講演2・LED＞ GaInN系面発光レーザの室温パルス発振と今後の展望

日本フォトニクス協議会
産業⽤ LED 応⽤研究会＆JPC 紫外線研究会 2015 年 6 ⽉合同研究会
講演題目
GaInN 系面発光レーザの室温パルス発振と今後の展望
ふりがな
氏
名
竹内哲也先生
ご所属名
役職名
名城大学
講演
概要
（200～300 字
程度）
略歴
（150～250 字
程度）
本講演では、まず、照明・ディスプレイ用途として半導体レーザが注目されている背景
を述べる。続いて、GaInN 系面発光レーザの現状と高効率化に向けた展望を紹介する。
これまでにいくつかの研究機関より窒化物半導体による面発光レーザの電流注入動作が
報告されており、その特性は、すでに実用化された GaAs 系赤外面発光レーザと比べる
と、しきい値電流は同程度である一方、スロープ効率が一桁以上低い。これが実用化を
阻む大きな原因となっている。我々は、赤外面発光レーザと同様の要素構造、具体的に
は、埋め込みトンネル接合による電流狭窄や導電性半導体多層膜反射鏡を窒化物半導体
で実現する基板技術を確立しつつあり、これらを用いた高効率化について紹介する。
1992 年名古屋大学大学院修士課程修了後、ヒューレット・パッカード日本研究所に入社。
1999 年名城大学大学院博士課程修了後、Agilent Technologies Laboratories に転籍。
2004 年キヤノン株式会社に移り、2010 年に名城大学理工学部材料機能工学科の准教授
に着任、今年の 4 月より同学科教授。専門は、窒化物半導体を中心とするⅢ-Ⅴ族化合物
半導体の結晶成長、および LED・レーザダイオードの開発。

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