本製品はRoHS 指令 (EU 2002/95/EC) に対応しています。 赤外発光ダイオード LNA2904L (LN166) GaAs 赤外発光ダイオード 各種光制御機器用 特 長 高出力,高効率 : Ie = 10 mW/sr (min.) 発光スペクトルがシリコン受光素子に適合 光出力対電流の直線性がよい 中心放射強度が高い 透明エポキシ樹脂パッケージ 項目 記号 定格 単位 PD 160 mW IF 100 mA IFP 1.5 A VR 3 V Topr –25 to +85 °C Tstg –40 to +100 °C 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 許容損失 止 絶対最大定格 Ta = 25°C 順方向電流 廃 パルス順方向電流 * 逆方向電圧 動作周囲温度 保存温度 守 注) *: f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1% 電気的・光学的特性 Ta = 25°C±3°C 項目 逆方向電流 順方向電圧 記号 保 パルス順方向電圧 *1 中心放射強度 *2 端子間容量 保 スペクトル半値幅 守 ピーク発光波長 半値角 条件 最小 標準 最大 単位 10 µA IR VR = 3 V VF IF = 100 mA 1.35 1.60 V VFP IFP = 1.0 A 2.5 3.4 V Ie IF = 50 mA Ct VR = 0 V, f = 1 MHz 50 pF λP IF = 50 mA 950 nm Δλ IF = 50 mA 50 nm 発光出力が 50% になる角度 20 ° θ 10.0 mW/sr 注) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7031 ダイオード測定方法によります。 2. 遮断周波数: 1 MHz PO at f = fC fC : 10 × log = −3 PO at f = 50 kHz 3. *1: f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1% *2: ランク分類 ランク ノンランク品 T U Ie (mW/sr) 10.0 ≤ 10.0 to 14.0 12.0 ≤ 注 ) 形名の( ) 内は,従来品番です 発行年月: 2008年10月 SHC00033CJD 1 本製品はRoHS 指令 (EU 2002/95/EC) に対応しています。 LNA2904L IF Ta 120 IFP Duty cycle 102 IFP VF 10 tW = 10 µs Ta = 25°C tW = 10 µs f = 100 Hz Ta = 25°C 80 60 パルス順方向電流 IFP (A) パルス順方向電流 IFP (A) 10 1 10 −1 40 10 −2 20 0 20 40 60 80 10 −3 −2 10 100 10 −1 守 102 103 104 保 λP Ta 0.4 0 −40 0 80 120 3 4 5 ∆Ie Ta IF = 50 mA 1 10 −1 −40 0 40 80 周囲温度 Ta (°C) 周囲温度 Ta (°C) 相対発光強度 λ 指向特性 IF = 50 mA Ta = 25°C 0° 100 10° 120 20° 90 守 相対発光強度 (%) 80 保 ピーク発光波長 λP (nm) 40 100 IF = 50 mA 980 960 50 mA 10 mA 0.8 パルス順方向電流 IFP (mA) 1 000 2 順方向電圧 VF (V) 止 廃 (2) 10 1 IF = 100 mA 順方向電圧 VF (V) 10 1 0 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 相対中心放射強度 ∆Ie (1) 10 −1 10 −2 10 1.2 102 1 102 VF Ta 1.6 (1) tW = 10 µs f = 100 Hz (2) DC Ta = 25°C 103 10 Duty cycle (%) 周囲温度 Ta (°C) ∆Ie IFP 1 940 920 80 70 60 60 50 40 40 30 20 20 相対発光強度 (%) 0 −25 10 −2 1 10 −1 相対中心放射強度 ∆Ie 順方向電流 IF (mA) 100 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90° 900 −40 0 40 80 周囲温度 Ta (°C) 2 120 0 860 900 940 980 1 020 1 060 1 100 波 長 λ (nm) SHC00033CJD 守 廃 止 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 守 保 保 本製品はRoHS 指令 (EU 2002/95/EC) に対応しています。 LNA2904L 外形図 (Unit: mm) LEXLTN2S0004 端子名 1: Anode 2: Cathode SHC00033CJD 3 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出 管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株 式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情 報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。 (3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること を意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途 − 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および当 社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に当社営業窓口までご相談願います。 (4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認 ください。 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 止 (5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願 いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器 の故障、欠陥については当社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、当 社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、 誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。 廃 (6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による 故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。 また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた 条件を守ってご使用ください。 守 保 保 20080805 守 (7) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
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