Results of CI experiment @ MIT 2005/2/25 XIS meeting @ Osaka Injection Pattern for use on Orbit ref. ignore ref. • DE仕様に対応したμ-code • Test 電荷はIA・FS両方の損失を受ける • Ref. 電荷は損失を一切受けない。 ignore test test Proton Damaged Chip • 照射したプロトン: エネルギー～40MeV 真鍮コリメータで中心(400,700)半径320pix. 総量 2.00×109 prtns/cm2 • ～2-3年分のBGDに相当 Red:Active segD Green:HOC segD Blue:Active segB L.Blue:HOC segB affected region ※≠-90degC Comparison between CI and 55Fe ※55Feはgrade0のみ CI:800frames 55Fe: ～2800events/column (4000frames) IA上・下端50rowsずつをtest・ref.として抽出 ⇒ref.イベントでもFS領域での損失は受ける Correlation between CI and 55Fe ※55Feはgrade0のみ傾き:1.05±0.01 切片:-0.045±0.008(90%error) Black:seg.A Red:seg.B Green:seg.C Blue:seg.D • 有意な相関あり • FMチップ (parallel CTI: 1.3-2.3×10-6) で見えていたのは seg.Dよりさらに 1に近い部分のみ Stability of the amount of charge 傾き:0.97±<0.01 切片:0.025±0.002 CIイベント同士の比較 (異なる日・同じ電圧) CI電荷のtest/ref比は～0.2%変化しうる傾き:0.92±0.01 切片:0.079±0.010 55Feイベント同士の比較 (異なる日) MIT実験の解析状況まとめ • DE仕様のμ-codeでプロトンダメージを与えたチップで実験 • CIのCTIと55FeのCTIとが有意に相関している。 • CI電荷量の安定性は～0.2% これからやるべきこと • ソフトウェアの開発 • CTIのエネルギー依存性調査 • 電荷漏れ補正した後でどれだけ残るか (トラップの時間スケールはintrinsic CTIと一緒?) • Fitting法を試す数年分のダメージが与えられてもFitting法は有効か? FI chips calibration 2005/2/25 XIS meeting @ Osaka Normal vs. P-sum (Gain,ΔE) 55Fe G02346 FMS1-segA Se G02346 FMS1-segA FMS1-segAのエネルギー分解能 Normal P-sum 55Fe:130.7⇒127.3eV Se: 203.9⇒179.4eV Black:P-sum mode Green:Normal mode • ゲインの違いは～0.2% • ΔEが有意に小さい(1号機でも同様だった。しかし原因は不明だった)。 Response (Normal) Al (FMS3 segA-Dはゲインを合わせて足している) Al (FMS3) 三角成分のエネルギー幅が未だあっていない 55Fe (FMS3) Kα・Kβのエネルギー幅が未だあっていない 55Fe (FMS3) Response (Normal) Zn (FMS3) Zn (FMS3) • Trail Correctionはまだ掛けていません。 • Kα,Kβピーク間、三角成分に残差が目立つ