（半導体 No.1516） 2015 年 12 月 22 日三菱電機株式会社ラインアップ拡大により移動通信システム基地局の多様なニーズに対応「3.5GHz 帯第 4 世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT」ラインアップ拡大のお知らせ三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス※1 の高出力・高効率を実現した「3.5GHz 帯第 4 世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT※2 」4 品種（マクロセル基地局用・スモールセル基地局用各 2 品種）のサンプル提供を 2016 年 2 月 1 日から順次開始します。 ※1 2015 年 12 月 22 日時点、当社調べ ※2 Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ 180W 品 90W 品 7W 品 5W 品 3.5GHz 帯第 4 世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT 新製品の特長 1．業界トップクラスの出力品などラインアップの拡大により多様なニーズに対応・トランジスタ構造の最適化により、3.5GHz 帯マクロセル基地局用として業界トップクラス※1 の出力 180W を実現し、基地局のカバーエリアの拡大に貢献・180W 品をはじめ、90W・7W・5W 品の計 4 品種を新たにラインアップし、移動体通信システム基地局の多様なニーズに対応 2．業界トップの高いドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与・耐電圧に優れた GaN の採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用は 74％（90W 品）、スモールセル基地局用は 67％という業界トップ※1 の高いドレイン効率※3 を実現・高効率化による電力増幅器の小型化・低消費電力化により、通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与 ※3 パッケージ端での数値 3．フランジレスパッケージにより電力増幅器の小型化に貢献＜180W・90W 品＞・フランジ※4 レスパッケージの採用により取付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献 ※4 ネジなどで固定するためにパッケージから鍔状に張り出た部分発売の概要製品名用途形名 3.5GHz 帯 MGFS53G38ET1 マクロセル第 4 世代基地局 MGFS50G38ET1 移動通信システムスモール MGFS38G38L2 基地局用セル GaN 基地局 MGFS37G38L2 HEMT 報道関係からのお問い合わせ先動作周波数 3.4～ 3.8 GHz 概要飽和出力電力 52.6dBm （180W） 49.5dBm （90W） 38.4dBm （7W） 37.0dBm （5W）〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目 7 番 3 号三菱電機株式会社広報部 1 最大ドレイン効率サンプル価格（税抜き）サンプル提供開始日 70％ 30,000 円 2月1日 74％ 15,000 円 3月1日 67％ 3,000 円 3月1日 67％ 3,000 円 2月1日 TEL 03-3218-2359 FAX 03-3218-2431 サンプル提供の狙いスマートフォンやタブレットなどの携帯端末の普及により、携帯端末のデータ通信量は急速に増大しています。膨大なデータ通信量を高速に処理するため、第 4 世代移動通信システム（LTE、 LTE-Advanced）への移行が進められている中、通信速度の向上に加えて、新たな周波数帯の追加やマクロセル基地局のカバーエリアの拡大、スモールセル基地局数の増加などによる通信回線の増強および基地局の小型化・低消費電力化も求められています。当社は今回、これらのニーズに応えるために、新規帯域 3.5GHz 帯の第 4 世代移動通信システムのマクロセル・スモールセル基地局用に業界トップクラス※1 の高出力と高効率を実現した GaN HEMT 4 品種を新たに製品ラインアップに加え、サンプル提供を開始します。今後は、パッケージのラインアップや出力電力、周波数帯が異なる第 4 世代移動通信システム用の製品シリーズの拡充を図るとともに、将来の第 5 世代移動通信システムに対応していく予定です。製品ラインアップと主な仕様高出力電力モード用途マクロセル基地局形名飽和出力電力 [dBm] [W] 線形利得 [dB] ドレイン効率 [％] MGFS53G38ET1 52.6 180 17 70 MGFS50G38FT1 50.0 100 17 74 49.5 90 17 74 39.5 9 20 67 MGFS38G38L2 38.4 7 20 67 MGFS37G38L2 37.0 5 20 67 MGFS50G38ET1 スモールセル基地局周波数 [GHz] MGFS39G38L2 3.4～ 3.8 ※5 ドレイン電圧環境への配慮本製品は RoHS※6 指令（2011/65/EU）に準拠しています。 ※6 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment 製品担当三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所〒664-8641 兵庫県伊丹市瑞原四丁目 1 番地お客様からのお問い合わせ先三菱電機株式会社半導体・デバイス第二事業部高周波光デバイス営業第二部〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目 7 番 3 号 TEL 03-3218-4880 FAX 03-3218-4862 URL http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 2 推奨動作電圧 Vd※5 [V] 50