製品概要 OptiMOS™ 5 80 V&100 V 通信アプリケーションに適した最先端テクノロジー インフィニオンの最新世代のパワーMOSFET OptiMOS™ 580 Vおよび100 Vは、通信機 器やサーバー電源の同期整流回路向けに設計されました。ほかにも、太陽光発電、 主な特長 同期整流に最適 モーター駆動、アダプターなど、様々なアプリケーションに使用できます。 OptiMOS™ 5 80 Vおよび100 V MOSFET製品には7種類のパッケージがあり、業界で最も 低いRDS(on)を提供します。極めて優れたFOM（性能指数）を実現する要因の一つが オン抵抗です。例えばSuperSO8パッケージなら2.6 mΩという低いオン抵抗により、 理想的な高速スイッチング特性 出力容量 （Coss）を最大44%削減 RDS(on)は最大43%削減 業界最高レベルの電力密度とエネルギー効率を誇ります。 OptiMOS™ 5 100 Vでは、RDS(on)は同クラスの他のデバイスと比べて最大22%も低くな ります。前世代との比較でも、OptiMOS™ 5 80 VのRDS(on)は最大43%削減されました。 主なメリット 最高のシステム効率 スイッチング損失と導通損失を 削減 並列回路の必要性を削減 OptiMOS™ 80 V 350 W Server Power Supply 12 94.5 10 94.0 8 6 4 -43% -32% -29% 2 0 電力密度を向上 95.0 -39% Efficiency [%] RDS(on) [mΩ] 14 オーバシュートの軽減 93.5 アプリケーション 93.0 92.5 通信システム 92.0 サーバー 91.5 D2PAK TO-220 SuperSO8 S308 91.0 太陽光発電 5 10 15 20 25 30 IOUT [A] OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 3 www.infineon.com/optimos5-80v100v BSC030N08NS5 Next best competitor 3.1mΩ 低電圧モーター駆動 アダプター 製品概要 OptiMOS™ 5 80 V&100 V 通信アプリケーションに適した最先端テクノロジー 100 V 5 SuperSO8パッケージのOptiMOS™ 5 100 Vを使うと、パーツ2個を1個で置き換え -22% RDS(on) [mΩ] 4 られ、さらに全負荷領域の効率も向上できます。温度上昇を抑えつつ、部品点 -14% 3 数を削減することが出来ます。OptiMOS™ 5 100 Vの電圧オーバシュートは、既 -13% 2 存製品と比較すると5 Vも低減しています。OptiMOS™ 5 100 Vは、テレコム向け 1 の絶縁型DC/DCを主なアプリケーションとしていますが、オアリング、ホット 0 SuperSO8 スワップ、バッテリー保護など、様々な用途に使用できます。 D PAK TO-220 Next best competitor 2 Infineon 400 W Telecom Brick Converter @Vin = 48 V, Vo = 12 V 96.3 96.2 50 Efficiency [%] 96.1 40 VDS [V] 96.0 95.9 30 20 95.8 10 95.7 95.6 VDS Voltage Overshoot at Turn-off 60 10 12 14 16 18 20 IOUT [A] Infineon (RDS(on) = 1 x 4 mΩ) 22 24 0 230 250 270 290 Infineon Next best competitor (RDS(on) = 2 x 8 mΩ) 310 Time [ns] 330 350 370 390 Next best competitor OptiMOS™5 80 Vおよび100 Vの製品ポートフォリオ RDS(on) 最大@ VGS =10 V SuperSO8 S3O8 BSC026N08NS5 80 V 1～4 mΩ TO-220 IPT012N08N5 TO-220 FullPAK D2PAK D2PAK 7pin IPB015N08N5 IPP020N08N5 IPB017N08N5 BSC030N08NS5 IPP023N08N5 IPB020N08N5 BSC037N08NS5 IPP027N08N5 IPB024N08N5 BSC040N08NS5 IPP034N08N5 IPB031N08N5 IPP052N08N5 IPB049N08N5 IPP023N10N5 IPB020N10N5 IPP030N10N5 IPB027N10N5 BSC052N08NS5 4～8 mΩ TO-Leadless BSZ075N08NS5 BSC061N08NS5 BSC072N08NS5 8～12 mΩ 100 V 1～4 mΩ 4～8 mΩ 8～10 mΩ BSC117N08NS5 BSZ084N08NS5 BSZ110N08NS5 BSC035N10NS5 IPT015N10N5 IPB017N10N5 BSC040N10NS5 BSC070N10NS5 BSC098N10NS5 BSZ097N10NS5 IPP083N10N5 IPA083N10N5 RDS(on) is also specified @ VGS = 6 V Published by Infineon Technologies Austria AG 9500 Villach, Austria © 2015 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Visit us: www.infineon.com Please note! THIS DOCUMENT IS FOR INFORMATION PURPOSES ONLY AND ANY INFORMATION GIVEN HEREIN SHALL IN NO EVENT BE REGARDED AS A WARRANTY, GUARANTEE OR DESCRIPTION OF ANY FUNCTIONALITY, CONDITIONS AND/OR QUALITY OF OUR PRODUCTS OR ANY SUITABILITY FOR A PARTICULAR PURPOSE. WITH REGARD TO THE TECHNICAL SPECIFICATIONS OF OUR PRODUCTS, WE KINDLY ASK YOU TO REFER TO THE RELEVANT PRODUCT DATA SHEETS PROVIDED BY US. OUR CUSTOMERS AND THEIR TECHNICAL DEPARTMENTS ARE REQUIRED TO EVALUATE THE SUITABILITY OF OUR PRODUCTS FOR THE INTENDED APPLICATION. WE RESERVE THE RIGHT TO CHANGE THIS DOCUMENT AND/ OR THE INFORMATION GIVEN HEREIN AT ANY TIME. Order Number: B111-I0132-V1-5A00-JP-EC Date: 04 / 2015 Additional information For further information on technologies, our products, the application of our products, delivery terms and conditions and/or prices please contact your nearest Infineon Technologies office (www.infineon.com). Warnings Due to technical requirements, our products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your nearest Infineon Technologies office. Except as otherwise explicitly approved by us in a written document signed by authorized representatives of Infineon Technologies, our products may not be used in any life endangering applications, including but not limited to medical, nuclear, military, life critical or any other applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can result in personal injury.
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