1SR154-400 Diode 整流ダイオード 1SR154-400 ●用途 一般整流用 ●ランド寸法図(Unit : mm) ●外形寸法図（Unit : mm） 2.0 1 4 ① ② 0.1±0.02 0.1 4.2 5.0±0.2 ●特長 1)小型パワーモールドタイプである。（PMDS） 2)高信頼性 4.5±0.2 1.2±0.3 2.0 2.6±0.15 PMDS 1.5±0.2 2.0±0.2 ●構造 シリコン拡散接合型 ●回路図 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② 製造年月 ●テーピング仕様（Unit : mm） 2.0±0.05 0.3 φ1.55±0.05 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1 0.05 9.5±0.1 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX ●絶対最大定格（Ta=25℃） Parameter 過渡尖頭逆方向電圧 尖塔逆方向電圧 平均整流電流 尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc） 接合部温度 保存温度 Limits 500 400 1 30 150 -55～+150 Symbol VRMS VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V A A ℃ ℃ ●電気的特性（Ta=25℃） Parameter 順方向電圧 Symbol VF Min. - Typ. - Max. 1.1 Unit V 逆方向電流 IR - - 10 uA Conditions IF=1A VR=400V Rev.E 1/3 Diode 1SR154-400 100000 1 Ta=150℃ Ta=75℃ 100 Ta=125℃ f=1MHz Ta=25℃ 0.1 Ta=150℃ Ta=-25℃ 0.01 1000 Ta=75℃ 100 Ta=25℃ 10 Ta=-25℃ 0.001 200 400 600 800 1000 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS 1200 1 0 100 300 400 0 REVERSE CURRENT:IR(nA) 960 950 AVE:932.2mV 940 930 400 350 300 250 200 150 AVE:28.27nA 100 60 50 40 30 20 0 0 Ct DISPERSION MAP 100 50 AVE:64.0A Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 2.5 2 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) RESERVE RECOVERY TIME:trr(us) 1cyc 8.3ms 1.5 AVE:1.597us 1 0.5 0 0 8.3ms 8.3ms 1cyc 50 1 trr DISPERSION MAP 1000 Ifsm t 50 0 100 IM=10mA IF=0.5A 100 Rth(j-a) DC D=1/2 100 1ms tim 300us Rth(j-c) 10 1 0.1 0.001 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS 2 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) 100 10 TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS Ifsm 0 IFSM DISPERSION MAP 1 AVE:25.8pF IR DISPERSION MAP 3 100 70 10 VF DISPERSION MAP Ifsm 30 Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 80 50 150 10 15 20 25 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 90 Ta=25℃ VR=400V n=30pcs 450 CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 5 100 500 920 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 200 REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 970 FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 1 10 0.1 0 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ta=125℃ REVERSE CURRENT:IR(nA) FORWARD CURRENT:IF(A) 10000 Sin(θ＝180) 1 0 0.1 10 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 1000 0 1 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS Rev.E 2 2/3 1SR154-400 3 0.008 2.5 Sin(θ＝180) 0.006 D=1/2 0.004 DC 0.002 3 0A 0V 2 DC D=1/2 Io t VR D=t/T VR=200V T Tj=150℃ 1.5 1 Sin(θ＝180) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.01 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) Diode 100 200 300 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 400 DC 1.5 t D=1/2 1 Sin(θ＝180) 0 0 0 2 Io VR D=t/T VR=200V T Tj=150℃ 0.5 0.5 0 0A 0V 2.5 0 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 150 0 25 50 75 100 125 150 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curve(Io-Tc) ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) 30 25 AVE:18.6V 20 15 10 AVE:5.00kV 5 0 C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.E 3/3 Appendix AV OA ROHM Customer Support System www.rohm.co.jp Copyright © 2007 ROHM CO.,LTD. webmaster@ rohm.co. jp 〒615-8585 京都市右京区西院溝崎町21 TEL:(075)311-2121 FAX:(075)315-0172 Appendix1-Rev3.1
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