HB56HW465DB-F 32MB EDO DRAM S.O.DIMM 4-Mword × 64-bit, 4k refresh, 1 Bank Module (4 pcs of 4M × 16 components) ADJ-203-509A (Z) Rev. 1.0 ’99. 12. 10 概要 HB 56 HW4 65 DB は，6 4M ビット DR AM HM5 16 51 65 シリーズ（TS OP パッケージ）を 4 個および，シ リアル EEPROM を 1 個搭載した 4M ワード×64 ビットのダイナミック RAM モジュールです。 外形は 144 ピン S.O.DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module)で，面付実装技術を用いずに，大容量のメモリ を高密度実装することができます。データ入出力は I / O コモンとなっています。また，ノイズ低減のた めに，モジュールボードには，デカップリングコンデンサを搭載しています。 特長 l 144 ピンジグザグデュアルタブソケットタイプ ― 外形寸法：67.60mm（幅）×25.40mm（高さ）×3.80mm（厚さ） ― 端子ピッチ：0.80mm l 3.3V 単一電源：3.3 V ± 0.3 V l 高速です。 ― アクセス時間：t RAC = 50 ns/60 ns (max) ― アクセス時間：t CAC = 13 ns/15 ns (max) l 低消費電力です。 ― 動作時：2.02 W/1.73 W (max) ― スタンバイ時 (TTL)：28.8 mW (max) ― スタンバイ時 (CMOS)： 7.2 mW (max) 4.32 mW (max) (L バージョン) l JEDEC standard outline S. O. DIMM l Extended Data Out（EDO：拡張データ出力）ページモードが可能です。 l リフレッシュサイクル ：4096 サイクル / 64ms l 4 通りのリフレッシュが可能です。 ― RAS オンリリフレッシュ ― CAS ビフォ RAS リフレッシュ ― ヒドンリフレッシュ ― セルフリフレッシュ（L バージョン） HB56HW465DB-F 製品ラインアップ Type No. HB56HW465DB-5F HB56HW465DB-6F HB56HW465DB-5FL HB56HW465DB-6FL Access time 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns Package 144-pin small outline DIMM Gold Contact pad ピン配置 Front Side 1pin 59pin 61pin 143pin 2pin 60pin 62pin 144pin Back Side Pin No. 1 3 5 7 9 11 13 15 2 Front side Signal name Pin No. VSS 73 DQ0 75 DQ1 77 DQ2 79 DQ3 81 VCC 83 DQ4 85 DQ5 87 Signal name OE VSS NC NC VCC DQ16 DQ17 DQ18 Pin No. 2 4 6 8 10 12 14 16 Back side Signal name Pin No. VSS 74 DQ32 76 DQ33 78 DQ34 80 DQ35 82 VCC 84 DQ36 86 DQ37 88 Signal name NC VSS NC NC VCC DQ48 DQ49 DQ50 HB56HW465DB-F Pin No. 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51 53 55 57 59 61 63 65 67 69 71 Front side Signal name Pin No. DQ6 89 DQ7 91 VSS 93 CE0 95 CE1 97 VCC 99 A0 101 A1 103 A2 105 VSS 107 DQ8 109 DQ9 111 DQ10 113 DQ11 115 VCC 117 DQ12 119 DQ13 121 DQ14 123 DQ15 125 VSS 127 NC 129 NC 131 NC 133 VCC 135 NC 137 WE 139 RE0 141 NC 143 Signal name DQ19 VSS DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 VCC A6 A8 VSS A9 A10 VCC CE2 CE3 VSS DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 VCC DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 VSS SDA VCC Pin No. 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72 Back side Signal name Pin No. DQ38 90 DQ39 92 VSS 94 CE4 96 CE5 98 VCC 100 A3 102 A4 104 A5 106 VSS 108 DQ40 110 DQ41 112 DQ42 114 DQ43 116 VCC 118 DQ44 120 DQ45 122 DQ46 124 DQ47 126 VSS 128 NC 130 NC 132 NC 134 VCC 136 NC 138 NC 140 NC 142 NC 144 Signal name DQ51 VSS DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 VCC A7 A11 VSS NC NC VCC CE6 CE7 VSS DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 VCC DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 VSS SCL VCC ピン説明 Pin name A0 to A11 DQ0 to DQ63 RE0 CE0 to CE7 WE OE SDA SCL VCC VSS NC Function Address input —Row address —Column address —Refresh address Data input/output Row address strobe (RAS) Column address strobe (CAS) Read/Write enable Output enable Serial data for PD Serial clock for PD Power supply Ground No connection A0 to A11 A0 to A9 A0 to A11 3 HB56HW465DB-F シリアル PD マトリックス*1 Hex Byte No. Function described Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 value 0 Number of bytes used by 1 0 0 0 0 0 0 0 80 module manufacturer 1 Total SPD memory size 0 0 0 0 1 0 0 0 08 2 Memory type 0 0 0 0 0 0 1 0 02 3 Number of row addresses bits 0 0 0 0 1 1 0 0 0C 4 Number of column addresses bits 0 0 0 0 1 0 1 0 0A 5 Number of banks 0 0 0 0 0 0 0 1 01 6 Module data width 0 1 0 0 0 0 0 0 40 7 Module data width (continued) 0 0 0 0 0 0 0 0 00 8 Module interface signal levels 0 0 0 0 0 0 0 1 01 9 RAS access time 0 0 1 1 0 0 1 0 32 -5F/5FL RAS access time 0 0 1 1 1 1 0 0 3C -6F/6FL 10 CAS access time 0 0 0 0 1 1 0 1 0D -5F/5FL CAS access time 0 0 0 0 1 1 1 1 0F -6F/6FL 11 Module configuration type 0 0 0 0 0 0 0 0 00 12 Refresh rate/type 0 0 0 0 0 0 0 0 00 -5F/-6F Refresh rate/type 1 0 0 0 0 0 0 0 80 -5FL/-6FL (L-version) 13 DRAM width 0 0 0 1 0 0 0 0 10 14 Error checking DRAM data width 15 to 31 Reserved for future offerings 32 to 61 Superset information 62 63 SPD revision Checksum for bytes 0 to 62 -5F Checksum for bytes 0 to 62 -6F Checksum for bytes 0 to 62 -5FL Checksum for bytes 0 to 62 -6FL 64 Manufacturer’s JEDEC ID code 65 to 71 Manufacturer’s JEDEC ID code 72 Manufacturing location 73 74 4 Manufacturer’s part number Manufacturer’s part number 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 00 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 01 32 0 0 1 1 1 1 1 0 3E 1 0 1 1 0 0 1 0 B2 1 0 1 1 1 1 1 0 BE 0 0 0 0 0 1 1 1 07 0 0 0 0 0 0 0 0 00 × × × × × × × × ×× 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 48 42 Comments 128 256 byte EDO 12 10 1 64 bits 0 (+) LVTTL t RAC = 50 ns t RAC = 60 ns t CAC = 13 ns t CAC = 15 ns Non parity Normal (15.625 µs) Self refresh (15.625 µs) 4M × 16 Future offerings Rev. 1 Hitachi * 2 (ASCII8bit code) H B HB56HW465DB-F Hex Function described Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 value Comments Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 0 1 35 5 Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 1 0 36 6 Manufacturer’s part number 0 1 0 0 1 0 0 0 48 H Manufacturer’s part number 0 1 0 1 0 1 1 1 57 W Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 0 0 34 4 Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 1 0 36 6 Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 0 1 35 5 Manufacturer’s part number 0 1 0 0 0 1 0 0 44 D Manufacturer’s part number 0 1 0 0 0 0 1 0 42 B Manufacturer’s part number 0 0 1 0 1 1 0 1 2D — Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 0 1 35 5 -5F/-5FL Manufacturer’s part number 0 0 1 1 0 1 1 0 36 6 -6F/6FL 86 Manufacturer’s part number 0 1 0 0 0 1 1 0 46 F 87 Manufacturer’s part number 0 0 1 0 0 0 0 0 20 (Space) -5F/6F Manufacturer’s part number 0 1 0 0 1 1 0 0 4C L -5FL/6FL (L-version) 88 to 90 Manufacturer’s part number 0 0 1 0 0 0 0 0 20 (Space) 91 Revision code 0 0 1 1 0 0 0 0 30 Initial 92 Revision code 0 0 1 0 0 0 0 0 20 (Space) 93 Manufacturing date × × × × × × × × ×× Year code*3 (year code) (binary) 94 Manufacturing date × × × × × × × × ×× Week code*4 (week code) (binary) 95 to 98 Assembly serial number *5 99 t o 125 Manufacturer specific data *6 126 Reserved 0 0 0 0 0 0 0 0 00 127 Reserved 0 0 0 0 0 0 0 0 00 【注】 1. シリアル PD データはプロテクトされていません。（0：シリアルデータ低レベル，1：シリ Byte No. 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 アルデータ高レベル） 2. バイト 72（製造国）（例：バイト 72 は 4Ah（日本），ASCII では“J”） 3. バイト 93（製造日−年コード）例：'97 年→61h，'98 年→62h 4. バイト 94（製造日−週コード）例：11 週→0Bh，36 週→24h 5. バイト 95∼バイト 98 は製造番号（シリアルナンバー）が書込まれています。 6. バイト 99∼バイト 125 は未使用です。（“1”または“0”） 5 HB56HW465DB-F ブロックダイアグラム RE0 WE OE RAS WE OE CE0 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 UCAS I/O15 I/O14 I/O13 I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 I/O8 CE1 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 LCAS I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 RAS WE OE CE4 DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 LCAS I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 D0 D2 CE5 DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 UCAS I/O15 I/O14 I/O13 I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 I/O8 RAS WE OE CE2 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 RAS WE OE CE6 DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 UCAS I/O8 I/O9 I/O10 I/O11 I/O12 I/O13 I/O14 I/O15 LCAS I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 D1 CE3 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 LCAS I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A0 to A11 D3 CE7 DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 A0 to A11 (D0 to D3) VCC VCC (D0 to D3, U0) VSS VSS (D0 to D3, U0) 0.22 µF × 6 pcs UCAS I/O8 I/O9 I/O10 I/O11 I/O12 I/O13 I/O14 I/O15 SDA SCL SCL A0 A1 *D0 to D3: HM5165165 U0: Serial EEPROM 256× 8 SDA U0 A2 Notes :1. The SDA pull-up resistor is required due to the open-drain/open-collector output. 2. The SCL pull-up resistor is recommended because of the normal SCL line inacitve "high" state. 6 HB56HW465DB-F 絶対最大定格 Parameter Terminal voltage on any pin relative to VSS Power supply voltage relative to VSS Short circuit output current Power dissipation Storage temperature range Symbol VT VCC Iout PT Tstg Value –0.5 to +4.6 –0.5 to +4.6 50 4.0 –55 to +125 Unit V V mA W °C DC 動作条件 Parameter Supply voltage Input high voltage Input low voltage Ambient temperature range Symbol VCC VSS VIH VIL Ta Min 3.0 0 2.0 –0.3 0 Typ 3.3 0 — — — Max 3.6 0 VCC + 0.3 0.8 70 Unit V V V V °C Notes 1, 2 2 1 1 【注】 1. VSS に対して。 2. すべての VSS ピンは同一の電源電圧を印加してください。同様にすべての VSS ピンには同一の 電源電圧を印加してください。 DC 特性 Parameter Operating current* 1, * 2 Standby current Symbol I CC1 I CC2 HB56HW465DB 50 ns 60 ns Min Max Min Max — 560 — 480 — 8 — 8 — 2 — 2 Standby current (L-version) I CC2 — 1.2 — 1.2 RAS-only refresh current* 2 Standby current* 1 I CC3 I CC5 — — 560 20 — — 480 20 CAS-before-RAS refresh current EDO page mode current* 1, * 3 I CC6 — 560 — 480 I CC7 — 480 — 440 Unit Test conditions mA t RC = min mA TTL interface RAS, CAS = VIH Dout = High-Z mA CMOS interface RAS, CAS ≥ VCC – 0.2 V Dout = High-Z mA CMOS interface RAS, CAS ≥ VCC – 0.2 V Dout = High-Z mA t RC = min mA RAS = VIH, CAS = VIL Dout = enable mA t RC = min mA RAS = VIL , CAS cycle, t HPC = t HPC min 7 HB56HW465DB-F Parameter Battery backup current* 4 (Standby with CBR refresh) (L-version) Symbol I CC10 HB56HW465DB 50 ns 60 ns Min Max Min Max — 4.8 — 4.8 Unit Test conditions mA CMOS interface Dout = High-Z CBR refresh: t RC = 15.6 µs t RAS ≤ 0.3 µs Self refresh mode current I CC11 — 2 — 2 mA CMOS interface (L-version) RAS, CAS ≤ 0.2 V Dout = High-Z Input leakage current I LI –5 5 –5 5 µA 0 V ≤ Vin ≤ VCC + 0.3 V Output leakage current I LO –5 5 –5 5 µA 0 V ≤ Vout ≤ VCC Dout = disable Output high voltage VOH 2.4 VCC 2.4 VCC V High Iout = –2 mA Output low voltage VOL 0 0.4 0 0.4 V Low Iout = 2 mA 【注】 1. I CC はデバイスが選択されたときの出力負荷条件で決まります。I CCmax は出力開放条件のとき の I CC と規定されます。 2. RAS = VIL の間，アドレスの切りかえは 1 回以下とします。 3. EDO1 サイクルに 1 回以下の連続アドレス切りかえとします。 4. VIH≧VCC – 0.2V，0V≦VIL≦0.2V. 容量 (Ta = 25˚C, VCC = 3.3 V ± 0.3 V) Parameter Symbol Typ Max Input capacitance (Address) CI1 — 40 Input capacitance (RAS, WE, OE) CI2 — 48 Input capacitance (CAS) CI3 — 22 I/O capacitance (DQ) CI/O — 17 【注】 1. ブントンメータあるいはそれに等価な測定方法によって測定した値。 2. Dout を非選択するために，RAS および CAS を VIH にして測定した値。 8 Unit pF pF pF pF Notes 1 1 1 1, 2 HB56HW465DB-F AC 特性 (Ta = 0 to +70˚C, VCC = 3.3 V ± 0.3 V, VSS = 0 V) * 1, * 2, * 19 測定条件 l 入力上昇 / 下降時間：2ns l 入力レベル：VIL = 0V，VIH = 3.0V l 入力タイミング参照レベル：0.8V，2.0V l 出力タイミング参照レベル：0.8V，2.0V l 出力負荷：1 TTL gate + CL（100pF）（スコープ，ジグ容量を含む） リード，ライト，リードモディファイライト，リフレッシュサイクル（共通項目） 50 ns Parameter Random read or write cycle time RAS precharge time CAS precharge time RAS pulse width CAS pulse width Row address setup time Row address hold time Column address setup time Column address hold time RAS to CAS delay time RAS to column address delay time RAS hold time CAS hold time CAS to RAS precharge time OE to Din delay time OE delay time from Din CAS delay time from Din Transition time (rise and fall) Symbol t RC t RP t CP t RAS t CAS t ASR t RAH t ASC t CAH t RCD t RAD t RSH t CSH t CRP t OED t DZO t DZC tT Min 84 30 8 50 8 0 8 0 8 12 10 13 35 5 13 0 0 2 Max — — — 10000 10000 — — — — 37 25 — — — — — — 50 60 ns Min 104 40 10 60 10 0 10 0 10 14 12 15 40 5 15 0 0 2 Max — — — 10000 10000 — — — — 45 30 — — — — — — 50 Unit ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns Notes 3 4 5 6 6 7 9 HB56HW465DB-F リードサイクル Parameter Access time from RAS Access time from CAS Access time from address Access time from OE Read command setup time Read command hold time to CAS Read command hold time from RAS Read command hold time to RAS Column address to RAS lead time Column address to CAS lead time CAS to output in low-Z Output data hold time Output data hold time from OE Output buffer turn-off time Output buffer turn-off to OE CAS to Din delay time Output data hold time from RAS Output buffer turn-off to RAS Output buffer turn-off to WE WE to Din delay time RAS to Din delay time Symbol t RAC t CAC t AA t OEA t RCS t RCH t RCHR t RRH t RAL t CAL t CLZ t OH t OHO t OFF t OEZ t CDD t OHR t OFR t WEZ t WED t RDD 50 ns Min Max — 50 — 13 — 25 — 13 0 — 0 — 50 — 0 — 25 — 15 — 0 — 3 — 3 — — 13 — 13 13 — 3 — — 13 — 13 13 — 13 — 60 ns Min Max — 60 — 15 — 30 — 15 0 — 0 — 60 — 0 — 30 — 18 — 0 — 3 — 3 — — 15 — 15 15 — 3 — — 15 — 15 15 — 15 — Unit ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns Notes 8, 9 9, 10, 17 9, 11, 17 9 Symbol t WCS t WCH t WP t RWL t CWL t DS t DH 50 ns Min Max 0 — 8 — 8 — 13 — 8 — 0 — 8 — 60 ns Min Max 0 — 10 — 10 — 15 — 10 — 0 — 10 — Unit ns ns ns ns ns ns ns Notes 14 50 ns Min Max 116 — 67 — 30 — 42 — 13 — 60 ns Min Max 140 — 79 — 34 — 49 — 15 — Unit ns ns ns ns ns Notes 12 12 21 13, 21 13 5 21 13, 21 13 ライトサイクル Parameter Write command setup time Write command hold time Write command pulse width Write command to RAS lead time Write command to CAS lead time Data-in setup time Data-in hold time 15 15 リードモディファイライトサイクル Parameter Read-modify-write cycle time RAS to WE delay time CAS to WE delay time Column address to WE delay time OE hold time from WE 10 Symbol t RWC t RWD t CWD t AWD t OEH 14 14 14 HB56HW465DB-F リフレッシュサイクル Parameter CAS setup time (CBR refresh cycle) CAS hold time (CBR refresh cycle) WE setup time (CBR refresh cycle) WE hold time (CBR refresh cycle) RAS precharge to CAS hold time Symbol t CSR t CHR t WRP t WRH t RPC 50 ns Min Max 5 — 8 — 0 — 8 — 5 — 60 ns Min Max 5 — 10 — 0 — 10 — 5 — Unit ns ns ns ns ns Notes EDO ページモードサイクル Parameter EDO page mode cycle time EDO page mode RAS pulse width Access time from CAS precharge RAS hold time from CAS precharge Output data hold time from CAS low CAS hold time referred OE CAS to OE setup time Read command hold time from CAS precharge Write pulse width during CAS precharge OE precharge time Symbol t HPC t RASP t CPA t CPRH t DOH t COL t COP t RCHC 50 ns Min Max 20 — — 100000 — 28 28 — 3 — 8 — 5 — 28 — 60 ns Min Max 25 — — 100000 — 35 35 — 3 — 10 — 5 — 35 — Unit ns ns ns ns ns ns ns ns t WPE 8 — 10 — ns t OEP 8 — 10 — ns Notes 20 16 9, 17 9, 22 EDO ページモードリードモディファイライトサイクル Parameter EDO page mode read- modify-write cycle time WE delay time from CAS precharge Symbol t HPRWC t CPW 50 ns Min Max 57 — 60 ns Min Max 68 — 45 54 — — Unit ns Notes ns 14 リフレッシュ Parameter Refresh period Symbol t REF Max 64 Unit ms Notes 4096 cycles 11 HB56HW465DB-F セルフリフレッシュモード（L バージョン） Parameter Symbol RAS pulse width (self refresh) t RASS RAS precharge time (self refresh) t RPS CAS hold time (self refresh) t CHS 【注】 1. AC 測定は t T = 2ns とします。 50 ns Min Max 100 — 90 — –50 — 60 ns Min Max 100 — 110 — –50 — Unit µs ns ns Notes 25 25 2. 電源投入後 200µs 以上待機し，さらに 8 回以上のイニシャルサイクルを加えてください。な お，イニシャルサイクルとしては RA S オン リリフレッシュサイクルあるいは CA S ビフォ RAS リフレッシュサイクルを加えてください。 3. t RCD が t RCD（Max）より大きい場合，アクセス時間は t CAC によって規定されます。 4. t RAD が t RAD （Max）より大きい場合，アクセス時間は t AA によって規定されます。 5. t OED または t CDD のいずれか一方を満たしてください。 6. t DZO または t DZC のいずれか一方を満たしてください。 7. VIH （Min）と VIL（Max ）は入力信号の測定タイミング参照レベルです。トランジション時間 は VIH から VIL への立下がり時間またはその逆の立上がり時間です。 8. t RCD≦t RCD（Max）かつ t RAD ≦t RAD（Max）とします。t RCD あるいは t RAD がこの表の最大推奨値よ り大きい場合，t RAC は規定値を越えます。 9. 1TTL + 100pF に等価な負荷回路で測定。 10. t RCD≧t RCD（Max）かつ t RCD + t CAC （Max）≧t RAD + t AA （Max）の場合，この値を適用します。 11. t RAD ≧t RAD （Max）かつ t RCD + t CAC （Max）≦t RAD + t AA （Max）の場合，この値を適用します。 12. リードサイクルでは，t RCH または t RRH のいずれか一方を満たしてください。 13. t OFF（Max）および t OEZ（Max），t WEZ（Max），t OFR （Max）は出力が開放状態に達し，出力電 圧を参照できなくなった場合の時間で定義します。 14. t W CS ≧t W CS（Min）の 場合，このサイクルはアー リライトサイクルとなります 。データ出力端 子はこのサイクルの間，High -Z 状態に保たれます。t R WD ≧t R WD （Min）かつ t C WD ≧t C WD （Min） かつ t AWD ≧t AWD（Min），あるいは t CWD≧t CWD（Min）かつ t AWD ≧t AWD（Min）かつ t CPW ≧t CPW（Min） の場合，リードモディファイライトサイクル となり，選択されたセルのデータがデータ出力 端子に出力されます。 上記の条件にセットされない場合，データ出 力の状態（アクセス時間に対して）は不確定と なります。 15. t D S，t D H はアーリライトサイクルにおける CA S リーディングエッジ，およびディレイドライ トあるいはリードモディファイライトサイクルにおける WE リーディングエッジに対して適 用します。 16. t RASP は EDO ページモードサイクルの RAS パルス幅で規定されます。 17. アクセス時間は t AA ，t CAC ，t CPA のいずれか長いほうで規定されます。 12 HB56HW465DB-F 18. ディレイドライトあるいはリードモディファイライトサイクルでは，データ入力前に OE を High にし，出力バッファを非選択にしてください。 19. 出力バッファを一度出力状態にした場合は， 出力レベルが安定するまで出力状態を保持して ください。出力状態を短期間にオン / オフさせることにより一般的に大きなノイズが電源に 発生し，デバイスの VIH（Min）/ VIL（Max）レベルを悪化させることがあります。 20. t HPC（Min）は EDO ページモードライトサイクルもしくは EDO ページモードリードサイクル で実現できます。 EDO ページモードサイクルでリードとライトが混在するときは CAS の最 小サイクル期間は t H PC （Min）の規定値より大きな値となります（ED O ページモードミック スサイクル（1），（2）参照）。 21. 出力は RAS， CAS の立上りの遅いほうで High-Z となります。 したがって t OHR と t OH および t OFR と t OFF はそれぞれ遅いほうのエッジによる規定が有効となります。 22. t DOH は出力レベルが出力タイミング参照レベル (VOL = 0.8 V, VOH = 2.0 V) を満足する時間で定 義します。 23. セルフリフレッシュモードを使用する場合は ，セルフリフレッシュモードの前後に全アドレ スに対し下記条件で 64ms 以内の CBR リフレッシュを行ってください。 a. 全アドレスの，集中リフレッシュまたは等間隔の分散リフレッシュ終了後，15. 6µs 以内 にセルフリフレッシュモードに入ってください。 b. セルフリフレッシュモードから出た後 15. 6µs 以内に, 全アドレスの集中リフレッシュを 開始するか，または等間隔の分散リフレッシュを開始してください。 24. RAS オンリリフレッシュを使用時にセルフリフレッシュモードに入る場合でも，その前後は 注 23 にしたがって CBR リフレッシュを行ってください。 25. t R ASS ＞100µs でセルフリフレッシュモードに入ります。t R ASS ＜10µs ではセルフリフレッシュ モードに入りません。10µs ≦t R ASS ≦100µs では不定となります。t R ASS ≧10µs では t R PS を満足 させてください。 26. XXX: H or L (H: VIH (Min)≦VIN≦VIH (Max), L: VIL (Min) ≦VIN≦VIL (Max)) ///////: Invalid Dout 波形図内で，波形が記載されていない，アドレス，クロック，入力ピンは VIH または VIL のい ずれかに設定してください。 13 HB56HW465DB-F 2CAS 制御についての注意事項 2 つの CA S（CA S0 と CA S1 （又は CA S2 ，CA S4 ，CA S6 と CA S3 ，CA S5 ，CA S7 ））のタイミングを 意図的にずらさないでください。 ただし 2 つの CAS のスキューを以下の条件で認めています。 1. CAS0 / CAS1 はそれぞれ個別にタイミング規定を守ってください。 2. 以下のように，上位 / 下位バイトに違った動作モードを設定しないでください。 RAS Delayed write CAS0 (CAS2, CAS4, CAS6) Early write CAS1 (CAS3, CAS5, CAS7) WE 3. 上位 / 下位バイトの立ち上がりと立ち下がりの期間（t UL ）を t CP 以上にしてください。 RAS CAS0 (CAS2, CAS4, CAS6) CAS1 (CAS3, CAS5, CAS7) t UL 4 . CA S0 （CA S2 ，CA S4 ，CA S6 ）または CA S1 （CA S3 ，CA S5 ，CA S7 ）を Hi gh にすることによるバイ ト制御が可能です。 14 HB56HW465DB-F タイミング波形*26 リードサイクル tRC tRAS tRP RAS tCSH tCRP tRCD tT tRSH tCAS CAS tRAD tASR Address tRAH tRAL tCAL tASC tCAH Column Row tRRH tRCHR tRCS tRCH WE tDZC tCDD tWED tRDD High-Z Din tDZO tOEA tOED OE tOEZ tOHO tOFF tOH tOFR tOHR tCAC tAA tRAC tCLZ tWEZ Dout Dout 15 HB56HW465DB-F アーリライトサイクル tRC tRAS tRP RAS tCSH tCRP tRCD tRSH tCAS tT CAS tASR Address tRAH Row tASC tCAH Column tWCS tWCH WE tDS Din Dout tDH Din High-Z* * t WCS 16 t WCS (min) HB56HW465DB-F ディレイドライトサイクル*18 tRC tRAS tRP RAS tCSH tCRP tRCD tRSH tCAS tT CAS tASR Address tRAH tASC Row tCAH Column tCWL tRWL tWP tRCS WE tDS tDZC High-Z Din , Din tDH tOED tDZO tOEH tOEP OE tOEZ tCLZ High-Z Dout Invalid Dout 17 HB56HW465DB-F リードモディファイライトサイクル*18 tRWC tRAS tRP RAS tT tRCD tCAS tCRP CAS tRAD tASR Address tASC tRAH Row tCAH Column tCWL tCWD tRCS tRWL tWP tAWD tRWD WE tDZC tDS High-Z Din , Din tDH tOED tDZO tOEH tOEA tOEP OE tCAC tAA tOEZ tRAC tOHO Dout Dout tCLZ 18 High-Z HB56HW465DB-F RAS オンリリフレッシュサイクル tRC tRAS tRP RAS tT tRPC tCRP tCRP CAS tASR tRAH Row Address tOFR tOFF High-Z !" Dout 19 HB56HW465DB-F CAS ビフォ RAS リフレッシュサイクル tRC tRP tRC tRP tRAS tRAS tRP RAS tT tRPC tCP tRPC tCSR tCHR tWRP tWRH tCP tCRP tCSR tCHR CAS tWRP WE Address tOFR tOFF Dout 20 High-Z tWRH HB56HW465DB-F ヒドンリフレッシュ tRC tRC tRAS tRP tRAS tRC tRP tRAS tRP RAS tT tRSH tCHR tCRP tRCD CAS tRAD tASR Address tRAH tRAL tASC Row tCAH Column tRRH tRCS tRCH WE tWED tDZC tCDD tRDD High-Z Din tDZO tOED tOEA OE tCAC tAA tRAC tOFF tCLZ Dout tOEZ tWEZ tOHO tOH Dout tOFR tOHR 21 HB56HW465DB-F EDO ページモードリードサイクル t RP t HPC t RASP RAS tT t CSH t CP t HPC t CAS CAS t HPC t CPRH t CP t t CRP RSH t CAS t RCHR t RCS t CP tCAS tCAS t RCHC t RCH t RCS t RRH t RCH WE tASR Address tRAH tASC Row tCAH Column 1 t WPE t ASC t CAH t ASC t CAH Column 2 Column 3 t CAL t CAL t RAL t CAH tASC t WED Column 4 t CAL t CAL tRDD tCDD tDZC High-Z Din tCOL tDZO tCOP t OEP tOED tOEP OE tAA tCAC tCPA tAA tCAC tOEZ tOHO tAA tOEZ tCAC tAA tOFR tOHR tOEZ tCPA tCPA tOEA tWEZ tOEA tRAC Dout 22 tDOH Dout 1 Dout 2 Dout 2 tOHO Dout 3 tCAC tOHO tOFF tOH tOEA Dout 4 HB56HW465DB-F EDO ページモードアーリライトサイクル tRP tRASP RAS tT tCSH tHPC tCAS tRCD tCP tRSH tCAS tCP tCAS tCRP CAS tASR Address Row tRAH tASC tCAH Column 1 tWCS tWCH tASC tCAH Column 2 tWCS tWCH tASC tCAH Column N tWCS tWCH WE tDS Din Dout tDH Din 1 tDS tDH Din 2 tDS tDH Din N High-Z* * t WCS t WCS (min) 23 HB56HW465DB-F EDO ページモードディレイドライトサイクル*18 tRASP tRP RAS tT tCP tCSH tRCD tCRP tCP tHPC tCAS tCAS tRSH tCAS CAS tRAD tASR tASC tCAH tASC tCAH Column 1 Column 2 tRAH Address Row tASC tCAH tCWL Column N tCWL tCWL tRWL tRCS tRCS tRCS WE tWP tDZC tDS tDZC tWP tDS tDZC tDH tDH Din 1 Din tDZO tOED tWP tDS tDH Din 2 tDZO tOED tOEP tOEH tDZO tOED tOEP tOEH !" tOEP tOEH Din N OE tCLZ tCLZ tOEZ tCLZ tOEZ tOEZ High-Z Dout Invalid Dout 24 Invalid Dout Invalid Dout HB56HW465DB-F EDO ページモードリードモディファイライトサイクル*18 t RASP t RP RAS tT t HPRWC t CP t RCD t RSH t CP t CAS t CAS t CRP t CAS CAS t RAD t ASR Address t ASC t RAH t ASC t CAH t CAH Column 1 Row t ASC t CAH Column 2 t RWD t CWL t AWD t CPW t CWL t CPW t AWD t RCS t CWD Column N t CWL t AWD t RCS t CWD t RWL t CWD WE t RCS t WP t WP t DZC t DS t WP t DZC t DS t DZC t DS t DH t DH Din 1 Din t DZO t OED t OEP t OEH t DH Din 2 t OED t DZO t OEP t OEH Din N t OED t DZO t OEP t OEH OE t OHO t OHO t OHO t OEA t CAC t OEA t CAC t AA t OEA t CAC t AA t CPA t RAC t OEZ t CLZ t AA t CPA t OEZ t CLZ t OEZ t CLZ High-Z Dout Dout 1 Dout 2 Dout N 25 HB56HW465DB-F EDO ページモードミックスサイクル (1)*20 t RP t RASP RAS tT t CAS CAS t CRP t CP t CP t CP t CAS tCAS t CSH tCAS tCWL tRSH t RCD t WCS t WCH tCPW tAWD WE t ASC tRAH tASR Address Row tCAH Column 1 t RRH t RCH t RCS t RCS t ASC t CAH tASC t CAH Column 2 Column 3 tWP tASC t RAL t CAH Column 4 t CAL t DS Din Din 1 tRDD tCDD t CAL t DH t DH t DS High-Z Din 3 tOED tOEP tWED OE tCPA tAA tCAC Dout 26 tOFR tWEZ tCPA tCPA tAA tOEA t DOH Dout 2 t OEZ tCAC t OHO Dout 3 tAA tOEZ tCAC tOHO tOEA tOFF tOH Dout 4 HB56HW465DB-F EDO ページモードミックスサイクル (2) *20 t RP t RASP RAS tT t CSH t CAS CAS t RCD t CAS tCAS t RCHR t RCS t RCH tWCS t WCH tCWL tRAH Row tCAH Column 1 t ASC t CAH t ASC t CAH Column 2 Column 3 tRSH t RCS t RRH t RCH tWP tCPW tASR Address tCAS t RCS WE t ASC t CRP t CP t CP t CP t RAL t CAH tASC Column 4 t CAL t CAL t DS t DS High-Z Din t DH tRDD tCDD t DH Din 2 Din 3 t OEP t OEP tOED tOED tCOP tWED tCOL OE t OEA tAA tOEA tCAC tOEZ tCPA tAA tCAC tRAC tOEZ t OHO t OHO Dout Dout 1 tOFR tWEZ tCPA Dout 3 tAA tCAC tOEZ tOEA tOFF tOH tOHO Dout 4 27 HB56HW465DB-F セルフリフレッシュサイクル（L バージョン）* 23, 24, 25 tRASS tRP tRPS RAS tT , , tRPC tCP tCRP tCHS tCSR CAS tWRP tWRH WE $&+, tOFR tOFF Dout 28 High-Z HB56HW465DB-F 外形寸法図 HB56HW465DB シリーズ Unit: mm inch 3.80Max. 0.150Max. 2.10 0.083 23.20 0.913 3.70 0.146 B 4.60 0.181 32.80 1.291 A 2-R2.00 2-R0.079 144 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, Component area ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, (back) ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, (Datum -A-) 4.00Min. 0.157Min. 1.00 ± 0.10 0.039 ± 0.004 4.60 0.181 32.80 1.291 2 2- ø1.80 2- ø0.071 ,,,, ,,,, ,,,, ,,, 4.00 ± 0.10 0.157 ± 0.004 23.20 0.913 2.50 0.098 3.30 0.130 2R3.00Min 2R0.118Min. 143 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, Component area ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, (front) ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, 3.20Min. 0.126Min. 63.60 2.504 (Datum -A-) 1 25.40 1.000 6.00 0.236 24.50 0.965 20.00 0.787 67.60 2.661 2.00Min. 0.079Min. Detail B Detail A (DATUM -A-) 2.5 0.098 0.80 0.031 R0.75 R0.030 4.00 ± 0.10 0.157 ± 0.004 2.55 Min. 0.100 Min. 0.25 Max. 0.010 Max. 0.60 ± 0.05 0.024 ± 0.002 1.50 ± 0.10 0.059 ± 0.004 29 HB56HW465DB-F ご注意 1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・ 技術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知 的所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載され た情報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を 負いませんので予めご了承ください。 3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しま しては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種 安全装置， ライフサポート関連の医療機器等の ように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障 や誤動作が 直接人命を脅かし たり，人体に危害を 及ぼす恐れのある用 途にご使用をお考 えのお客様 は，事前に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきま しては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。 保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。 また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考 慮の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないよ うにフェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7 . 本書の一 部または全部を弊社 の文書による承認 なしに転載または複 製することを堅くお 断り致しま す。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。 半 導 体グループ 北 海 道 支 社 東 北 支 社 電機システム統括営業本部 新 潟 支 店 半導体グループ電子統括営業本部 茨 城 営 業 所 松 本 営 業 所 高 崎 営 業 所 横 浜 支 社 〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）(03) 3270-2111(大代) (011) 261-3131 (代) 県 央 支 店 (0462) 96-6800 (代) 川 崎 営 業 所 (044) 246-1501 (代) (022) 223-0121 (代) 沼 津 営 業 所 (0559) 51-3530 (代) (03) 3258-1111 (代) ダイヤル) 金 沢 支 店 (076)263-2351 ( イン (025) 241-8161 (代) 中 部 支 社 (052) 243-3111 (代) (03) 3270-2111 (代) 関 西 支 社 (06) 6616-1111 (大代) (029) 271-9411 (代) 中 国 支 社 (082) 223-4111 (代) (0263) 36-6632 四 国 支 社 (087) 8 31-2111 (代) (027) 325-2161 九 州 支 社 (092) 852-1111 (代) (045) 451-5000 (代) ■資料のご請求は，上記の担当営業または下記へどうぞ。 株式会社 日立製作所 半導体グループ 電子統括営業本部 半導体ドキュメント管理室 〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目６番２号（日本ビル） 電話 (03) 5201-5189 (直) FAX (03) 3270-3277 ● 製品仕様は、改良のため変更することがあります。 Copyright © Hitachi, Ltd., 1998. All rights reserved. Printed in Japan. (株)日立製作所 半導体グループのWWWにおいて、製品情報がより豊富にお届けできるようになりました。ぜひご覧ください。 http://www.hitachi.co.jp/Sicd/ 30
© Copyright 2024 ExpyDoc
