2015年3月2日 昇圧型DC-DCコンバータの効率解析 群馬大学 松田順一 1 概要 • スイッチングレギュレータ概要 • 昇圧型DC-DCコンバータ解析(多灯白色LEDドライバー) – 不連続、臨界、連続モードに於ける解析 • 主なエネルギー損失 • エネルギー効率計算手順とシミュレーション結果 – 各ノードの電圧・電流の時間変化 – 各特性の周波数依存性 • 効率、ピーク電流/許容電流比、ピーク電流、デューティ比、リップル電圧、 スイッチングTr消費電力 – スイッチングTr特性のゲート幅依存性 • 消費電力とスイッチング用MOSFETのRON、効率とチップ総原価 (注)群馬大学アナログ集積回路研究会 第49回講演会(2006年10月13日)資料から抜粋 2 スイッチングレギュレータの基本構成 DC-DCコンバータ Vo Vi ドライブ PWM 誤差増幅 Vr 3 スイッチングによるコイルの起電力 + - 電流 - 電流 + 4 DC-DCコンバータの基本回路 + Vi Vo + Vi Vo - - 昇圧型 降圧型 - Vi Vo + 昇降圧型 5 昇圧型DC-DCコンバータ回路図 ー負荷:白色LEDー Ii L Io VO 白色 LED Vi VgSW SW Tr C ミラーTr 6 不連続モード時の電流の時間変化 Ii VgSW IP TF TOFF TON t TON t TOFF T T 7 エネルギーの流れ • TON時 – コイルへのエネルギー蓄積 • TOFF(TF)時 – TON時にコイルに蓄積されたエネルギーの放出 – 電源からのエネルギー供給 – ダイオードを通して負荷へのエネルギー供給 8 不連続モードの解析1 (コイルのエネルギー蓄積と放出) TONの間コイルに流れる電流 I i Vi V VD dI T I I 1 t P t i P I P i L i Vi , D ON , f L TON L TON Lf dt T T TON 間にコイルに蓄えられるエネルギー(電源からの供給エネルギー) 1 Vi 2 2 1 EON Vi I i dt TON LI P2 0 2 L 2 TFの間コイルに流れる電 流 TON I i Vo Vi V V I dI TF t I P TF t o i P L i Vi Vo L TF L TF dt TF 間にコイルから放出されるエネルギー ECF TF 0 1 Vi Vo 2 1 2 Vi Vo I i dt TF LI P 放出エネルギー 2 L 2 2 9 不連続モードの解析2 (電源から供給されるエネルギー) TFは以下で与えられる。 ViTON Vo Vi I P Vi IP TF , , I P消去 Vo Vi L TF L TON TF 間に電源から供給されるエネルギー Vo Vi V V V TF t dt i o i TF2 0 0 L 2L Vo Vi I P Vi 1 1 Vi 2 IP Vi I PTF TON TF , 2 2 L L TF L TON TF TF EF Vi I i dt Vi TONとTF 間に電源から供給されるエネルギー(入力エネルギー) EIN EON Vi 2 1 Vi 2 2 1 Vi 2 EF TON TON TF TON TON TF 2 L 2 L 2L 10 不連続モードの解析3 (出力電圧と負荷側消費電力) EIN がTの間に負荷側で消費されるとすると、その消費電力は Vi 2 Po Vo I o TON TON TF 2 LT となる。上式にTF ViTON Vo Vi を代入してVoを求めると、 2 Vi 2TON Vi 2 D 2 Vo Vi Vi 2 LTIo 2 LfI o となる。これに、I oをかけるとPoの別の式が求まる。 2 Vi 2TON Vi 2 D 2 Po Vi I o Vi I o 2 LT 2 Lf 11 臨界モードの解析 臨界モードのI Pは不連続モードの場合と同じで以下になる。 Vi Vi D I P TON L Lf 臨界モードのPoは不連続モードのTFがTOFFになる場合であり、 以下で表される。 Vi 2 Vi 2 Vi 2 1 Po TON TON TOFF TON D Vi I P 2 LT 2L 2 Lf 2 また、臨界モードの出力電圧は、TOFF ViTON Vo Vi から TON Vo 1 TOFF となる。 1 Vi Vi 1 D 12 連続モード時の電流の時間変化 Ii 臨界モード VgSW 連続モード IP IB t TON TOFF T t TON TOFF T 13 連続モードの解析1 (コイルのエネルギー蓄積と放出) TONの間コイルに流れる電流 Vi Vi I P I B dI i IP IB I i I B t IB t L Vi L TON L TON dt TON 間にコイルに蓄えられるエネルギー(電源からの供給エネルギー) 1 1 EON Vi I i dt ViTON I P I B L I P2 I B2 0 2 2 TOFFの間コイルに流れる電 流 TON Vo Vi Vo Vi I P I B dI i IP IB I i I P t IP t L Vi Vo L TOFF L TOFF dt TOFF 間にコイルから放出されるエネルギー ECF TOFF 0 1 Vi Vo I i dt L I P2 I B2 放出エネルギー 2 14 連続モードの解析2 (電源から供給されるエネルギー) TOFF 間に電源から供給されるエネルギー I I dt ViTOFF P B EOFF Vi I i dt t 0 0 2 V I I 1 1 Vi I P I B T L I P2 I B2 i P B , TOFF T TON 2 2 L TON TOFF TOFF I I Vi I P P B TOFF TONとTOFF 間に電源から供給されるエネルギー(入力エネルギー) E IN EON EOFF 1 Vi I P I B T 2 EIN がTの間に負荷側で消費されるとすると、その消費電力は 1 Po Vo I o Vi I P I B 2 15 連続モードの解析3 (出力電圧とピーク電流) TON 時とTOFF 時の下記の関係から Vi I P I B Vo Vi I P I B TON 時: 、 TOFF 時: L TON L TOFF Voは、以下で表される。 TON 1 Vi Vo 1 Vi 臨界モードの場合と同じ 1 D TOFF I PとI Bは、上記TON 時の関係式とPo Vi I P I B / 2から、 以下で表される。 Po Vi Po Vi I P TON , I B TON Vi 2 L Vi 2 L 16 リップル電圧 TONとTOFF 時のエネルギーが容量のリップル電圧に影響 不連続モード Vi 2 1 2 TON TON TF C V 2L 2 Vi 2 V TON TON TF LC 臨界モードでは、TFをTOFFにすればよい。 連続モードでは、電流の変化成分のみがリップル 電圧に影響し、式は臨界モードと同じになる。 17 主なエネルギー損失 • • • • • • SW TrのRONによる損失 SW Trのゲートへの充放電による損失 SW Trのターンオフ時のもれ電流による損失 ミラーTrの消費電力による損失 ダイオードの順方向消費電力による損失 コイルの内部抵抗による損失 18 RONの導出 VDSの低いM OSFETの線型領域において、I DSは I DS 0 1 eff VGS Vt VGS Vt VDS W 0 0Cox L eff 0 0 RD RS となる。上式からRONは以下になる。 RON VDS 1 eff VGS Vt I DS 0 VGS Vt 19 RDとRSがある場合の電流式 RDとRSがある場合、I DSはVDSの低い線型領域において 以下になる。 I DS 0 1 0 Vgs Vt V gs Vt Vds Vgs VGS I DS RS VGS , Vds VDS I DS RD RS 上記近似は、ドレイン側のみドリフト層のある高耐圧Tr では成立する。VgsとVdsをI DSの式に代入して整理すると、 I 0 VGS Vt DS VDS 1 0 VGS Vt 0 RD RS VGS Vt I DS 0 VGS Vt VDS 0 VGS Vt VDS 1 0 0 RD RS VGS Vt 1 eff VGS Vt 20 SW TrのRONとゲート容量による消費電力 TON 時RONによる消費電力PRON 不連続と臨界モードの場合 IP PRON 0 TON 連続モードの場合 RON T TON 2 1 TON 2 t dt RON I P D D 3 T 2 IP IB 1 2 2 PRON I t dt R I I I I ON P P B B D 0 B TON 3 SWTr のゲートの充放電による消費電力PGC RON T PGC TON 1 CdVd2 2T 21 SW Trターンオフ時の回路 Pre-driver SW Tr ip 容量 Cd VdSW Vg Vd VgSW id Vg in t idSW Vd t t 22 プリドライバーTrの入出力電圧 Vd,Vg PTr線型 Vcc PTr飽和 PTr off Vd NTr PTr Vg ① OFF 線型 |Vtp| Vg4 ② 飽和 線型 Vg3 ③ 飽和 飽和 Vg2 ④ 線型 飽和 ⑤ 線型 OFF Vg1 Vtn t0 t1 ① NTr off ② NTr飽和 t2 ③ t3 ④ t4 t5 t6 ⑤ ⑥ NTr線型 t ⑥ 線型 OFF 23 SW Trターンオフ時の消費電力導出概要 • 近似 – SWTrのゲート容量Cdの電荷はプリドライバーn-chTrのみのONにより放電 (p-chTr:OFF) • プリドライバーn-chTrの飽和電圧Vdsatを導出 – 3次方程式から導出 • プリドライバーn-chTrのゲート電圧の時間変化(線型)に対 するドレイン電圧Vdの変化導出 – 飽和領域⇒線型領域( Vdsatで場合分け) • SWTrのゲート電圧Vgsw(=Vd)の時間変化に対するド レイン電圧Vdswの変化導出 – 線型領域⇒飽和領域( SWTr飽和電圧で場合分け) • SWTrの線型領域から飽和領域までのエネルギー累積 24 SW Trターンオフ時の消費電力1(1) -プリドライバーn-chTrのVdsat導出1- 簡単化して、プリドライバーのn- chTrのみの動作を考慮する。 V: Tr動作領域:飽和 線型 g 0 Vcc 飽和電圧Vdsatを求める。 Vg at in id W Vg Vt 2 Cd dVd , 1 , Cox 2 dt L 2 2F V 2 2 Vg Vt dt Vg Vt dVg V t 2 V 2a Vg 3 Vt 3 Cd Vcc Vdsat 6a Vg 3 Vt 2 3 Cd Vcc Vdsat Vdsat 飽和条件Vdsat 6a Vdsat cc Cd dVd t3 1 g3 t 25 SW Trターンオフ時の消費電力1(2) -プリドライバーn-chTrのVdsat導出2- Vdsatに関する式は、以下の3次方程式になる。 V 3 dsat 6aCd 2 Vdsat 6aCd 2 Vcc 0 3次方程式を解いてVdsatは以下の如くになる。 Vdsat y z 4 3 4 3 2 q q p q q p 3 3 27 27 y , z 2 2 6aCd 6aCd p 2 , q 2 Vcc 2 26 SW Trターンオフ時の消費電力2(1) -プリドライバーn-chTrのゲートとドレイン電圧時間変化- Vt Vg Vg 3 Vdsat Vt : 飽和領域 Vg at a : 定数(V:ゲート電圧線型変化 ) g Vg Vt 2 飽和領域での電流 in 2 Vg , 0 Vt , Qd , 0 0, Vd , 0 Vcc 初期値 Vg ,l 1 Vg ,l at Qd ,l 1 Qd ,l in ,l 1 in ,l t SWT rゲート放電電荷 2 Vd ,l 1 Vd , 0 Qd ,l 1 / Cd l 0,1,2・・・, ls 27 SW Trターンオフ時の消費電力2(2) -プリドライバーn-chTrのゲートとドレイン電圧時間変化- Vg 3 Vg Vcc : 線型領域 2 in Vg Vt Vd Vd 線型領域での電流 2 Vg , 0 Vg 3 Vg ,ls 1 , Qd , 0 Qd ,ls 1 , Vd ,0 Vd ,ls 1 初期値 Vg ,m 1 Vg ,m at Qd ,m 1 Qd ,m in ,m 1 in ,m t SWT rゲート放電電流 2 Vd ,m 1 Vd , 0 Qd ,m 1 / Cd m 0,1,2・・・, ml 28 SW Trターンオフ時の消費電力3(1) -SWTr ON時の回路方程式とSWTr線型領域の電流式- SWT rがON時の回路方程式は以下になる。 didSW,n L VdSW,n Vi dt didSW,n 1 Vi VdSW,n , n 0,1,2・・・, nl dt L 線型領域でのSWT rのドレイン電圧VdSWは以下になる。 CoxW 2 idSW,n SW VgSW,n Vt VdSW,n VdSW , : SWTr ,n SW 2 L 2 2V V 2 V V gSW,n t 8idSW,n 1 gSW,n t VdSW,n 2 SW 29 SW Trターンオフ時の消費電力3(2) -SWTr線型領域の消費エネルギー- ゲート電圧とドレイン電流の初期値 didSW,0 VgSW, 0 Vd , 0 Vcc , idSW, 0 I P VdSW,0 dt 時間ステップt後のドレイン電流を求める。 idSW ,n 1 idSW,n didSW,n dt t , n 0,1,2・・・, nl VgSW,n( 1 Vd , n)とidSW , n 1からVdSW , n 1を求める。 t後の累積消費エネルギーは、以下になる。 ESWOFF ,n 1 ESWOFF ,n idSW,n 1VdSW,n 1t , (ESWOFF ,0 0) 30 SW Trターンオフ時の消費電力3(3) ーSWTr飽和領域の電流式とドレイン電圧の近似- VgSW Vt VdsatSW VdSWの SWTr の飽和領域 ドレイン電流idSWは以下になる。 idSW,m SW VgSW,m Vt 2 , m 0,1,2・・・, ms 2 初期値idSW, 0はVgSW,m VgSW,nl 1の場合である。 VgSW,m VgSW,m 1であるから、idSW,m idSW,m 1 didSW 0 (コイルにかかる起電力が逆転) dt VdSW,m 1 Vo で近似 31 SW Trターンオフ時の消費電力3(4) ーSWTr線型領域から飽和領域の消費エネルギー- SWT rの線型領域から飽和領域までの t毎の累積消費エネルギーは以下になる。 ESWOFF , 0 ESWOFF ,nl 1 , ESWOFF ,m 1 ESWOFF ,m idSW,m 1Vo t m 0,1,2・・・, ms SWTr が充分ターンオフするまで累積を取ると、 ESWOFF ,ms 1はターンオフ時の消費エネルギーになる。 この場合の消費電力は以下になる。 ESWOFF ,ms 1 PSWOFF T 32 ミラーTr消費電力 一列のLED を流れる電流をI LEDとすると、 ミラーTrのゲート電圧は以下となる。 VgMR 2I LED MR I LED I MR Vt , MR VgMR Vt 2 , MR CoxW :ミラーTr 2 L この場合の飽和電圧Vdsatは、以下で表される。 Vdsat VgMR Vt したがって、ミラーTrの消費電力PMRは、以下となる。 PMR I LEDVdsat PTMR mI LEDVdsat (m列のLED ) 33 コイル内部抵抗の消費電力1 (不連続モード) 不連続モードの場合 TON 時SWTr のRONによる消費電力と同様に以下になる。 PCOIL ,ON R COIL T TON 0 IP TON 2 1 T t dt RCOIL I P2 D D ON 3 T TOFF 時 2 IP 1 Vi 2 PCOIL ,OFF 0 TF TF t dt 3 RCOIL I P Vo Vi D Tの期間での消費電力は、以下で表される。 1 Vo PCOIL PCOIL ,ON PCOIL ,OFF RCOIL I P2 D 3 Vo Vi RCOIL T TF 34 コイル内部抵抗の消費電力2 (臨界モード) 臨界モードの場合 TON 時SWTr のRONによる消費電力と同様に以下になる。 PCOIL ,ON RCOIL T TON 0 IP TON 2 1 TON 2 t dt RCOIL I P D D 3 T TOFF 時 2 IP 1 2 PCOIL ,OFF T t dt R I COIL P 1 D 0 TOFF OFF 3 Tの期間での消費電力は、以下で表される。 1 PCOIL PCOIL ,ON PCOIL ,OFF RCOIL I P2 3 R COIL T TOFF 35 コイル内部抵抗の消費電力3 (連続モード) 連続モードの場合 TON 時RCOILによる消費電力PCOIL ,ON 2 IP IB 1 2 2 PCOIL ,ON I t dt R I I I I D B COIL P P B B 0 TON 3 TOFF 時RCOILによる消費電力PCOIL ,OFF R COIL T PCOIL ,OFF TON RCOIL T TOFF 0 2 IP IB TOFF t dt I B TOFF 1 RCOIL I P2 I P I B I B2 1 D 3 Tの期間での消費電力は、以下で表される。 1 PCOIL PCOIL ,ON PCOIL ,OFF RCOIL I P2 I P I B I B2 3 36 ダイオードの消費電力 ダイオードの消費電力は、順方向の電圧降下VFを一定 とし、LED全体(m列)を流れる電流をmI LEDとすると、 PD mI LEDVF で表される。 上記PDは、各モード(不連続、臨界、連続)でダイオード を流れる電流にVFを掛け、それを時間積分して得られる結果 と同じになる。 37 効率 全体の効率Tは、以下で表される。 T Po Po Pin Po PRON PGC PSWOFF PTMR PD PCOIL PCTL Pin:入力電力 Po : 出力部の負荷(LED)による消費電力 PRON:SWTr のRONによる消費電力 PGC:SWTr のゲート容量による消費電力 PSWOFF : SWTr のターンオフ時の漏れ電流による消費電力 PTMR : 全ミラーTrによる消費電力 PD:ダイオードによる消費電力 PCOIL:コイルの内部抵抗による消費電力 PCTL : 制御部での消費電力 38 エネルギー効率計算手順概要 • 出力の消費電力算出 – LEDの場合:LEDの数(並列×直列) • 出力電流×出力電圧=負荷側(出力)の消費電力 • 臨界モードの周波数算出 – Lの入力⇒fcrの算出 • 各特性の周波数依存性の抽出 – – – – f<fcr:不連続、 f=fcr:臨界、 f>fcr:連続 デューティ比、ピーク電流、リップル電圧 エネルギー損失の抽出 エネルギー効率の計算 39 臨界時の各特性の時間変化 30 1.6 1.4 1.2 20 1.0 15 0.8 0.6 10 idsw (A) Vg, Vd, Vdsw (V) 25 Vg(V) Vd(V) Vdsw(V) idsw(A) 0.4 5 0.2 0 0.0 0 5 10 15 20 時間 (ns) 40 連続時の各特性の時間変化 30 1.6 1.4 1.2 20 1.0 15 0.8 0.6 10 idsw (A) Vg, Vd, Vdsw (V) 25 Vg(V) Vd(V) Vdsw(V) idsw(A) 0.4 5 0.2 0 0.0 0 5 10 15 20 時間 (ns) 41 不連続時の各特性の時間変化 30 1.6 1.4 25 20 1.0 15 0.8 0.6 10 idsw (A) Vg, Vd, Vdsw (V) 1.2 Vg(V) Vd(V) Vdsw(V) idsw(A) 0.4 5 0.2 0 0.0 5.0 10.0 15.0 0.0 20.0 時間 (ns) 42 効率の周波数依存性 効率の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C 100% 効率 (%) 90% 効率(1.2) 効率(2) 効率(3.3) 効率(4.7) 効率(6.8) 効率(10) 80% 70% 60% 単位μH 50% 40% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 43 効率の周波数依存性 効率の周波数依存性(Vin=12V) コイルDE2812C 100% 90% 効率 (%) 80% 効率(1.2) 効率(2) 効率(3.3) 効率(4.7) 効率(6.8) 効率(10) 70% 60% 50% 単位μH 40% 30% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 44 ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C ピーク電流/許容電流比 (%) 450% 400% 350% 電流比(1.2) 電流比(2) 電流比(3.3) 電流比(4.7) 電流比(6.8) 電流比(10) 300% 250% 200% 150% 100% 単位μH 50% 0% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 45 ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 ピーク電流/許容電流比の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C 450% ピーク電流/許容電流比 (%) 400% 350% 電流比(1.2) 電流比(2) 電流比(3.3) 電流比(4.7) 電流比(6.8) 電流比(10) 300% 250% 200% 150% 100% 単位μH 50% 0% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 46 ピーク電流の周波数依存性 ピーク電流の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C 4.5 4.0 ピーク電流 (A) 3.5 ピーク電流(1.2) ピーク電流(2) ピーク電流(3.3) ピーク電流(4.7) ピーク電流(6.8) ピーク電流(10) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 単位μH 0.5 0.0 100 1000 10000 周波数 (kHz) 47 ピーク電流の周波数依存性 ピーク電流の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C 4.0 3.5 ピーク電流 (A) 3.0 ピーク電流(1.2) ピーク電流(2) ピーク電流(3.3) ピーク電流(4.7) ピーク電流(6.8) ピーク電流(10) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 単位μH 0.0 100 1000 10000 周波数 (kHz) 48 デューティ比の周波数依存性 デューティ比の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C 100% 90% デューティ比 (%) 80% 30% デューティ比(1.2) デューティ比(2) デューティ比(3.3) デューティ比(4.7) デューティ比(6.8) デューティ比(10) 20% 単位μH 70% 60% 50% 40% 10% 0% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 49 デューティ比の周波数依存性 デューティ比の周波数依存性(Vin=12V) コイルDE2812C 100% 90% デューティ比 (%) 80% デューティ比(1.2) デューティ比(2) デューティ比(3.3) デューティ比(4.7) デューティ比(6.8) デューティ比(10) 70% 60% 50% 40% 30% 20% 単位μH 10% 0% 100 1000 10000 周波数 (kHz) 50 リップル電圧の周波数依存性 リップル電圧の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C 3.0 リップル電圧(V) 2.5 リップル電圧(1.2) リップル電圧(2) リップル電圧(3.3) リップル電圧(4.7) リップル電圧(6.8) リップル電圧(10) 2.0 1.5 1.0 単位μH 0.5 0.0 100 1000 10000 周波数 (kHz) 51 リップル電圧の周波数依存性 リップル電圧の周波数依存性 (Vin=12v) コイルDE2812C 3.5 リップル電圧 (V) 3.0 2.5 1.0 リップル電圧(1.2) リップル電圧(2) リップル電圧(3.3) リップル電圧(4.7) リップル電圧(6.8) リップル電圧(10) 0.5 単位μH 2.0 1.5 0.0 100 1000 10000 周波数 (kHz) 52 SW Tr消費電力の周波数依存性 SW Tr消費電力の周波数依存性 (Vin=7V) コイルDE2812C 2000 SW Tr消費電力 (mW) 1800 1600 1400 SW SW SW SW SW SW 1200 1000 800 600 Tr消費電力(1.2) Tr消費電力(2) Tr消費電力(3.3) Tr消費電力(4.7) Tr消費電力(6.8) Tr消費電力(10) 400 単位μH 200 0 100 1000 10000 周波数 (kHz) 53 SW Tr消費電力の周波数依存性 SW Tr消費電力の周波数依存性 (Vin=12V) コイルDE2812C 6000 SW Tr消費電力 (mW) 5000 SW SW SW SW SW SW 4000 3000 2000 1000 0 100 Tr消費電力(1.2) Tr消費電力(2) Tr消費電力(3.3) Tr消費電力(4.7) Tr消費電力(6.8) Tr消費電力(10) 単位μH 1000 10000 周波数 (kHz) 54 SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 160 800 140 700 120 600 100 500 80 400 60 300 40 200 20 100 0 0 0 5 10 15 RON (mΩ ) 消費電力 (mW) SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性(連続f=2MHz) (Vin=7V) DE2812C Tr(C)消費電力(連続) Tr(R)消費電力(連続) Tr off 消費電力(連続) ミラーTr消費電力 ダイオード消費電力(連続) コイル消費電力(連続) RON D Tr GW=1500μ m 20 ゲート幅 (cm) 55 SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=2MHz) (Vin=12V) DE2812C 120 800 700 600 80 500 60 400 300 40 200 20 RON (mΩ ) 消費電力 (mW) 100 Tr(C)消費電力(不連続) Tr(R)消費電力(不連続) Tr off 消費電力(不連続) ミラーTr消費電力 ダイオード消費電力(不連続) コイル消費電力(不連続) RON 100 0 0 0 5 10 15 D Tr GW=1500μ m 20 ゲート幅 (cm) 56 SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 SW Trの消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=2MHz) (Vin=12V) DE2812C 100 800 90 700 600 70 60 500 50 400 40 300 30 200 20 RON (mΩ ) 消費電力 (mW) 80 Tr(C)消費電力(不連続) Tr(R)消費電力(不連続) Tr off 消費電力(不連続) ミラーTr消費電力 ダイオード消費電力(不連続) コイル消費電力(不連続) RON 100 10 0 0 0 5 10 15 20 D Tr GW=3000μ m 25 ゲート幅 (cm) 57 SW Tr消費電力とRONのゲート幅依存性 SW Trの消費電力とRONのゲート幅依存性 (不連続f=1MHz) (Vin=12V) DE2812C 250 800 700 600 500 150 400 100 300 200 50 RON (mΩ ) 消費電力 (mW) 200 Tr(C)消費電力(不連続) Tr(R)消費電力(不連続) Tr off 消費電力(不連続) ミラーTr消費電力 ダイオード消費電力(不連続) コイル消費電力(不連続) RON 100 0 0 0 5 10 15 20 D Tr GW=3000μ m 25 ゲート幅 (cm) 58 SW Tr効率とチップ総原価のゲート幅依存性 100% 100 99% 90 98% 80 97% 70 96% 60 95% 50 94% 40 93% 30 92% 20 91% 10 90% 0 0 5 10 15 20 チップ総原価 (a.u.) 効率 (%) SW Trの効率とチップ総原価のゲート幅依存性(不連続f=2MHz)(Vin=12V) DE2812C エネルギー効率(Tr)(不連続) エネルギー効率(不連続) 推定チップ総原価 D Tr GW=3000μ m 25 ゲート幅 (cm) 59
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