給電インフラの革新でクリーンな省エネ社会を推進します

未来を
切り拓く
基礎研究
E－6
GaN系パワーデバイスによる省電力小型電源技術
給電インフラの革新でクリーンな省エネ社会を推進します
ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体パワーデバイスは、現在広く用いられているＳｉ（シリコン）デバイスを凌駕する優れた省エネ性能により、環境
にやさしいクリーンな社会構築に貢献が可能です。ＮＴＴ研究所は、新電元工業株式会社、千葉大学、パナソニックセミコンダクターソ
リューションズ株式会社と共同で、将来の給電インフラを支えるＧａＮ系電源デバイスの普及に向けた研究開発を進めています*。
省エネ社会を支えるGaNパワーデバイス技術の広がり
IT・テレコム向け電源装置※
汎用電源
ルータ用電源
HEV・EV等車載用途
DC/ACインバータ、DC/DCコンバータ等
特
徴
【ＧａＮ系半導体の優れた材料特性】
■ 電力損失をＳｉトランジスタの1/2～1/3に低減
■ 優れた高耐圧・高出力・高周波性能
■ 高温動作が可能
【給電モジュールの小型軽量化・省エネ性向上】
■ 通信用電源モジュールの体積を５０％以下に削減可能
■ クリーンデバイスとして多用途に展開可能
利用シーン
GaNパワーデバイス
新給電インフラ
産業用途
メガソーラーモータ制御
UPS
ワイヤレス給電※
宅内直流給電/太陽光発電
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省エネ性に優れた通信ビル・データセンターの構築
電気自動車の省エネ化のキーとなる車載用電源
各種産業機器の小型軽量化・省エネ化
家庭用ワイヤレス給電インフラ（家電、太陽光発電）
Collaboration Partner
新電元工業株式会社：電源技術のエキスパート
国立大学法人千葉大学：省エネ効果検証のエキスパート
パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社：
※ 本会場にて展示中
* ＮＥＤＯクリーンデバイス社会実装事業を活用
GaNパワーデバイスのエキスパート
〈問い合わせ先〉 [email protected]
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