XIS review at TITEC

X線吸収微細構造(XAFS)の影響
干渉 ~ 吸収係数の変調による微細
構造の出現
- 吸収端近傍のエネルギーでは、
多重散乱による微細構造(XANES)
- 高エネルギー側になるにつれ、緩
やかに減衰する振動(EXAFS)
XAFS (X-ray Absorption Fine Structure)
- XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure
- EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure)
XAFS のモデル化
SESの連続成分で規格化
した分散スペクトル
+ XIS Q.E. (HENKE)
X線不感層
電極 (Si)
保護膜 (SiO2)
BI
FI
エネルギー範囲を分割
⇒ モデルフィッティング
⇒ エネルギーの関数
⇒ 量子効率への組み込み
XAFS のモデル化 (cont.)
モデル関数 (ref. Astro-E1)
XIS Q.E. (HENKE) との比
XAFSの量子効率への組み込み
FI-2
Eedge = 0.532 ±0.001 keV
red. c2 = 1.3178
(d.o.f. = 418)
量子効率 (FI)