[1] 以下のレイアウトを読み取り、この回路の回路図、真理値表、論理式を示せ。
ただし、 4 入力（ A,B,C,D ） 1 出力（ F ）の擬似 NMOS 論理回路で、
メタル 2 層、ポリシリコン 1 層 PWELL CMOS プロセスにて設計を行っている。
[2] [1]と同じ論理式を実現する回路をスタティック CMOS 論理とダイナミック論理で設計
し、それぞれの回路図を示せ。
[3] 以下の設計方式について説明せよ。それぞれの違いが明確にわかるように記述するこ
と。
(a) フルカスタム設計
(b) ゲートアレー設計
(c) スタンダードセル設計
[4] FPGA とはどのようなデバイスか？その構造と特徴を述べよ。

飽和領域 線形領域 V = 5V V = 4V V = 3V V I V = 0V オフ領域 遮断領域

スライド 1

擬似NMOS論理

演習問題・練習問題 略解 (PDF)

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