単色X線の応答、線形性 2005/2/25 鳥居研一, XISチーム単色X線の応答の概念図（1号機の較正で構築） F3 （１）メインピーク：空乏層での吸収（２）サブピーク：スプリット閾値以下の電荷の取りこぼし（３）三角成分：チャンネルストップ（４）定数成分：SiO2層 (3) はBIでは小さいと期待パラメタ： T1 (normalization), C1(center), S1(sigma) T2 (relative to T1), C2(spth/2, fixed), S2 (1.78×S1, fixed) T3 (relative to T1), F3(三角形の幅, 0.5×C1) T4 (T1で規格化した面積) → フリーパラメタ 6個でフィット BIの構造（MIT資料）酸素のK輝線、 FI（左）とBI（右）の比較 S1: 4.7ch~7.7%(FWHM) S1: 5.1ch~9.0%(FWHM) T2: 0.039 T2: 0.030 T3<1.8e-3 T3<2.9e-4 T4=6.5e-3 T4=1.1e-2 C2 C2 東海林修士論文（２００５）    FI、BIともに4成分 (フリーパラメタ6個) のモデルで良く再現できる実際には３成分で良く、FI, BIともに三角成分は不要 FIでテールが大きく見えるのは、サブガウシアンで説明できる BIのプロファイル、エネルギー依存性 S1: 14.4%(FWHM) S1: 9.0%(FWHM) T2: 0.10 T2: 0.030 T3<0.28 T3<2.9e-4 T4=1.5e-2 T4=1.1e-2   C-K（左）は、O-K（右）よりテールが大きく見えるこれも、サブガウシアンで説明でき、有意な三角成分は不要 1号機との比較 Oxygen-K (0.525 keV), H.V. = 1 and 5kV XIS2-S2 Counts XIS1 (H.Katayama master thesis) 1 kV 5 kV Pulse Height  The effect of applied high voltage (5 kV) is almost negligible. 輝線プロファイル - 1号機との比較: FI2（O-K）     サブピーク：約1/2 (~0.07 / ~0.15(片山和典修士論文 P131図7.94から読取、以下同様) ) 三角成分： 1/500以下（<1.5e-4 /~0.075）定数成分： ~1/10 (~5.5e-4/~5.5e-3) Grade02346で、メインピーク以外の成分が全イベントに占める割合が25%→~8%へ減少輝線プロファイル - 1号機との比較： BI1（O-K ）     サブピーク：約1/3 (~0.053 / ~0.15(片山和典修士論文P131図7.94から読取、以下同様) ) 三角成分： 1/3000以下（<2.2e-5 /~0.075）定数成分： ~1/6 (~8.6e-4/~5.5e-3) Grade02346で、メインピーク以外の成分が全イベントに占める割合は5%程度（1号機は25%） FI0(Seg.C)の線形性と分解能（trail correction 適用済）   E<1.5keVはSA, E>1.5keVはSXグレーティング Si K吸収端で非線形性があるが、2-3ch(0.3-0.4%)程度（1号機と同程度） FI１(Seg. A)の線形性、分解能   Si-K吸収端の上で線形性に不連続あり阪大のデータ：単一のガウシアンでフィットしている注：2005/01/21の時点での実験計画書用にまとめたデータ（trail correction未適用） 55Feのみ、多数回の測定を表示（FI1, Seg. 0）   Trail correction 有り Trail correction 無し、多数回測定のばらつき ~0.1% BI1の線形性、分解能（低エネルギー領域） BI1の線形性と分解能（阪大＋京大）   非線形性はE~12.5 keV で ~8ch (~0.3%)程度 E>12 keV で分解能がFWHM~E1/2より悪化? 注：阪大のデータはtrail correction適用済みまとめ       O-K 輝線プロファイルテール成分の割合はFIで ~8%、BIで~5%（1号機は~25%）今後、~1keV付近の輝線についても同様に解析する線形性全般には~0.4%程度の非線形性あり今後、全てのデータセットへ trail correction を適用し、適切なプロファイルでフィットした結果を得ることが課題