PowerPoint プレゼンテーション

27pRE-3
’06 03月27日 愛媛学会口頭発表
アクセプターを注入したn型ドープ量子細線
の発光における正孔の局在効果
Hole localization effect on PL spectra of
an n-type doped T-shaped quantum wire with acceptor doping
東大物性研、CREST(JST)、ルーセント・ベル研A
井原章之、吉田正裕、秋山英文、Loren N. PfeifferA、Ken W. WestA
ISSP, Univ. of Tokyo, CREST(JST) and Bell Labs., Lucent TechnologiesA
イントロ ~ ドープ量子細線とは
ノンドープ系
ドープ系
ポイント : 量子細線はBand端に状態密度の発散を持つ
背景 ~ これまでのドープ量子細線
J. M. Calleja et al.,
Solid State Commun. 79, 911 (1991).
T. Ihara et al., To be published (2006).
・Band端の発光なし
・Band端の発光が強い
・強いFermi端異常
・Fermi端異常なし
高次サブバンドの影響? 正孔の有効質量が関係?
アイデア ~ 微量のAcceptorを注入
正孔をAcceptorイオンに局在させる
Band端の発光は消え、Fermi端の発光が現われ
る!
(理論曲線) P. Hawrylak et al.,
Solid State Commun. 81, 525 (1992).
試料構造
◎へき開再成長による高品質T型量子細線 (幅:6 x 14 nm)
◎片方の量子井戸にSiの変調ドープ
⇒ 電子ガス形成(1x1011cm-2)
◎ゲート電極の設置
⇒ wire・arm wellの電子濃度が可変
◎ Arm wellの内部にCarbonをデルタドープ(2x1010cm-2)
⇒ wireには3x104cm-1 程度のAcceptor準位が生じる
低電子濃度のPL(発光)およびPLE(発光励起)スペクトル
※
※
※ アクセプタードープ無しの試料との比較や、
励起強度依存性・スペクトルの空間分解によって同定した。
エネルギー的にも妥当。
電子濃度を増加させると、、、
電子濃度の増加に対して、、、
(wire、Arm well共通)
Acceptor発光
ブルーシフト
Plasma発光
レッドシフト
Arm Plasma の 発光と吸収の関係
1.3x1011cm-2
Plasma
非局在正孔
発光
吸収
Band端(ブロー
Fermi端
Arm Acceptor の 発光と吸収の関係
発光
Acceptor
局在正孔
吸収
Fermi端 Fermi端
Arm wellのPlasmaとAcceptorの違い
Plasma
発光
非局在正孔 Band端
吸収
Fermi端
(ブロード)
Acceptor
局在正孔
Fermi端 Fermi端
正孔の局在がFermi端の
発光を生じさせている
Fermi端特異性(FES)効果には、
正孔の局在が必要であることを示唆。
このことは過去にも予測されていた(※)が、
実験的に明確に示したのは今回が初。
※ Brown et al., Phys. Rev. B 56, 3937 (1997).
Skolnick et al., Phys. Rev. Lett. 58, 2130 (1987).
Hawrylak et al., Phys. Rev. B 44, 3821 (1991).
Wire Plasma の 発光と吸収の関係
4.8x105cm-1
Plasma
非局在正孔
発光
吸収
Band端(シャー
Fermi端
Wire Acceptor の 発光ピークのシフト
発光
Acceptor
局在正孔
Fermi端
吸収
wireのPlasmaとAcceptorの違い
Plasma
発光
非局在正孔 Band端
吸収
Fermi端
(シャープ)
Acceptor
局在正孔
Fermi端
Acceptor発光ではBand
端の発光は見えない
正孔が局在している場合は、
一次元系でもBand端の発光が現わ
れない(Hawrylakの予測と一致)。
過去の実験(※2)でBand端の発光
が現われなかったのは、正孔が局在
していたからだと考えられる
※1 井原他 日本物理学会 2005年秋季大会
20aXB-5、20pPSA-21.
※2 J. M. Calleja et al., Solid State Commun.
79, 911 (1991).
まとめ
アクセプターを注入したn型ドープ量子細線の
発光および発光励起スペクトルを測定した。
一次元・二次元電子系ともに、正孔の局在が
Fermi端の発光を生じさせることを示した。
(過去の予測と一致、明確に示したのは初)
正孔が局在している場合は、
一次元系でもBand端の発光が現われないことを示した。
(Hawrylakの予測と一致、過去の実験結果を説明)