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HP4145A半導体パラメータアナラザー
• ダイオード、トランジス
タなどの電子デバイス
の各種の直流特性を正
確に測定
• グラフ表示、パラメータ
解析が可能
⇒SOI TEGチップの照射前後のVD,IDの測定
GPIBで制御
V1:0～2V ,step0.1V
V2:測定
GPIBでの読み出し
V1=Vs1
2
47kΩ
V2=Vm1
47kΩ
V2(V)
1.5
1
系列1
0.5
0
0
0.5
1
V1(V)
1.5
2
SMU(Source Monitor Units)を用いた測定
SMU1
A
V,I
source V (SMU1)
V: -0.5 ～ 1(V)
step 0.01(V)
I (SMU1):測定
Diode or module
SMU2
Com
compliance 100μA
module25台のI-V,I-R
1.00E-03
8.00E-04
Current(A)
6.00E-04
4.00E-04
2.00E-04
0.00E+00
0
2
4
6
-2.00E-04
Bais Voltage(V)
8
10
202
475
642
853
709
698
648
54
583
580
582
581
5
579
958
102
523
100
97
751
188
90
957
619
I-R
8.00E+04
202
diode
475
642
7.00E+04
853
709
698
6.00E+04
648
54
Resistance(Ω)
I-V
583
580
5.00E+04
582
581
5
4.00E+04
579
958
102
3.00E+04
523
100
97
751
2.00E+04
188
90
957
1.00E+04
1.00E-06
619
1.00E-05
1.00E-04
Current(A)
1.00E-03
各moduleの10μA付近での抵抗値
10μAでの抵抗値
4.00E+01
・modeleの抵抗値
resistance (kΩ)
3.50E+01
2～3.5kΩ
3.00E+01
R
2.50E+01
2.00E+01
1.50E+01
1
6
11
module数(個）
16
・50kΩを超えるものはない
diodeとmoduleのI-V,I-R
Bais voltage(V)
I-V
1.00E-03
0
1.00E-04
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.00E-04
8.00E-05
Si diode
module
4.00E-05
2.00E-05
diode+10k
Ω
0.00E+00
-2.00E-05
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Bais Voltage(V)
1
Current(A)
1.00E-05
6.00E-05
diode+10kΩ
diode
module
1.00E-06
1.00E-07
1.00E-08
1.2
1.00E-09
I-V
I-R
1.E+06
Resistance(R)
Current(A)
0.2
diode
diode+10kΩ
module
1.E+05
1.E+04
1.00E-06
1.00E-05
Current(A)
1.00E-04

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