程表（分科別Ⅰ）

日程表（分科別Ⅰ）
3月14日(火)
大分類分科名
中分類分科名
午前
3月15日(水)
午後
午前
3月16日(木)
午後
午前
3月17日(金)
午後
午前
午後
SP 特別シンポジウム
SP1 『目指せ！論文掲載』～国際ジャーナルと英
304
文執筆のノウハウ～
13:15 ~ 16:30
SP2 半導体とコンピュータとのハーモニックイノ
301
ベーションとその産業化ロードマップ
13:00 ~ 18:00
SP3 キントウンをつくる　～自動運転の課題と応
MH
物への期待～
13:00 ~ 18:30
SP4 科学技術の未来に向けたダイバーシティ推進
B5
B5
～男女・文理・職種・国籍の観点から～
10:00 ~ 12:00
13:45 ~ 17:30
MH
SP5 健康なくらしと応用物理
13:00 ~ 18:30
SP6 いま問われる研究業績評価：応用物理と未来
MH
社会
13:45 ~ 17:00
S シンポジウム
S1 「物理のおもしろさを生徒や学生にいかに伝え
423
るか？」　～”原子物理”に関連する授業を中心に
13:15 ~ 16:15
して～
S3 ナノ物質光マニピュレーションの最先端
S4 量子技術が支えるセキュアな情報社会
講演分科日程表の読み方
（例）
E204
S2 シンチレーション検出器とその最先端応用
13:30 ~ 17:15
場所の記号（514会場）
3月14日(火)
講演時間
413
514
13:15 ~ 18:30
13:45 ~ 15:45
416
P5
13:15 ~ 18:00
16:00 ~ 18:00
ポスターセッションのみ
講演時間
413
S5 顕微鏡領域における光波バイオセンシングの今
13:15 ~ 17:15
S6 多様な光源により進展する光プロセスの基礎と
418
応用
13:30 ~ 18:30
S7 加速器・宇宙科学における真空技術の現状と展
419
望
13:15 ~ 17:30
S8 ダイヤモンドNV中心への挑戦―量子通信, 量子
F205
センサからバイオ応用まで
13:30 ~ 17:30
S9 次世代ニューロモルフィックハードウェアにお
301
ける機能性酸化物の役割
13:15 ~ 18:30
512
S10 ナノインプリント技術の進展と展開
13:30 ~ 18:00
S11 薄膜・多層膜の界面イメージング
S12 エネルギー材料開発に資するプラズマ技術最
301
前線
13:45 ~ 18:15
512
512
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:00
S13 エナジーハーベスティングの最新動向：IoT
414
時代の実現に向けて
13:15 ~ 18:00
501
S14 スピン伝導デバイスの進展と応用の最前線
S15 超伝導応用技術開発ロードマップと現状
13:45 ~ 17:00
F203
13:45 ~ 17:15
S16 プリンテッドエレクトロニクスにおける有機
302
トランジスタの現状と課題
13:15 ~ 18:45
S17 柔らかい材料を利用したソフトロボット　～
416
材料・エレクトロニクス・機械分野の融合を目指
13:15 ~ 17:45
して～
S18 有機薄膜素子作製その場観察技術の展望－
302
「作って測る」から「作りながら測る」へ－
13:30 ~ 17:00
S19 ナノバイオテクノロジーとバイオセンシング
313
P7
に関するジョイントシンポジウム
13:15 ~ 18:30
09:30 ~ 11:30
304
S20 長期保管メモリのための高信頼配線技術
13:15 ~ 18:00
S21 エレクトロニクスはやっぱり面白い！～世界
414
を牽引するメインプレイヤーから業界の今と主体
13:15 ~ 16:15
的なキャリア選択を学ぶ～
S22 自動走行に資する車載MEMSデバイスと関連
303
技術
13:15 ~ 16:30
S23 GFIS（電界電離ガスイオン源）ガスイオン顕
315
微鏡技術とその材料・デバイス研究開発への応
13:15 ~ 18:00
用：現状と今後の展望
S24 窒化物半導体特異構造の科学　～発光再結合
503
の解明と制御～
13:45 ~ 17:45
S25 インフォマティクスがもたらす結晶成長プロ
MH
セスの革新
13:45 ~ 17:30
502
S26 先進パワーデバイスのプロセス技術
S27 金属酸化物の結晶物性に迫る
S28 Photovoltaic 4.0 －高効率・低コスト太陽光
発電がもたらす次世代再生可能エネルギーシステ
ム－
13:45 ~ 18:30
502
13:45 ~ 18:00
304
304
09:15 ~ 11:30
13:00 ~ 18:00
日程表（分科別Ⅱ）
3月14日(火)
大分類分科名
中分類分科名
午前
3月15日(水)
午後
午前
3月16日(木)
午後
午前
3月17日(金)
午後
午前
午後
1 応用物理学一般
1.1 応用物理一般・学際領域
P1
514
09:30 ~ 11:30
09:15 ~ 12:15
P1
1.2 教育
09:30 ~ 11:30
1.3 新技術・複合新領域
317
P2
13:15 ~ 16:00
09:30 ~ 11:30
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境
1.5 計測技術・計測標準
P3
424
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 18:30
P4
423
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:15
514
13:45 ~ 15:45
1.6 超音波
P5
16:00 ~ 18:00
2 放射線
E204
2.1 放射線物理一般・検出器基礎
2.2 検出器開発
2.3 放射線応用・発生装置・新技術
P9
12:30 ~ 18:15
16:00 ~ 18:00
E204
E204
E204
10:30 ~ 11:45
09:45 ~ 12:30
13:30 ~ 15:30
P9
E204
16:00 ~ 18:00
09:30 ~ 11:30
E204
09:00 ~ 13:00
3 光・フォトニクス
3.1 光学基礎・光学新領域
312
312
P10
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 16:00
16:00 ~ 18:00
422
P1
13:15 ~ 16:30
09:30 ~ 11:30
P11
413
413
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 16:00
311
311
P2
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 19:00
09:30 ~ 11:30
3.2 材料・機器光学
3.3 情報フォトニクス・画像工学
F205
F205
P9
13:45 ~ 17:45
09:30 ~ 12:15
16:00 ~ 18:00
3.4 生体・医用光学
3.5 レーザー装置・材料
P6
213
213
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
14:30 ~ 19:00
3.6 超高速・高強度レーザー
3.7 レーザープロセシング
512
512
512
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
3.8 光計測技術・機器
3.9 テラヘルツ全般
P1
13:30 ~ 15:30
P10
418
418
418
418
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 17:45
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 16:45
P12
414
414
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 17:00
211
211
211
P1
10:00 ~ 12:00
13:30 ~ 18:15
09:00 ~ 12:30
13:30 ~ 15:30
3.10 光量子物理・技術
3.11 フォトニック構造・現象
3.12 ナノ領域光科学･近接場光学
P7
E205
F202
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
F202
F202
F202
F202
09:00 ~ 12:15
15:45 ~ 18:30
09:00 ~ 12:30
14:00 ~ 17:00
P8
422
422
422
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 17:45
09:00 ~ 11:30
3.13 半導体光デバイス
09:00 ~ 12:30
3.14 光制御デバイス・光ファイバー
P13
16:00 ~ 18:00
316
316
09:00 ~ 12:00
13:45 ~ 15:30
P14
16:00 ~ 18:00
3.15 シリコンフォトニクス
P2
F204
F204
F204
13:30 ~ 15:30
09:15 ~ 12:15
09:45 ~ 12:15
13:45 ~ 17:00
421
P3
09:00 ~ 11:45
09:30 ~ 11:30
3.16 Optics and Photonics English Session
6 薄膜・表面
6.1 強誘電体薄膜
P2
411
13:30 ~ 15:30
09:00 ~ 12:00
411
16:00 ~ 18:30
6.2 カーボン系薄膜
6.3 酸化物エレクトロニクス
6.4 薄膜新材料
412
412
412
412
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 18:15
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 18:15
419
419
419
P3
419
419
419
09:00 ~ 11:30
13:30 ~ 18:00
09:00 ~ 11:30
13:30 ~ 15:30
09:00 ~ 12:15
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 16:00
213
213
P5
311
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:30
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 18:15
316
P6
6.5 表面物理・真空
6.6 プローブ顕微鏡
P3
13:30 ~ 15:30
13:15 ~ 17:45
09:30 ~ 11:30
414
414
303
P4
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 17:45
09:30 ~ 11:45
13:30 ~ 15:30
日程表（分科別Ⅲ）
3月14日(火)
大分類分科名
中分類分科名
午前
3月15日(水)
午後
午前
3月16日(木)
午後
午前
3月17日(金)
午後
午前
午後
7 ビーム応用
※大分類7の口頭セッションは大分類7全体のコードシェアセッションとして開催いたします。
423
318
318
424
424
CS.4 7. コードシェアセッション：ビーム応用大
13:15 ~ 17:00
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 16:15
10:00 ~ 12:00
14:00 ~ 16:00
分類
424
423
13:15 ~ 17:30
09:00 ~ 11:30
7.1 X線技術
7.2 電子ビーム応用
7.3 微細パターン・微細構造形成技術
P11
7.4 量子ビーム界面構造計測
16:00 ~ 18:00
7.5 イオンビーム一般
7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術
8 プラズマエレクトロニクス
315
8.1 プラズマ生成・制御
14:00 ~ 17:00
301
8.2 プラズマ診断・計測
09:00 ~ 10:45
315
8.3 プラズマ成膜・表面処理
09:00 ~ 13:00
8.4 プラズマエッチング
313
P1
09:00 ~ 11:30
13:30 ~ 15:30
315
8.5 プラズマナノテクノロジー
09:00 ~ 11:30
P9
8.6 プラズマライフサイエンス
16:00 ~ 18:00
313
313
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:00
313
8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野
12:45 ~ 17:00
315
8.8 Plasma Electronics English Session
11:30 ~ 12:15
301
8.9 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演
11:00 ~ 11:30
301
8.10 プラズマエレクトロニクス賞授賞式
13:30 ~ 13:45
9 応用物性
421
9.1 誘電材料・誘電体
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
9.3 ナノエレクトロニクス
P4
13:15 ~ 16:30
E206
E206
10:00 ~ 12:00
13:45 ~ 16:45
9.4 熱電変換
9.5 新機能材料・新物性
13:30 ~ 15:30
421
421
P15
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 18:15
16:00 ~ 18:00
P5
13:30 ~ 15:30
E206
E206
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:15
P2
514
13:30 ~ 15:30
13:45 ~ 17:45
10 スピントロニクス・マグネティクス
10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）
P10
16:00 ~ 18:00
10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術
501
501
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 15:00
501
09:00 ~ 12:00
501
09:00 ~ 12:00
10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術
501
13:00 ~ 14:30
P10
16:00 ~ 18:00
10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関
10.5 磁場応用
513
09:00 ~ 11:30
501
501
14:45 ~ 15:45
09:00 ~ 12:00
P10
16:00 ~ 18:00
11 超伝導
11.1 基礎物性
317
317
13:00 ~ 16:45
09:30 ~ 11:45
318
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
13:15 ~ 17:30
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
P7
318
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:00
11.4 アナログ応用および関連技術
F205
312
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 14:30
316
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用
13:15 ~ 17:15
12 有機分子・バイオエレクトロニクス
12.1 作製・構造制御
12.2 評価・基礎物性
313
313
P8
414
F201
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 18:00
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 11:30
13:30 ~ 15:15
311
311
311
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 18:30
09:00 ~ 12:00
12.5 有機太陽電池
416
416
P4
416
09:00 ~ 11:45
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 18:15
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 15:45
302
302
302
P5
302
13:15 ~ 18:00
09:00 ~ 11:45
09:00 ~ 12:00
09:30 ~ 11:30
13:15 ~ 17:00
303
303
303
303
P6
303
09:00 ~ 11:45
13:00 ~ 18:00
13:30 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 15:30
09:00 ~ 13:30
P2
F206
F206
09:30 ~ 11:30
13:45 ~ 19:00
09:00 ~ 12:15
12.6 ナノバイオテクノロジー
12.7 医用工学・バイオチップ
13:30 ~ 15:30
416
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12.4 有機EL・トランジスタ
P5
F204
F204
P3
F205
F205
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:00
09:30 ~ 11:30
13:45 ~ 18:45
09:00 ~ 12:15
日程表（分科別Ⅳ）
3月14日(火)
大分類分科名
中分類分科名
午前
3月15日(水)
午後
午前
3月16日(木)
午後
午前
3月17日(金)
午後
午前
午後
13 半導体
P12
13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
13.2 探索的材料物性・基礎物性
13.3 絶縁膜技術
304
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:15 ~ 12:00
13:45 ~ 18:30
P13
B5
B5
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:00
13:45 ~ 17:45
P14
413
413
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
14:00 ~ 17:00
P3
304
E206
E206
E206
13:30 ~ 15:30
09:00 ~ 11:30
09:00 ~ 12:15
09:00 ~ 12:45
13:45 ~ 15:30
513
P1
09:00 ~ 12:00
13:30 ~ 15:30
13.5 デバイス／集積化技術
P15
412
412
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 18:30
513
13.6 Semiconductor English Session
09:00 ~ 11:15
E205
P9
13:45 ~ 17:30
09:30 ~ 11:30
315
315
315
P4
13:15 ~ 17:15
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 17:45
09:30 ~ 11:30
411
411
411
411
09:15 ~ 11:45
13:15 ~ 17:00
09:15 ~ 11:45
13:15 ~ 17:30
13.7 ナノ構造・量子現象
315
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:30 ~ 11:45
13.9 光物性・発光デバイス
E206
16:00 ~ 18:00
13.10 化合物太陽電池
P7
13:30 ~ 15:30
B6
F201
F201
13:15 ~ 17:15
13:15 ~ 15:45
09:30 ~ 12:30
P16
16:00 ~ 18:00
15 結晶工学
15.1 バルク結晶成長
F203
B5
P6
09:00 ~ 12:30
13:45 ~ 17:45
13:30 ~ 15:30
15.2 II-VI族結晶および多元系結晶
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの
313
B5
P2
基礎
09:00 ~ 12:00
09:00 ~ 12:30
13:30 ~ 15:30
15.4 III-V族窒化物結晶
503
503
503
503
503
503
P3
09:00 ~ 12:15
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:15
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:00
09:00 ~ 12:30
13:30 ~ 15:30
503
13:45 ~ 16:30
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
318
318
09:30 ~ 11:45
13:45 ~ 16:00
15.6 IV族系化合物（SiC）
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥
P7
13:30 ~ 15:30
F204
F204
P5
301
301
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 19:00
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:00
F201
F201
F201
P8
09:15 ~ 12:15
13:45 ~ 17:30
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 15:30
16 非晶質・微結晶
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
P10
213
213
09:30 ~ 11:30
09:30 ~ 11:30
13:45 ~ 17:30
514
16.2 エナジーハーベスティング
09:00 ~ 10:15
16.3 シリコン系太陽電池
P11
211
211
211
211
211
09:30 ~ 11:30
13:30 ~ 18:15
09:45 ~ 11:15
13:15 ~ 18:15
09:45 ~ 11:45
13:30 ~ 16:45
17 ナノカーボン
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材
F203
料
13:45 ~ 18:30
17.2 グラフェン
P4
B6
B6
B6
B6
13:30 ~ 15:30
09:30 ~ 12:15
13:45 ~ 18:15
10:15 ~ 12:00
13:30 ~ 17:45
F203
F203
F203
10:15 ~ 12:15
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:00
17.3 層状物質
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半 502
502
502
502
P8
502
導体材料・デバイス」
13:45 ~ 17:45
09:00 ~ 12:15
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 15:30
09:00 ~ 11:45
22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリン
F206
F206
F206
P16
グ」
14:00 ~ 17:45
10:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:00
16:00 ~ 18:00
09:30 ~ 12:15
22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」
CS コードシェアセッション
CS.1 3.13 「半導体光デバイス」,3.15「シリコン
F204
フォトニクス」のコードシェアセッション
13:45 ~ 18:45
CS.2 6.1「強誘電体薄膜」,13.3「絶縁膜技
304
術」,13.5「デバイス／集積化技術」のコードシェ
13:00 ~ 17:00
ア
CS.3 6.6「プローブ顕微鏡」, 12.2「評価・基礎
301
物性」のコードシェアセッション
09:30 ~ 11:30
423
318
318
424
424
CS.4 7. コードシェアセッション：ビーム応用大
13:15 ~ 17:00
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 16:15
10:00 ~ 12:00
14:00 ~ 16:00
分類
424
423
13:15 ~ 17:30
09:00 ~ 11:30
CS.5 9.4「熱電変換」,16.2「エナジーハーベス
P6
ティング」のコードシェアセッション
09:30 ~ 11:30
CS.6 10.1,10.2,10.3,10.4コードシェアセッショ
501
ン「新規スピン操作方法および関連現象」
13:15 ~ 18:30
CS.7 3.11「フォトニック構造・現象」,13.7「ナ
E205
ノ構造・量子現象」のコードシェアセッション
13:15 ~ 19:15
CS.8 3.11,3.12コードシェアセッション『フォト
F202
ニック・プラズモニック構造および熱制御』
13:15 ~ 15:30
CS.9 3.5「レーザー装置・材料」,3.14「光制御デ
バイス・光ファイバー」のコードシェアセッショ
ン
213
13:15 ~ 14:15

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