講座名パワー半導体モジュールと設計例予定講師名高橋良和 (3日目1

講座名
パワー半導体モジュールと設計例予定講師名
(3日目1限）
高橋　良和
講義の概要
アブストラクパワー半導体モジュールの構造について実物を用いながら説明し、パワーエレクトロニクス機器
に適用するために必要な電気回路設計、熱設計および信頼性設計に関し学ぶ。
項目
１．イントロ
パワー半導体モジュールの特徴と最新応用製品に関する説明をする。
２．パワー半導体モジュールの構造と電気的特性
一般的に産業用のインバータやハイブリッドカー用のインバータの構成にはパワー半導体モ
ジュールを採用している。Si-IGBTやSiC-MOSなどのパワー半導体モジュールとはSi-IGBTチッ
プやダイオードチップもしくは最新のSiC-MOSFETやＳｉＣショットキーダイオードを複数個パッ
ケージに実装しているものであり、①大電流化、高耐圧化が容易　②高放熱化が容易などの特
長がある。
本講義では、実際のパワー半導体モジュールを観察しながら、構造、電気的配線技術につい
て詳細に説明する。
３．パワー半導体モジュールを用いたパワーエレクトロニクス製品の設計例
最新のパワー半導体モジュールである、ＩＧＢＴモジュールやＳｉＣ－ＭＯＳモジュールをパワー
エレクトロニクス製品に適用する場合の電気的な注意点や熱的、構造的、信頼性的な注意点を
説明する。また、最新のパワーエレクトロニクス製品の実物の解体を通して上記の注意点がどの
ように設計に落とし込まれているかを学ぶ。
講師が最も訴えたいこと/期待したいこと
本講義では低損失化が期待される次世代のIGBTや高温化、高周波化が可能なSiCを実装した
パワー半導体モジュール技術について実デバイスを用いながら説明する。
次にこれらの次世代パワー半導体モジュールを適用するための電気的、構造的、熱的な注意
点を示し、実際のパワーエレクトロニクス製品への適用例を実インバータを観察することにより学
ぶ。
これらの学習が今後、受講者の皆さんが革新的で高効率なパワーエレクトロニクス機器を実現
するために役立てば幸いである。
講師の自己紹介（プロフィール）
経歴等
1982年　早稲田大学理工学部卒業と同時に富士電機株式会社入社
1998年工学博士
2012年から技術開発本部電子デバイス研究所次世代モジュール開発センター長
2016年から電子デバイス事業本部技師長、次世代パワー半導体モジュール研究・開発
2009年から早稲田大学総合機械工学科非常勤講師、2013年から山梨大学客員教授
電気学会、応用物理学会、日本デザイン学会の会員、エレクトロニクス実装学会理事
趣味・信条等
常にCreative, Innovativeであれ　スポーツ観戦（学生スポーツ）、ゴルフ、読書

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