X線吸収微細構造(XAFS)の影響 干渉 ~ 吸収係数の変調による微細 構造の出現 - 吸収端近傍のエネルギーでは、 多重散乱による微細構造(XANES) - 高エネルギー側になるにつれ、緩 やかに減衰する振動(EXAFS) XAFS (X-ray Absorption Fine Structure) - XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure - EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure) XAFS のモデル化 SESの連続成分で規格化 した分散スペクトル + XIS Q.E. (HENKE) X線不感層 電極 (Si) 保護膜 (SiO2) BI FI エネルギー範囲を分割 ⇒ モデルフィッティング ⇒ エネルギーの関数 ⇒ 量子効率への組み込み XAFS のモデル化 (cont.) モデル関数 (ref. Astro-E1) XIS Q.E. (HENKE) との比 XAFSの量子効率への組み込み FI-2 Eedge = 0.532 ±0.001 keV red. c2 = 1.3178 (d.o.f. = 418) 量子効率 (FI)
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