RR264M-400 Diode 整流ダイオード RR264M-400 ●用途 一般整流用 ●外形寸法図（Unit : mm） ●推奨ランドパターン（Unit : mm） 0.1±0.1 0.05 1.2 0.85 1.6±0.1 2.6±0.1 (PMDU) ① 2)高信頼性 3.5±0.2 3.05 ●特長 1)小型パワーモールドタイプである。 PMDU ●構造 シリコン拡散接合型 ●回路図 0.9±0.1 0.8±0.1 ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 製造年月 ●テーピング仕様（Unit : mm） 4.0±0.1 1.81±0.1 φ1.0±0.1 8.0±0.2 3.71±0.1 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.05 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 1.5MAX ●絶対最大定格（Ta=25℃） Parameter 直流逆方向電圧 直流順方向電流 平均整流電流(*1) 尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc） 接合部温度 保存温度 Limits Symbol 400 VR 1 IF 0.7 Io IFSM 25 150 Tj -55～+150 Tstg (*1)ガラスエポシキ基板実装時。180°Half sine wave Unit V A A A ℃ ℃ ●電気的特性（Ta=25℃） Parameter 順方向電圧 Symbol VF Min. - Typ. - Max. 1.1 Unit V 逆方向電流 IR - - 10 uA Conditions IF=0.7A VR=400V Rev.E 1/3 Diode RR264M-400 Ta=75℃ Ta=125℃ 0.1 Ta=25℃ Ta=150℃ Ta=-25℃ 0.01 100 100000 Ta=150℃ 10000 CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE CURRENT:IR(nA) FORWARD CURRENT:IF(A) 1 Ta=125℃ 1000 Ta=75℃ 100 Ta=25℃ 10 Ta=-25℃ f=1MHz 10 1 0.1 0.001 0 200 400 600 800 1000 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS 0 1200 1 400 0 REVERSE CURRENT:IR(nA) 960 950 940 AVE:940.7mV 930 400 120 300 110 250 100 200 150 AVE:34.13nA 100 90 50 AVE:44.0A 0 70 50 60 0 50 Ct DISPERSION MAP 100 4900 Ta=25℃ IF=0.1A IR=0.1A Irr=0.1*IR n=10pcs 4890 4880 4870 4860 4850 AVE:4860ns 4840 4830 Ifsm 8.3ms 8.3ms 1cyc 50 4820 0 4810 1 1000 TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) IM=10mA Ifsm t 50 1.5 IF=0.5A Rth(j-a) 100 1ms 100 300us Rth(j-c) 10 1 0.001 DC time 0.1 0 100 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) 100 10 TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP IFSM DISPERSION MAP 1 AVE:99.5pF 80 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 8.3ms 8.3ms RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns) 1cyc 1cyc 30 Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 130 350 4910 IfsmIfsm 10 15 20 25 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 140 IR DISPERSION MAP 150 100 5 150 Ta=25℃ VR=400V n=30pcs 450 VF DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 300 CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ta=25℃ IF=0.7A n=30pcs 920 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 200 500 970 FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 100 REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 1 D=1/2 Sin(θ＝180) 0.5 0 0.01 0.1 1 10 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 100 1000 0 0.5 1 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS Rev.E 1.5 2/3 Diode RR264M-400 0.01 REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) 0.008 2 0 0A 0 0V 1.5 0.006 Sin(θ＝180) D=1/2 0.004 DC DC 0 0 100 200 300 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 400 t T 1 D=1/2 Sin(θ＝180) 0.5 0.002 Io VR D=t/T VR=15V Tj=125℃ AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 2 0A 0V 1.5 DC 1 Io VR t T D=t/ VR=15V Tj=125℃ D=1/2 Sin(θ＝180) 0.5 0 0 0 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 150 0 25 50 75 100 125 150 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) 30 25 AVE:28.4kV 20 15 10 5 0 AVE:6.90kV C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.E 3/3 Appendix AV OA ROHM Customer Support System www.rohm.co.jp Copyright © 2007 ROHM CO.,LTD. webmaster@ rohm.co. jp 〒615-8585 京都市右京区西院溝崎町21 TEL:(075)311-2121 FAX:(075)315-0172 Appendix1-Rev3.1
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