FMM5116X/FMM5117X，FMM5703VZ（開発中）

新製品
準ミリ波帯MMIC
FMM5815X，FMM5116X/FMM5117X
FMM5703VZ（開発中）/FMM5804VY（開発中）
３次高調波歪み−40dBcを実現した低歪み高出力電力増幅用
MMICと，FWAや衛星通信などのアプリケーションに最適なアップコ
ンバータ/ダウンコンバータを製品化し，MMICの実装を簡略化でき
る表面実装用パッケージデバイスを開発中です。
概要
最近のブロードバンドインターネットの普及に伴い，中小企業や個
人レベルでも大容量で低価格な情報の交換が身近になりつつあり
ます。準ミリ波帯を使用した無線アクセスシステムは，このサービス
の１つとして注目されています。当社では，準ミリ波帯RF送受信
部のキーデバイスとして，電力増幅用MMICチップと低雑音用
MMICチップを製品化してきましたが，今回新たなラインアップとし
て，低歪み電力増幅用MMICとアップコンバータ/ダウンコンバータ
を製品化しました。また，MMICの実装を簡略化する目的で，表
写真１ FMM5815Xチップ
面実装用パッケージデバイスも開発中です。
特長
低歪み高出力電力増幅用MMIC（FMM5815X）
17.5 GHz∼20.5GHzにおいて，３次高調波歪み−40dBc
（標準）
（Pout＝20dBm s.c.l.出力時）を実現しました。当社従来製品
（FMM5805X）に対して10dBの改善を行い，P−P通信を最適化
しています。
アップコンバータ
（FMM5116X）/ダウンコンバータ
（FMM5117X）
アップコンバータ/ダウンコンバータともに，RF周波数20GHz∼
32GHzの広帯域で動作するよう設計しており，FWAや衛星通信
写真２ FMM5116Xチップ
などのアプリケーションに最適です。また，MMICチップ内にローカ
ル２逓倍器とLO増幅器を内蔵しています。変換利得はアップコン
バータが−8dB，ダウンコンバータが−10dBです。
表面実装用パッケ−ジMMICデバイス
（FMM5804VY/FMM5703VZ）
電力増幅用MMICであるFMM5804Xと低雑音用MMICである
FMM5703Xを，新しく開発した低損失BGA（Ball Grid Array）
タイプの表面実装パッケージに搭載しました。従来のチップよりハン
ドリングが容易で，リフローによる実装も可能です。
写真３ FMM5804VY外観（開発中）
46
FIND Vol.20 No.4 2002
FMM5815X，FMM5116X/FMM5117X，FMM5703VZ（開発中）/FMM5804VY（開発中）
特性
低歪み電力増幅用MMIC
表２主要特性（FMM5116X，FMM5117X）
表１にFMM5815Xの主要特性を，図１にIM3とIM5の出力電
FMM5116X
型格
FMM5117X
力依存特性を示します。これらによると，Pin＝20dBm s.c.l.におい
使用可能RF周波数
fRF（GHz）
20∼32
20∼32
て−40dBcのIM3が得られていることが分かります。
使用可能LO周波数
fLO（GHz）
9.5∼16.5
9.5∼16.5
アップコンバータ/ダウンコンバータ
使用可能IF周波数
fIF（GHz）
0.1∼3
0.1∼3
表２にアップコンバータ/ダウンコンバータの主要特性を，図２・
動作電圧
VDD（V）
5
5
図３にアップコンバータ/ダウンコンバータの変換利得特性を示しま
変換利得
G（dB）
−8
−10
す。これらによると，RF周波数20GHz∼32GHzの広帯域におい
て−8dB∼−10dBの変換利得が得られていることが分かります。
表面実装用パッケージMMICデバイス
表３にFMM5804VYの主要特性を，表４にFMM5703VZの
図２変換利得特性（FMM5116X）
主要特性を示します。また，図４にFMM5804VYのP1dBとG1dBの
周波数依存性を示します。これらによると，17.5GHz∼31.5GHzに
@VDD＝5 V，PLO＝3 dBm，PIF＝0 dBm，fIF＝1.0 GHz
おいて，P1dBは22dB∼25dB，G1dBは14dB∼18dBが得られている
0
図５にFMM5703VZのNF，Gasの周波数依存性を示します。
32GHzで17dBのGas，2.5dBのNFが得られていることが分かりま
す。
■
表１主要特性（FMM5815X）
型格
Conversion Gain [dB]
ことが分かります。
FMM5815X
周波数
（GHz）
f
17.5∼20.5
動作電圧
VDD（V）
6
1dB利得圧縮時出力電力
P1dB（dBm）
31
1dB利得圧縮時利得
G1dB（dB）
21
1dB利得圧縮時電力付加効率
ηadd（％）
30
3次高調波歪
（Pout=20dBm s.c.l）
IM3（dBc）
RF Frequency [GHz]
LSB
@VDD＝5 V，PLO＝3 dBm，PRF＝0 dBm，fIF＝1 GHz
IM3
17.5 GHz
18.0 GHz
−45
19.0 GHz
−50
20.0 GHz
Conversion Gain [dB]
IMD（dBc）
−35
−5
−10
−15
−20
−25
−30
IM5
−65
16
18
20
22
24
26
Total Output Power（dBm）
Vol.20 No.4
2002
USB
0
−55
FIND
−25
図３変換利得特性（FMM5117X）
−30
−70
16
−20
12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
−25
−60
−15
−30
VDD＝6 V，IDD＝600 mA
del. F＝10MHz
−40
−10
−40
図１出力電力依存特性（FMM5815X）
−20
−5
28
30
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
2 x Lo Frequency [GHz]
LSB
USB
47
FMM5815X，FMM5116X/FMM5117X，FMM5703VZ（開発中）/FMM5804VY（開発中）
表３主要特性（FMM5804VY）
型格
表４主要特性（FMM5703VZ）
FMM5804VY
17.5∼30.0
周波数
（GHz）
f
動作電圧
VDD（V）
1dB利得圧縮時出力電力
P1dB（dBm）
型格
周波数
動作電圧
VDD（V）
3
6
雑音指数
NF（dB）
2.5
付随利得利得
Gas（dB）
17
24.5
22.5
1dB利得圧縮時利得
G1dB（dB）
17
ηadd（％）
10
図４周波数依存特性（FMM5804VY）
図５周波数依存特性（FMM5703VZ）
VDD＝6 V，IDD＝250 mA
P1dB
20
18
10
16
20
22
24
26
28
Frequency [GHz]
10
20
8
15
6
10
4
5
2
0
15
G1dB
18
25
Noise Figure [dB]
25
22
G1dB [dB]
P1dB [dBm]
30
12
30
32
10
34
0
20
22
24
26
28
30
Frequency [GHz]
32
34
Gas [dB]
VDD＝3 V，IDD＝20 mA
35
30
14
32
30.0∼31.5
1dB利得圧縮時電力付加効率
26
FMM5703VZ
（GHz）
f
−5
36
お問い合わせ先【技術】：富士通カンタムデバイス㈱営業企画部
TEL（0426）43-5884
48
FAX（0426）43-5882
【営業】：最寄りの富士通カンタムデバイス㈱販売部（裏表紙をご参照ください）
FIND Vol.20 No.4 2002

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