試験分析料金表 （公財）神奈川科学技術アカデミー 平成27年 4月 1日 1 受託分析（消費税等8%を含みます） （1）電界放出型走査電子顕微鏡（FE-SEM / EDS） 単位：円 項 目 単 位 1条件につき 観察倍率 5万倍未満 表面微細形態・構造観察 19,440 1条件追加につき 観察倍率 5万倍以上10万倍未満 金 額 1条件につき 4,320 28,080 1条件追加につき 8,640 1条件につき 49,680 1条件追加につき 14,040 エネルギー分散型X線分析装置（EDS） 1条件につき 14,040 （FE-SEMで撮影したものに限る） 1条件追加につき 観察倍率 10万倍以上 面分析1条件につき（5元素まで） 面分析1元素追加につき 4,320 15,120 2,160 （2）高分解能分析走査電子顕微鏡（FE-SEM / EDS） 項 目 単 位 1試料1視野観察につき 観察倍率 5万倍未満 SEM観察 同一試料において1視野追加観察につき 観察倍率 5万倍以上10万倍未満 1試料1視野観察につき 同一試料において1視野追加観察につき 金 額 19,440 4,320 28,080 8,640 1試料1視野観察につき 49,680 同一試料において1視野追加観察につき 14,040 1条件追加につき 10,800 エネルギー分散型X線分析装置（EDS） 点分析1視野1箇所につき 16,200 （高分解能分析走査電子顕微鏡で撮影したものに限る） 点分析同一視野内で1箇所追加につき 観察倍率 10万倍以上 線分析1視野1箇所につき 線分析同一視野内で1箇所追加につき 面分析1視野につき(5元素まで) 1/8 5,400 21,600 8,208 32,400 面分析1元素追加につき 2,160 各種データ処理1条件につき 5,400 （3）集束イオンビーム装置（FIB） 単位：円 項 目 単 位 FIB FIB（連続自動加工） 金 額 1時間以内 32,400 追加1時間あたり 28,080 追加1時間あたり（但し、設定可能なものに限る） 16,200 FIBオプション（上記FIBの料金に加算） カーボン膜デポジション 10分あたり 2,160 タングステン膜デポジション 10分あたり 2,160 マイクロプロービングシステム 1時間あたり 17,280 アルゴンイオンミリング 30分あたり 10,800 SEM 1試料1視野観察につき 19,440 同一試料において1視野追加観察につき 4,320 同一試料において1条件追加につき 4,320 SEMオプション（上記SEMの料金に加算） EDS分析測定 点分析1視野1箇所につき 点分析同一視野内で1箇所追加につき 線分析1視野1箇所につき 線分析同一視野内で1箇所追加につき 面分析1視野につき(5元素まで) レーザーマーキング 21,600 8,208 32,400 2,160 各種データ処理1条件につき 5,400 108,000 10,800 1条件追加につき マニピュレーターによるサンプリング 5,400 面分析1元素追加につき 1測定につき 三次元再構築用連続断面画像の取得 16,200 1試料につき 5,184 15分以内 4,752 追加15分あたり 3,888 （4）画像解析システム 項 目 単 位 金 額 三次元再構築 1測定対象につき 54,000 データ処理 1条件追加につき 10,800 2/8 （5）電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM / EDS） （ア）TEM観察 項 目 単 位 1視野につき 倍率 10万倍以下 1視野増すごとに 微細構造撮影 結晶構造撮影 8,640 1視野につき 倍率 50万倍以下 22,680 1視野増すごとに 12,960 1視野につき 倍率 200万倍以下 31,320 1視野増すごとに 17,280 1視野につき 倍率 201万倍以上 45,360 1視野増すごとに 27,000 1条件ごとに 試料傾斜調整 単位：円 金 額 17,280 11,880 （イ）電子線回折 項 目 単 位 制限視野回折 1視野につき 微小領域回折 1視野につき 明視野像 1視野につき 暗視野像 1視野につき （ウ）エネルギー分散型X線分析装置（EDS） 項 目 27,000 17,280 31,320 単 位 1試料1測定点につき 同一試料において1測定点追加につき 1試料1測定点につき 同一試料において1測定点追加につき 1測定5元素までごとに 1視野5元素ごとに、または2時間につき 点分析 定量分析 線分析 面分析 金 額 15,120 金 額 25,920 5,400 21,600 6,480 64,800 100,440 （エ）データ処理 項 目 単 位 金 額 10,800 単 位 金 額 5,400 1条件につき 各種データ処理 （オ）試料調製 項 目 分散法 ふりかけ法 1試料につき 懸濁法 1試料につき 1試料につき 電解研磨法 イオンミリング法 易 1試料につき 中 1試料につき 難 低エネルギーイオンミリング（ジェントルミル） 1試料につき 樹脂包埋 1試料につき ミクロトーム法 1試料1条件につき 1試料につき 切削 （高分子材料） 1条件追加につき 電子染色 1試料につき 1試料につき FIB-リフトアウト法 1条件追加につき 1試料につき 低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき（試料作製のみ） 1条件追加につき FIB-マイクロプロービング法 1試料につき アルゴンイオンミリング仕上げ 1試料につき（試料作製のみ） 1条件追加につき 3/8 10,800 24,840 97,200 194,400 291,600 12,960 12,960 21,600 21,600 25,920 78,840 28,080 108,000 125,280 28,080 122,040 139,320 28,080 （6）画像観察 単位：円 項 目 単 位 金 額 金属組織写真撮影 写真1枚につき 9,504 写真焼増し 写真1枚につき 432 外観写真撮影 写真1枚につき 4,752 マクロ組織写真 写真1枚につき 7,776 写真撮影1ヶ所増すごとに 同一試料で1ヶ所増すごとに 光学顕微鏡試料調製（第1種）：容易なもの 1試料につき 2,808 光学顕微鏡試料調製（第2種）：比較的容易なもの 1試料につき 光学顕微鏡試料調製（第3種）：比較的複雑なもの 1試料につき 光学顕微鏡試料調製（第4種）：非常に複雑なもの 1試料につき デジタルマイクロスコープ 画像1枚につき マイクロフォーカスX線検査装置 30分以内 1,728 3,240 6,480 9,504 4,104 6,480 2,808 追加15分あたり 1試料につき 触針式表面粗さ計 4,104 追加1試料につき 3,024 （7）表面・成分分析装置 項 目 単 位 表面分析 深さ方向分析 フーリエ変換赤外分光分析 （FT-IR） 1試料1ヶ所につき（ワイドスキャンのみ） 25,920 追加1試料1ヶ所につき（ワイドスキャンのみ） 20,520 1条件増すごとに（ワイドスキャンのみ） X線光電子分光分析（XPS） 46,440 1条件増すごとに（面分析、状態分析加算等） 10,800 1試料1条件につき（主成分のみ、深さ0.2μmまで） 83,160 1試料1条件につき 1試料1条件につき 1条件追加につき 1試料につき X線回折試験（XRD） 微小部蛍光X線分析（XRF） 5,400 1試料1条件につき（ワイドおよびナロースキャン） 1条件増すごとに 簡易な測定 金 額 1試料1条件につき 1条件追加につき 面分析1条件につき（5元素まで） 面分析1条件追加につき 10,800 9,720 19,440 9,720 21,600 7,560 3,240 12,960 2,160 （8）光触媒JIS試験 項 目 単 位 金 額 光触媒の窒素酸化物除去性能試験 1試料につき 62,640 光触媒のアセトアルデヒド除去性能試験 1試料につき 45,360 光触媒のトルエン除去性能試験 1試料につき 42,120 光触媒のホルムアルデヒド除去性能試験 1試料につき 57,240 湿式分解性能の測定 1試料につき 43,200 水接触角の測定 1試料につき 63,720 光触媒のセルフクリーニング性能試験 光触媒性能試験JIS試験条件不成立時 （試験途中中止時） 1試料につき 水接触角の測定（光触媒JIS試験以外） 4/8 21,600 1試料1点につき 4,320 1点追加につき 1,080 （9）太陽電池計測 単位：円 項 目 単 位 太陽電池のIPCE測定 太陽電池のI-V測定 太陽電池のI-V測定 （LED-SSによる特定波長の光による測定） 1試料につき 37,800 1試料または1条件追加につき 10,584 1試料につき 38,880 1試料または1条件追加につき 10,800 1試料につき 28,080 1試料または1条件追加につき 1試料につき 蛍光灯式シミュレータによるI-V測定 1試料または1条件追加につき XeランプSSによる連続照射 （150mm角まで 山下電装YSS-150Aを使用） LED-SSによる特定波長の光照射 蛍光灯式シミュレータによる連続照射 金 額 8,208 10,800 3,888 24時間につき 20,520 追加24時間につき 18,360 24時間につき 28,080 追加24時間につき 25,920 24時間につき 21,600 追加24時間につき 19,440 連続光照射に伴う簡易なI-V測定 1回につき 太陽電池のインピーダンス測定 1試料につき 発電面積規定用遮光マスク（面積測定済み） 1枚につき 1,728 紫外線照射試験機 24時間につき 5,616 （東洋精機製作所 Atlas UV test） 連続運転100時間につき 小型Xe耐光試験機 24時間につき （東洋精機製作所 Atlas SUNTEST XLS+） 連続運転100時間につき 紫外・可視分光光度計による透過率・反射率測定 1試料1条件につき 5,832 追加1条件につき 3,456 5/8 3,240 12,960 20,520 6,912 23,760 （10）材料強度試験 単位：円 項 目 引張・圧縮・曲げ試験（1）：簡単な試験 単 位 1試料1条件につき 引張・圧縮・曲げ試験（2）：比較的簡単な試験 1試料1条件につき 引張・圧縮・曲げ試験（3）：標準的な試験 1試料1条件につき 引張・圧縮・曲げ試験（4）：やや複雑な試験 1試料1条件につき 引張・圧縮・曲げ試験（5）：複雑な試験 1試料1条件につき 高温引張試験 1本につき 常温衝撃試験 1本につき 低温衝撃試験 1本につき 硬さ試験 1点につき 硬さ試験試料調整（第1種）：容易なもの 1試料につき 硬さ試験試料調整（第2種）：比較的容易なもの 1試料につき 金 額 2,376 3,888 5,400 6,912 9,288 12,960 1,296 2,160 1,080 1,728 3,240 （11）温湿度環境試験 項 目 単 位 24時間まで 24時間増すごとに 24時間まで 24時間増すごとに 24時間まで 24時間増すごとに 24時間まで 24時間増すごとに 24時間まで 24時間増すごとに 24時間まで 24時間増すごとに 8時間まで 8時間増すごとに 8時間まで 8時間増すごとに 恒温恒湿槽（中） 恒温恒湿槽（中） 24時間増 恒温恒湿槽（小） 恒温恒湿槽（小） 24時間増 恒温恒湿槽（中） サイクル 恒温恒湿槽（中） サイクル24時間増 恒温恒湿槽（小） サイクル 恒温恒湿槽（小） サイクル24時間増 恒温槽 恒温槽 24時間増 プレッシャークッカー試験 プレッシャークッカー試験 24時間増 冷熱衝撃試験 （大） 冷熱衝撃試験 （大） 8時間増 冷熱衝撃試験 （小） 冷熱衝撃試験 （小） 8時間増 （12）試料前処理 （前項までの依頼試験を実施するものに限る） 項 目 単 位 試料前処理（切断、導電処理等） 処理時間30分につき 1試料につき 精密機械研磨による試料前処理 1条件追加につき 画像1枚につき 1試料につき 断面試料作製用イオンミリング装置 クライオの使用 1試料につき 1条件追加につき 1試料につき 分散法 ふりかけ法 1試料につき 懸濁法 電解研磨法 1試料につき 1試料につき イオンミリング法 易 1試料につき 中 1試料につき 難 低エネルギーイオンミリング（ジェントルミル） 1試料1条件につき 1試料につき 樹脂包埋 1試料につき ミクロトーム法 切削 1条件追加につき （高分子材料） 1試料につき 電子染色 1試料につき その他特殊処理 1条件追加につき 6/8 金 額 18,360 7,560 15,120 5,400 22,680 8,424 19,440 6,264 10,152 5,400 18,360 11,880 9,504 4,968 8,640 4,320 金 額 1,512 11,880 5,400 2,160 20,520 5,184 5,184 5,400 10,800 24,840 97,200 194,400 291,600 12,960 12,960 21,600 21,600 25,920 16,200 16,200 2 試験分析結果報告書の作成 （消費税等8%を含みます） 単位：円 項 目 単 位 金 額 データ処理（難易度により加算あり） 基本単位 5,400 考察（難易度により加算あり） 基本単位 10,800 複本作成（写真を焼き増しする場合は別に加算する） 1通につき 複本作成の写真焼増 648 FE-TEM 写真1枚につき 1,080 FE-TEM以外 写真1枚につき 432 3 機器使用料 （消費税等8%を含みます） 項 目 FE-SEM / EDS 単位：円 機 器 名 日立ハイテクノロジーズ S-4800 単 位 金 額 1時間以内 43,200 追加1時間あたり 37,800 1時間以内 59,400 追加1時間あたり 55,080 低エネルギーイオン研磨装置 リンダ社 Model IV5（ジェントルミル） 1時間につき 10,800 集束イオンビーム装置（FIB） SII社 XVision200TB 1時間以内 56,160 追加1時間あたり 48,600 FE-TEM / EDS トプコン EM-002BF TEM用グリッド 1個につき 3,672 マニピュレーター ナリシゲ SISA-30TI-2 30分につき 2,808 レーザーマーカ HOYA LR2100ST 30分以内 4,320 追加30分あたり 2,808 1時間につき 8,640 フーリエ変換赤外分光光度計 日本分光 FT/IR-6300 微小部蛍光X線分析装置 SII社 SEA6000VX HSFinder 1時間につき 5,400 金属顕微鏡 オリンパス光学工業 BX-51 1時間につき 1,512 デジタルマイクロスコープ キーエンス VHX-600 30分以内 3,024 追加30分あたり 1,512 30分以内 3,672 追加15分あたり 1,512 マイクロフォーカスX線検査装置 メディエックステック MXT-160UU 表面粗さ形状測定機 東京精密 サーフコム550A 1時間につき 1,296 恒温槽：室温～300℃ エスペック PVH-110M 1時間につき 432 恒温恒湿槽（小）：-40～150℃ 楠本化成 ETAC TH411HA 1時間につき 648 恒温恒湿槽（中）：-40～150℃ 楠本化成 ETAC FX424P 1時間につき 864 恒温恒湿槽：-40～100℃ エスペック PL-3FPW 1時間につき 864 プレッシャークッカー 楠本化成 ETAC PM420 1時間につき 864 冷熱衝撃試験機（小） 楠本化成 ETAC TS100 1時間につき 1,080 冷熱衝撃試験機（大） エスペック TSA-71H 1時間につき 1,296 1時間につき 864 超低温恒温恒湿槽：-70～150℃ エスペック PSL-2KPH 紫外・可視分光光度計 日立ハイテクサイエンス UH4150 7/8 1時間以内 7,776 追加30分あたり 2,592 単位：円 機 器 名 項 目 電波暗室 TDK製（3m法） （測定帯域 30MHz～1GHz） 電波暗室 TDK製（3m法） （測定帯域 1GHz～18GHz） EMI測定システム アドバンテスト R3172他 インピーダンス安定化回路網（ISN） TESEQ社 ISN T8,T8CAT6 単 位 1時間以内 7,992 追加30分あたり 3,456 1時間以内 9,072 追加30分あたり 4,104 1時間以内 4,320 追加30分あたり 1,728 1時間以内 1,944 追加30分あたり 電源高調波電流測定器 Voltec PM3000ACE他 1時間以内 追加30分あたり 簡易放射イミュニティ試験器 サーモフィシャー G-strip パルスイミュニティ試験器 静電気試験器 伝導イミュニティ試験器 ノイズシミュレータ 電磁波妨害源探査装置 サーモフィシャー EMC-Pro ノイズ研究所 ESS-S3011>-30R SCHAFFNER NSG2070 ノイズ研究所 INS-4040 ノイズ研究所 EPS-M1 金 額 648 2,808 864 1時間以内 4,536 追加30分あたり 1,944 1時間以内 5,400 追加30分あたり 2,160 1時間以内 4,320 追加30分あたり 2,160 1時間以内 5,616 追加30分あたり 2,160 1時間以内 4,536 追加30分あたり 2,160 1時間以内 4,968 追加30分あたり 2,160 ノイズ発生器 ヨーク社 CNEⅢ 1時間につき 864 オシロスコープ レクロイ WaveRunner62Xi 1時間につき 2,376 カーブ・トレーサ ソニーテクトロニクス 571型 1時間につき 648 ダブルブリッジ 横河電機 2752型 1時間につき 648 ホイーストンブリッジ 横河電機 2768型 1時間につき 432 エレクトロニック検流計 横河電機 2709型 1時間につき 432 ACミリオームハイテスター 日置電機3560 1時間につき 648 マルチフリケンシLCRメータ YHP 4284A、4285A 1時間につき 864 超絶縁計 日置電機SM-8220 1時間につき 216 交流耐電圧試験器 日置電機3158 1時間につき 216 接触角計 協和界面科学 DM300 1時間あたり 3,240 万能材料試験機：100トン 前川 MR型 1時間につき 4,104 耐圧試験機 東京衡機 CM-100T 1時間につき 432 旋盤 ワシノ LR55A 1時間につき 432 フライス盤 フリードリッヒデッケル・FP-1 1時間につき 1,944 切断機 ニシムラ・NM-60 1時間につき 1,080 ボール盤 並木機械・NBD-340LR 1時間につき 216 機器操作指導料 （開放利用時に適用） 立会人1人、15分あたり 8/8 2,592
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