半導体デバイス静電気イミュニティ試験カタログの

静電気
半導体デバイス静電気イミュニティ試験
半導体デバイスや電子部品が受ける静電気放電に対する
耐性を評価する試験です。
■ 概要
電子・電気機器を製造する際に人体や製造ロボットなどが帯電をし、その帯電をした電荷が電子部品に放電する事により
引き起こる電子部品の不具合は、製品の不具合率とも大きく関係し、製造メーカーにとって大きな問題となります。
半導体静電気試験は、この人体やマシンなどが帯電した電荷が電子部品に放電された際の絶縁破壊や特性劣化などを評
価するための試験です。
■ 想定される脅威は?
● 半導体デバイスを電子機器に実装するまでの取り扱い中における静電気放電
● デバイス外部の静電気帯電物体に蓄積された静電気が、直接デバイスの端子から流入
⇒ HBM:外部帯電物体=人体
⇒ MM: 外部帯電物体=金属筐体
■ どんな試験?
帯電した人体または装置等によって引き起こされる静電気放電を模擬して発生し、電子デバイスの耐性を評価するための
試験です。
人体モデル(HBM:帯電している物体が人体の場合)及びマシンモデル(MM:帯電している物体が金属体の場合)
の試験があります。
www.noiseken.co.jp
半導体デバイス静電気イミュニティ試験
【主な対応規格および試験器仕様
項目
仕様
主な対応規格
EIAJ ED4701、
AEC Q100
出力電圧
100V∼8.0kV
極性
正および負
繰返し周期
0.3∼99s
対応モデル
人体モデル
(HBM)
プローブ:100pF/1.5kΩ、
マシンモデル
(MM)
プローブ:200pF/0Ω
■ 試験イメージ
フリータイプにて印加したイメージ
精密ステージを用いて印加したイメージ(要問合せ)
プローブ
ステージ
他列に対して印加を行う際は
ステージを回転させる
プローブを下げると、印加ピンが DUT
(部品)
の 1 番ピンと GND 間に接触され、
1Pin-GND 間に静電気が印加されます。
プローブを上げると、ステージが DUT
(部品)1 ピッチ分移動します。
その後、プローブを下げる事で印加ピン
が DUT(部品)の 2 番ピンと GND 間
に接触され、2Pin-GND 間に静電気が
印加されます。
1Pin
GND
株式会社ノイズ研究所
以降、
繰返し操作を行なう事で、DUT(部
品)の各ピンに順番に静電気を印加する
事ができます。
また、他列に対して印加を行なう際には
ステージを回転させます。
2Pin
GND
テストラボ船橋
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1512-0.1K-N