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5回目/6回目
光伝送とレーザー素子
1
Science and Technology
光伝送とは



電気信号を光に変える(レーザ)
光信号を伝送する(光ファイバ)
光信号を電気に変える(受光器)
電話
FAX
電気→光
変換装置
光ファイバ
E/O
光→電気
変換装置
O/E
パソコン
多重化装置
テレビ
2
光送信装置
多重化装置
光受信装置
Science and Technology
レーザダイオード
3
Science and Technology
発振器の原理
フィードバック回路
増幅器
入力端子
4
出力信号
出力端子
Science and Technology
レーザの基本構造
ミラー
ミラー
反転分布を持つ光増幅媒質
R2
1  R2
I0
1  R1
R1
l
5
Science and Technology
発振の原理(1)
I ( Z )  I 0 e ( g α) Z
基底準位にある電子数
g   ( N 2  N 1 )
誘導放出断面積
励起準伝にある電子数
励起準位
基底準位
6
Science and Technology
発振の原理(2)
一巡を考える
I1  I 0 e ( g α) L  R1  e ( g α) L  R2
 I 0 R1 R2 e 2 ( g α) L
発振条件は
I1>I 0であるので
I
1  R1 R2 e 2 ( g α) L
I0
両辺 lnとって
o  ln R1 R2  2( g α) L
g th   
7
1
1
 ln (
)
2L
R1 R2
Science and Technology
ファブリ・ペロ共振器における定常波
n
へき開面で形成した反射鏡

L
10
Science and Technology
一般的なレーザの値
L
m
2n
(m  1) m はモード
L  300μm  m  1.5μm n  3.5
とすると m  1400ぐらい
11
Science and Technology
各種単一モード光ファイバにおける波長分散
波長分散(ps/nm・km)
20
1310nm零分散光ファイバ
材料分散
10
1300
1400
1500
1600
波長(nm)
0
導波路分散
-10
-20
+D
1550nm分散
フラット光ファイバ
1550nm分散シフト光ファイバ
-D
ノンゼロ分散シフト光ファイバ
-60
-80
分散補償光ファイバ
-100
12
Science and Technology
縦モード発振強度スペクトル
増幅器の利得
発振可能な波長範囲
共振器内の損失レベル
縦モードの波長
レーザの光出力

波長
縦モードの発振光強度
波長
13
Science and Technology
Δλの近似式
=L
=
(
)(
)
Lとmは独立ではない
·
』
14
Science and Technology
半導体におけるエネルギー準位
エネルギー
伝導帯
自由電子
禁制帯
価電子帯
18
Science and Technology
電子と正孔の結合
電子
伝導帯
正孔
価電子帯
19
Science and Technology
半導体レーザの基本構造
電極
正孔流
レーザー光
レーザー光
P領域
活性領域
電子流
n領域
反射鏡面
20
(結晶へき開面)Science
and Technology
n型/p型半導体
原子よりも電子の方がわずかに多い
 原子を少量混入する
(例)Si=4価
As.P=5価
また、P型としてはB、Al、Ga、In(2価)がある。

21
Science and Technology
ホモ接合(homo-junction)と
ヘテロ接合(hetero-junction)

同じ材料の(半導体)のP型とn型を接合している
ホモ接合
・・・特徴としてあまり電子と正孔の数が存在しない
→自然放出光のみ=発光ダイオード(LED)
(LED : Light Emitting Diodes)
ヘテロ接合
・・・異なる材料を接合
→レーザダイオード
22
Science and Technology
pn接合面でのエネルギー順位
p型半導体
n型半導体
p型半導体
n型半導体
電子の流れ
正孔
伝導帯
電子
伝導帯
hv
禁制帯
価電子帯
禁制帯
正孔の流れ
価電子帯
(a) 電圧がないとき
23
電流
(b) 順方向に電圧が加えられたとき
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ダブルへテロ結合におけるレーザ発振
p型InP
n型InP
エネルギー
伝導帯
(a)接合前
価電子帯
GaInAsP層
広い
エネルギー
p型InP
電流
狭い
n型InP
電子の流れ
伝導帯
正孔の流れ
屈折率
24
広い
(b) 接 合 後 電 圧 を 加 え 電
流を流している状態
価電子
帯
電界分布
(c)屈折率分布と
電界分布
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レーザ発振における光出力
光出力
レーザ発振領域
LED領域
しきい値電流(Ith)
注入電流
25
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半導体レーザの構造
反射鏡面
(へき開面)
電極
クラッド層
垂直方向
電極
レーザ光
活性領域
クラッド層
水平方向
縦方向
26
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直接遷移
電子
電子は止まっている
伝導帯
伝導帯
価電子帯
価電子帯
正孔
正孔
正孔も止まっており
運動量は保存される
(a)止まっている電子と正孔
27
電子
電子はmvの運動量を持つ
正孔も電子と同じmvの運
動量を持ち遷移の際には
保存されている。
(b)動いている電子と正孔
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間接遷移
電子
電子はmvの運動量を持つ
電子
電子はmvの運動量を持つ
伝導帯
伝導帯
正孔
正孔
価電子帯
正孔は止まっている状態であ
り運動量は保存されない
(動いている電子と止まって
いる正孔
28
価電子帯
正孔は電子の運動方向とは
異なる方向へ動き運動量は保
存されない
(動いている電子とは別の方
向へ動く正孔
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材料

同期表のⅢ族原子とⅤ族原子、ⅢーⅤ族半導体
0.7~0.9μm GaAlAs (活性層はGaAlAs、基板はGaAs)
1.2~1.6 GaInAsP (活性層はGaInAsP、基板はInP)
0.39~0.43 GaN (活性層はGaInN、クラッド AlGaN)
29
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垂直方向における禁制帯幅と屈折率の構造
屈折率
禁制帯幅
活性層
活性層
垂直方向
垂直方向
(a)ダブルヘテロ接合
屈折率
禁制帯幅
活性層
垂直方向
活性層
垂直方向
(b)多重量子井戸構造
30
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一つの量子井戸構造における電子準位と状態密度
伝導帯
電子の波動関数
エネルギー
エネルギー
n=2
n=1
伝導帯
普通はこの形
量子井戸だと飛び飛び
→ 同じ波長の光が出やすい
量子井戸層
m=1
m=2
状態密度
価電子帯
m'=1
価電子帯
重い正孔帯
軽い正孔帯
垂直方向
(エネルギー準位(n、m、m’は電
子、軽い正孔、重い正孔の量子
準位の番号を示す)
31
(b)状態密度と光学遷移
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埋め込み型ダブルへテロ構造
p-GaInAsPキャップ層
p-InPクラッド層
Cr/Au
SiO2
Au/Sn
n-GaInAsP
n-InP埋め込み層
p-InPブロック層
GaInAsP活性層
n-InP基板
n-InPバッファ層
32
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グレーティング結合器
入射光
反射光
コア
屈折率
(a)屈折率変動型
(a)
Λ
(b)導波路境界変動型 (b)
クラッド
コア
反射される光の波長 B
グレーティングの周期
Λ
等価的な屈折率を
33
n effとすると  B  2n effΛ
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埋め込み型分布帰還形レーザ
電極
p-GaInAsP
n-InP
n-InP
p-InP
P-GaInAsP光導波
電極
34
n-InP基板
GaInAsP活性層
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光ファイバグレーティングを用いた
外部共振器型半導体レーザ
光ファイバグレーティング
半導体レーザ
37
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DVD/CD用レーザ
ソニー製
3000円
CD-R/RWの記録再生に必要な780nm帯レーザー光と記録型DVD
の記録再生に必要な650nm帯レーザー光を一つのパッケージから
出力できる高出力2波長レーザーダイオード
38
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長距離伝送用レーザ


NEC製 長距離DWDM伝送用
50万円
1550ナノm帯CW(Continuous Wave:連続発光)光源のLDモジュール
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日本からの技術発信

40
日亜化学工業
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世界最大の工場
<日本化学工業本社>
主要業務
・管理業務 ・研究、開発 ・製造
製造品目
・蛍光体 ・発光ダイオード(LED) ・光半導体素子
敷地 178,000m2
41
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各種LED
●砲弾型LED (Lamp Type LED)
●表面実装型LED (Surface Mount Type LED)
42
●LEDドットマトリックスユニット
(LED Dot Matrix Unit)
●半導体レーザーダイオード
(Laser Diode)
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NICHIAの連続売上高
(10億円)
Billion yen
250
200
150
100
50
’94
’95
’96
’97
’98
’99
2000
2001
2002
2003
2004
※連続売上高は簡易連結ベース
43
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