LN155

本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
赤外発光ダイオード
LNA2603F (LN155)
GaAs赤外発光ダイオード
Unit : mm
各種光制御機器用
1.6±0.1
止
12.8 min.
順電流
パルス順電流
*
許容損失
動作周囲温度
0.45±0.15
2-0.45±0.15
記号
定格
VR
3
IF
100
1
2.54
2
単位
V
mA
IFP
1.5
A
PD
160
mW
Topr
−25 ∼ +85
°C
Tstg
−40 ∼ +100
°C
1 : Anode
2 : Cathode
守
保存温度
2-1.2±0.3
廃
逆電圧
0.8±0.1
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
2.1±0.15
1.6±0.15
(2.8)
3.9±0.25
• 高出力，高効率 : PO = 6 mW (typ.)
• 発光スペクトルがシリコン受光素子に適合
• 長寿命，高信頼性
• 薄形サイドビューパッケージ
Not soldered 0.8 max.
■ 特長
3.5±0.15
1.5±0.2
0.3 max.
4.5±0.15
保
注 ) * : f = 100 Hz, Duty Cycle = 0.1%
■ 電気的 • 光学的特性 Ta = 25°C ± 3°C
逆電流
発光出力
*
ピーク発光波長
スペクトル半値幅
記号
保
守
項目
順電圧
条件
VF
IF = 100 mA
IR
VR = 3 V
PO
IF = 50 mA
λP
∆λ
最小
標準
最大
単位
1.3
1.6
V
10
3.0
µA
6.0
mW
IF = 50 mA
940
nm
IF = 50 mA
50
nm
端子間容量
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
45
pF
半値角
θ
発光出力が 50% になる角度
80
°
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7031 ダイオード測定方法によります。
PO at f = fC
2. 遮断周波数：1 MHz
fC : 10 × log
= −3
PO at f = 50 kHz
3. * ：光検出素子には，シリコンダイオードを使用し，負荷は基準装置と校正しています。
注 ) 形名の( )内は，従来品番です
発行年月 : 2007年6月
SHC00027CJD
1
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
LNA2603F
IF  Ta
IFP  Duty Cycle
120
IFP  VF
104
tW = 10 µs
Ta = 25°C
102
103
80
60
40
10
パルス順電流 IFP (mA)
パルス順電流 IFP (A)
1
10 −1
1
0
20
40
60
80
10 −3 −2
10
100
止
0
−25
10 −1
廃
1
2
3
4
5
順電圧 VF (V)
∆PO  Ta
10
IF = 50 mA
IF = 100 mA
1
10 −1
102
10
保
1
103
104
0.8
λP  T a
0
−40
0
保
守
960
80
120
10 −1
−40
0
40
周囲温度 Ta (°C)
発光スペクトル特性
指向特性
IF = 50 mA
Ta = 25°C
0° 10°
80
40
60
20°
30°
40°
100
60
940
80
周囲温度 Ta (°C)
80
相対発光強度 (%)
980
40
100
IF = 50 mA
1
0.4
パルス順電流 IFP (mA)
1 000
50 mA
1 mA
20
相対発光強度 (%)
(2)
順電圧 VF (V)
(1)
10
守
相対発光出力 ∆PO
0
1.2
102
ピーク発光波長 λP (nm)
10 −1
VF  T a
1.6
(1) tW = 10 µs
f = 100 Hz
(2) DC
Ta = 25°C
103
102
10
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
∆PO  IFP
1
Duty Cycle (%)
周囲温度 Ta (°C)
50°
60°
70°
80°
90°
100°
40
110°
120°
920
900
−40
20
0
40
80
周囲温度 Ta (°C)
2
10
10 −2
20
10 −2
102
相対発光出力 ∆PO
順電流 IF (mA)
100
tW = 10 µs
f = 100 Hz
Ta = 25°C
120
0
860
130°
140°
900
940
980
1 020 1 060 1 100
波長 λ (nm)
SHC00027CJD
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
安全上のご注意
■ 本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、人体に対し危険ですので、同製品の燃焼、
破壊、切断、粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、一般産業廃棄物や家庭
用ごみと混ぜないでください。
危険
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
(2)
本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権
もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三
者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(1)
廃
(3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること
を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
守
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
保
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ＥＳＤ、ＥＯＳ、熱的ストレス、機械的ストレス）
による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

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