48 V入力、12 V出力の安定化された ブリック・コンバータ用eGaN® FET

アプリケーション・ブリーフ:AB007
eGaN ® FET 技術
48 V入力、12 V出力の安定化された
ブリック・コンバータ用eGaN® FET
EFFICIENT POWER CONVERSION
管理された設計において、既成概念を打ち破る特
性が、比類のない電力密度を実現します。
低い出力電荷QOSS、逆回復電荷QRRゼロ、低いゲ
ート電荷QG は、低いインダクタンスと低い抵抗と共
に、ハード・スイッチング・コンバータにおける eGaN
FETの優位性の鍵です。
EPCの eGaN FETは、500 Wの1/8ブリックDC-DC
コンバータを実現可能にします。
POUT = 400 W、最大接合部温度76℃
100
コンバータ
98
コンバータの効率 (%)
- 完全に安定化
- 絶縁型
- 12 Vで500 W出力
- 公称入力52 V(4:1のトランス)
- 効率96%以上
- DOSA 準拠のフットプリント
- 既製品
20
オープン・ループの結果
18
コンバータの電力損失 (W)
E P C 9 11 5 : 統 合 さ れ た 1 / 8 ブ リ ッ ク ・ バ ス ・
96
16
94
14
92
12
90
10
88
8
86
6
84
4
82
2
80
0
100
200
300
出力電力 (W)
400
0
500
48 V入力、12 V出力のハード・スイッチング・コンバータの設計におけるeGaN FETの利点
• より大きな電流能力:部品点数の削減
• より高効率:導通損失とスイッチング損失の低減、
逆回復損失がゼロ
• より小さな実装面積:電力密度の向上
EPC9115:完全に安定化された絶縁型、12 Vで出力500 W
EPC:GaN技術のリーダー
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eGaN ® FET 技術
アプリケーション・ブリーフ:AB007
eGaN FET
安定化されたブリック・コンバータ向けの推奨デバイス
型番
構成
VDS
最大 RDS(on)
(mΩ) @ 5 VGS
QG の
標準値
(nC)
QGS の
標準値
(nC)
QGD の
標準値
(nC)
QOSS の
標準値
(nC)
QRR
(nC)
ID
(A)
パルス
ID (A)
LGA
パッケージ
(mm)
EPC2023
シングル
30
1.3
20
5.8
1.9
28
0
60
590
6.1 x 2.3
EPC2024
シングル
40
1.5
19
6.4
2
32
0
60
550
6.1 x 2.3
EPC2030
シングル
40
2.4
18
5.2
3.4
41
0
31
495
4.6 X 2.6
EPC2015
シングル
40
4
10.5
3.0
2.2
18.5
0
33
150
4.1x1.6
EPC2023
シングル
60
2
16
5.0
2.0
42
0
60
470
6.1x2.3
EPC2020
シングル
60
2.6
17
5.2
3.2
50
0
31
450
4.6 X 2.6
EPC2031
シングル
80
2.5
15
3.8
2.1
56
0
60
420
6.1x2.3
EPC2021
シングル
80
3.2
13
4
2.5
57
0
31
360
4.6 X 2.6
EPC2029
シングル
80
5.5
6.5
2
1.3
29
39
0
23
195
6.1 x 2.3
EPC2103
デュアル
非対称
100
6.3
7
2
1.2
47
39
0
23
165
6.1 x 2.3
EPC2104
デュアル
非対称
100
7
7.5
2.4
1.2
31
0
36
150
4.1x1.6
EPC2001C
シングル
100
3.2
13
3.7
2.0
62
0
60
360
6.1x2.3
EPC2022
シングル
100
4
14
3.1
2.9
65
0
31
300
4.6 X 2.6
EPC2032
シングル
100
4
14
3.1
2.9
65
0
31
300
4.6 X 2.6
0
1 mm
2 mm
3 mm
4 mm
5 mm
6 mm
7 mm
8 mm
9 mm
0
1 mm
2 mm
3 mm
4 mm
5 mm
EPCの製品画像は、実際のサイズの10倍です
6 mm
設計サポート資料は www.epc-co.com にあります
EPC9115:500 Wの1/8ブリック・デモ・ボード
信頼性レポート
書籍『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』
デバイス・モデル
デモ・ボード
アセンブリ・ガイド
詳細については、
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の販売代理店にお尋ねください。
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