科学研究費補助金 新学術領域研究 「コンピューティクスによる物質デザイン :複合相関と非平衡ダイナミクス」 2013年7月8-9日 “自己組織化膜とプラズマの反応 解析・制御による自己組織化膜 への機能付与” Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 研究代表:篠原正典 長崎大学大学院工学研究科電気・情報科学部門 [email protected] 1 プラズマー表面相互作用 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. Plasma H C Reactions in gas phase プラズマ―表面相互作用 “プラズマが誘起する表面反応” 藤山教授,松田准教授 プラズマCVD, エッチング 反応の最前線 膜質 2 自己組織化膜 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 自己組織化膜 単分子膜,種類が多い 官能基,組成,構造が規定されている 表面に様々な官能基,膜自体でもデバイス 半導体-バイオ融合 半導体へのバイオ分子の固定 バイオ分子と半導体の継ぎ目 Hamers/ ウィスコンシン大学 ダイヤモンド上への固定 広島大学 Hamers, et al., Nature Materials 1,253 (2002) ペプチド結合 3 自己組織化膜の修飾 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 表面修飾 別の官能基をつけることにより,新たな機能を付与できる。 化学的修飾 分子が長くなる 時間がかかる プラズマを用いた修飾 分子は短いまま 早い(高速処理) プラズマ: 様々な反応性の高い化学種(ラジカル,イオン) ソフトマテリアルは不向き 4 目的 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 自己組織化膜をプラズマによって表面修飾 モノマーが短いままで、NH2,OHなどの官能基の 付与,切断 膜特性の改質・自由な分子設計 自己組織化膜:規定された状態 プラズマ:規定できない,ソフトは不向き プロセスの最適化 プラズマ 処理 OH プラズマ生成、基板の状態 反応の制御 5 プラズマ―SAM相互作用の解明 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. Plasma H プラズマ表面相互作用 “プラズマが誘起する表面反応” プラズマ:水素、酸素、窒素など軽元素 水など を原料 基板:冷却してゆらぎを防ぐ Si基板 SAM 官能基:生成されやすい、消滅しやすい 制御法:基板温度、基板バイアス、プラズマの条件 6 実験方法 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 膜の化学結合状態の変化 赤外吸収分光 MIR-IRAS: Infrared Absorption Spectroscopy in Multiple Internal Reflection Geometry 高分解能 IR 測定環境を選ばない 大気, 液中, 真空,プラズマ中 In-situ, Real-time 検出感度が高い 反応性プラズマ Siプリズム IR ガウシアンを用いた第一原理計算 7 MIR-IRASを備えた実験装置 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. Matching network RF power (13.56MHz) RF power (800kHz) Si prism ( substrate) RF plasma source Gas Plasma Sample holder (with heater and RF bias ) チャンバーの整備 マニュプレータ:冷却機能付き Concave Mirror 8 予備実験:自己組織化膜 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. NH2-terminated SAM Si-O bonded to a Si substrate 3-(2-aminoethylamino)propyldimethoxymethylsilane OCH3 H2NCH2CH2NH(CH2)3 Si CH3 OCH3 H H H H H H N N N N-H N-H N-H Si Si Si OO OO Si Prism O O 9 実験装置 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 大気圧プラズマの曝露 プラズマ High Voltage Supply 10kHz 9000Vpp Dielectrics SAM FT-IR Electrode Si Substrate 1 cm IR Detector 10 大気圧空気プラズマのSAMへの曝露 Peak intensity (arb. units) Difference absorbance (arb. units) Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. C-OH 0.2 0.3 Y= Y 0-Y1*exp(-t/ t) t=15.4 0.2 0.1 0.0 t=2.0 (NH) Y= Y 2+Y3*exp(-t/ t) t=1.0 (CNH) -0.1 10 C=O N-H 1800 1600 1400 Frequency (cm-1) 1200 20 30 40 Time (min.) 50 60 参照スペクトル: 曝露前のSAMのスペクトル NHの減少 OHの増加 11 反応モデル Peak intensity (arb. units) Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 大気圧空気プラズマ (H2O)n, OH* , O*, O3 , hν 加水分解? H 0.05 -0.05 10 H C H N 20 30 40 Time (min.) 50 60 OH H C :COH :NH2 0.00 -0.10 N H H 0.10 H H H C C H N OH C H C H OH H N 12 電極-基板間距離 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. SAMの大気圧プラズマ曝露 60分 OH NH 0.15 Peak Intensity (arb. units) SAM on Si(100) OH 1cm 2cm 5cm 0.10 0.05 0.00 -0.05 H2O in air NH 1cm 2cm 5cm -0.10 -0.15 2 4 6 8 0.1 2 1 4 Time(min) 6 8 2 10 Electrode Dielectrics Electrode SAM Si Prism 1~5 cm 13 4 6 今後の予定1 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 真空プロセス 規定された自己組織化膜と プラズマ中の化学種との反応 多重内部反射赤外分光法用いて、 自己組織化膜の化学結合状態の変化を 解析する 14 今後の予定2 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 膜の状態変化 赤外吸収スペクトル 第一原理計算(ガウシアン) プラズマ処理で消滅しやすい官能基、 生成されやすい官能基 その反応速度 その制御法 15 Fujiyama Lab., Nagasaki Univ. 16
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