公益社団法人砥粒加工学会次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会第 61 回研究会シリーズ“これは見逃せない！” 第 1 弾「産総研 SiC 徹底講演／見学会」次世代省エネルギーパワーエレクトロニクス用 SiC 基板の高精度・・創エネルギーデバイス・材料の高品位加工＆評価計測の最新技術開発動向と課題 SiC パワー半導体は、従来のシリコンでは成しえない高温動作や、大電力制御、省エネ化ができるため、将来の成長分野として大いに期待されています。しかし、SiC は極めて硬く、化学的・熱的にも強いという材料特性から、ウエハ加工にはシリコンの 10 倍以上の時間とコストがかかり、今後の量産化に向けて課題となっています。第 61 回研究会は、この SiC のウエハプロセスに特化し、結晶成長技術、基板加工技術、計測技術の講演を各専門家の講師に行って頂きます。講演終了後、産総研内の研究設備の見学会や、つくば駅近辺にて技術交流会を行います。ただし、見学会は定員 60 名とさせて頂きます。見学会で希望者が超過する場合、複数人の参加を希望されている企業は、見学会に限り１名に絞らせて頂くこともございます。あらかじめご了承下さいますようお願いします。主催：公益社団法人砥粒加工学会次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会日時： 2015 年 6 月 26 日（金） 13:00～ 17:30 会場：産総研西事業所 TIA 連携棟（茨城県つくば市小野川 16-1） http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/west/tsukuba_map_w.html 13:00～13:05 開会挨拶池野順一委員長 13:05～13:35 ＜特別講演＞ SiC 研究開発プロジェクトの紹介産総研先進パワーエレクトロニクス研究センター長奥村元氏 13:35～14:25 ＜講演１＞ SiC バルク単結晶とその革新的切断技術の開発産総研加藤智久氏 14:25～15:15 ＜講演２＞ SiC ウエハの精密研削・研磨技術～大口径 SiC ウエハの高精度ダメージフリー加工～㈱デンソー長屋正武氏 15:15～15:30 < 休憩 > 15:30～16:20 ＜講演３＞研磨量分布の超精密（ｎｍオーダ）高速計測技術エスオーエル㈱中村将之氏 16:20～16:25 閉会挨拶池野順一委員長 16:25～18:00 ＜見学会＞ SiC 結晶成長＆ウエハ加工研究設備の見学 18:30～20:30 技術交流会：インカローズ（つくば駅近辺）参加費（技術交流会含）：次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会会員：無料非会員： 15,000 円(1 社 2 名まで) 申込締切日： 2015 年 6 月 19 日 (金 ) ※ 申込締切後のキャンセルはご遠慮下さい．また当日不参加の場合は参加費を請求させて頂きます．問合せ・申込先：幹事久留米工業大学澁谷秀雄宛 TEL:0942-22-2349(内 287)， Fax:0942-21-8770 E-mail： [email protected]