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パワートランジスタ
2SA699, 2SA699A
シリコン PNP エピタキシャルプレーナ形
電力増幅用
2SC1226, 2SC1226A とコンプリメンタリ
Unit: mm
2SA699A
ベース電圧
2SA699A
コレクタ・
2SA699A
–40
VCBO
–50
–32
VCEO
エミッタ電圧 2SA699A
エミッタ・ベース電圧
せん頭コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失 (TC=25°C)
–40
4.0±0.5
5.0
1.5
3.5
12.5
1.0±0.1
1.5
1.0
V
ICP
–3
A
IB
–0.6
A
10
W
150
˚C
–55 ~ +150
˚C
守
Tstg
1.5±0.1
0.75
0.75
2.5
V
–5
Tj
■ 電気的特性
V
VEBO
PC
接合部温度
保存温度
単位
2.5
1.0
1.5
コレクタ・
定格
10.5 3.0±0.2
記号
1.0
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
項目
6.5
8.5
(Ta=25˚C)
13.5±0.1
■ 絶対最大定格
φ4.2±0.2
止
2SC1226, 2SC1226A とコンプリメンタリペアで出力 5W が
得られます。
廃
●
0.5±0.05
10.0±0.1
■ 特長
3 2 1
0.5±0.1
2.5±0.5
4.6±0.1
1:Emitter
2:Collector (Fin)
3:Base
JEDEC:TO–202
(TC=25˚C)
保
項目
記号
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
2SA699A
ベース電圧
2SA699A
コレクタ・
エミッタ電圧
保
守
コレクタ・
2SA699A
2SA699A
直流電流増幅率
条件
最小
標準
最大
単位
ICBO
VCB = –20V, IE = 0
–1
µA
ICEO
VCE = –12V, IB = 0
–100
µA
IEBO
VEB = –5V, IC = 0
–100
µA
VCBO
IC = –1mA, IE = 0
VCEO
IC = –10mA, IB = 0
hFE*
VCE = –5V, IC = –1A
–40
–50
–32
–40
V
V
220
80
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC = –1.5A, IB = –0.15A
ベース・エミッタ飽和電圧
VBE(sat)
IC = –2A, IB = –0.2A
トランジション周波数
fT
VCB = –5V, IE = 0.5A, f = 200MHz
150
MHz
コレクタ出力容量
Cob
VCB = –5V, IE = 0, f = 1MHz
70
pF
*h
–0.4
–1
V
–1.5
V
FE ランク分類
ランク
Q
R
hFE
80 ~ 160
100 ~ 220
1
パワートランジスタ
2SA699, 2SA699A
IC — VCE
(1)TC=Ta
(2)With a 100×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
11
10
–35mA
9
8
7
6
(1)
5
4
(2)
3
TC=25˚C
IB=–40mA
–3.5
コレクタ電流 IC (A)
–3.0
–30mA
–25mA
–2.5
–20mA
–2.0
–15mA
–1.5
–10mA
–1.0
–5mA
2
0
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
0
–2
–4
–6
–8
25˚C
–25˚C
–10
–0.01
–0.01 –0.03
–0.1
–0.3
廃
–1
–0.1
–0.1
–0.3
–1
100
10
3
1
–0.01 –0.03
–3
fT — IE
240
VCB=–5V
f=200MHz
TC=25˚C
IE=0
f=1MHz
TC=25˚C
60
40
20
–3
–1
–10
160
120
80
40
0
0.01 0.03
–3
–30
–100
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
0.1
0.3
1
3
10
エミッタ電流 IE (A)
VCER — RBE
保
守
80
0
–1
–0.3
200
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ電圧 VCER (V)
保
100
–0.1
ICEO — Ta
–80
140
120
–25˚C
30
コレクタ電流 IC (A)
Cob — VCB
トランジション周波数 fT (MHz)
100˚C
25˚C
–0.3
直流電流増幅率 hFE
TC=–25˚C
–1
25˚C
300
–3
コレクタ電流 IC (A)
VCE=–5V
TC=100˚C
–3
–0.01
–0.01 –0.03
コレクタ出力容量 Cob (pF)
TC=100˚C
–0.1
1000
–0.03
2
–0.3
hFE — IC
IC/IB=10
–10
–1
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
守
ベース・エミッタ飽和電圧 VBE(sat) (V)
VBE(sat) — IC
–3
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
周囲温度 Ta (˚C)
止
–0.5
(3)
1
IC/IB=10
–10
–0.03
1000
TC=25˚C
VCE=–12V
–70
300
–60
–50
2SA699A
–40
–30
ICEO (Ta)
ICEO (Ta=25˚C)
許容コレクタ損失 PC (W)
VCE(sat) — IC
–4.0
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
PC — Ta
12
100
30
10
2SA699
–20
3
–10
0
0.001
1
0.01
0.1
1
10
ベース・エミッタ抵抗 RBE (kΩ)
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta (˚C)
120
パワートランジスタ
2SA699, 2SA699A
安全動作領域順バイアス ASO
–10
Single pulse
TC=25˚C
ICP
3000
t=1s
–1
t=10ms
–0.3
–0.1
–0.03
–0.003
–0.001
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
2SA699A
2SA699
–0.01
–100
300
100
(1)
30
(2)
10
3
1
0.3
0.1
10–4
10–3
10–2
10–1
1
10
102
103
104
時間 t (s)
保
守
保
守
廃
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
1000
止
IC
コレクタ電流 IC (A)
(1)Without heat sink
(2)With a 100×100×2mm Al heat sink
10000
熱抵抗 Rth(t) (˚C/W)
–3
Rth(t) — t
3
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
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もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三
者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。
(3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること
を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

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