この度は『診療放射線技師 国家試験対策全科 改訂 11 版』をご購入いただきまして誠に有難うござ います．本書に誤りがございましたので，深くお詫び申し上げますとともに，下記のように訂正させ ていただきます． 2015 年 8 月 頁 訂正箇所 誤 正 75 左段下から 10 行目 ヒルシュプルング病 ヒルシュスプルング病 111 図 3–24 中 B 確定的影響 B 確率的影響 223 右段下から 3 行目 ～位置に配する． ～位置に配置する． 図 8–174 図 8–176 1）の文章内 4．頭部 2）の文章内 図 8–175 図 8–177 3）の文章内 図 8–176，177 図 8–178，179 図 8–173 図 8–175 図 8–174 脳出血 図 8–176 脳出血 MCDT MDCT 図 8–179，180 図 8–181，182 下段左写真図番号 313 下段右写真及び図番号 左段上から 11 行目 5．胸部 314 の文章内 上段左写真図番号 図 8–175 図 8–177 上段中写真図番号 図 8–176 図 8–178 上段右写真図番号 図 8–177 図 8–179 中段写真図番号 図 8–178 図 8–180 下段左写真図番号 図 8–179 図 8–181 下段右写真図番号 6．心臓 7．腹部 315 図 8–180 図 8–182 図 8–181〜183 図 8–183〜185 腹部大動脈瘤 の文章内 図 8–185 図 8–187 肝細胞がん の文章内 図 8–186 図 8–188 膵臓がん の文章内 図 8–187 図 8–189 図 8–181 図 8–183 の文章内 左上段写真図番号 316 左下段左写真図番号 図 8–182 図 8–184 左下段右写真図番号 図 8–183 図 8–185 上段写真図番号 図 8–184 図 8–186 二段目写真図番号 図 8–185 図 8–187 三段目写真図番号 図 8–186 図 8–188 下段写真図番号 図 8–187 図 8–189 1 そこに 90° パルスを照射 運動周波数 ~0 で回転している， A． スピンエコーの形成 空間の中心部データは低周波数成分（低分解能：粗い k 空間を二次元フーリエ変換すると MR 画像が得られる． 磁場中に置かれたプロトン（磁化ベクトル M0）は歳差 したとする（図 9‒13） ． 造）の情報，周辺部は高周波数成分（高分解能：細い k 空間の中心部データは低周波数成分（低分解能：粗い 造）の画像コントラストを表す． ~0 で回転している，そこに 90° パルスを照射 構造）の情報，周辺部は高周波数成分（高分解能：細い 運動周波数 （a）時間 t＝0：90° パルスを照射した直後は M0 は 90° 頁 訂正箇所 誤 324 図 9-12 k 空間軌跡右図 図 ₉‒₁₂ k 空間軌跡 図 ₉‒₁₂ k 空間軌跡 324 324 ₉₀°パルスの照射 図（a） 9-13 325 正 スピンエコーの形成原理 （b）ただちに位相が乱れる． （a）₉₀° パルスの照射 t＝TE/₂：₁₈₀° パルス照射 10 （b）および（d） （b） ただちに位相が乱れる． t＝TE/₂：₁₈₀° パルス照射 半導体検出器 10 ₁．測定原理 （d）位相が いスピンエコー （d） 位相が いスピンエコー （c） ₁₈₀°反転して ~ で回転 （c）₁₈₀° 反転して ~ で回転 酸チタン酸鉛）や高分子圧電膜材系の 酸チタン酸鉛）や高分子圧電膜材系の PVDF（ポリフッ PVDF（ポリフッ : 約 1材と 材としてはシリコン（音速 00 シリコンやゲルマニウムなどを用いたＮ形半導体とＰ が形成される． が形成される． t＝₂×（TE/₂） ＝TE t＝₂×（TE/₂） ＝TE 化ビニリデン）などが使われている．また上記の圧電素 化ビニリデン）などが使われている．また上記の圧電素 られている． 形半導体を面接合し，逆電圧を印加すると図 11‒19 のよ 327 329 335 倒れて y 軸に 電子と正孔の対（キャリアという）が生成し，電界によ っている（歳差運動周波数による回転も したとする（図 9‒13） ． の周回からは徐々にずれてくる．少しの時間の スピンの 係があり薄くなるほど周波数が高くなる． 係があり薄くなるほど周波数が高くなる． 右段上から 3 行目 ． ③ り電子は正電極へ，正孔は負電極に移動することにより MRA と dMR ③ MRA 90° 倒れンの表面を酸化さ 同時に行っている） （a）時間 t＝0：90° パルスを照射直後は Mと 180° パルスを照射すると，２番目のスピンエコ の周回から 0 はDWI ₁．測定原理 電荷が運ばれ，外部回路に放射線エネルギーに比例した などの金属を薄く て y 軸に っている（歳差運動周波数による回転も同時 （b）t＝TE/2：速く回転する①と遅い③スピンのため， される（マルチエコー法） ． シリコンやゲルマニウムなどを用いたＮ形半導体とＰ 343 405 413 られ 図 ₁₁‒ 図 ₉‒₁₃ スピンエコーの形成原理 図 半導体検出器 ₉‒₁₃ スピンエコーの形成原理 図 ₉‒₁₄ グラディエントエコーの形成原理 図 うに，正電極に電子が，負電極に正孔が引き寄せられ， 子は振動子とよばれ， 子は振動子とよばれ， （周波数） 発生する超音波の振動数 （周波数） は－Mo になる 右段下から 3 行目 発生する超音波の振動数 は－M Z になる N：N 形半導体，P 中央に空乏層ができる．空乏層に放射線が入射すると， 領域 は素子の厚さにより固有で，周波数と厚みは反比例の関 は素子の厚さにより固有で，周波数と厚みは反比例の関 左段上から 8 行目 （Mo）<1） ． （Mo）<<1）． 180° パルス も PN 接合形と同 パルス電流が流れる．放射線粒子が吸収されるごとにパ に行っている） ． スピンの位相がずれてくる．このタイミングで 180° パル B． グラディエントエコーの形成 される（マ 形半導体を面接合し，逆電圧を印加すると図 11‒19 のよ 途も類似している ルスを生じるから，計数率の測定と同時に放射線エネル 図 ₁₁‒ （b）t＝TE/2：速く回転する①と遅い③スピンのため， スを照射すると，スピンは x 軸を中心に 180° 反転する． 周波数エンコード傾斜磁場によって，磁石中 B． グラデ うに，正電極に電子が，負電極に正孔が引き寄せられ， 非常に薄いため， ギーの測定ができる． N：N 形半導体，P スピンの位相がずれてくる． このタイミングで 180° パル領域図 周波数エ （c）その結果，遅いもの③が先頭に，逆に速いもの① れるほど中心周波数より低く，反対側は高い周 中央に空乏層ができる．空乏層に放射線が入射すると， ₉‒₅₂ と表面障壁形は， 空乏層の中で１個の電子，正孔対を生成するに要する 図 9-50 超音波の発生 電子と正孔の対（キャリアという）が生成し，電界によ れるほど中 スを照射すると，スピンは 180° 反転する．形成され，その厚 は最後尾になって回転する． り，時間経過とともに位相のずれは大きくなる エネルギーは，シリコンで約 3x5軸を中心に eV，ゲルマニウムで約 F． 分解能 F． ンの表面を酸化さ り電子は正電極へ，正孔は負電極に移動することにより 場の極性（＋/−）を反転させると，今度は周波 り，時間経 （c）その結果，遅いもの③が先頭に，逆に速いもの① （d）さらに TE/2 時間の後，すなわち t＝TE の時間で 必要はない． 2 8 eV であるから，これは気体中で１イオン対を生成す 近接した２点の反射源を別々の点 近 などの金属を薄く 電荷が運ばれ，外部回路に放射線エネルギーに比例した 場の極性（ は最後尾になって回転する． スピンのベクトルが完全に い強いエコー（スピンエコ 3） リチウムド る に 要 す る 平 均 エ ネ ル ギが逆になり，傾斜磁場の大きさ（面積）が同じ ー W(Wair＝33 97 eV) の 約 PN 接合形と同 パルス電流が流れる．放射線粒子が吸収されるごとにパ 小の距離を分解能という．ビームの 小の とき，全てのスピンは再び位相が って強いエ が逆になり （d） さらに TE/2 時間の後， すなわち t＝TE の時間でも ー）を形成する．このとき強い誘導電流を RF コイルに 1/10 となり，非常に検出効率が高い．また固体中での電 イオンを拡散させ 図 ₉‒₄₉ 図 ₉‒₄₉ 途も類似している ルスを生じるから，計数率の測定と同時に放射線エネル 高分解能の検出器とな 子， 正孔の移動度は同程度であり， 性半導体領域（Ｉ ラディエントエコー）が形成される（図 9‒14） ． とき，全て スピンのベクトルが完全に い強いエコー（スピンエコ 形成する． 識別する分解能を距離分解能といい 識別 非常に薄いため， ギーの測定ができる． 図④₉‒₅₀ 超音波の発生 図⑤₉‒₅₀ 超音波の発生 る （気体中では陽イオンの移動速度は電子に比べて遅い） ． とができる．真性 左段上から 4 行目 t＝TE 時間にいったんは MOSFET 線量計 MOSFET 線量計 ラディエン ー）を形成する．このとき強い誘導電流を RF コイルに スピンの位相は うが，次 決定される．すなわち，波数が同じ 決定 と表面障壁形は， 空乏層の中で１個の電子，正孔対を生成するに要する ているため，逆電 形成する． 形成され，その厚 エネルギーは，シリコンで約 3 5 方，周波数の高い方が距離分解能は eV，ゲルマニウムで約 C． 探触子（プローブ） C． 探触子（プローブ） 方， が広いため X，c 必要はない． 2 8 eV であるから，これは気体中で１イオン対を生成す るために使用時， 一般的な探触子の構成は右図のように多数の振動子・ 一般的な探触子の構成は右図のように多数の振動子・ ビームの方向に垂直に接した２点を ビー 3） リチウムド る に 要 す る 平 均 エ ネ ル ギ ー W(Wair＝33 97 eV) の 約 がある． （誤） 電極のほか，分解能を向上ため後方の超音波成分を吸収 電極のほか，分解能を向上ため後方の超音波成分を吸収 位分解能といい，ビーム幅により決 位分 1/10 となり，非常に検出効率が高い．また固体中での電 イオンを拡散させ 4） 高純度形（ 高分解能の検出器とな 子， 正孔の移動度は同程度であり， 性半導体領域（Ｉ するバッキング材や，干渉による反射波の振幅を最小に するバッキング材や，干渉による反射波の振幅を最小に 一般の腹部用プローブ（3 5 MHz 一 より，Li を拡散さ る （気体中では陽イオンの移動速度は電子に比べて遅い） ． とができる．真性 図 11-19 1 mm 程度，方位分解能：2 mm1 mm 程 し生体とのマッチングをとるための整合層，超音波ビー し生体とのマッチングをとるための整合層，超音波ビー るようになった． 図 ₁₁‒₁₉ 半導体検出器の測定原理 ているため，逆電 時は不要となる． 半導体検出器の測定原理 距離分解能は方位分解能より優れて 距離 ムのスライス幅方向の拡がりを抑える音響レンズ（シリ ムのスライス幅方向の拡がりを抑える音響レンズ（シリ が広いため X，c ₂．半導体検出器の種類 5） Si と Ge： コンゴム）などから成る． コンゴム）などから成る． るために使用時， 半導体材料としては，シリコン（Z＝14）とゲルマニ が，Ge の方が高原 がある． （正） ウム（Z＝32）を用い，さらに製法により次の４種類に ルマニウムが適し 4） 高純度形（ 分類できるが，この他常温で使える半導体として，CdTe， 6） 冷却：半導 より，Li を拡散さ HgI₂，GaAs などの化合物半導体検出器がある．また， 体窒素（−195 8 るようになった． CdZnTe（CZT 検出器ともいう）を電子冷却で使用する Si(Li) が使用中， 図 ₁₁‒₁₉ 半導体検出器の測定原理 時は不要となる． 検出器が開発され，比較的エネルギー分解能も良好であ のに対して，高純 ₂．半導体検出器の種類 5） Si と Ge： る． 検出器の冷却は液 2 半導体材料としては，シリコン（Z＝14）とゲルマニ が，Ge の方が高原 1） PN 接合形：高純度のＰ形シリコンの表面にリン ガを通して前置増 量測定器に使用することについては，JIS Z‒4314 で規定 頁 定されていないが，測定対象は PLD や TLD とほぼ同様 され，測定対象は実効エネルギー 10 keV ∼3 MeV の X， と考えればよい．素子には酸化アルミニウムを使うが， 測定に関しては基本的にＸ線用と同じであり，熱中性子 ーザによる測定装置が開発されてからは，広く使用され c 線の 1 cm 線量当量および 70 nm 線量当量と，最大エネ ホルダにはエネルギー特性を改善するために銅と錫のフ とともに 1 cm 線量当量および 70 nm 線量当量を求める るようになった． ルギー 0 5∼3 MeV b 線の 70 nm 線量当量である．素子 ィルタを用いると共に，銅板に小さな穴を開けたイメー 訂正箇所 誤 正 が，b 線に関してはその透過性から考慮して 70 nm 線量 には銀活性燐酸ガラスが使われるが，若干エネルギー依 ジングフィルタを装着して入射放射線の画像情報がわか 当量のみを求めることになる． ₅．熱ルミネセンス線量計（TLD） 存性があるため，素子を入れるホルダにはエネルギー特 るような工夫もされている．また，TLD のような熱処理 4） 高速中性子用（JIS Z‒4510）（誤） p. 405 参照．TLD を被ばく線量測定器に n/n＝1 測定原理は n×100［％］ （11.40） 性改善用のフィルタが装着される．また，フェーディン をしなくても，強い光照射による光学的アニーリングに 0 5∼15 MeV の高速中性子に適用される．高速中性子 使用することについては，JIS Z‒4320 で規定され，測定 2） 計数率の標準偏差 右段上から 1 行目 グは少ないため，長期間の集積線量の測定ができるとと より繰り返し反復使用も可能である．フェーディングも はフィルム乳剤中に含まれる水素原子と衡突反応を起こ 対象は 15 n 1 keV ∼3 MeV 光子の 1 cm 線量当量と，最大エ 小さいため，比較的長期間の集積線量が測定でき，測定 もに，素子は熱処理によって反復再使用ができる．比較 （正） ×100＝ ×100 ［％］ （11.40） t 秒間に n n カウントでその計数率を R nm としたとき，そ b 線の 70 線量当量である．素 し，弾性散乱した反跳陽子は原子核乳剤の中に黒化した ネルギー 0 5∼3 MeV n 可能な最小線量も 10 nSv 程度から可能である． 的感度も高く，10 nSv 程度から測定ができ，窒素ガスレ 飛跡を形成する．現像処理後，飛跡を顕微鏡で計測して， 子には種々の種類があるが，高感度でエネルギー依存性 420 計数の統計処理 計数の統計処理 の標準偏差は 2） 計数率の標準偏差 が少なく，フェーディングの少ないものが好ましい．こ 中性子フルエンスを求め，これに換算係数を乗じて線量 表 11-4 中 蛍光ガラス線量計と着用中の自己監視 赤枠部分 表 ₁₁‒₄ 被ばく線量測定器の特性比較 n R R のような素子を使うことにより，比較的長期間の集積線 当量を算出する．熱中性の寄与を除くために Cd フィル t n カウントでその計数率を R としたとき，そ または， となり，R± として表す． 秒間に フィルム PD 形 量の測定ができる．TLD も PLDt半導体式 と同様に熱処理をする タを用い，フィルタ透過後のフィルム部分の飛跡を計測 tPC 形 蛍光ガラス t TLD 元素の核崩壊はランダム現象であり，崩壊 OSLD DIS ポケット線量計 ポケット電離箱 バッジ 線量計 線量計 の標準偏差は 中性子源を用い こ と に よ り，反 復 再 使 用 が で き る．高 感 度 素 子 で は する．フルエンスの校正には Am‒Be c 線で 100 測定下限値 また相対誤差は 全く不規則である．したがって放射能の小 10 10 10 1 10 1 1 る． 1 nSv 程度からの測定ができる． Ｘ線で≧ 100 H ［nSv］ 元素の核崩壊はランダム現象であり，崩壊 n R R または， となり，R± として表す． Ｘ線用 1/ n×100(％) 時間で計測すると，測定器の精度が良好で t t t 全く不規則である．したがって放射能の小 100∼7 000 10∼1 000 10∼500 ₄．蛍光ガラス線量計（PLD） ₆．光刺激蛍光線量計（OSLD） 線量測定範囲 10 nSv 1 nSv 10 nSv 0 01∼99 99 c 線用 20∼2 000 250∼25 000 1∼1 000 3） 自然計数を差し引くときの標準偏差 値はばらつく．そこで統計的処理が必要と 測定原理は p. 405 参照．蛍光ガラス線量計を被ばく線 測定原理は p. 406 参照．この線量計は現在では JIS 規 ［nSv］ H ∼30 Sv ∼100 Sv ∼10 Sv 1∼9 999 また相対誤差は 時間で計測すると，測定器の精度が良好で 100 nSv ∼ 50∼5 000 500∼50 000 量測定器に使用することについては，JIS Z‒4314 で規定 定されていないが， 測定対象は PLD や TLD とほぼ同様 700 mSv 試料の計数 n を t 秒間で測定したときの計数率を R， 1/ 値はばらつく．そこで統計的処理が必要と 10 X， 中 され，測定対象は実効エネルギー と考えればよい．素子には酸化アルミニウムを使うが， エネルギー特性 大 小keV ∼3 MeV 小 の n×100(％) 中 中 中 小 tb 秒間で測定したときの計数率を Rb また自然計数 nb を 有 無 無 有 無 有 無 有 線の 1 cm 線量当量および 70 nm 線量当量と， 最大エネ ホルダにはエネルギー特性を改善するために銅と錫のフ （誤） c線量記録の保存性 3） 自然計数を差し引くときの標準偏差 着用中の自己監視 不可 可 不可 可 不可 不可 可 不可 b nm ルギー 0 5∼3 MeV 線の 70 線量当量である．素子 ィルタを用いると共に，銅板に小さな穴を開けたイメー とすると，自然計数を差し引いた正味計数率（R−Rb） 定義と意味 試料の計数 n を中ジングフィルタを装着して入射放射線の画像情報がわか t 秒間で測定したときの計数率を R， 機械的堅牢さ 大 小 小 中 中 中 中 には銀活性燐酸ガラスが使われるが，若干エネルギー依 に対する標準偏差は 何回か繰り返すと，測定値はばらつくが， 湿度の影響 大 大 大 小 中 中 中 中 存性があるため，素子を入れるホルダにはエネルギー特 るような工夫もされている． また， TLD のような熱処理 を t 秒間で測定したときの計数率を Rb また自然計数 n 定義と意味 b 小 b フェーディング 中 大 大 中 小 小 小 xN， を N，それぞれの測定値を x₁，x₂ ……不可 性改善用のフィルタが装着される．また，フェーディン R R可をしなくても，強い光照射による光学的アニーリングに b 繰返し反復使用 可 可 可 可 可 可 とすると，自然計数を差し引いた正味計数率（R−R 何回か繰り返すと，測定値はばらつくが， ＋ より繰り返し反復使用も可能である．フェーディングも （11.41） b） グは少ないため，長期間の集積線量の測定ができるとと t t長期 使用期間 中期 短期（1 日） 短期（1 日） 中期 長期 短期 中期 v は次式 b の平均値を x とすると， 標準偏差 小さいため，比較的長期間の集積線量が測定でき，測定 もに，素子は熱処理によって反復再使用ができる．比較 ，x …… x ， に対する標準偏差は を N，それぞれの測定値を x 方向依存性 大N 小 小 中 小 中 小 小 ₁ ₂ もし，t＝tb で測定すると， nSv 程度から測定ができ，窒素ガスレ 可能な最小線量も 10 nSv 程度から可能である． 的感度も高く，10現像を必要と Sv 単 位 の 機械的衝撃で指示値がR 測定精度は 素子の種類 画像情報が 測定精度が v は次式 の平均値を x とすると，標準偏差 Rb その他の特性 し，線量算出 デジタル表 変化 求められる 良好 N ＋比較的高い が多い n＋n （11.41） R＋R が複雑 示 b t tbb または， （11.42） （11.39） ! (x -xi422 )2 /(N-1) 表 ₁₁‒₄ 被ばく線量測定器の特性比較 t t i=1 N フィルム PD 形 PC 形 b で測定すると， 蛍光ガラス 半導体式 もし，t＝t TLD OSLD DIS ポケット線量計 ポケット電離箱 422 バッジ 線量計 線量計 （11.39） !と表した場合は，全計測回数のうち， (x - xi)2 /(N-1) 4） 計数率計による測定の標準偏差 ±v c 線で 100 測定下限値 i=1 n＋n R＋R b10 10 10 1 10b 1 1 または， （11.42） Ｘ線で≧ 100 H ［nSv］ 時定数 cr 秒の計数率計で R［cps］ を得たとすると， こ から x −v の範囲内に入ると判断すればよ t t ±v と表した場合は，全計測回数のうち， Ｘ線用 れは 秒間の測定を行なったと考えればよい．したが とその確率（信頼度）は次のようになる． 100∼7 000 10∼1 000 2cr 10∼500 線量測定範囲 10 nSv 1 nSv 10 nSv 0 01∼99 99 4） 計数率計による測定の標準偏差 から x −v の範囲内に入ると判断すればよ c 線用 20∼2 000 250∼25 000 1∼1 000 ∼30 Sv ∼100 Sv ∼10 Sv 1∼9 999 って 100 nSv 000 R［cps］に対する標準偏差は 500∼50 000 v ∼ 50∼5 2v 3v 1 645 v H 1 ［nSv］ 96 v 0 675 時定数 cr 秒の計数率計で R ［cps］ を得たとすると， こ とその確率（信頼度）は次のようになる． 700 mSv 0 955 0 997 0 900 0 950 0 500大 1中 R 小 エネルギー特性 小 中 中 中 小 れは 2cr 秒間の測定を行なったと考えればよい．したが 2v 3v 1 645 v 線量記録の保存性 1 96 v 0 675有v ，また相対誤差は ×100［ ％］ （11.43） 無 有 無 有 無 有 90％誤差 95％誤差 確率誤差 2 cr 無 2 crR 0 955 0 997 （正） 0 900 0 950 0 500 着用中の自己監視 不可 可 不可 不可 不可 不可 可 不可 って R［cps］に対する標準偏差は 計測 n からは近似的に，n±v ≒ n± n大と 最適測定時間と標準偏差の選定 中 機械的堅牢さ 小 5） 小 中 中 中 中 90％誤差 95％誤差 確率誤差 R 大 1中 湿度の影響 大 大 小 中 中 中 ，また相対誤差は ×100 ［ ％］ （11.43） 計測では一般にこの方法が用いられる．相 ，R とし，それぞれの 試料と自然計数の計数率を R フェーディング 大 小 中 小b 小 小 2 cr 大 2s crR 計測 n からは近似的に，n±v ≒ n± n中と 不可 可 可 t ，t としたとき， 可 可 可 可 可 誤差）で表す場合には， 繰返し反復使用 n/n＝1/ n とし 測定時間を s b 計測では一般にこの方法が用いられる．相 使用期間 中期 短期（1 5） 日） 最適測定時間と標準偏差の選定 短期（1 日） 長期 中期 長期 短期 中期 ることが多い．n± n の意味は（n＋ n） 方向依存性 大 小 小 小 中 小 小 R中s t s 誤差）で表す場合には， n/n＝1/ 現像を必要と n とし 試料と自然計数の計数率を Rs，Rb とし，それぞれの ＝ （11.44） Sv 単 位 の t R 機械的衝撃で指示値が 測定精度は 素子の種類 画像情報が 測定精度が b b ）の範囲内に平均値 x の存在する確率が その他の特性 し，線量算出 デジタル表 ることが多い．n± n の意味は（n＋ n） 変化測定時間を ts，t 比較的高い が多い 求められる 良好 b としたとき， が複雑 示 考えればよい． の条件にすると，①あらかじめ，（Rs−Rb）の標準偏差 ）の範囲内に平均値 x の存在する確率が Rs ts 434 表 12-2 中 β遮断薬 運動負荷時血流欠損の現象 運動負荷時血流欠損の減少 ＝ （11.44） が与えられているならば， （ts＋t b）の時間を最小にして tb Rb 422 考えればよい． 測定する．散乱体無しは における標準偏差の計算 測定することができる．②あらかじめ（t s＋tb）の全測定 442 右段下から 2 行目 測定する．99mTc を の条件にすると，①あらかじめ， （Rs−R b）の標準偏差 990m Tc を 標準偏差 時間が与えられているならば，（Rs−Rb）に対する標準 における標準偏差の計算 が与えられているならば，（ts＋tb）の時間を最小にして （散乱体有りの場合は線状線 するとき，その標準偏差は n となり， 偏差は最小にすることができる． 標準偏差 測定することができる．②あらかじめ（t （散乱体有りの場合は 100 キ s＋tb）の全測定 443 右段上から 3 行目 源を用いて 250 キロカウン n として表す． ロカウント） するとき，その標準偏差は n となり， 時間が与えられているならば， （Rs−Rb）に対する標準 ト） 差は， n として表す． 偏差は最小にすることができる． 右段 関連事項中 差は， Na131I を 148 ～ 296MBq 460 Na131I を 185 ～ 500MBq 甲状腺機能亢進症 ₂₄₁ ₁cm ₁cm ₁cm ₁cm の和差積商公式 右段 関連事項中 460 vA，vB とした 定値 A，B に対する標準偏差を 甲状腺機能亢進症 の和差積商公式 和差積商に対する公式は次式となる． ₂ ₂ vA，vB とした 定値 ± vA，B A ＋vに対する標準偏差を B ………和，差 和差積商に対する公式は次式となる． ₂ ₂ v v₂A B ₂ ………積 B ＋ 核崩壊のランダム現象とポアソン分布 100Gy の吸収線量 80Gy の吸収線量 核崩壊は時間的に全くランダムに起こり，この現象はポ 核崩壊のランダム現象とポアソン分布 アソン分布に従う． いま多数回の測定の平均値を m とする 核崩壊は時間的に全くランダムに起こり，この現象はポ とき，個々の測定値 n の現れる確率 p は次式となる． 3 アソン分布に従う． m とする mn いま多数回の測定の平均値を （11.46） e-m p(n)＝ ｜ 頁 471 471 訂正箇所 表 12-10 中 副腎 123I-MIBG の検査時間 右段 関連事項中上から 5 行目 521 右段上から 1 行目 555 左段下から 12 行目 123 誤 正 3時 6 時，24 時 I-MIBG を 131 I-MIBG を 線量（Gy） ＝15×有効半減期 線量（Gy）＝135×有効半減期 る放射性同位元素で る放射性同位元素で 101 ～ 10 Bq/cm 101 ～ 10－4Bq/cm4 －4 4 3
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