2SD0874, 2SD0874A

本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
トランジスタ
2SD0874, 2SD0874A (2SD874, 2SD874A)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
低周波電力増幅用
2SB0766 (2SB766), 2SB0766A (2SB766A)とコンプリメンタリ
Unit : mm
4.5±0.1
1.6±0.2
2SD0874
電圧(B 開放時)
2SD0874A
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VCBO
30
V
60
VCEO
25
3˚
1.0+0.1
–0.2
3.0±0.15
V
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
MiniP3-F1 Package
50
VEBO
5
V
IC
1
A
ICP
1.5
A
PC
1
W
Tj
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注 ) * : プリント基板のコレクタ部分の銅泊面積1
45˚
0.4 max.
単位
2.6±0.1
定格
守
保存温度
止
コレクタ・エミッタ間
接合温度
記号
廃
2SD0874A
コレクタ損失
0.4±0.04
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
(E 開放時)
尖頭コレクタ電流
3
2
0.5±0.08
3˚
コレクタ・ベース間電圧 2SD0874
コレクタ電流
1
0.4±0.08
1.5±0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
4.0+0.25
–0.20
• コレクタ損失 PC が大きい
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い
• ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピング,
マ
ガジン包装による自動挿入が可能
1.5±0.1
2.5±0.1
■ 特 長
cm2 以上,厚み1.7
形名表示記号 :
• 2SD0874 : Z
• 2SD0874A : Y
mm
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
保
項目
記号
2SD0874
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
2SD0874A
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
2SD0874A
保
守
2SD0874
VCBO
条件
IC = 10 µA, IE = 0
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
VEBO
IE = 10 µA, IC = 0
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
hFE1 *2
hFE2
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
ベース・エミッタ間飽和電圧
*1
*1
トランジション周波数
30
単位
V
25
V
5
VCE = 10 V, IC = 500 mA
85
VCE = 5 V, IC = 1 A
50
V
0.1
µA
340

VCE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.2
0.4
V
VBE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.85
1.2
V
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
200
fT
コレクタ出力容量(入力開放時)
最大
50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
*1
標準
60
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
直流電流増幅率
最小
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
MHz
20
pF
注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. *1 : パルス測定
*2 : ランク分類
ランク
Q
R
S
hFE1
85 ∼ 170
120 ∼ 240
170 ∼ 340
発行年月 : 2002年11月
SJC00197CJD
注 ) 形名の( )内は , 従来品番です
1
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
2SD0874, 2SD0874A
IC  VCE
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
IB = 10 mA
9 mA
1.0
0.8
0.6
0.4
0.75
4 mA
3 mA
0.50
2 mA
20
40
60
0
80 100 120 140 160
VBE(sat)  IC
100
2
6
8
10
廃
守
VCE = 10 V
75°C
0.1
0.1
1
400
300
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
0
0.01
10
0.1
Cob  VCB
50
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
30
20
Single pulse
TC = 25°C
ICP
1
IC
t=1s
DC
0.1
2SD0874
10
0
1
10
−25°C
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.01
0.1
1
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
SJC00197CJD
10
コレクタ電流 IC (A)
fT  I E
200 V = 10 V
CB
Ta = 25°C
160
120
80
40
0
−1
−10
エミッタ電流 IE (mA)
安全動作領域
10
保
守
40
10
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ電流 IC (A)
保
コレクタ電流 IC (A)
1
2SD0874A
1
Ta = −25°C
直流電流増幅率 hFE
25°C
Ta = 75°C
25°C
hFE  IC
600
500
10
IC / IB = 10
1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
IC / IB = 10
0.01
0.01
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
4
10
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
周囲温度 Ta (°C)
0
トランジション周波数 fT (MHz)
0
1 mA
止
0
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
1.00
0.25
0.2
ベース・エミッタ間飽和電圧 VBE(sat) (V)
Ta = 25°C
1.25
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ損失 PC (W)
1.2
2
VCE(sat)  IC
1.50
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
PC  Ta
1.4
−100
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
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を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。