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三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54583WP
8-UNIT 400mA DARLIGNON TRANSISTOR ARRAY
概要
M54583WPは、PNPトランジスタとNPNトランジスタで構成
された8回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジス
タアレイであり、微小入力電流で大電流駆動のできる半導体
集積回路です。
ピン接続図（上面図）
特長
●高耐圧（BVCEO ≧ 50V）
●大電流駆動（IC（max）＝ 400mA）
●アクティブ “L” レベル入力
●入力ダイオード付き
入力
IN1→ 1
18 →O1
IN2→ 2
17 →O2
IN3→ 3
16 →O3
IN4→ 4
15 →O4
IN5→ 5
14 →O5
IN6→ 6
13 →O6
IN7→ 7
12 →O7
IN8→ 8
11 →O8
機能概要
M54583WPは、M54523の入力部にPNPトランジスタを付加し、
入力“L”アクティブとした回路を8回路内蔵しています。
入力とPNPトランジスタのベース間にはダイオードと7kΩの
抵抗がシリーズに接続されています。この入力ダイオードは
入力から電源へ流れる電流を防止するためのもので、省電
力化のためVCCをOFFした場合に、8回路中のある入力が
“H”、他の入力が“L”の状況において、このダイオードがな
いとH側入力からVCCへ電流が流れ、入力“L”の回路が誤動
作するのを防止するために設けられています。
出力トランジスタのコレクタに電流は最大400mA流し込め、
またコレクタ・エミッタ間には最大50Vの電圧が印加できます。
N-MOS IC出力でドライバを駆動し、ドライバが電流を吸い込
む機能を必要とする場合に、本ICが最適です。
10
9
GND
用途
マイコンと高電圧及び大電流駆動系の間のインタフェース、
MOS-バイポーラロジックIC間のインタフェース、各種リレー
の駆動
出力
Vcc
外形 18P4X
回路図（各回路）
Vcc
7K
入力IN
出力OUT
2.7K
7K
7.2K
3K
GND
VCC とGNDは8回路共通です。
破線で示すダイオードは寄生ダイオードであり使用しないでください。
単位:Ω
絶対最大定格（指定しない場合は、 Ta=-20～+75℃ ）
記号
VCC
VCEO
VI
IC
Pd
Topr
Tstg
項
目
電源電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
入力電圧
コレクタ電流
消費電力
動作周囲温度
保存温度
条
件
出力が“H”のとき
出力が“L”のとき，1回路当りの電流
Ta = 25℃，基板実装時
定
格値
10
–0.5 ～ +50
-0.5 ～ VCC
400
1.79
–20 ～ +75
–55 ～ +125
単位
V
V
V
mA
W
℃
℃
2011年7月
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54583WP
8-UNIT 400mA DARLIGNON TRANSISTOR ARRAY
推奨動作条件（指定のない場合は、Ta = －20～＋75℃）
記号
VCC
項
Duty Cycle 10%以下
VCC = 5V
Duty Cycle 34%以下
VCC = 5V
(8回路同時動作時の
1回路当りの電流)
格値
標準
最大
5
8
最小
4
電源電圧
コレクタ電流
IC
定
目
0
－
350
0
－
200
単位
V
mA
VIH
“H”入力電圧
VCC-0.7
－
VCC
V
VIL
“L”入力電圧
0
－
VCC-3.6
V
電気的特性（指定のない場合は、Ta = －20～＋75℃）
記号
項
目
測
V(BR)CEO
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
VCE(sat)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
II
ICC
hFE
入力電流
電源電流(1回路ONの場合)
直流電流増幅率
定
条
規
件
最小
50
—
—
—
—
2000
ICEO = 100μA, VCC= 8V
IC = 350mA
VI = VCC- 3.6V
IC = 200mA
VI = VCC- 3.6V
VCC = 5V, VI = VCC- 3.6V
VCE = 4V, VCC = 5V, IC = 350mA, Ta = 25℃
格値
標準*
—
1.2
0.98
-320
1.9
3500
最大
—
2.2
1.6
-600
3.0
-
格値
標準
130
3200
最大
—
—
単位
V
V
μA
mA
-
*：標準値はTa = 25℃の値であり、これを保証するものではありません。
スイッチング特性（指定のない場合は、Ta = 25℃）
記号
ton
toff
項
目
測
ターンオン時間
ターンオフ時間
定
条
最小
—
—
CL = 15pF（注1）
単位
ｎｓ
ｎｓ
タイミング図
注１測定回路
入力
規
件
VCC
VO
被測定素子
入力
RL
50%
50%
出力
PG
50Ω
出力
CL
50%
ｔon
50%
ｔoff
(1)パルス発生器(PG)の特性 : PRR = 1kHz,
tw = 10μs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO = 50Ω
VI = 0.4～4V
(2)入出力条件 : RL = 30Ω, VO = 10V, VCC = 4V
(3)静電容量CLは、結線の浮遊容量及びプローブ
の入力容量を含みます。
2011年7月
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三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54583WP
8-UNIT 400mA DARLIGNON TRANSISTOR ARRAY
標準特性
出力飽和電圧－コレクタ電流特性
熱低減率特性
500
2.0
M54583WP
VI=1.4V
VCC=5V
1.5
コレクタ電流 IC(mA)
許容消費電力 Pd(W)
400
1.0
300
Ta=75℃
200
Ta=25℃
Ta=-20℃
0.5
100
0
0
25
50
75
0
100
0
0.5
2.0
デューティーサイクル－コレクタ電流特性
デューティーサイクル－出力電流特性
500
500
400
①
②
300
③
200
④
⑤
⑥
⑦
⑧
100
20
60
40
300
②
③
200
80
0
100
④
⑤
⑥
⑦
⑧
・コレクタ電流は
1回路当りの電流です。
・繰返し周波数≧10Hz
・◯内の数字は同時動作回路数を示す。
・VCC=5.0V Ta = 75℃
100
・コレクタ電流は1回路当りの電流です。
・繰返し周波数≧10Hz
・◯内の数字は同時動作回路数を示す。
・VCC=5.0V Ta = 25℃
0
①
400
コレクタ電流 IC(mA)
コレクタ電流 IC(mA)
1.5
出力飽和電圧 VCE(sat)(V)
周囲温度 Ta(℃)
0
1.0
0
20
60
40
80
100
デューティーサイクル (%)
デューティーサイクル (%)
入力特性
直流電流増幅率－コレクタ電流特性
10
-1.0
VCC=5V
4
7
5
VCC=5V
VCE=4V
直流電流増幅率 hFE
入力電流 II(mA)
-0.8
-0.6
Ta=-20℃
Ta=25℃
-0.4
Ta=75℃
3
2
10
3
Ta=25℃
7
5
Ta=-20℃
3
-0.2
0
Ta=75℃
0
1
2
3
4
2
10 2 1
10
5
電源電圧－入力電圧 VCC－VI(V)
2
3
5
7
10 2
2
3
5
7
10
3
コレクタ電流 Ic(mA)
2011年7月
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M54583WP
8-UNIT 400mA DARLIGNON TRANSISTOR ARRAY
エミッタ接地伝達特性
電源電流特性
400
5
VI=0V
300
4
Ta=75℃
電源電流 ICC(mA)
コレクタ電流 IC(mA)
VCC=4V
VCE=4V
Ta=25℃
200
Ta=-20℃
Ta=-20℃
Ta=25℃
3
2
Ta=75℃
100
1
0
0
1
2
3
0
4
電源電圧－入力電圧 VCC- VI(V)
0
2
4
6
8
10
電源電圧 VCC(V)
2011年7月
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外形図
2011年7月
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作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身
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焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
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システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。三
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システムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料
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