Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/ 非接触給電 WPC1.1（Qi規格）対応 トランスミッター用IC 特長 概要 非接触給電 トランスミッター側制御機能搭載 WPC v1.1準拠の動作制御 MCU内蔵 ハーフブリッジゲートドライバ：4ｃｈ (フルブリッジゲートドライバ：2ｃｈ構成可能) シングルコイルソリューション(A11)対応 マルチコイル、ポジションフリー(A6, 4コイル構成まで)対応 インバータ部高精度電圧、電流モニタ搭載 インバータ制御（周波数、デューティのいずれか）に による出力制御機能（Qi準拠） ASK信号復調機能(Qi準拠、電流信号、電圧信号両対応) 入力電圧範囲: VADP,VINV : 4.6～19.5V 保護機能 : 電源減電圧検出 (UVLO)、温度異常検出 (TSD)、 過電流保護 (OCP) インバータ出力短絡保護機能 温度検出機能：3ch LEDインジケーター：2ch パッケージ： 64ピン HQFPタイプ (サイズ : 12mm 12mm) NN32251Aは,WPC（Wireless Power Consortium：ワイヤ レスパワーコンソーシアム）で策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 バージョン 1.1に準拠した非接触給電用コントローラICです。 本ICは、Qi準拠である全てのレシーバー搭載製品において 給電可能な、送電側のパワートランスミッターとして使用され るトランスミッター制御用ICです。 また、受電側のパワーレシーバーとして使用されるレシー バー制御用IC(AN32258A)との組合せにより、拡張機能が 働き、さらにハイパワーな電力伝送が可能になります。 アプリケーション ・WPC準拠 充電台 応用回路例 Wireless Power VIN OUT Cp Cs Cd TX Coil Co RX Coil Rectifier NN32251A Tx Inverter VRECT IOUT Charger + AN32258A Control IC Receiver (Rx) 受電側 Transmitter (Tx) 送電側 Communication Page 1 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A オーダー情報 注文番号 パッケージ 梱包 最小梱包単位 NN32251A-VT 64ピンHQFP (12×12 mm） トレイ 500pcs 絶対最大定格 項目 略号 定格 単位 VVADP 21 V VVINV 21 V 動作周囲温度範囲 Topr – 30 to + 85 C *2 動作接合温度範囲 Tj – 40 to +125 C *2 Tstg – 55 to + 125 C *2 VSCDET1, VSCDET2, VSCDET3, VSCDET4, VCFB1, VCFB2, VVFB – 0.3 to 21 V *1 VTEST3, VSELLED1, VTYP1, VSELLED2, VNCO1, VNCO2, VPWR, VSELFOD1, VSELFOD2, VTEST4, VFWMD, VTH1, VTH2, VTH3, – 0.3 to 7 V *1 VTEST2, VENB, VVMODIN, VCMODIN, VCSIN1, VCSIN2, VTEST, VSMBC, VSMBD, – 0.3 to 4.6 V *1 HBM (Human Body Model) 2 kV — CDM (Charged Device Model) 1 kV — 電源電圧 保存温度範囲 入力電圧範囲 ESD耐量 注 *1 注 : 上記の絶対最大定格を超えるストレスを与えた場合、本製品に恒久的な損傷を与えることがあります。 これはストレスの定格についての規定であり、推奨動作範囲の項目に記載する値以上でのデバイス動作を保証するものではありません。 絶対最大定格の状態に長時間置くと、本製品の信頼性に影響を与えることがあります。 上記に記載のない端子には外部からの電圧や電流の入力を禁止します。 定格電圧値はGNDに対する各端子の電圧です。GNDとはGNDMC, GNDMOD, GNDA1, GNDA3, GNDP1, GNDP2の電圧です。 *1 : 定格消費電力を超えない範囲で使用した場合を示します。 *2 : 許容損失、動作周囲温度範囲、動作接合温度範囲および保存温度の項目以外はすべて Ta = 25C とします。 Page 2 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 定格消費電力 パッケージ j-a j-C PD (Ta = 25 C) PD (Ta = 85 C) 注 HQFP64 25.5 C / W 1.05 C /W 4.90 W 2.55 W *1 注 : *1 : 実使用時、電源電圧、負荷、周囲温度条件に基づき、許容値を超えないよう十分なマージンを持った熱設計をお願いします。 ガラスエポキシ基板 (4 層) [50 50 0.8 t (mm)] 静電気放電対策 このデバイスは， ESD（静電破壊）保護機能を内蔵していますが、高エネルギーの静電放電を被った場合 損傷を生じる可能性がありますので，適切な予防処置を行って下さい。 推奨動作条件 項 目 電源電圧範囲 記 号 Min Typ Max 単位 注 VVADP、VVINV 4.6 12 19.5 V *2 注 : *2 : 絶対最大定格，許容損失を超えない範囲で使用した場合を示します。 Page 3 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 電気的特性 特に規定の無い限り、 VVADP = 12 V, VVINV = 12 V、周囲温度Ta = 25 C 2 C 項 目 記号 条 件 許容値 Min Typ Max 単位 注 電源電流 待機時消費電流 ISTBY ENB=L 6.48 8.10 9.72 mA 動作時消費電流 IOPR ENB=H 18.0 22.6 27.0 mA ハーフブリッジゲートドライバ スイッチング周波数下限 FSWMIN 108 110 112 kHz スイッチング周波数上限 FSWMAX 200 205 210 kHz スイッチング周波数制御精度 FSWCA — — 0.4 kHz デューティ比下限 DRMIN — — 10 % デューティ比上限 DRMAX 50 — — % VVINV -0.3 — — V ハイサイド出力電圧-Hレベル VHSH Isource=1mA ハイサイド出力電圧-Lレベル VHSL Isink=1mA — — VVINV -4.7 V ローサイド出力電圧-Hレベル VLSH Isource=1mA 3.8 — — V ローサイド出力電圧-Lレベル VLSL Isink=1mA — — 0.2 V VOUT41 Iout=20mA 4.0 4.1 4.2 V VOUT33 Iout=1mA 3.2 3.3 3.4 V VOUT18 Iout=1mA 1.7 1.8 1.9 V LDO4.1V 出力電圧 LDO3.3V (内部回路用) 出力電圧 LDO1.8V (内部回路用) 出力電圧 Page 4 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 電気的特性 (続き) 特に規定の無い限り、 VVADP = 12 V、 VVINV = 12 V、周囲温度Ta = 25 C 2 C 項 目 記号 条 件 許容値 単位 Min Typ Max 3.85 4.00 4.15 V 0.70 0.75 0.80 V — — 0.3 V 注 減電圧保護(UVLO) UVLO解除電圧 UVLO検出 ヒステリシス幅 VUVLOR VUVLOHYS UVLO解除電圧とUVLO検 出電圧のヒステリシス電圧 VLEDSAT Iout=10mA LED ドライバ 出力飽和電圧 ENB端子 入力電圧 “H”入力スレッショルド電圧 VIHENB 2.6 — — V “L” 入力スレッショルド電圧 VILENB — — 0.6 V TYP1, SELLED2, NCO1, NCO2, PWR, SELFOD1, SELFOD2, SELLED1端子 入力電圧 “H”入力スレッショルド電圧 VIHTYP1 3.3 — — V “L” 入力スレッショルド電圧 VILTYP1 — — 0.8 V Page 5 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 電気的特性 特に規定の無い限り、 VVADP = 12 V、 VVINV = 12 V、周囲温度Ta = 25 C 2 C 項 目 記号 条 件 許容値 Min Typ Max 単位 注 ASK通信復調部 電流信号復調 入力閾値 ITHMOD — 5 — mA *1 電圧信号復調 入力閾値 VTHMOD — 50 — mV *1 — 100 — us *1 インバータ出力短絡保護(SCP) インバータ出力短絡保護 検出時間 VOCPR インバータ出力短絡後、 発振停止するまでの時間 温度異常検出(TSD) [サーミスタ推奨部品：NXRT15XH103FA3A016] 温度異常検出 閾値 VSDR 推奨部品使用時 65℃相当 — 0.648 — V *1 温度異常解除 閾値 VSDF 推奨部品使用時 60℃相当 — 0.727 — V *1 IOCP11 A11方式、R4=25mohm VADP=5V、 VVINV=5V Power Transfer制御前*2 — 0.8 — A *1 過電流検出電流 1-2 IOCP12 A11方式、R4=25mohm VADP=5V、 VVINV=5V Power Transfer制御時*3 — 3.0 — A *1 過電流検出電流 2-1 IOCP21 A6方式、R4=50mohm Power Transfer制御前*2 — 0.4 — A *1 過電流検出電流 2-2 IOCP22 A6方式、R4=50mohm Power Transfer制御時*3 — 1.5 — A *1 IOCP31 A6方式、ハイパワーモード PWR端子(No.9)：LDO41V R4=50mohm Power Transfer制御前*2 — 0.4 — A *1 IOCP32 A6方式、ハイパワーモード PWR端子(No.9)：LDO41V R4=50mohm Power Transfer制御時*3 — 1.9 — A *1 過電流保護機能(OCP) 過電流検出電流 1-1 過電流検出電流 3-1 過電流検出電流 3-2 注） *1 ：設計センター値です *2 ：システム制御フェーズのSelection、Ping、ID & Configuration時の条件です。(詳細は、後述の動作説明「2.システム制御」を参照ください) *3 ：システム制御フェーズのPower Transfer時の条件です。(詳細は、後述の動作説明「2.システム制御」を参照ください) Page 6 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 端子配置 SCDET4 SCDET3 PD4L PD4H PD3L PD3H GNDP2 VINV PD2L PD2H PD1L PD1H SCDET2 SCDET1 LDO33V VFIL4 Top View 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 HG1 VADP LG1 GNDP1 HG2 TEST LG2 CFB1 CFB2 LED1 LED2 GNDA3 VFB SMBC SMBD LDO41V 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 VFIL3 GNDA1 CSIN1 CSIN2 CFIL1 CFIL2 CSOUT CMODIN GNDMOD VMODIN TH1 TH2 TH3 VFIL1 VFIL2 VREF TEST4 FWMD TEST2 ENB PLLFIL NCO1 NCO2 PWR SELFOD1 SELFOD2 TYP1 SELLED2 LDO18V GNDMC TEST3 SELLED1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Page 7 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 端子説明 番号 端子名 タイプ 説 明 1 LDO18V 2 GNDMC GND MCU用GND端子 3 TEST3 Input テスト端子3 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) 4 SELLED1 Input LED表示パターン選択端子1 動作説明の「7. LED表示機能」を参照下 さい。 5 TYP1 Input Qi規格送電側方式選択端子1 動作説明の「5.各種制御の端子設定」を 参照下さい。 6 SELLED2 Input LED表示パターン選択端子2 動作説明の「7. LED表示機能」を参照下 さい。 7 NCO1 Input 送電側コイル数選択端子1 8 NCO2 Input 送電側コイル数選択端子2 Output MCU用1.8Vレギュレータ出力端子 補足説明 内蔵MCU用レギュレータ出力端子です。 1uF の容量を接続して下さい。 動作説明の「5.各種制御の端子設定」を 参照下さい。 送電電力の電力値設定を選択する端子で す。 以下の端子接続で設定が可能です。 通常(5W)モード：GND ハイパワーモード：LDO41V 9 PWR Input 給電パワー選択用端子 10 SELFOD1 Input FOD閾値選択端子1 11 SELFOD2 Input FOD閾値選択端子2 12 TEST4 Input テスト端子4 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) 13 FWMD Input テストモード制御端子 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) 14 TEST2 Input テスト端子2 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) システムイネーブル端子 本ICのシステムイネーブル制御端子です。 動作時は、LDO33V端子に接続してくださ い。 リセット時は、GND接地のパルス1ms以 上を入力してください。 詳細は、機能説明の「2.イネーブル動作 制御」を参照下さい。 Input 動作説明の「5.各種制御の端子設定」を 参照下さい。 15 ENB 16 PLLFIL Output PLL ループフィルタ容量接続端子 3900pF の容量を接続して下さい。 17 VREF Output 基準電圧用容量接続端子 4.7uF の容量を接続して下さい。 Page 8 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 端子説明 (続き) 番号 端子名 タイプ 18 VFIL2 Output 電圧検出用アクティブフィルタ用端子2 1000pF の容量を接続して下さい。 19 VFIL1 Output 電圧検出用アクティブフィルタ用端子1 2200pFの容量を接続して下さい。 20 21 TH3 TH2 Input Input 説 明 補足説明 サーミスタ接続端子3 サーミスタにより周囲温度を検出します。 温度を検出されたい所にサーミスタを配置 してください。 未使用時は、LDO33Vへ接続して下さい。 サーミスタ接続端子2 サーミスタにより周囲温度を検出します。 温度を検出されたい所にサーミスタを配置 してください。 未使用時は、LDO33Vへ接続して下さい。 22 TH1 Input サーミスタ接続端子1 サーミスタにより周囲温度を検出します。 温度を検出されたい所にサーミスタを配置 してください。 未使用時は、LDO33Vへ接続して下さい。 23 VMODIN Input 電圧復調ASK信号入力端子 受電側からのASK信号を送電側のコイル 電圧から復調した信号の入力端子です。 24 GNDMOD GND 復調回路用GND端子 25 CMODIN Input 電流復調ASK信号入力端子 受電側からのASK信号を送電側のコイル 電流から復調した信号の入力端子です。 26 CSOUT Output インバータ電流検出回路用 容量接続端子 CMODIN との間に 68000pF の容量を接 続して下さい。 27 CFIL2 Output 電流検出用アクティブフィルタ用端子2 1000pF の容量を接続して下さい。 28 CFIL1 Output 電流検出用アクティブフィルタ用端子1 3300pF の容量を接続して下さい。 29 CSIN2 Input インバータ電流検出端子2 30 CSIN1 Input インバータ電流検出端子1 31 GNDA1 GND アナログ回路用GND端子1 32 VFIL3 Output 電圧検出用アクティブフィルタ用端子3 3300pF の容量を接続して下さい。 33 VFIL4 Output 電圧検出用アクティブフィルタ用端子4 1000pF の容量を接続して下さい。 34 LDO33V Output 内部回路用3.3Vレギュレータ出力端子 内部回路レギュレータ出力端子です。 1uF の容量を接続して下さい。 インバータ電流検出用の入力端子です。 CSIN1－CSIN2間に電流検出抵抗 (25mΩ、または50mΩ)を挿入してください。 Page 9 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 端子説明 (続き) 番号 端子名 タイプ 35 SCDET1 Input インバータ出力短絡検出端子1 PD1H、PD1L端子で駆動する 第1インバータドレイン端子へ接続して下 さい。 36 SCDET2 Input インバータ出力短絡検出端子2 PD2H、PD2L端子で駆動する 第2インバータドレイン端子へ接続して下 さい。 37 PD1H Output ゲートドライバ1 ハイサイドﾞ出力端子 第1インバータPMOSゲートに接続して下 さい。 38 PD1L Output ゲートドライバ1 ローサイド出力端子 第1インバータNMOSゲートに接続して下 さい。 39 PD2H Output ゲートドライバ2 ハイサイドﾞ出力端子 第2インバータPMOSゲートに接続して下 さい。 40 PD2L Output ゲートドライバ2 ローサイド出力端子 第2インバータNMOSゲートに接続して下 さい。 41 VINV Power ゲートドライバ用電源端子 Supply 各インバータのPMOSソースと同じ電源に 接続して下さい。 42 GNDP2 43 PD3H Output ゲートドライバ3 ハイサイド出力端子 第3インバータPMOSゲートに接続して下 さい。 44 PD3L Output ゲートドライバ3 ローサイド出力端子 第3インバータNMOSゲートに接続して下 さい。 45 PD4H Output ゲートドライバ4 ハイサイド出力端子 第4インバータPMOSゲートに接続して下 さい。 46 PD4L Output ゲートドライバ4 ローサイド出力端子 第4インバータNMOSゲートに接続して下 さい。 47 SCDET3 Input 外付けインバータ出力短絡検出端子3 PD3H、PD3L端子で駆動する 第3インバータドレイン端子へ接続して下 さい。 48 SCDET4 Input 外付けインバータ出力短絡検出端子4 PD4H、PD4L端子で駆動する 第4インバータドレイン端子へ接続して下 さい。 49 HG1 50 VADP 51 LG1 GND 説 明 補足説明 パワー用GND端子2 Output 未使用端子 オープンとしてください。 Power ACアダプタ電源入力端子 Supply 外部電源(4.6～19.5V)を接続して下さい。 Output 未使用端子 オープンとしてください。 Page 10 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 端子説明 (続き) 番号 端子名 タイプ 52 GNDP1 GND 53 HG2 54 TEST 55 LG2 56 CFB1 説 明 パワー用GND端子1 Output 未使用端子 Input テスト端子 Output 未使用端子 Input 補足説明 オープンとしてください。 弊社検査確認用端子です。GNDに接続し てください。 (お客様ではご使用になれません) オープンとしてください。 未使用端子 オープンとしてください。 57 58 CFB2 LED1 Input 未使用端子 Output LEDドライバ出力端子1 動作状態表示用NMOSオープンドレイン 出力端子です。 動作説明の「7. LED表示機能」を参照下さ い。 Output LEDドライバ出力端子2 動作状態表示用NMOSオープンドレイン 出力端子です。 動作説明の「7. LED表示機能」を参照下さ い。 59 LED2 60 GNDA3 GND アナログ回路用GND端子3 61 VFB Input 未使用端子 62 SMBC Input/ テストモード クロック入出力端子 Output 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) 63 SMBD Input/ テストモード データ入出力端子 Output 弊社検査確認用端子です。 GNDに接続してください。 (お客様ではご使用になれません) 64 LDO41V Output 4.1V レギュレータ出力端子 4.1Vレギュレータです。 1uF の容量を接続して下さい。 LED用電源に使用可能です。 オープンとしてください。 Page 11 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 PD2L C30 C29 C28 C18 注 : ブロック図は、機能を説明するため、一部省略、簡素化している場合があります。 D3 Current Sense Resistor SCDET4 PD4L PD4H SCDET3 PD3L PD3H 48 46 45 47 44 43 36 40 Short Circuit Protection Level Shifter Dead Time Controller Channel Selector 54 1 52 C8 1uF LDO41V Voltage Regulator Signal 1.8V Demodulator Temp. Monitor SMbus I/F Flash Memory 21 22 24 18 19 23 25 26 27 28 29 30 CSOUT CFIL2 CFIL1 CSIN2 C5 68000pF 3rd order 5kHz LPF Temperature Measure Register 8bits MicroController Clock Serial I/F Band Gap Regulator Reference 4.1V C9 1uF LDO33V NCO2 NCO1 LDO41V SMBC SELLED1 3 2 TEST3 GNDMC SMBD 63 62 4 51 SELLED2 6 TYP 7 8 10SELFOD1 PWR 9 11 SELFOD2 12 TEST4 13 14 TEST2 FWMD ENB 15 ENB Control 3.3V:active 0V:reset GNDA3 60 Optional Thermistor TH3 20 C3 C4 3300pF 1000pF Current Signal Demodulator 12bits ADC Inverter Voltage Measure PLL 105kHz-205kHz 0.4kHz step Inverter Current Measure 3rd order 5kHz LPF Channel Selection Dead Time Control Duty Controller 10%-50% Frequency Control LED1 SCDET2 Q8 56 39 57 Half-Bridge Gate Driver 61 PD2H 35 38 Duty Control Serial I/F C10 4.7uF ブロック図・応用回路例 (TX方式：A11 シングルコイル) (0.1uF*4) Q7 PD1L CFB1 SCDET1 Q6 CFB2 37 VFB PD1H GNDP1 16 6.3uH L2 A11 TEST 50 41 VADP 32 VINV VFIL3 55 VFIL4 33 LG2 LDO33V 34 HG2 53 58 LED Driver 59 Regulator 3.3V LED2 3rd order 5kHz LPF D1 17 UVLO R10 560 VREF 51 49 D2 R9 560 64 LG1 HG1 C11 1uF LDO41V LDO41V Q5 C24 C42 10uF 10uF PLLFIL C14 C13 C12 C15 C23 C16 3300pF 1000pF 3900pF 10uF 10uF 0.01uF Power Supply (5.0V) Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A TH2 R7 R14 R15 R11 R16 R17 R12 TH1 R13 R18 R19 R8 R6 LDO18V GNDMOD VFIL2 C7 1000pF VFIL1 C6 2200pF VMODIN C20 2200pF CMODIN CSIN1 42 GNDP2 31 GNDA1 R4 25m R2 1k R3 10k C19 0.01uF Page 12 of 30 L2 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 注 : ブロック図は、機能を説明するため、一部省略、簡素化している場合があります。 D3 47 44 48 Short Circuit Protection Level Shifter Dead Time Controller 3rd order 5kHz LPF 1 52 C28 0.068uF C18 0.068uF C8 1uF LDO41V Voltage Regulator Signal 1.8V Demodulator Temp. Monitor SMbus I/F 22 24 18 19 23 25 26 27 28 29 30 CSOUT CFIL2 CFIL1 CSIN2 C5 68000pF 3rd order 5kHz LPF Temperature Measure Flash Memory 21 C3 C4 3300pF 1000pF Current Signal Demodulator Inverter Current Measure 12bits ADC Register 8bits MicroController Clock Serial I/F Band Gap Regulator Reference 4.1V C9 1uF LDO33V SMBC 3 2 TEST3 GNDMC 63 SMBD 62 4 SELLED1 51 LDO41V NCO2 NCO1 SELLED2 6 TYP 7 8 10SELFOD1 PWR 9 11 SELFOD2 12 TEST4 13 14 TEST2 FWMD ENB 15 ENB Control 3.3V:active 0V:reset GNDA3 60 Optional Thermistor TH3 20 Current Sense Resistor SCDET4 PD4L 46 PD4H 45 SCDET3 PD3L 43 36 Inverter Voltage Measure PLL 105kHz-205kHz 0.4kHz step Frequency Control LED1 PD3H SCDET2 Channel Selector Channel Selection Dead Time Control 54 40 56 39 Duty Controller 10%-50% Duty Control Serial I/F C10 4.7uF ブロック図・応用回路例 (続き) (TX方式：A6 シングルコイル) PD2L 57 Half-Bridge Gate Driver 61 PD2H 35 38 CFB1 SCDET1 CFB2 12.5uH VFB 16 PD1L GNDP1 37 TEST 50 PD1H VADP 32 41 VFIL3 VINV VFIL4 33 55 PLLFIL LG2 LDO33V 34 HG2 53 58 LED Driver 59 Regulator 3.3V LED2 3rd order 5kHz LPF D1 17 UVLO R10 560 VREF 51 49 D2 R9 560 64 LG1 HG1 C11 1uF LDO41V LDO41V Q5 C24 C42 10uF 10uF C14 C13 C12 C15 C23 C16 3300pF 1000pF 3900pF 10uF 10uF 0.01uF Power Supply (12.0V) Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A TH2 R7 R14 R15 R11 R16 R17 R12 TH1 R13 R18 R19 R8 R6 LDO18V GNDMOD VFIL2 C7 1000pF VFIL1 C6 2200pF VMODIN C20 2200pF CMODIN CSIN1 42 GNDP2 31 GNDA1 R4 50m R2 3.3k R3 39k C19 0.01uF Page 13 of 30 L2 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 D3 C30 0.047uF C25 0.1uF D5 注 : ブロック図は、機能を説明するため、一部省略、簡素化している場合があります。 12.5uH D7 47 44 43 36 SCDET4 48 PD4L 46 PD4H 45 SCDET3 PD3L PD3H Short Circuit Protection Level Shifter Dead Time Controller 1 52 C32 0.068uF C26 0.068uF C8 1uF LDO41V Voltage Regulator Signal 1.8V Demodulator Temp. Monitor SMbus I/F 22 24 18 19 23 25 26 27 28 29 30 CSOUT CFIL2 CFIL1 CSIN2 C5 68000pF 3rd order 5kHz LPF Temperature Measure Flash Memory 21 C3 C4 3300pF 1000pF Inverter Voltage Measure 12bits ADC Current Signal Demodulator Inverter Current Measure 3rd order 5kHz LPF Channel Selection Dead Time Control Register 8bits MicroController Clock Serial I/F Band Gap Regulator Reference 4.1V C9 1uF LDO33V LDO41V SMBC 3 2 TEST3 GNDMC 63 SMBD 62 4 SELLED1 51 LDO41V NCO1 SELLED2 6 TYP 7 8 10SELFOD1 PWR 9 NCO2 11 SELFOD2 12 TEST4 13 14 TEST2 FWMD ENB 15 ENB Control 3.3V:active 0V:reset GNDA3 60 Optional Thermistor TH3 20 Current Sense Resistor Q9 SCDET2 Channel Selector PLL 105kHz-205kHz 0.4kHz step Frequency Control LED1 L4 11.5uH C28 0.068uF C18 0.068uF 40 54 PD2L 56 39 57 Half-Bridge Gate Driver 61 PD2H 35 Duty Controller 10%-50% Duty Control Serial I/F C10 4.7uF ブロック図・応用回路例 (続き) (TX方式：A6 3コイルアレイ) L3 Q7 38 CFB1 SCDET1 CFB2 12.5uH VFB 16 PD1L GNDP1 37 TEST 50 PD1H VADP 32 41 VFIL3 VINV VFIL4 33 55 PLLFIL LG2 LDO33V 34 HG2 53 58 LED Driver 59 Regulator 3.3V LED2 3rd order 5kHz LPF D1 17 UVLO R10 560 VREF 51 49 D2 R9 560 64 LG1 HG1 C11 1uF LDO41V LDO41V Q5 C24 C42 10uF 10uF C14 C13 C12 C15 C23 C16 3300pF 1000pF 3900pF 10uF 10uF 0.01uF Power Supply (12.0V) Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A TH2 R7 R14 R15 R11 R16 R17 R12 TH1 R13 R18 R19 R8 R6 LDO18V GNDMOD VFIL2 C7 1000pF VFIL1 C6 2200pF VMODIN C20 2200pF CMODIN CSIN1 42 GNDP2 31 GNDA1 R4 50m R2 3.3k R3 39k C19 0.01uF Page 14 of 30 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 本ICは、以下の機能を搭載しています。 番号 機能 1 電源電圧印加条件 2 システム制御 3 イネーブル動作制御 4 異常状態回復動作制御 5 各種制御の端子設定 6 対応トランスミッタ方式、及びインバータ構成 7 LED表示機能 8 過電流制御 9 温度異常検出 10 ハイパワーモード 1.電源電圧印加条件 本ICのVADP端子(No.50)、VINV端子(No.41)は、必ずショート(短絡接続)して使用してください*1。 本ICへの電源電圧印加時に際して、電源電圧立上り特性は以下の値を順守して下さい。 VADP =VINV [V] 0.9 Ｘ VADP 0.1 Ｘ VADP t[s] τrise 図A-1. VADP電圧立ち上がり特性図 項 目 記号 VADP立上がり時間 τrise 参考値 min typ max 50 － － 単位 注 us *2 注) *1 ：VADP端子よりも先にVINV端子に電圧を印加した場合、ICが破壊する恐れが ありますのでご注意ください。 *2 ：後述の代表特性「評価回路図1, 2」の周辺部品条件にての条件です。 条件変更時は、上記の仕様を満たすようお客様で十分にご評価の上、ご使用ください。 Page 15 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 2.システム制御 本ICは、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 のVer.1.1の仕様で定められているシステムに基づいて 制御を行います。 本ICのシステム制御の各フェーズ間は以下のような関係になります。 【Selection フェーズの条件】 ・VADP端子(No.50)：4.6～19.5V電圧印加 ・ENB端子(No.15)：LDO33V端子(No.34)接続 ・送電側異常検出*2 ・受電側異常検出 応答なし (End Power Transfer Code =0x01、0x07*1以外) Selection 間欠送電 ・受電側取り去り ・15分後 温度低下 (∆5℃) Temperature Error 電力停止 Error 受電側検出 ・想定外ﾊﾟｹｯﾄ ・通信エラー ・タイムアウト Full Charge Ping 温度異常検出 電力停止後 間欠送電 信号検出 異常検出*2 ・タイムアウト 温度異常検出 満充電 電力停止後 間欠送電 (End Power Transfer Code =0x01) Signal Strength Packet 正常受信 ・想定外ﾊﾟｹｯﾄ ・通信エラー ID & Configuration 条件設定 ・異常検出*2 ・4回の再構成 受電側満充電検出 (End Power Transfer Code =0x01) 受電側取り去り 温度異常検出 満充電 (End Power Transfer Code =0x01) 電力伝送設定完了 電力伝送再設定受信 (End Power Transfer Code =0x07) ・想定外ﾊﾟｹｯﾄ ・通信エラー ・タイムアウト 温度異常検出 異常検出*2 Power Transfer 電力伝送(充電中) 満充電 (End Power Transfer Code =0x01) *1: Selectionフェーズにおいて、0x07を受信した場合は遷移しません。 *2: 異常検出は、過電流、短絡保護、異物検出を示します。 図A-2. システム状態遷移図 Page 16 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 3.イネーブル動作制御 ENB端子(No.15)の状態で、本ICの動作可能(イネーブル)/動作停止の制御が可能です。 動作可能時は、必ずSelectionフェーズから開始されます。 動作停止時は、本IC全体がオフ状態になります。 動作制御は、以下の表を参照ください。 C11 1uF LDO33V 状態 動作可能 34 Regulator 33V ENB 15 ENB端子(No.15)制御 LDO33V GND LDO33V 動作停止 GND システム制御へ LDO33V NN32251A リセット GND 1ms以上 図A-3. ENB端子制御構成例 4.異常状態回復動作制御 本ICは、エラー、満充電等の要因による電力停止状態の後の回復動作条件として、下記のような制御を行います。 全体の状態遷移は、機能説明「2. システム制御」を参照ください。 電力停止条件 回復動作条件 受電側からの通信による 1 満充電検出信号 (End Power Transfer Code =0x01) ・ Full Chargeフェーズへ遷移し、電力停止後、即時に間欠 送電を開始。 ・受電側の取り去り、または、受電側が15分以上設置してい る場合、Selectionフェーズに遷移。 2 満充電検出信号以外の“End Power Transfer packet”による充電停止 ・ Errorフェーズへ遷移し、電力停止後、即時に間欠送電を開 始。 ・受電側の取り去り認識後、 Selectionフェーズに遷移。 送電側搭載機能による 3 送電側の温度異常検出 4 送電側の過電流検出 5 送電側の出力短絡検出 ・ Temperature Errorフェーズへ遷移し、発振停止。 ・保護温度(65℃)より、5℃下がった場合にSelectionフェーズ に遷移。 ・ Errorフェーズへ遷移し、電力停止後、即時に 間欠送電を 開始。 ・受電側の取り去り認識後、 Selectionフェーズに遷移。 Page 17 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 5.各種制御の端子設定 本ICに搭載している各機能の設定は、以下の端子より設定可能です。 5-1. コイル方式、及び駆動コイル数設定 WPCで策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 のVer.1.1の送電方式を選択します。 各方式の詳細は、｢6. 対応トランスミッタ方式、及びインバータ構成｣を参照してください。 対応トランスミッター方式が、A6方式の場合、駆動コイルの個数を選択してください。 なお、各インバータは必ず組み合わせ(PD1Hと、PD1L等)で使用してください。 端子名 TYP1 NCO2 NCO1 端子番号 5 8 7 コイル数 駆動可能インバータ 備考 コイル方式 : A11 (フルブリッジ制御) GND GND GND GND GND LDO41V GND LDO41V GND GND LDO41V LDO41V 駆動インバータ部品*1使用時設定 1 駆動インバータ部品*2使用時設定 PD1H, PD1L 弊社検査確認用設定 (お客様ではご使用になれません) コイル方式 : A6 (ハーフブリッジ制御) LDO41V GND GND 1 PD1H, PD1L LDO41V GND LDO41V 2 PD1H, PD1L, PD2H, PD2L LDO41V LDO41V GND 3 PD1H, PD1L, PD2H, PD2L PD3H, PD3L, LDO41V LDO41V LDO41V 4 PD1H, PD1L, PD2H, PD2L PD3H, PD3L, PD4H, PD4L 駆動インバータ部品*1使用時設定 上記のA11方式において、任意の電力に合わせ異物検出(FOD)の設定カーブを駆動インバータ使用部品によって調整して います。そのため、駆動インバータ部品に応じて設定が変更になります。 A6方式については、駆動インバータ使用部品に依存せず、異物検出(FOD)の設定カーブは、一定です。 各設定の推奨部品は、以下になります。 *1 : FDS8958B (Dual Pch&Nch MOSFET) *2 : SIA445EDJ (Pch-MOSFET), SIA400EDJ (Nch-MOSFET) 5-2. 拡張機能選択 本ICは、受電側のパワーレシーバーとして使用されるレシーバー制御用IC(AN32258A)との組合せにより、拡張機能が働き、 さらにハイパワーな電力伝送が可能になります。 拡張機能の対応/非対応は、以下の端子で選択します。 端子名 PWR 端子番号 9 拡張機能 GND 非対応 LDO41V 対応 ※ハイパワー機能の使用方法は、後述の動作説明「10. ハイパワーモード」を参照してください。 Page 18 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 5.各種制御の端子設定 (続き) 5-3. 異物検出(FOD)調整端子設定 SELFOD1端子(No.10)及び、SELFOD2端子（No.11) は、 WPCで策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電 力伝送 Volume 1 のVer.1.1異物検出(FOD)の検出閾値の調整に使用します。 端子名 SELFOD2 SELFOD1 端子番号 11 10 GND GND GND LDO41V デフォルト値より -100mWオフセット設定 LDO41V GND デフォルト値より+100mWオフセット設定 LDO41V LDO41V デフォルト値より+200mWオフセット設定 FOD検出閾値 デフォルト値 FODの機能は、インバータ部に使用するMOSFETや送電側コイルの仕様によって影響を受ける可能性があります。 上記調整の詳細内容は、弊社までお問い合わせください。 Page 19 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 6.対応トランスミッタ方式、及びインバータ構成 本ICは、WPCで策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 のVer.1.1で公開されている、送電 側の方式において、周辺部品の組み合わせにより、以下の方式に対応しています。 具体的な周辺回路図構成は、ブロック図・応用回路図例を参照してください。 送電側方式 A6 A11 コイル個数 1個以上 1個 位置合わせ いずれかの機器的工夫が必要 ・機器表面にマークを付与 ・視覚的に表示 ・ブザーや触感など、認識できる工夫 自由 電力制御 動作周波数 (fop) 精度 デューティ 周波数、またはデューティ 周波数、またはデューティ Min initial max Min initial max 115kHz 175kHz 205kHz 110kHz 175kHz 205kHz 0.01×fop - 0.7kHz (115…175kHz) 0.015×fop - 1.58kHz (175…205kHz) 10% 50% 0.01×fop - 0.7kHz (115…175kHz) 0.015×fop - 1.58kHz (175…205kHz) 50% 10% 50% 精度 0.1% 0.1% インバータ電圧 12±5%V 5±5%V ハーフブリッジ駆動 フルブリッジ駆動 VADP/VINV Control コイル インバータ構成 50% VADP/VINV A6 Coil NN32251A Control A11 Coil NN32251A ※NN32251Aは、4個のインバータを搭載して います。 A6方式では、最大4個のコイルが駆動できます。 上記のコイル形状、数値などの詳細データは、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 のVer.1.1の Part1公開資料を参照ください。 参考URL： http://www.wirelesspowerconsortium.com/ (ダウンロード可能です) Page 20 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 7. LED表示機能 本ICは、2系統のLEDドライバーを制御します。付加されるLED色は以下の色を推奨いたします。 端子名 LED1 LED2 端子番号 No.58 No.59 赤 緑 LED色 (推奨) LED表示制御の切り替えは、SELLED1端子とSELLED2端子の以下の設定で、全4パターンから選択可能です。 ドライバーの各充電状況による制御は以下です。 システムステータス 端子名 (端子番号) Selection LED 表示端子 GND GND LDO41V LDO41V GND LDO41V LDO41V Full Charge Error Temperature Error 充電中 満充電 異常検出 充電状況 SELLED2 SELLED1 (No.6) (No.4) GND Ping ID & Configuration Power Transfer 待ち受け中 LED1 消灯 点灯 消灯 点滅*1 LED2 消灯 消灯 点灯 消灯 LED1 消灯 消灯 消灯 点灯 LED2 消灯 点滅*1 点灯 消灯 LED1 点灯 消灯 消灯 点灯 LED2 点灯 点滅*1 点灯 消灯 LED1 消灯 消灯 消灯 点灯 LED2 消灯 点灯 消灯 消灯 注) *1: 点滅周波数=0.625Hz また、ACアダプタからの電源投入された場合は、以下のような表示を行います。 ACアダプタ電源投入表示 LED表示 LED1 (赤) LEDドライバー制御 0.5秒 0.5秒 0.5秒 点灯 消灯 LED2 (緑) 点灯 0.5秒 消灯 点灯 点灯 ACアダプタの電流供給能力不足などが原因で、ACアダプタの電圧低下が発生した場合、 上記の「ACアダプタ電源投入表示」と「充電中(既設定パターン)」を繰り返す表示動作を行います。 Page 21 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 7. LED表示機能 (続き) LDO41V R9 R10 D2 D1 LED1 58 LED2 LED表示 59 LED Driver Control LEDドライバー制御 点灯 Low (ON) 消灯 High (OFF) 1.6秒 NN32251A SELLED1 点滅 SELLED2 4 6 0.8秒 LDO41V 図A-4. LED制御構成例 ※LEDの電源は、必ずLDO41Vをご使用ください。LDO41V以外を使用するとLEDが誤動作する場合があります。 8.過電流制御 インバータの電流値を検出し、過電流検出を行います。 CSIN1端子(No.30)をインバータのソース側、 CSIN2端子(No.29)をGND側に接続し、その間に送電側方式(A6/A11)に応じ て25mΩ / 50mΩの抵抗を付加して、インバータ電流値を検出します。 また、システム制御フェーズの条件に応じて、過電流検出値レベルを切り替えしています。 システム制御の詳細は、動作説明「2.システム制御」を参照してください。 各送電側方式での過電流検出値は、以下になります。 なお、本数値は、設計上の値であり、外部抵抗値のばらつき等で差が生じる場合があります。 過電流検出値 Selection / Ping / ID & Configurationフェーズ A6方式 0.4A A11方式 0.8A Power Transferフェーズ 1.5A (通常モード) 1.9A (ハイパワーモード) 3.0A Page 22 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 9. 温度異常検出 本ICは、外付けサーミスタを使用した温度検出機能端子を3系統搭載しています。 各温度検出(TH1,TH2,TH3)端子に、サーミスタRTH（推奨部品：NXRT15XH103FA3A016）を下図のR6,R8,R12に挿入し、 任意の調整した抵抗値を接続することにより、検出温度の閾値の調整が可能です。 設定した温度閾値を超えると、電力伝送を停止します。 例) 温度異常検出閾値65℃、解除閾値60℃(共に精度±2℃)をTH1端子(No.22)で設定する場合、 各抵抗値は、R13: 10kohm±1%、R18: 10kohm±1%、R19: 38.3kohm±1%を接続する。 温度異常検出端子電圧 : 0.641V 温度異常解除端子電圧 : 0.719V ※上記の機能を無効にしたい場合は、TH1(TH2,TH3)端子を直接LDO33V端子に接続して下さい。 NN32251A NN32251A 12bits ADC 12bits ADC Temp. Monitor 21 20 TH3 LDO33V TH1 22 TH2 20 TH3 LDO41V 21 TH2 TH1 22 Temp. Monitor R7 R14 R11 R16 R13 R18 R15 R17 R12 R8 R19 R6 (a) 温度異常検出機能を使用する場合 (b) 温度異常検出機能を無効にする場合 図A-5. 温度異常検出端子構成例 Page 23 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 動作説明 （続き） 10. ハイパワーモード 本ICは、AN32258Aを受電側に搭載している機器の場合に5W以上の電力伝送が可能な機能を搭載しています。 本ICのハイパワーモードを有効とする条件は以下です。 【条件】 ・対応トランスミッタ方式：A6 ・PWR端子(No.9)：LDO41Vに接続 【ハイパワーモードシステム制御】 P16のシステム制御内のID&Configurationフェーズにおいて、受電側にAN32258Aが搭載されている場合、以下の制御を 行います。 ID & Configuration 異常検出等 条件設定 満充電 (End Power Transfer Code =0x01) AN32258A 通信制御 拡張機能 No Yes 電力伝送 設定完了 電力伝送設定完了 異常検出等 電力伝送再設定受信 (End Power Transfer Code =0x07) High Power Transfer Normal Power Transfer 拡張機能 通常機能 Power Transfer 満充電 (End Power Transfer Code =0x01) 電力伝送(充電中) 図A-6. ハイパワーモードシステム状態遷移図 (図A-1より関連部を抜粋) Page 24 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 代表特性 D1 59 58 VFIL4 18 16 IC1 33 19 23 NN32251A 32 25 26 27 C15 10uF C23 10uF C16 0.01uF VFIL3 24 34 VADP TEST 50 28 54 29 52 GNDP1 61 VFB GNDMOD VFIL2 C7 1000pF VFIL1 C6 2200pF VMODIN C20 2200pF CMODIN CSOUT CFIL2 CFIL1 CSIN2 CSIN1 GNDP2 42 57 GNDA1 31 48 46 Current Sense Resistor SCDET4 47 45 PD4L PD4H SCDET3 43 36 44 PD3L PD3H SCDET2 40 C30 C29 C28 C18 (0.1uF*4) 6.3uH Q7 Q8 PD2L 39 35 PD2H PD1L Q6 L2 A11 Q5 C24 C42 10uF 10uF SCDET1 38 37 PD1H 41 VINV 55 LG2 HG2 53 51 49 56 HG1 CFB1 30 LG1 CFB2 R6 LDO18V 1 LED1 R8 R13 R18 R19 C8 1uF D2 R10 560 C11 1uF C14 C13 C12 3300pF 1000pF 3900pF TH1 22 LED2 PLLFIL R12 R11 R16 R17 C3 C4 C5 3300pF 1000pF 68000pF C10 4.7uF 17 R9 560 LDO41V 21 VREF LDO33V R7 R14 R15 TH2 LDO41V C9 1uF TH3 20 64 LDO41V Power Supply (5.0V) Optional Thermister 3 2 TEST3 GNDMC SMBD 63 62 4 51 SELLED1 LDO41V SELLED2 6 TYP 7 NCO2 NCO1 8 SELFOD2 10SELFOD1 PWR 9 11 TEST4 13 12 LDO33V TEST2 FWMD 14 ENB 15 ENB Control 3.3V:active 0V:reset 60 GNDA3 条件 : A11 シングルコイル ADP端子(No.50)：5V印加 ENB端子(No.15)：LDO33V接続 TYP1端子(No.5) ：GND接続 (A11方式) PWR端子(No.9)：GND接続 (ハイパワー非対応) 受電側：AN32258A 評価ボード SMBC 評価回路図 1 R4 25m R3 10k D3 図B-1. NN32251A評価回路図 (A11 シングルコイル) R2 1k C19 0.01uF Page 25 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 代表特性 1. 効率特性 [A11方式] 80 Efficiency [%] 70 60 50 40 30 20 10 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 IOUT [A] 図B-2. 全体効率特性 (A11方式) Page 26 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 代表特性 評価回路図 2 58 VFIL4 16 IC1 33 19 23 NN32251A 32 25 26 27 C15 10uF C23 10uF VADP TEST 50 28 54 29 52 GNDP1 61 VFB GNDMOD VFIL2 C7 1000pF VFIL1 C6 2200pF VMODIN C20 2200pF CMODIN CSOUT CFIL2 CFIL1 CSIN2 CSIN1 GNDP2 42 57 GNDA1 31 48 46 SCDET4 47 45 PD4L PD4H SCDET3 43 44 PD3L PD3H 36 40 SCDET2 PD2L 39 PD2H 35 SCDET1 38 PD1L 37 PD1H 41 VINV 55 LG2 C28 C18 (0.068uF*2) 12.5uH L2 A6 Q5 C24 C42 10uF 10uF HG2 53 51 49 56 HG1 CFB1 30 LG1 CFB2 C8 1uF 18 C16 0.01uF VFIL3 24 34 R6 LDO18V 1 LED1 R8 R13 R18 R19 C3 C4 C5 3300pF 1000pF 68000pF D1 59 D2 R10 560 C11 1uF C14 C13 C12 3300pF 1000pF 3900pF TH1 22 LED2 PLLFIL R12 R11 R16 R17 Current Sense Resistor C10 4.7uF 17 R9 560 LDO41V 21 VREF LDO33V R7 R14 R15 TH2 LDO41V C9 1uF TH3 20 64 LDO41V Power Supply (12.0V) Optional Thermister 3 2 TEST3 GNDMC SMBD 63 4 62 SMBC NCO2LDO41V NCO1 7 SELLED2 6 TYP LDO41V 51 SELLED1 8 SELFOD1 PWR 9 10 SELFOD2 11 TEST4 13 12 LDO33V TEST2 FWMD 14 ENB 15 ENB Control 3.3V:active 0V:reset 60 GNDA3 条件 : A6 シングルコイル ADP端子(No.50)：12V印加 ENB端子(No.15)：LDO33V接続 TYP1端子(No.5)：LDO41V接続 (A6方式) PWR端子(No.9)：LDO41V接続 (ハイパワーモード対応) 受電側：AN32258A 評価ボード (※ハイパワーモード：有効) R4 50m R3 39k D3 図B-3. NN32251A評価回路図 (A6 シングルコイル) R2 3.3k C19 0.01uF Page 27 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 代表特性 Efficiency [%] 2. 効率特性 [A6方式：拡張(ハイパワー)機能有効] 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 500 1000 1500 2000 IOUT [mA] 図B-4. 全体効率特性 (A6方式 拡張機能) Page 28 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A パッケージ情報 パッケージコード：HQFP064-P-1010C 単位:mm 封止材質：Br/Sbフリーエポキシ樹脂 リード材質：Ｃｕ合金 リード表面処理：Ｐｄめっき Page 29 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 Doc No. TA4-EA-06230 Revision. 3 製品規格 NN32251A 重要事項 １．機種展開や新たなセットにご使用になる場合は，信頼性を含む安全性確認をセット毎に必ずお客様の責任において実施してください。 ２．本IC を用いた応用システムを設計する際，注意事項を十分確認の上，お客様の責任において行ってください。本文中には説明に対す る注意事項および使用上の注意事項がありますので，必ずお読みください。 ３．本ICは一般民生機器用に使用されることを意図しています。 特別な品質，信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある下記のような用途への ご使用をお考えのお客様，および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は，事前に当社営業窓口までご相談願い ます。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては責任を負いかねますのでご了承ください。但し、当社が車載用製品 と指定した製品につきましては、自動車用途への使用が可能です。 (1) 宇宙機器 (人工衛星，ロケット，等) (2) 輸送車両の制御機器 (自動車，航空機，列車，船舶，等) (3) 生命維持を目的とした医療機器 (4) 海底中継機器 (5) 発電所制御機器 (6) 防災・防犯装置 (7) 兵器 (8) その他：(1)-(7)と同等の信頼性を必要とする用途 ４．本ICは，当社がISO/TS 16949の要求事項を満たしていると特別に指定した製品を除き，自動車用アプリケーションでの使用を意図し ておらず，また車載環境において使用されるようには設計されておりません。 当社の文書による事前の承諾を得ることなく，本LSIを自動車用アプリケーションに使用したことにより，お客様または第三者に損害等が 発生した場合，当社は一切その責任を負いません。 ５．本ICのご使用に際しては，特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令などの法令を十分調査の上，かかる法令に適合するよう ご使用ください。 お客様が適用される法令を遵守しないことにより生じた損害に関して，当社は一切の責任を負いかねます。 ６．ご使用の際は，本ICの向きに注意してください。間違った向きで実装した場合には破損する恐れがありますので十分に注意して使用くだ さい ７．端子間短絡による破損を防止するために，パターンレイアウトには十分ご注意ください。なお，本ICの端子配列については端子説明をご 参照ください。 ８．本ICの端子間はんだブリッジなどで破損することがありますので，電源印加前に十分にプリント基板の確認を行ってください。 また，実装後の運搬などではんだ屑などの導電性異物が付着した場合も同様の破損が生じる可能性がありますので，実装品質につい ては十分に技術検証をお願いします。 ９．本ICは出力端子– VCC間ショート(天絡)，出力端子– GND間ショート(地絡)，および出力端子間ショート(負荷ショート)，ピン間リーク等の 異常状態が発生した場合に破損する可能性がありますので，十分注意してご使用ください。 また，電源の電流能力が高いほど破損する可能性が高くなりますので，Fuseなどの安全対策を実施されることを推奨します。 １０． 保護回路は，異常動作時に安全性を確保する目的で搭載されています。したがって，通常使用状態で保護回路が働くような事がない ように設計してください。 特に温度保護回路については，出力端子 –ＶCC間ショート(天絡)，出力端子 –GND間ショート(地絡)等によってデバイスの安全動作領 域や最大定格を瞬時に超えるような場合は，温度保護回路が働く前に破損することがあります。 １１． モータコイル，光ピックアップ，トランス等の誘導性負荷を駆動する場合はオン–オフ時に発生する負電圧や過大電圧によりデバイス が破損する事がありますので，本製品規格で定められていない場合は，負電圧や過大電圧が印加されないようにしてください。 １２．外付け部品の故障によるリスクの検証をお願いします。 Page 30 of 30 Established : 2014-01-24 Revised : 2014-03-10 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出 管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株 式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情 報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。 (3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)および本書に個別に記載されている 用途に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途 − 特定用途(航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)へのご使用をお考え のお客様は、事前に当社営業窓口までご相談願います。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては 責任を負いかねますのでご了承ください。 (4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認 ください。 (5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願 いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器 の故障、欠陥については当社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、当 社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、 誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。 (6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による 故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。 また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた 条件を守ってご使用ください。 (7) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。 20100202
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