シリコンインゴット ウェハ スタンダードセル方式 ゲートアレー方式 FPGA Verilogプログラム例 標準ロジックＩＣ 74シリーズ 参考文献[１] メモリＩＣ 東芝：128Gビット NANDフラッシュ ＠15nmプロセス ＳＲＡＭのセル ＳＲＡＭの構造 ＤＲＡＭのセル 参考文献[１] １．２．２ デバイス構造の表 MOS バイポーラ 用途 ディジタル中心 大規模 アナログ（超高速、超高 周波） プロセス 簡単 複雑 集積度 大 小 コスト 安 高 消費電力 小 大 電流駆動 小 大 速度 遅 速 精度 低 高 １．２．４ 用途と設計方式の表 フルカスタム セミカスタム フィールドプログラ ム 生産量と品種 大量、少品種 中量・少量、多品種 少量、多品種 開発期間 ×（長） △ ○ 開発費 ×（高） ○または△ ○ 性能 ○ △ △または× 1.3 MOS構造の表 多数キャリア 少数キャリア N型半導体 （ドナー不純物を注入） 自由電子 正孔（ホール） P型半導体 （アクセプタ不純物を注入） 正孔（ホール） 自由電子 シリコン=>4価 リン、アンチモン=>5価 ホウ素、ガリウム=>3価 回路規模 トランジスタ数 SSI（小規模集積回路） IC ～ 100 MSI（中規模集積回路） 100 ～ 1000 LSI（大規模集積回路） 1000 ～ LSI（大規模集積回路） 1000 ～ 10 万 VLSI（超大規模集積回路） 10 万 ～ 1000 万 ULSI（極超大規模集積回路） 1000 万 ～ 10 億 GSI（ギガスケール集積回路） 10 億 ～ デバイス構造 IC MOS CMOS NMOS モノリシック IC シリコン バイポーラ ハイブリッド IC 化合物半導体 BiCMOS ディジタル IC スタティック回路 CMOS アナログ IC ダイナミック回路 NMOS 回路形式 IC アナ/デジ混載 IC 用途設計方式 汎用 IC メモリ MPU IC 標準 IC ASIC フルカスタム IC（教科書のカスタムセル） セミカスタム IC スタンダードセル ゲートアレー その他 フィールド・プログラム 代表）FPGA（PROM, RAM）
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