5回目/6回目 光伝送とレーザー素子 1 Science and Technology 光伝送とは 電気信号を光に変える(レーザ) 光信号を伝送する(光ファイバ) 光信号を電気に変える(受光器) 電話 FAX 電気→光 変換装置 光ファイバ E/O 光→電気 変換装置 O/E パソコン 多重化装置 テレビ 2 光送信装置 多重化装置 光受信装置 Science and Technology レーザダイオード 3 Science and Technology 発振器の原理 フィードバック回路 増幅器 入力端子 4 出力信号 出力端子 Science and Technology レーザの基本構造 ミラー ミラー 反転分布を持つ光増幅媒質 R2 1 R2 I0 1 R1 R1 l 5 Science and Technology 発振の原理(1) I ( Z ) I 0 e ( g α) Z 基底準位にある電子数 g ( N 2 N 1 ) 誘導放出断面積 励起準伝にある電子数 励起準位 基底準位 6 Science and Technology 発振の原理(2) 一巡を考える I1 I 0 e ( g α) L R1 e ( g α) L R2 I 0 R1 R2 e 2 ( g α) L 発振条件は I1>I 0であるので I 1 R1 R2 e 2 ( g α) L I0 両辺 lnとって o ln R1 R2 2( g α) L g th 7 1 1 ln ( ) 2L R1 R2 Science and Technology ファブリ・ペロ共振器における定常波 n へき開面で形成した反射鏡 L 10 Science and Technology 一般的なレーザの値 L m 2n (m 1) m はモード L 300μm m 1.5μm n 3.5 とすると m 1400ぐらい 11 Science and Technology 各種単一モード光ファイバにおける波長分散 波長分散(ps/nm・km) 20 1310nm零分散光ファイバ 材料分散 10 1300 1400 1500 1600 波長(nm) 0 導波路分散 -10 -20 +D 1550nm分散 フラット光ファイバ 1550nm分散シフト光ファイバ -D ノンゼロ分散シフト光ファイバ -60 -80 分散補償光ファイバ -100 12 Science and Technology 縦モード発振強度スペクトル 増幅器の利得 発振可能な波長範囲 共振器内の損失レベル 縦モードの波長 レーザの光出力 波長 縦モードの発振光強度 波長 13 Science and Technology Δλの近似式 =L = ( )( ) Lとmは独立ではない · 』 14 Science and Technology 半導体におけるエネルギー準位 エネルギー 伝導帯 自由電子 禁制帯 価電子帯 18 Science and Technology 電子と正孔の結合 電子 伝導帯 正孔 価電子帯 19 Science and Technology 半導体レーザの基本構造 電極 正孔流 レーザー光 レーザー光 P領域 活性領域 電子流 n領域 反射鏡面 20 (結晶へき開面)Science and Technology n型/p型半導体 原子よりも電子の方がわずかに多い 原子を少量混入する (例)Si=4価 As.P=5価 また、P型としてはB、Al、Ga、In(2価)がある。 21 Science and Technology ホモ接合(homo-junction)と ヘテロ接合(hetero-junction) 同じ材料の(半導体)のP型とn型を接合している ホモ接合 ・・・特徴としてあまり電子と正孔の数が存在しない →自然放出光のみ=発光ダイオード(LED) (LED : Light Emitting Diodes) ヘテロ接合 ・・・異なる材料を接合 →レーザダイオード 22 Science and Technology pn接合面でのエネルギー順位 p型半導体 n型半導体 p型半導体 n型半導体 電子の流れ 正孔 伝導帯 電子 伝導帯 hv 禁制帯 価電子帯 禁制帯 正孔の流れ 価電子帯 (a) 電圧がないとき 23 電流 (b) 順方向に電圧が加えられたとき Science and Technology ダブルへテロ結合におけるレーザ発振 p型InP n型InP エネルギー 伝導帯 (a)接合前 価電子帯 GaInAsP層 広い エネルギー p型InP 電流 狭い n型InP 電子の流れ 伝導帯 正孔の流れ 屈折率 24 広い (b) 接 合 後 電 圧 を 加 え 電 流を流している状態 価電子 帯 電界分布 (c)屈折率分布と 電界分布 Science and Technology レーザ発振における光出力 光出力 レーザ発振領域 LED領域 しきい値電流(Ith) 注入電流 25 Science and Technology 半導体レーザの構造 反射鏡面 (へき開面) 電極 クラッド層 垂直方向 電極 レーザ光 活性領域 クラッド層 水平方向 縦方向 26 Science and Technology 直接遷移 電子 電子は止まっている 伝導帯 伝導帯 価電子帯 価電子帯 正孔 正孔 正孔も止まっており 運動量は保存される (a)止まっている電子と正孔 27 電子 電子はmvの運動量を持つ 正孔も電子と同じmvの運 動量を持ち遷移の際には 保存されている。 (b)動いている電子と正孔 Science and Technology 間接遷移 電子 電子はmvの運動量を持つ 電子 電子はmvの運動量を持つ 伝導帯 伝導帯 正孔 正孔 価電子帯 正孔は止まっている状態であ り運動量は保存されない (動いている電子と止まって いる正孔 28 価電子帯 正孔は電子の運動方向とは 異なる方向へ動き運動量は保 存されない (動いている電子とは別の方 向へ動く正孔 Science and Technology 材料 同期表のⅢ族原子とⅤ族原子、ⅢーⅤ族半導体 0.7~0.9μm GaAlAs (活性層はGaAlAs、基板はGaAs) 1.2~1.6 GaInAsP (活性層はGaInAsP、基板はInP) 0.39~0.43 GaN (活性層はGaInN、クラッド AlGaN) 29 Science and Technology 垂直方向における禁制帯幅と屈折率の構造 屈折率 禁制帯幅 活性層 活性層 垂直方向 垂直方向 (a)ダブルヘテロ接合 屈折率 禁制帯幅 活性層 垂直方向 活性層 垂直方向 (b)多重量子井戸構造 30 Science and Technology 一つの量子井戸構造における電子準位と状態密度 伝導帯 電子の波動関数 エネルギー エネルギー n=2 n=1 伝導帯 普通はこの形 量子井戸だと飛び飛び → 同じ波長の光が出やすい 量子井戸層 m=1 m=2 状態密度 価電子帯 m'=1 価電子帯 重い正孔帯 軽い正孔帯 垂直方向 (エネルギー準位(n、m、m’は電 子、軽い正孔、重い正孔の量子 準位の番号を示す) 31 (b)状態密度と光学遷移 Science and Technology 埋め込み型ダブルへテロ構造 p-GaInAsPキャップ層 p-InPクラッド層 Cr/Au SiO2 Au/Sn n-GaInAsP n-InP埋め込み層 p-InPブロック層 GaInAsP活性層 n-InP基板 n-InPバッファ層 32 Science and Technology グレーティング結合器 入射光 反射光 コア 屈折率 (a)屈折率変動型 (a) Λ (b)導波路境界変動型 (b) クラッド コア 反射される光の波長 B グレーティングの周期 Λ 等価的な屈折率を 33 n effとすると B 2n effΛ Science and Technology 埋め込み型分布帰還形レーザ 電極 p-GaInAsP n-InP n-InP p-InP P-GaInAsP光導波 電極 34 n-InP基板 GaInAsP活性層 Science and Technology 光ファイバグレーティングを用いた 外部共振器型半導体レーザ 光ファイバグレーティング 半導体レーザ 37 Science and Technology DVD/CD用レーザ ソニー製 3000円 CD-R/RWの記録再生に必要な780nm帯レーザー光と記録型DVD の記録再生に必要な650nm帯レーザー光を一つのパッケージから 出力できる高出力2波長レーザーダイオード 38 Science and Technology 長距離伝送用レーザ NEC製 長距離DWDM伝送用 50万円 1550ナノm帯CW(Continuous Wave:連続発光)光源のLDモジュール 39 Science and Technology 日本からの技術発信 40 日亜化学工業 Science and Technology 世界最大の工場 <日本化学工業本社> 主要業務 ・管理業務 ・研究、開発 ・製造 製造品目 ・蛍光体 ・発光ダイオード(LED) ・光半導体素子 敷地 178,000m2 41 Science and Technology 各種LED ●砲弾型LED (Lamp Type LED) ●表面実装型LED (Surface Mount Type LED) 42 ●LEDドットマトリックスユニット (LED Dot Matrix Unit) ●半導体レーザーダイオード (Laser Diode) Science and Technology NICHIAの連続売上高 (10億円) Billion yen 250 200 150 100 50 ’94 ’95 ’96 ’97 ’98 ’99 2000 2001 2002 2003 2004 ※連続売上高は簡易連結ベース 43 Science and Technology
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