超高速IC技術をオープン化します

未来を
切り拓く
基礎研究
E－7
大容量光通信やテラヘルツ無線などに適用可能な化合物半導体技術
超高速IC技術をオープン化します
シリコン（CMOS）を用いたICでは、集積化により高機能化が可能ですが高速・高出力化に限界があります。一方、化合物（InP*1）を用いた
ICでは、シリコンよりも高速・高出力化が可能でありシリコンICを補強する技術として期待されています。NTT研究所では、最先端の化合物
半導体プロセスをオープン化し、パートナとなる皆さまとのコラボレーションにより、さらなる技術の高みをめざします。
特
NTT研究所
設計キットを供給
徴
■ 世界トップレベル超高速のInP化合物半導体集積プロセス
 シリコン技術の倍の広帯域特性のICが実現可能（InP HBT*2）
PDK
 テラヘルツ帯を開拓するICが実現可能（InP HEMT*3）
■ このプロセスをオープン化
パートナの皆さま
 シリコンではできない超高速アナログＩＣの試作が可能
PDKを使って
アイデアを設計図に！
 設計に必要なPDK*4が利用可能
 将来の商用利用を見越した高い信頼性
超高速IC
変調された
光信号
DAC
Laser
diode
DSP
実現できる
超高速ICの例
DAC
I ch
光IQ変調器
Q ch
0.25um InP HBT
利用シーン
■ 超高速アナログＩＣのプロトタイピング・開発
■ 超高速IC設計による新しいサービス・アプリの検証
■ 既存の超高速ICを利用した新しいサービス・アプリの検証
分布アンプ
fT/fmax*5 =
400/450GHz
可変利得アンプ
100Gbaud光変調器ドライバIC
*1 InP(Indium Phosphide) *2 HBT(Hetero-Junction Bipolar Transistor) *3 HEMT(High-Electron Mobility Transistor)
*4 PDK(Process Design Kit) *5 トランジスタの動作速度を表す指標
〈問い合わせ先〉 [email protected]
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