ナノ構造制御による高出力固体電解質燃料電池の開発

水素エネルギーシステム Vo
1
.3
7，
N
o
.
2(
2
0
1
2
)
特集
ナノ構造制御による高出力固体電解質
燃料電池の開発
石原達己 1 ・朱容完 1 ・洪鍾恩 1
九州大学大学院工学研究院応用化学部門
干8
19-0395 福岡県福岡市元岡 744
HighPowerS
o
l
i
dO
x
i
d
eF
u
e
lC
e
l
lbyNanoS
t
r
u
c
t
u
r
eC
o
n
t
r
o
l
TatsumiIshihara，
1 YongWanJu2
，
Jong-EunHong3
F
a
c
u
l
t
yo
fEngineering，
KyushuU
n
i
v
e
r
s
i
t
y
744Motooka，
N
i
s
h
i
k
u，
Fukuoka，
8190395
圃
Developmento
fs
o
l
i
do
x
i
d
ef
u
e
lc
e
l
l
s (SOFCs) u
s
i
n
gLaGa03basedo
x
i
d
et
h
i
nf
i
l
m was
i
n
t
r
o
d
u
c
e
d
.P
r
e
p
a
r
a
t
i
o
no
fLaGa03e
l
e
c
t
r
o
l
y
t
ef
i
l
mwass
t
u
d
i
e
dbyu
s
i
n
gtwom
e
t
h
o
d
s
;onei
s
c
o
n
v
e
n
t
i
o
n
a
ls
c
r
e
e
np
r
i
n
t
i
n
gmethodf
o
l
l
o
w
e
dbys
i
n
t
e
r
i
n
g，andt
h
eo
t
h
e
ri
sp
u
l
s
e
dl
a
s
e
r
d
e
p
o
s
i
t
i
o
n(PLD)method. I
nc
a
s
eo
fc
o
n
v
e
n
t
i
o
n
a
lwetp
r
o
c
e
s
s，
byu
s
i
n
gT
is
i
n
t
e
r
i
n
ga
g
e
n
tf
o
r
LadopedCe02a
sab
u
f
f
e
rl
a
y
e
rbetweenLaGa03andNiO，s
i
n
t
e
r
i
n
go
fLadopedCe02was
o
a
c
h
i
e
v
e
da
t1300C
. Thec
e
l
lpreparedbywetp
r
o
c
e
s
sshowsr
e
a
s
o
n
a
b
l
epowerd
e
n
s
i
t
yo
fc
a
.
o
2
1
.0W/cm a
t700C
. Ont
h
eo
t
h
e
rhand，p
o
r
o
u
sN
i
-Feb
i
m
e
t
a
ls
u
b
s
t
r
a
t
ewass
u
c
c
e
s
s
f
u
l
l
y
o
b
t
a
i
n
e
d by PLD method. I
n
t
r
o
d
u
c
t
i
o
no
fS
m
o
.
5
S
r
o
.
5
C
o
0
3
/
C
e
o
.
s
S
m
o
.
2
0
2d
o
u
b
l
e columnar i
s
e
f
f
e
c
t
i
v
ef
o
rhighpowerd
e
n
s
i
t
yo
fSOFCandt
h
emaximumpowerd
e
n
s
i
t
yo
f2
.
2and0
.
1
5
o
2
W/cm werea
c
h
i
e
v
e
da
t700and400C，
r
e
s
p
e
c
t
i
v
e
l
y
.
Keywords:LaGa03，
Nanoc
o
n
eshape，Cathode，
DoubleColumnar，
MetalSupport
はじめに
ボトミングサイクルで、の複合発電も可能で、あり、また、
羽畷L
の有効利用も行し、やすく、化石エネルギーを総合的
現在、気候変動問題や化石エネルギー資源枯渇の問題
などから、エネルギーへの関心が非常に高まっている O
に利用する上で、非常に優れた特長がある [
1
叶
。
現在、 SOFC
は家庭用の電気-索引井産デノミイスとして
とくにエネルギーのほとんどを輸入に頼っている日本で
普及が始まっているが、解決しなくてはいけない課題も
は、エネルギー問題は深刻で、まじめに取り組む必要の
まだ、依然として多い。現在のSOFC
の最も大きな課題
ある課題である。水素はクリーンで、高効率なエネルギー
は価格の低減と発電機としての信頼性の向上と考えられ
媒体であり、現在、有効に利用されていない多くのエネ
る。このような観点から、 SOFC
の高出力化によるスタ
ルギーを水素という形で回収できると、新しいエネルギ
ック中のセル数の削減や、低温作動による安価な金属の
ーの利用形態を切り開くことが可能であり、再生可能エ
使用、長期的な安定性の向上による長寿命化などが重要
ネルギーの有効利用などの観点からも、水素エネルギー
な課題となりつつある O 科高では現在、筆者達が検討し
媒体への期待は大きい。燃料電池は水素の電気への変換
ている高酸素イオン伝導体のLaGa
0
3
系酸化物を電解質
デバイスして期待されるとともに、電気の水素への変換
としたSOFC
において、高出力化、低温作動化のための
デ、パイスとしても大きく期待される技術である。燃料電
La
Ga03
系電解質の薄膜化や電極のナノ構造制御による
池のなかでも固体酸化物燃料電池(
S
O
F
C
)はエネルギ一
高出力化の現状を紹介する。
変換効率が、とくに高く、高品位の封畷佐放出するので、
9
5 (7)
水素エネルギーシステム Vo1
.37，
NO.2(
2
0
1
2
)
2
.
特集
La~系電解質の湿式法による薄膜化
LSGM
l
O
Oト
La
Ga03系酸化物は1
9
9
4
年に開発された高酸素イオン
~
1
手
，
_
、
，
5
]。格子中
伝導を示すぺロブスカイト型酸化物である μ
LDC
9
0
，~
も
・4
・醐
~
をSrとMg
で、置換することで、酸素欠陥を導入し、大きな
副
8
0
匂
担
当
h
;
:
:
:
酸素イオン伝導の達成を行った固体割卒質で、あり、酸素
号
p
:
中から水素中まで、の広い酸素分圧下で安定に酸素イオン
7
0
6
0
の電解質とし
伝導を示す。一方、伝導度は現在、 SOFC
て一般に使用されている Y
2U
3安定化zr{hに比べると約
1
3
0
0
。
/
1
4
0
0
1桁ほど高く、低温作動型SOFCの電解質として非常に
優れた特長がある。そこで、現在、このLa
Ga03を電解
1
5
0
0
1
6
0
0
l
7
0
0
l
8
0
0
'i
n
g，tempel
'a
t
u
n
'(K)
S
i
n
t
el
図1.白山0.
4
U
2
(
i
l
l
C) と
L
a
o
.
9
B
r
u
.
1
G伽訓goρ3ωG
M)
6
，
7
]。一方で、こ
質に用いたセルの開発が行われている [
のJ焼結体の相対密度の焼結温度依存性
のLa
Ga03は構成元素として価格の高いGaを含むことか
ら、価格の低減と高出力化という観点で、薄膜化が重要
図2
J乙は印Cへの添加物がLDCの焼結特性に及ぼす影
な課題となっている [
8
]
。本稿では主にレーザーアプレー
の焼結
響を示した。図に示すように添加物により、 LDC
(
p
印)法という手法で、の数 μ m
割支の薄膜の作成
特性を大きく向上できることが分かる。焼結助剤で一般
を紹介するが、本節では、より工業的なスクリーンプリ
的に使用される五仏やMgOなどを添加すると焼結はむ
ント法と呼ばれる湿式法によるLaGa
03系酸化物の薄膜
GM
ヤ
I
'
i
U
2
， CaO
などを
しろ阻害された。これに対し、lS
化について、紹介する倒。
添加すると低温での焼結性が大きく向上し、 1
2
5
0Cでも
ション
0
La
Ga03系酸化物は一般的な基板材料であり、アノー
十分な脳吉密度に達することが分かる。
ドとして使用されるNiOとの反応性があり、湿式法では
製膜後の高温焼結時に、基板との反応により、界面に
HW
LSGM.!JK
Ul2N
i
0
4としづ高抵抗相が析出するので、現在までに薄
膜化により高出力なセルの開発は行われていない。
G∞denough らのグループは L a を添加した
C心 2
(
1
白山0.
4
U
2
，
LDC)~土LaGa03 と NiOのいずれとも反
応せず、良好な緩衝層になることを報告している [
1
0
]。
1
.
)
0
>~
t
;
"
"
"
窓側
部
g
信
却
さ 70
帯
そこで、、湿式法で、のLa
Ga03
系酸化物薄膜の作成で、は一般
を界面に挿入後に、製膜を行うのが一般的であ
的にLDC
る。ところが、 LDC
は伝導度が十分高くなく、焼結性も
低いことからLa
Ga03
系電解質内へのNi
2t-の拡散を完全
創
認
(
;
1
)
，
島
、
九 "..
50
1200
1400
1
5
0
0
1M
紛
170U
1
8
t
H
J
揖t
!
lr
c(K)
'fempcr
に抑制ができない。筆者達のグループでは印Cの低温焼
結とLaGaOs系酸化物の湿式法による薄膜化を目的に検
1300
χ
:
r
L
D
C
図2
. LDC
への納日物がLDC
の焼結特性に及ぼす影響
言すを千子っている。
図1.にはLDCと
L
a
o
.
9
B
n
n
G
a
o
.
sM
g
o
.
必3 ω G
M)の焼結体
そこで、官添力目.D
Cを緩衝層として導入して、膜厚
の相対密度の焼結温度依存性を示した。従来、凶GM
で
ω阿n程度の凶GM膜をスクリーンプリント法で作成し
は、協結に 1
則。Cが必要で、あったが、微立子の合成により、
た。図3
.にはSEl¥1写真を示した。図に示すように 1
3
5
0C
1
筑
泊
。Cでも焼結を行うことが可能である。一方、
LDCは
での最終焼結でありながら、十分徽密な凶GM
膜を得る
.に示すように 1
反泊℃で焼結を行
焼結を生じにくく、図 1
相も十分焼結を行うことができ
ことができており、 LDC
.
9
1と低い。そこで、 LDC
っても、到達できる相対密度は0
の焼結助剤として有
たことが分かる。そこで¥官はLDC
を低温で焼結できるようになると Niとの反応を抑制で
効である。凶GMの鵬享は約55~で、あり、ほぼ目的とし
き、良好な発電特性を示す凶GM
膜の作成が期待できる。
た目奥享のIβGM
膜を得ることができた。
0
96 (8)
水素エネルギーシステム Vo
1
.37，
No.
2(
2
0
1
2
)
特集
得られた凶 GM
電解質を用いて S
m
o
.
B
8
r
o
.
5
<
SSC
)
を
ω
'OS
製膜を行えるので、コストはかかるものの、極めて高出
空気極として焼きつけたセルを作成して、発電特性の測
力な SOFC
セルの開発が行えるとともに、析出する膜の
J
こは作成したセルのI
V
，
I
P
特性の温度
定を行った。図4
の電
形態を制御することが可能で、新しい概念の SOFC
依存性を示す。十分徽密で、電子伝導のない薄膜が湿式
極の作成が可能になる。現在、 SOFC
は比較的、大型の
法でも得られたことから、し 1ずれの温度においてもほぼ、
発電機を志向した開発が中心ではあるが、逆に SOFC
で
2
程度、日泊。
C
理論起電力を示すとともに、 7∞℃で、 lW/cm
は燃料の制約を受けにくいので、直接炭化水素型で、低
でも 150mW/cm程度の出力を示すセルが得られること
温まで、十分大きな出力を示すセルが開発で、きると、マイ
が分かった。そこで、湿式法でも、十分、大きな出力を
クロ SOFCとして、パソコンやハンデ、イーカムなどの移
示す凶 GM
薄膜を用いたセルの開発が行えることが分か
動用デノくイスの電源として、優れた特長が期待できる。
る。内部抵抗の詳細な検討から、内部抵抗は依然として
加筑泊。
Cの温度範囲で作動できるマイクロ
そこで、 2
R損が主であるが、 R損はカソード側が大きいことから、
SOFCの開発も魅力的なテーマである。
2
の開発をレーザーアプ
低温で作動可能な高出力 SOFC
を低減することで、セルの出力の大きな向上が期待でき
レーション法を用いて検討した。まず、基板として金属
る
今後、カソード側のR損の低減やカソード電極の過電圧
基板の応用を検討した。図 5.~ こは金属基板の作成方法を
示した。従来、金属基板にはステンレス鋼が一般的に使
用され、粉末焼結か、レーザー加工で多孔質化する。し
かし、金属と電解質の剰彰張係数の違いや、ステンレス
αの相互拡散により、電極の失活を生じるのが
鋼からの
i
の還元速度が違うこ
課題である。一方、筆者達はFeとN
とを利用して、多孔質金属の作成を検討した。図5
J
こ示
で、
コートしたNiO
粒子を焼結して作った
すように、 Fぱ )4
の薄膜をレザーアプレーション法で
徽密基板上にIβGM
作成し、基板を還元して多孔質金属を作成することを行
図3
.T
i
添
み
日LDC
を緩衝層として導入して、スクリーン
った。この際に還元膨張により、基板の体積が変化する
膜の SE
l
V
I
写真
プリント法で作成した凶 GM
と、析出した薄膜電解質にクラックを生じることから、
還元時の基板のサイズ変動を抑制するために、 F8
3
U
4
を導
1
.
2
t
.
2
入した。図5
.に示すようにNiO
が先に還元され、還元時
にN
H
ま多孔質化する。この際にF
e
はまだ酸化状態で、あり、
1
.0
1
1
.
8ヤE
，、
，
".
G
.
(
， ζB
形成しているので、体積変化は7%砲支と抑制することが
事
でき、割卒質膜はクラックが発生することなく、金属基
司
0.
4 ~
。
r
:
o
.
0
.
2
7
7
3K
0
.
5
I
I
1
.
1
1
.5
‘
2
.
0
2
.
5
3
.
0
i
F
e
合金を形成するが、N
i
はすでに骨格を
くり還元し、 N
-
"
'
g
O
.
O
A
.
.
0.
0
基板のサイズの変化を抑制する。その後、酸イ印 e
がゆっ
J0
.
0
3.
5
板に担持した、
薄膜電解質SOFC
を得ることができる。
Jこは作成した金属基板と還元後のセルの破断面の
図6
‘
SE
l
V
I
写真を示す。金属基板として、気孔率加%程度の多
図4
. 作成したセノレのI
叩 p
特性の温度依存性
孔質基板が得られているが、細孔は大きさがほぼそろっ
正:
Url"('
Ul
'
d
l
'
nity(Al
'n
t
・
'
)
ており、細孔径も 5
仙 m 程度と非常に小さし、ことが分か
3
. 金属基板に担持された薄膜型S(F
C
る。一方、図 6
(
b
)には電解質も析出させた後に、還元し
た金属基板セルを示している。界面には反応の抑制を目
前節では湿式法による凶 GM
の薄膜化を紹介した。一
的に4
仙 m のSDC
の薄膜を入れてあるが、とくに界面等
電解質を作成するには、レーザー
方、さらに部、凶 GM
は見ることができず、十分、徽密な凶 GM
薄膜(鵬享5
川
アプレーション法などの気相成長法が有効で、低温での
を得ることができている。
9
7 (9)
﹁
・
水素エネルギーシステム Vo
1
.37
，
N
o
.
2(
20
12
)
︻￨
〆
7W4
一
説ヤハ
ws
ω
e
F
向上出
叩析
をに
君 "以
焼結と電解
質膜の析出
特集
の析出が可能であり、図 8
.に示すようなナノサイズのコ
ーン状のS
S
C
薄膜を得ることができた[
1
1
]。この薄膜は
電解質膜
突起状の形状に起因して、非常に大きな有効表面積を提
崎水素還元
供できるので、電極としては理想的と考えられる。
t
.
2
崎
NiOは還元され
るが、 FeOの還元は
遅い
2.
0
崎
1
.8
1
.
6匂
1.
4S
5
FeOも還元されて
NトFe多孔質金属
1.
2
アノードになる。
、
za3
0.
8
5
図5
. 選手応窒元法による金属基板の作成方法
0.
6 a
ω
』
叫
0
.
4
7
7
3K
0
.
0
o
1
0
.
2
2
3
.
S
0
.
0
6
1
Cu
r
r
e
n
tD
c
n
s
it
yIAcm.
FL
A 向制
叫
凶膜附
2
n
u
s
d
4-VIE-v
. レーザーアプレーション法で作成したLSGM
図7
薄膜
劃
i
-E
を用いる S
O
F
C
単セルのI
V
，
I
P
曲線。図中2n
d
は鮪腫後
の発電特性
図6
. 作成した金属基板と還元後のセルの破断面のS
凹
写真
図7
.にはレーザーアプレーション法で作成したIβGM
薄膜を用いる S
OFC
単セルのI
V
，
I
P
曲線を示した。いずれ
の温度でもほぼ理論起電力が達成できており、選択還元
法で作成したセルが、十分、徽密で、割卒質の漏れ等が
無いことが分かる。一方、出力密度については、1
男享が
薄いこともあり、極めて高出力を得ることができた。図7
図8
.PLDで作成したナノサイズのコーン状のS
S
C
カソ
2
に示すように 7
∞℃において、最大出力密度は1
.8W/cm
ード薄膜のSEM
イメージ
、 (
心表面、
(
b
)断面
としづ、比較的、大きな出力密度を示し
、反泊。
Cでの最
大出力は筑旧ImW/cm
者呈度で、
あった。内部抵抗は先の湿式
そこで、図9
.にはナノコーン状の S
S
Cをカソード界面
法で、
得たセルと同様にカソード側のR損が主であり、カ
に析出したセルのほ泊℃でのI
V
，
I
P
特性を示した。図中に
ソードと割手質の界面抵抗が大きいものと推定される。
は異なる駒享のS
S
C
薄膜を析出したセルの発電特性の膜
そこで、カソード界面の抵抗が低減できると、さらに高
厚依存性を示した。図に示すようにナノコーン状S
S
C
の
出力化が期待できる。そこで、カソード界面の精密構造
鵬享とともに、出力が向上し、 5
仙 m の鵬享になるよう
制御を試みた。
にナノコーン状S
S
Cを析出すると、最大出力は550mW/cm2
という大きな出力を示すことが分かった。そこで、カソ
4. レーザーアブレーション法によるナノ構造制御SCf
C
ードへの形態制御はS
OFCの高出力化においてきわめて
興味ある成果を与えることが分かる。
図7
.のセルではカソードはスクリーンプリント法で作
さらにカソードの高出力化を目的に、カソードへのダ
成したので、焼き付け温度が低く、界面の機械的強度が
ブルカラムナー構造の界面層の導入を検討した。図1
0に
低いと推定された。そこで、カソード材料のS
S
Cもレー
はWangらが報告したダ、
ブルカラムナーのイメージを示
ザ、
ーアプレーション法で作成した。酸素分圧を低くして、
す。ダブルカラムナー状カソードは凶 C
/
S
D
Cを用いて得
析出温度を低温化するとカラムナーと呼ばれる樹脂状態
られることが、 Wangらにより提案されている [
1
2
]
。図1
.
98 (10)
水素エネルギーシステム Vo1
.37，NO.
2(
2
0
1
2
)
特集
にはWangらの結果を示したが、ダブルカラムナー構造
の導入を検討した。SDCとSSC
の酸化物コンポジットを
の導入により、発電特性は向上すると報告されている。
ターゲ
、
ツトに用いて、析出を行った。その結果、数 1
白田1
1
.に示すように報告されたセルの発電特性は
しかし、図 1
の樹脂状析出物から構成されるコンポジット膜を得るこ
必ずしも大きくはなく、調製法や組成の最適化が求めら
とができた。図1
2
.には作成したダブルカラムナーをカソ
れている。
ード界面層とするセルの発電特性を示す。図 9. ~ こ示すナ
ノコーン状界面層と比べても、出力密度は向上し、7
∞。
C
k
ート明
1
.
0
.
2
W
/
c
m V¥う大きな出力を示すことが分かった。
￨でこ、の2ような出力の向上は、カソー
ド過電圧の低減による
2~
i
t
h
o
u
tベト司30
0
r
u
nーや-4(
)
(
)
m
n
.
.
.<
J一一寸、
0
.
に示すような構造で
ことがわかっている。そこで、図1
0
.
8
ε
は、活性点となる2
相界面が、3
次元的に拡張し
、反応場
，
匙
e 0
.
6
が拡張するので、濃度過電圧を生じにくく、拡散が律速
~
過程になりやすい高温で出力が大きく向上したと推定さ
0.
4
れる。一方、4OOCでは逆に、最大出力密度は低下した。
0
0
.
2
これは低温では電解質抵抗が大きく、電極反応を律速す
ベ
r
6
00mnー〈
トー
'
700mn
一寸一500nmー
，
O.O~I
0
.
0
0
.
2
0
.4
0
.
6
0
.
8
1
.
0
1
.
2
1
.
4
I J0.
0
1
.
6
るので、単に反応場を拡張したのみでは、過電圧を低減
C
u
r
r
e
n
tD
e
n
s
i
l
y(Mcm)
できないことを示唆している。そこで、4OOC程度での
図9
. 異なる 1
劃享のナノコーンSSC
膜をカソード界面に
作動を実現するには、さらに高活性な謝亙触媒の開発が
析出したセルの反泊。
CでのI
V
，
I
P
特性
2
必要である。しかし、現状のセルでも、 4OOCで"
150mW/cm
0
0
という大きな出力を示しているので、従来は作動温度と
が4
加反則℃とし、
して以泊℃以上が考えられてきた SOFC
う温度域でも運転を行える可能性が見えてきたと考えて
いる。
1
.
8
<
C
'
図1
0
. Wangらが報告したダブルカラムナーのイメージ
;
i
[
1
2
]
寸
ω
t
12
0
.
4仏
0
.
2
t母
a
:
.
a Q$
1
.
.
o
臨
3
4
5
0
.
0
C
u
r
r
e
n
tD
e
n
s
均(A/
c
m
・
2
2
2
)
験
J
M
図1
2
.S
S
C
l
SDCダブルカラムナーをカソード界面層とす
悉
04
薄膜セルの発電特性
る凶 GM
，
)
:0
0
.
5
ta
Hi
20
C
u
r
r
e
n
tD
el
"
l
事i
t
y
(A
l
cm
ち
図11
. Wangらが報告したダブルカラムナーを有するセ
ルの発電特性[
1
2
]
5
. おわりに
材高では筆者達の研究成果を中心にSOFC
の低温作動、
は現在、日本、米国な
高出力の現状を紹介した。SOFC
どで、普及が始まっているが、本格的な普及を行うため
そこで、筆者達も SD
C
l
SSCを用いてダ、ブルカラムナー
には、価格が重要な因子になるので、高出力化によるモ
9
9 (11)
水素エネノレギーシステム Vo
1
.37，
No.2(
2
0
1
2
)
特集
ジュール内のセル数の削減はコストの低減や故障に対す
る信頼性の向上などに有効であり、今後、さらに材料的
な開発が望まれるとともに、性能を向上させる上で、電
極触媒のナノレベルで、の形態制御も重要になると考えら
が普及すると
れる。ナノテクノロジーを応用した SOFC
期待している。
セルはあまり
また、日本では金属基板を用いたSOFC
検討されていないが、セラミック固有の脆弱性という課
題を克服し、より信頼性の高いセルを開発する上で、金
属基板は重要であり、今後、移動用のセル開発などに研
究が展開すると、活発に研究が行われるようになると考
えている。分散発電は、スマートエネルギー利用社会を
実現し、再生可能エネルギーを普及させる上で、も重要な
は
ので、小型でありながら高効率発電を実現する SOFC
今後、重要な僻リを担い、大きく普及すると期待してい
る
。
参考文献
1
.N
.Q
.M
i
n
h
，;
&
l
i
d
ぬ島1
0m
同1
7
4
，
2
7
1
2
7
7倣ゆ.
2
.T
.
I
s
l
世
田r
aed"
P
e
r
o
v
s
k
:
i
:
飴
O
x
i
d
ef
o
rS
o
l
i
dO
x
i
d
eF
U
e
l仇 n
s
"
，
Sp白金~r (2010)
3
.S
.C
.Si
n
g
h
a
l
，;
&
l
i
d
S
t
a
t
e
1
0
m
何1
5
2
・1
5
3
，
4
0
5
・
4
1
0(
2
∞1
2
)
.
4
.T
.Isl世田町 H.M
a
白ud
a
， andY
.T:品由;J.Am•
α'em.&，
1
1
6
，
3
8
0
1澗 3(1制.
5
. T.
l
s
h
i
l
i
.
a
r
a
，H
.Ma刷伽， andY
.T，必一旬;ゐJ
i
dぬ伝 10m
司
7
9
，
1
4
チ1
5
1(
1
9
9
5
)
6
. N
. Wa
句n
a
b
e
， EA α，
e
J N
. Re
i
民民 T
. I
s
h
i
h
a
r
a
;
E庇在日:
h
.
em
お旬 7
8
(
8
)
，
6
7
1
・
6
7
7(
2
0
1
ω
.Wa
旬n
a
b
e
， EA 伐
:
l
e
， T
.I
s
h
i
h
a
r
a
;J
.P
ower必 VIU湾
7
.N
1
9
9
(
1
)
，
1
1
71
2
3(
2
0
1
2
)
.
闘
8
.Z
.H
.B~ B
.LY
I
，
Z
.W.Wang
，
Y
.LDo
ng
，
H
.J
.W，
uY
.C
.She，M.
J.α1eng
，;田町位吋1
e
m
.S
o
l
i
d
S
阻飴 I
鍋
.
，7
，
A105
・1
0
7(
2
ω4
)
.
9
. J
.E
.Hong
，T
.m
勾
a
k
i
， S
.]
;
仇 andT
.Isl世田r
a
;I
n
b
.
ヲ
m.J.
Hy~罪~ E
n
e
r
g
y
， 36
，
1
必3
2
・1
必4
2(
2
0
1
1
)
.
1
0
. K Huang
，
J
.H
.Wa
n
， andJ
.B
.G
α対e
n
o
u
g
h
;J
.回目位吋1
e
m
.
S
o
c
.
， 148，
A7
紛 7
9
4(
2
∞
。
1
1
.Y
.W.J
'
叫 T
.m
碍a
比S
.l
d
a
， andT
.I
s
h
i
h
a
r
a
;J
.E
l
a
t
I
凶 θm
.
5
8
，
回
，25
・
8
3
0匂0
1
1
)
&， 1
1
2
. J.KYi
∞叫 S
.α10
，J
.
H
.K
i
m
，J
.
H
.L
e
e
， Z
.B~ A s
e
珂凶s
，X
Z
h
a
n
g
， AM
a
n
t
h
i
r
a
i
l
l
， andH
.W:
邸
宅
'
，
;Ad
v
.F
r
.
m
d
.M
a
.
t
θ
T
.1
9
，
3
任泡(2
αゅ)
1
0
0 (12)

Download Report