電磁環境 を考慮 した RF‐IDシ ステ ムの研 究 岡野 好 伸 * Ⅲ 東京都市大学 知 識 工学部 情 報ネ ッ トワー クエ学科 1 28‐ 8 557 東 京都世 田谷 区玉堤 1‐ 〒158‐ m航1:y‐ acjp E‐ okano@tcu・ Development ofthin microwave absorber for RF,ID、 vhich considers electtomagnetic environment Yoshinobu Okano率 な任 ology Dcpartmcnt bkyo Ciけ UniVCrsi中号Facuity OfEnginecing,Inforrllation Ncnvork Tcch■ KL Tokj/o158‐ 8557,Japan 1,Tamttummi Sctagaya‐ 卜28‐ mali:y― E‐ okano@tCu acjp あ らま し lD(無 線認証) U H F 帯 の 電波 ( 9 5 2 ∼9 5 4 M H z ) を 使 う R F ‐ ー ー コ ドと異 な り, J t t l t F使 に われ て きたバ は, これ まで物 i 『 飛 躍 的 に読み 取 り距離 が 伸長 され , ま た物 品情報 の 更新等 の 新 た な情 報 書 き込 み が で き るた め , 物 流 管 理 , 生 産 管理 へ の 応 用 が大 い に期 待 され て きた _ し か し, 実 際 の物 流 ・生 産現 場 は想 定 外事項 の連 鎖 で あ り, そ こでの電磁環 境 を省 み ない ソフ トウ ェア の 導 入 は , 折 角 の U H F ‐R F l D シ ステ ム がそ の潜 在性 を過小評 価 され る原 因 とな つて いた , あ る こ とが望 ま 電磁波 吸収 体 は ,構 造 が平板 状 で か つ 薄 /tHjで れ る。また ,医 療 や 物流 ・生 産現場 で は,防 災 上人 間 の 層視 に よる安 全確 保 が必 須 とな るた め ,電 磁 波 吸収 体 に よる光 の 遮 蔽 は最 小 限度 に抑 え られ な けれ ばな らな い。 この よ うな要件 に対応 し得 る電磁 波 吸 収 体技 術 と して は え/ 4型 電磁 波 吸収体 [11∼[3]があ る。この手 法 は 音響振 動 工 学 で は 早 くか ら吸 音 材 と して 利 用 され て きた [4]∼ [6]、この え/ 4型 電磁 波吸収 体 の抵 抗膜 及 び反射板 を導 電率 の 異 な る ITO ス ズ)薄膜 で構 成 すれ ば透視性 の あ る電磁 波 吸 (イ ンジ ウム‐ そ こで 本研 究 で は, 物 流現場 で利 用 しや す い 実体 的 な不要 電 波 の 反 射 除 去 ・遮 断技 術 を確 立 す る こ とで電 波伝 播環境 白 た だ し,そ の厚 み は 目標 吸収 周波 数 に 収板 は構 成 可能 で あ る。 “ "の 要 と し,950MHzで 約 1/4の 厚 み を芝、 対応 した波 長 九 体 を改 善 ・整備 す るた め に開発 され た薄 型 電波 吸収 体 につ い は約 80mm程 て報 告 す る 本 報告 で は平板 構 造 で あ る え/4型 電磁 波 吸 収 体 の メ リッ トに若 日,さ らに内部 にプ ラ ズマ デ ィス プ レイ等 に用 い られ 1. は じめ に て い る高 透 明性 電磁 波 遮 蔽 金 属 メ ッ シ ュ を挿 入 す る簡 単 な I D ( 無 線認 証) ( 3 0 0 M H z 以 上 ) を用 い た R F ‐ 技術 は , イ ラク戦争 にお け る兵靖 活 動 へ の 適 用や , 米 国大手 量 販 店 での盗難 防 止 ・在 康 管理 へ の効 率 化成 功 を受 けて非 常 構造 で透視 性 と大幅 な薄型化 の 両 立 を図 つた ,UHF‐ ID対 応 薄 型 電 磁 波 吸 収 板 を提 案 す る と共 に そ の 有 用性 に つ い て 検 討 した結 果 につ いて述 べ る に注 日され るに至 つて い る. 従 来, 物 品情 報 を管理 す る方法 と して用 い られ て きた バ ー コー ドに対 し, R F ‐l D シ ス テ ム に 2.薄 対応 した タ グを用 い れ ば , 情 報読 み込 み は勿論 , そ の場 で情 2-1基 本権 造 近年 , U H F 帯 報 添加 や 変 更 まで可能 なた め , 工 場や店 舗 , 医 療機 関 な どで の 物 品 管 理 の 効 率 化 や 精 度 向 にが 可能 とな る. 特に パ ッシブ 型 で U H F 帯 の 電磁 波 ( 日本 にお いて は 9 5 2 M H z ∼ 9 5 4 M H z が 使 用 可能 ) を 利 用す る U H F - l D は , 電 波飛 距離 が 1 0 m を 越 え る もの もあ り物 流管理 の 大幅 な効率 化 , 高 速化 が 期待 され る 技術 で あ る。 しか し, R F ‐I D タ グが使 用 され る工場 や 倉庫 内 で は イト器 等 に よ る 散 乱 電 磁 波 が 想 定 して い な い 場 所 の 度 とな る 型 電 磁 波 吸 収 壁 の構 成 法 え/4型 電磁 波 吸収 体 の原 理 に よれ ば,吸 収 体 の厚 み を無理 に え/4未 満 とす る と,吸 収 素材 背 面 か ら反射 板 を見込む伝 送 路 イ ン ピー ダ ンス は開放 か ら短絡 に近 い 状 態 に変 移 し,不 十 分 な誘 導 性 リア ク タ ンス を示 す し た が つて 薄 型 化 す るに は,何 らか の構 造 体 を反射 板 に装荷 し,吸 収 素材背 面 か ら反 射板 を見込 む伝 送 路 イ ン ピー ダ ンス に誘 導性 リア ク タ ンス U H F ‐I D タ グの 情報 を読 み込 み , 或 いは誤 って 書 き換 えて し 成分 を補 先 し,開 放 状 態 に近 づ け る必 要 が あ る。 しか し,磁 性 体 の 焼結 材や ゴム フェ ライ ト等 を使 用す る場 合 ,こ れ らの ま う懸念 が あ る. また , 携帯電話機 に近 い 周 波数 の 電磁 波 を利 材 料 は軽 量化 や透 明化 の 阻害 要因 とな る。そ こで ,本 報 告 で 用す るた め , 医 療機 関 で は利 用範 囲 に制約 を受 けて しま う_ この よ うな問題 に対 し E M C の 立 場 か らの対策 法 と して は不 要 電磁 波 を吸収 ・遮 断 して , 空 間 の 電磁環 境 を改幸す る方法 は図 1に 示す よ うに,反 射板 の 近傍 に金 属板 を挿 入 し,反 射 7].金 属素 子 板 上 にパ ッチ素子配 pllを構 築 す る こ とを試み た に が あ り, 電 磁 波 吸収 材料 に 関す る研 究 が盛 ん に行 われ てい る で に報 告 され てい る[81,し か し,パ ツチ素 子は極 めて構 造 が [1][2]. た だ し物 流 や 生産 の 現場 は狭 小 で あ る と共 に, 刻 々 と レイ 単純 で周 波数設 計 しやす い 点 で優 れ て い る ま た ,周 知 の よ うに励 振 周 波 数 に よ つ て強 い誘 導性 あ る い は容 量性 リア ク ア ウ ト変 更 が必 要 とな るた め , 現 場 で使 用 され る U H F ‐I D 用 タ ンス成 分 を発現す る素子 と して期待 で き る。また ,挿 入金 を挿 入す る こ とで誘 導性 リア クタ ンス を補 完す る 手法 は ,す 属 板 を下 方 形 ま た は P ] 形 とす れ ば偏 波 面 の 傾 斜 した散 乱電 磁 波 や 円偏 波 に対 して も電 磁 波 吸 収 特 性 を発 揮 す る こ とが 期待 で き る。 さ らに, 抵 抗皮 膜 を l T O 薄 膜 , そ の他 は安 定 で 廉 価 な プ ラ ズ マ デ ィ ス プ レイ 等 に用 い られ て い る高透 明性 電 磁 波 速 蔽 金 属 メ ッ シ ュ で構 成 す る こ とに よ り薄 型 化 の 効 r 能 とな る 果 を維 持 した ま ま透 明化 も 「 大 きな誘 導性 リア クタ ンス を示す 。そ こで , 吸 収材 の 等価 イ ン ピー ダ ンス Z ぉを 自由空 間イ ン ピー ダ ンス Z O ( ‐1 2 0 π) に等 しくな る よ う設 定す れ ば吸 収 材 と反 射 板 で構 成 され た電 磁 波 吸 収 体 全 体 は 自由空 間 と整 合 し入 射 電 磁 波 を効 率 的 に吸 収 す る こ とにな る. 人 射 波 の 周波数 が U H F ‐I D の 中心周 波数 9 5 3 M H z の 場合 , d は 約 7 8 m m 必 要 にな る. 反射板 王国 パッチ素子 串 名n 十 実際の構造 等価回路 (a)パ ッチ素子非装荷モデル 射電磁波 鞭 t (a)全景 図 実際の構造 等価回路 ッチ素子装荷モデル (b)パ 図 2.ノ ミッチ素子 の 等価 回路 一方 ,伊 20mmに 設 定 した状態 で 953MHzの 電磁 波 が入射 41Z。程 度 とな り電磁 波 吸収 体全 体 は 自由空 した場 合 ,Z市可0・ 間 と整 合 しな くな り,入 射 電磁 波 は 十分 に吸収 され な い し か し,反 射板 前 面 に ,図 2(b)に示す よ うな パ ッチ素子 を配 置 し,そ の 等価 イ ン ピー ダ ンス Z卸 が適 度 な誘 導性 リア ク タン ス を発 現すれ ば,953MHzの ( b ) 側面図 図 1 . 薄 型電波吸収壁 の基本構造 入射波 に対 して も Zhは 大 きな 誘 導性 リア クタ ンス を示す こ とにな り,吸 収材 とパ ッチ素子 か らな る構 造 全体 は 自由空間 と整 合 可能 とな る. 2‐ 3挿 入金属 板 の設計 図 2(b)に示す よ うに,反 射板 前 面 に パ ッチ素 子 を設 置 した 2‐ 2 挿 入金属板 の効果 場合 ,周 波数 953hlHzの 平 面波 入射 に対 す る Z円の推 移 を時 図 2 の に示す よ うに, 反 射板 か ら距離 d の 位置 に吸収材 を 配置す る場合 , 吸 収材背面か ら反射板 を見込むイ ンピー ダ ン ス Z 市は途 中に損失 が無い とす る と( 1 ) 式 で表 され る。ただ し, FDTD法 入射波 の波長 を えとす る. 第 0 こ こに , Z O : 伝 送 路 特性 イ ン ピー ダ ンス( = 1 2 0 π) Z L : 伝 送 路終 端イ ン ピー ダ ンス ー 反 射板 が 完 全 導体 で あれ ば終端 イ ン ピ ダ ンス は Z L = 0 と な るた め , d が 入射 波 の え/ 4 よ り僅 か に短 い場 合 , Z h は 非 常 に 間 領 域 に お け る逐 次 差 分 に よ る電 磁 界 数 値 解 析 法 で あ る [9]によ り解 析 した結 果 を図 3に 示す 図 3で は反 と 射 板 前面 パ ッチ素 子 の 間隔 tを 10mmに 設 定 して あ る_ま た ,Peは 正方形 パ ッチ素子 の 1辺 の 長 さで あ る。この 図 にお い て Pc=0は パ ッチ素 子が存在 しない こ とを意 味 し,こ の と ー き Z斡は終端 が短 絡 され た長 さ 10mmの 線 路 の イ ン ピ ダ ン ー ス と等価 とな る.な お ,図 3の イ ン ピ ダ ンス は全 て 自由空 間イ ン ピー ダ ンス ZO(=120π)で正 規 化 され てい る。 この 図 か ら,Z∞ は抵 抗 分 が リア クタ ンス分 に比 べ て小 さくほ ぼ純 リ ア ク タ ン ス素 子 と して 機 能 す る こ とが 明 らか で ,Pc=90mm 付近 で は周 波数 953NIHzの 入射 波 に対 し Z四が高 い誘 導性 リ ア クタ ンス を発現 す る こ とが確 認 で き る な お ,Z的 の周 波 数 に対 す る推 移 は パ ッチ素 子 の 配 ダJ間隔 に よつ て 影 響 を受 ５ ０ け る. ４ ０ ３ ０ 0.2「 ０ １ ０ ２ Ｅ︻ Ｎ︶ 告Ｎ冶 + ０ ０ ｃ ︵ｏ Ｎヽ Ｎ︶ｏま 0 . 1 5 0,05 ￨ ￨ ￨ ￨ 0 100 20 40 60 80 Pe[mm] Pcrmm] o 正 規化抵抗 R c ( 4 q / Z O } ' ッチ素子 サ イ ズ Pc'を パ ラメー タ とす る イZれ/Z。 図 4.パ の 変動(■10mm) 一 一 ︱ ︱ ︱ ︱ ︱十 １ ０ ＋ 一 ８ P.[mm] 規化リアクタンス lm(47Ztl) (b)正 3000 2500 2tX10 1500 1000 5KXl 20 続 く図 4 に は, パ ッチ 素子 が 装荷 され た位 置 か ら 1 0 m m 離 れ た 吸 収 材 板 背 面位 置 か らパ ッチ側 を見 込 む イ ン ピー ダ ン ス ZinZ。 の P c に 対す る推 移 を示す 本 来 9 5 3 N I H z の入射 波 に 40 60 一 一 の 変動 ( + 1 硫 l m ) ‐10Tnm ―た一庁1 5 1 1 B m __ _￨二 二 図3 パ `Z制 ' て /Z。 ッチ素 子サ イ ズ P c ' を パ ラメー タ とす る ――― ―一― 一― ― ― ―― ― ￨ Ⅲ 80 100 Pc[nlFnl 図 5,パ ッチ 素 子 の 寸 法 と共 振 周 波 数 の 関係 しか し, パ 対 し d = 2 伽 m で は Z ホ/ Z 。 封0 . 4 1 程度 の はず で あ る。 20mm程 5 0 程 とな り, 度 悼 ッチ素子 の 挿入 に よ つて Z t t Z 。 封 度 で も9 5 3 N I H z の入射 波 に対 して え/ 4 型電磁 波 吸収 体 に近似 した状 態 が実 現 され てい る つ ま りえ/ 4 型電磁 波 吸収 体 の 薄 孔=瑞 わ m珂 0 型イ ヒが 可能 で あ る と考 え られ る. Z 斡が大 きな ジア ク タ ンス を発 現す る共振 周波数 の P c や t に対す る依 存性 を図 5 に 示す _ 共 振 周波数 は P c に 逆比例 す る形 で推 移 してお り, こ の 点 で パ ッチ ア ンテナ と同様 の傾 向 ここに , f:所 望 吸収 周波数 [MHz〕, k:補 正係 数 (=920m) t:パ ッチ厚 み [mm] を示 して い る し か し, パ ッチ素子 と反 射板 の 問 に 自由空間 を想 定 して い るに もかか わ らず , P c は 共振 周波数 に対応 す る 波長 の 1 / 2 より5 ∼7 % ほ ど小 さい値 を示 す傾 向が あ る。また , t が 大 き くな るほ ど共振周 波 数 は低 域 に シフ トす る傾 向 を示 してい る. た だ し, t の 増加 は電磁 波 吸収壁 全 体 の厚 み を増 大 させ る こ とか ら, パ ッチ素子 の主 要 な制御 パ ラメ ー タは P c で あ る とい え る 図 5 の 結果 を基 に パ ッチ素子 の設 計式 をま とめ る と概 ね次 の( 2 ) 式の よ うにな る. 図 6に は , Pc 90mmの パ ッチ素子 を反 射板 へ 装荷 した場 入 射 波 に 対 す る反 射 板 近 傍 の 電 界 分 布 を FDTD法 で解 析 した結 果 を示 す 図 6oで は 6(b)に比 べ て , 挿 入 パ ッチ の 端 部 に赤 色 で示 され る よ うな電 界集 中領 域 が 合 ,953WMzの 反射 板 近傍 に生 じて い る.こ の 電 界分布 か ら,吸 収板 を え/4 よ り反 射 板 に近 づ け て も十 分 な吸 収 特 性 が得 られ る こ とが tJ電磁 波吸収 体 の薄 型化 が可能 と考 え られ る. 判 明 し, えた ■ 1 0 に 示 す パ ッチ素子及 び反射板 の構 成 には雨抵抗 0 . 2 9 / □の微 細 アル ミニ ウム メ ッシ ュ を用 いてい る。可視 光領 域 の 透過 率 は約 8 0 % , E M I シ ー ル ド性 能 は 1 ∼1 0 0 0 M H z で 5 0 d B が 確 保 可能 で 金 属 箔 を出 い た場 合 と遜 色 な い 導 電性 を有 し てい る (a)パッチ素子が挿入されている場合のZ方 向電界分布 1■ gh 反射板 自由空間 抵抗膜 〒 i 靭鋼■■L o w ( b ) パッチ素子 が挿入されていない場合のZ 方 向電界分布 o F D T D 法 による数値解析モデル ( 1 周期分 ) 透明性電磁波遮蔽メッシュ 図 6.パ 3.電 ッチ素子 の 有無 に よる E z 分 布 の 変容 ( 岸9 5 3 M H z ) アクリ,レ ボルト アクリル板 磁 波 吸収壁 の特性 評 価 3‐ 1パ ッチ素 子 装荷 に よ る吸収 特 性 rTO薄 膜 図 7ω には,電 磁 波 吸収板 を配置 した場合 の FDTD解 析 モ デ ル を,図 7(b)には実 際 に試 作 した吸収板 の パ ッチ 1同 期 分 の 形状 を示す 。実験 で使 用す る吸収板 には透 明性 の 高 い 面抵 抗 370Ω/□ の抵 抗 皮膜 が 貼 り付 け られ て い る。従来 は この 透 明抵抗 薄膜 に,展 望 カ メ ラの結 露防 lL用と して使 用 され て い た ITO蒲 膜 (酸化 イ ン ジュー ムす ず薄膜 )が 使用 され てい た。 しか し,イ ン ジュー ム は近年 大 きな話題 とな ってい る希 土類 に属す るた め ,電 磁 環境 改 善 の た めに大量 に使 用 す る こ とは得 策 で な い そ こで ,本 研 究 で は図 8に 示す よ うな微 細 な アル ミニ ウム メ ッシ ュ を PETフ ィル ム 上 に メ ッキ処理 の 捕 =2 mmm ( b ) 試作 した透 明薄 型 電磁 波 吸 収 板 ( 1 周期 分 ) 図 7 . 試 作電磁 波吸収壁 の構 造 形 で構 成 した抵 抗 薄膜 を使 用 した.こ の 薄膜 は微 細 なアル ミ ニ ウム メ ッシュ を透 明 PETフ ィル ム 上に構 成 してい る の で , 高 い透 明性 を有 し,か つ メ ッキ処弾 層 の厚 み に よつて 面抵抗 を制御 可能 で あ る。反射板 や パ ッチ素子 には メ ッキ層 を厚 く し,両 抵 抗 0.2Ω/□ と したア ル ミニ ウム メ ッシュが 使用 さ れ て い る さ らに これ らを厚 さ 2mmの 透 明 ア ク ソル で支持 し,同 じくア ク リル 樹脂 のボル トで間隔 を保 っ て い る 図 9(al,(b)に は実験 用電磁 波 吸収壁 の試 作 を念頭 にお い て,反 射 板 へ の 誘導性 リア クタ ンス装 荷 にお け るパ ラメー タ とな る Peと tを 変 化 させ た場 合 の 吸収 特性 の解 析 結 果 を示 る い は tに よつて吸収周 波数 す .予 測 され た とお り, Pcあ は変 化 す る、ただ し,先 に述 べ た よ うに電磁 波 吸収板 の総厚 み を一 定 と した ま ま吸収周 波 数 が制 御 で きる点 で Pcが 特 に 図 8 . P E T フ ィル ム上 に メ ッキ に よ り構成 され た微 細 アル ミ ニ ウム メ ッ シュ 有用 な設 計 パ ラメー タ と言 え る 定 は電波 無 図 1 1 は , 電 磁波 吸収 量 の測 定構 成 で あ る, 損 」 ガイ ド 響 室 内部 で行 つてい る. 具 体的 には, ダ ブル リジ ッ ト‐ 2電 磁 波 吸 収 特性 の実 調 3‐ ホ ー ンア ンテナ 2 基 とネ ッ トワー クアナ ライザ に よ る時 間領 図 9の 結 果 を受 けて,一 例 と して d,tを 図 7(b)に 示す値 に設 定 し,さ らに Pcづ Omm,パ ッチ素子 間隙 航 を 10 mmと して試 作 した 電 磁 波 吸 収 板 (900mm X 1800mm× 20mm)を 図 域 での反 射電 力法 [ 1 1 を用 いて い る, 電 磁 波 吸収 量 は被 測 定対 金 属板 か らの 反 射 レベ ル を 象 と同寸 法 ( 9 0 0 m m X 1 8 0 0 m m ) の 基 準値 と して評 価 して い る. Nenvork analyzer ０一０商０く ︹ 臼一︺ｓ，や ― ― ― ― ―― ― ―― ― ￨ _____― ―― ― ― J― Frcqtlcncy[GHzl ・ (alパッチ素 子 サ イズ Pc'に対 する吸収特性 推移 G卒 10 mm.). 魯 ｏのつく ︼ 御登 ●ｏ一 市 図 1 1 電 磁 波 吸収 評価 の構 成 試 作 した電磁 波 吸 収 板 の 正 面 入 射 時 にお け る吸 収 量評 価 結 果 は図 1 2 に 示 す とお りで あ る。数値 解析 結 果 も比較 の た め示 して あ る 試 作吸収板 の 製 作精度 に よる問題 で吸収 特性 ‐m・車中 800 900 1000 1100 Frcqucncy[GHzl (b)パッチ 素 子 厚 み 図 9.`Pc'あ `t'に 対 す る吸 収 特 性 推 移 (Pc=90 mm), るい は に実験 と解 析 で多少格 差 が認 め られ る. し か し, 吸 収特性 が 工 〔 ,コ ・ ■‐oこ こ_‐ tl I_r旺 ｀ t'に 対 す る電 磁 波 吸 収 特 性 変 動 1200 良好 とな る周 波 数 及 び吸 収 量 の 絶 対 値 にお い て 実験 値 と解 一 致 を得 た 。なお , 室 内通信 品質 の 改善 は 析 値 は概 ね 良好 な 壁 面 の 吸収 量 が 5 d B 以上 で , ‐ 分 効果 が あ り, 1 0 d B 以 上 で 効 あ る こ とか ら本 高透 明性 電 果 は飽 和す る とい つた 報 告 [ 1 0 ] が U H F ‐ I D に お 磁 波 吸収 板 は け る電磁 環 境整備 の ツー ル と して 有用 で あ る と同時 に , 医 療 現場 等 で の携 帯通信 端 末 に対す る 安 全対 策 と して も有効 で あ る と考 え られ る。 ￨ ０ ０ ３ ２ １ ０ ３ｏの ０く 的ユ Ｅやや ［ ０ ￨ L 十 _=_____‐ 1 1 1 _____ と _____1 itXXl Frcqucncy取 比 ] 図 1 2 . 試 作透 明薄型 電磁 波吸収板 の 吸収 量測 定結 果 4 。 ま とめ 本 報告 で は近年 注 目を集 めて い る, U H F 帯 ( 9 5 2 ∼9 5 4 M I I z ) を用 い た パ ッシブ型 R F ‐l D ( 無 線 認 証) 技 術 にお い て, 通 信 図 10.試 作透 明薄理 電磁 波 吸収 板 可能 距 離 が長 い が 故 に 生 じる誤 認 証 等 の 電 磁 環 境 問題 を考 慮 し, 不 要電磁 波 を吸収 ・遮 断 して, 空 間 の電磁 環境 を改善 一 す る技 術 を電磁 環境 考慮 型 RF‐IDシ ステ ムの 部 と考 え,こ の た め に開発 され た透 明薄 型 電 渡 吸 収 板 に つ い て特 に報 告 した 。具体 的 には ,物 流や 生産 等 の狭 小 な現場環境 に適合 で きる よ う,え /4型 電磁 波 吸収 壁 を さ らに薄 型化 す るた め ,反 射 板 上 に金 属 パ ッチ を装 荷 す る こ とで パ ッチ ア レー を構 成 し反 射 板 に誘 導性 リア クタ ンス を付 与す るこ とを試 み た ,こ れ に よ り,パ ンチ素 子が 共振 状 態 とな る少 し手 前 の 周 波数 で は抵 抗 膜 を え/4よ り反 射 板 に近接 させ て も十 分 な吸 収 特性 が発 現 し,え /4 4tl電 F能で あ る こ とを 磁 波 吸収板 の 薄型 化 が 高 示 した 。また,実 際 に電波 吸収 板 を構 成 す る際 に抵 抗膜 には, 従 来透 明抵 抗 膜 と して よ く使 われ て きた ITO薄 膜 に代 えて , 資 源 の 安 定 確 保 の 観 点 か ら微 細 ア ル ミニ ウ ム メ ッ シ ュ を PETフ ィル ム Lに メ ッキ処 理 の 形 で 構 成 した抵 抗 薄膜 を使 用 した。 この 技術 で は ,メ ッキ層 の厚 み に よ り面抵抗 370Ω 2/□ の 導 電膜 ま /□ の抵 抗皮 膜 相 当 の 薄膜 か ら面抵 抗 0.2ζ で を構成 可能 で あ る こ れ に よ り,希 上類 を用 い ず フ ォ トエ ッチ ン グ技術 だ けで抵 抗 皮 膜層 ,パ ッチ素子配 列層 お よび 反 射板 を全 て PET上 に構 成 され た微 細 アル ミユ ウム メ ッシュ で実現 す る こ とに成 功 し透 視 性 と薄型化 の 両立 を図 つた ま た ,本 報 告 で示 した手法 は ,反 射板 にに配 列 され る金 属 パ ッ チ の 寸法 を変 え る こ とで,吸 収 壁 白体 の総厚 み を増 大 させ る こ とな く吸 収 可能 周 波 数 帯 を変 更 可能 で あ る こ とを確 認 し た。 この 手 法 は金 属 パ ッチ の ヽ 1法 ・形状 を変 更す るだ けで, 電 磁 波 吸 収 材 料 の 再調 整 な ど無 しに吸 収 周 波 数 調 整 が 可能 で あ る こ とを意 味 し,今 後様 々 な分野 に透 明薄型電磁 波 吸収 板 を適 応 可能 とす る もの で あ るャ 参考文献 工 業新 聞社 ,2001. 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