）
・差動電流検知
・各フェーズの電流バランス
・VR11 と拡張 VR10 準拠。6.25 mV ／ビットで 8 ビット VID 入力
・動的 VID テクノロジ
・0.5 V ∼ 1.6 V の Vout 範囲
・高精度イネーブルしきい値
・熱モニタリング
・プログラム可能な温度補償
・過電流保護
・過電圧保護
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
ET4040QI
・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ
・40 A の連続動作電流
・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として
最適化された低デューティ・サイクル動作
・最大 1 MHz の動作周波数で高い効率
・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現
・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A)
・POSCAP や電解コンデンサは不要
・上面ヒートシンク取り付け可能
ED8106N0xQI + ET4040 40 A ソリューション仕様／機能
ET4040QI
・デジタル単相 PWM コントローラ
・デジタル制御ループをプログラム可能
・ET4040 での使用に最適化してプリプログラム済み
・5.0 V または 3.3 V 単一電源で動作
・Stratix® V、Stratix 10、および Arria® 10 コア条件に対応
・最小のフットプリントで最大の電力密度
・デジタル制御ループで過渡応答と安定した定常状態を保証
・プリバイアス・スタートアップをサポート
・保護機能：
・過電流保護
・過電圧保護 (Vin、Vout)
・低電圧保護 (Vin、Vout)
・過負荷でのスタートアップ
・障害状況での連続リトライ 「ヒカッ
(
プ」) モード
,6 ( 1
76 ( 1
3:0
5( ), 1
('
・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ
・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として
最適化された低デューティ・サイクル動作
・最大 1 MHz の動作周波数で維持される高い効率
・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現
・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A)
・40 A の連続動作電流
・POSCAP や電解コンデンサは不要
・インダクタ DCR センシングを必要としない電流検知
・上面ヒートシンク取り付け可能
ED8106N0xQI
2))
9,1
&,1
3*1'
9
9&&B*'
(7$
9± 9
,1'8&725
9287
6:
&287
3*1'
3*1'
9
9&&
9&&B*1'
3+$6(
%227
BMUFSBDPKQFOQJSJPO 400 mA
2x1.75 mm
600 mA
600 ∼1500 mA
2.5x2.25 mm
3x3 mm
1.5∼3 A
6x4 mm
3∼4 A
7x4 mm
電源ソリューションで最小の実装面積
4∼9 A
11x8 mm
9∼12 A
10x11 mm
15 A
13x12 mm
（パッケージ・サイズは実寸大）
Enpirion サイト：www.altera.co.jp/enpirion
〒163-1332
東京都新宿区西新宿6-5-1
新宿アイランドタワー32F 私書箱1594号
TEL. 03-3340-9480 FAX. 03-3340-9487
www.altera.co.jp
E-mail: [email protected]
Altera Corporation
101 Innovation Drive, San Jose, CA 95134 USA
www.altera.com
本資料に掲載されている内容は、製品の仕様の変更等により予告なく変更される可能性があります。最新の情報はアルテラ・ウェブサイトをご参照ください。
©2014 Altera Corporation. All rights reserved. ALTERA, ARRIA, CYCLONE, ENPIRION, MAX, MEGACORE, NIOS, QUARTUS and STRATIX words and logos are trademarks of Altera Corporation
and registered in the U.S. Patent and Trademark Office and in other countries. All other words and logos identified as trademarks or service marks are the property of their respective holders as described
at www.altera.com/legal. July 2014
Broch-Enpirion-2.0/JP.
© Copyright 2024 ExpyDoc
