RSX101M-30 ダイオード ショットキーバリアダイオード RSX101M-30 ●外形寸法図（Unit : mm） ●用途 一般整流用 ●推奨ランドパターン（Unit : mm） 0.1±0.1 0.05 1.2 0.85 1.6±0.1 2.6±0.1 ① 3.5±0.2 3.05 ●特長 1)小型パワーモールドタイプである。(PMDU) 2)低VF、低IRタイプ 3)高信頼性である。 PMDU ●構造 シリコンエピタキシャルプレーナ型 ●回路図 0.9±0.1 0.8±0.1 ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 製造年月 ●テーピング仕様（Unit : mm） 4.0±0.1 1.81±0.1 8.0±0.2 3.71±0.1 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.05 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.1 1.5MAX ●絶対最大定格（Ta=25℃） Limits Parameter Symbol 30 VRM 尖頭逆方向電圧 VR 30 直流逆方向電圧 1 平均整流電流 Io IFSM 尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc） 45 150 接合部温度 Tj -40～+150 保存温度範囲 Tstg (*1)ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave Unit V V A A ℃ ℃ ●電気的特性（Ta=25℃） Parameter 順方向電圧 Symbol VF 逆方向電流 IR 端子間容量 Ct ESD - 静電破壊電圧 Min. - Typ. 0.35 Max. 0.39 Unit V Conditions - 90 200 µA VR=30V - 60.0 - pF 12.0 - kV VR=10V , f=1MHz C=200pF ,R=0Ω IF=1A Rev.C 1/3 Diode RSX101M-30 Ta=75℃ Ta=150℃ 0.1 Ta=25℃ Ta=-25℃ 0.01 Ta=150℃ 100000 REVERSE CURRENT:IR(uA) FORWARD CURRENT:IF(A) 1000 1000000 Ta=125℃ f=1MHz Ta=125℃ CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) 1 10000 Ta=75℃ 1000 Ta=25℃ 100 10 Ta=-25℃ 100 10 1 0.001 0 100 200 300 400 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS 0 5 10 15 20 25 REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 350 340 AVE:349.9mV 800 CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) 360 700 600 500 400 300 AVE:103.1uA 200 330 320 310 300 290 280 270 100 260 0 250 VF DISPERSION MAP AVE:300.1pF Ct DISPERSION MAP IR DISPERSION MAP 200 RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns) 30 Ifsm 1cyc 150 8.3ms 100 50 AVE:66.0A 100 Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 25 20 15 10 5 0 30 Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 340 AVE:8.30ns PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 370 5 10 15 20 25 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 350 Ta=25℃ VR=30V n=30pcs 900 REVERSE CURRENT:IR(uA) Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 330 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 0 30 1000 380 FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 1 0.1 500 90 Ifsm 80 70 8.3ms 8.3ms 1cyc 60 50 40 30 20 10 0 0 1 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP IFSM DISPERSION MAP 100 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時 1000 TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) IM=10mA PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 90 Ifsm 80 t 70 60 50 40 30 20 10 0 1 IF=0.5A Rth(j-a) 100 1ms 0.8 time 300us Rth(j-c) 10 1 10 TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 100 0.001 D=1/2 0.6 DC Sin(θ＝180) 0.4 0.2 0 0.1 1 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) 100 0.01 0.1 1 10 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 100 1000 0 0.5 1 1.5 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS Rev.C 2 2/3 Diode RSX101M-30 2 1 D=1/2 DC 0.5 Sin(θ＝180) 0 0 10 20 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 30 0A 0V 2.5 2 DC Io t T AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 1.5 REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) 3 3 VR D=t/T VR=15V Tj=150℃ 1.5 D=1/2 1 0.5 Sin(θ＝180) 0A 0V 2.5 2 Io t DC T 1.5 VR D=t/T VR=15V Tj=150℃ D=1/2 1 Sin(θ＝180) 0.5 0 0 0 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 150 0 25 50 75 100 125 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) 150 30 30kVで破壊せず ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) 25 20 15 10 5 AVE:10.8kV 0 C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.C 3/3 Appendix AV OA ROHM Customer Support System www.rohm.co.jp Copyright © 2007 ROHM CO.,LTD. webmaster@ rohm.co. jp 〒615-8585 京都市右京区西院溝崎町21 TEL:(075)311-2121 FAX:(075)315-0172 Appendix1-Rev3.1
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