Technical-News 燐イオン注入 SIMS 深さ分析 SIMS-08 株式会社イオンテクノセンター 半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量分析 （SIMS）が適しています。ここでは SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリ コンへ燐をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。注入条件は下記のとお りです。 エネルギー ：180 [keV] ドーズ量 ：1×1015 [atoms/cm2] 燐（31P）はシリコンと水素との複合分子（30Si1H）の質量数と干渉するため、質量分解 能(M/⊿M)が 3950 必要です。Q ポール型 SIMS の質量分解能は 200 程度なので測定が困難 です。しかし、2 次イオン光学系に電場をかけて測定することによって検出下限を 4×1016 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 1E+20 3 Concentration [atoms/cm ] 1E+19 1E+18 31P 1E+17 1E+16 1E+15 0 500 1000 1500 Depth [nm] お問合せ窓口 イオンテクノセンター技術営業部 E-mail：[email protected] TEL:072-859-6601 / FAX:072-859-5770 URL：http://www.iontc.co.jp
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