RW1C026ZP : トランジスタ

RW1C026ZP
Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET
Datasheet
l外 形 図
VDSS
-20V
RDS(on)(Max.)
70mΩ
ID
±2.5A
PD
0.7W
WEMT6
l内 部 回 路 図
l特 長
1) 低オン抵抗
2) 小型ハイパワーパッケージ(WEMT6)
3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
4) ハロゲンフリー
l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)
l用 途
タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)
スイッチング
テーピングコード
標印
Embossed
Tape
180
8
8000
T2CR
ZK
l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流 (直流)
Symbol
Value
Unit
VDSS
ID
-20
V
±2.5
±10
±10
0.7
150
-55 ~ +150
A
A
V
W
ドレイン電流 (パルス)
ID,pulse*1
ゲート・ソース間電圧
ジャンクション温度
VGSS
PD*2
Tj
保存温度
Tstg
許容損失
℃
℃
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l熱 抵 抗
Parameter
Symbol
熱抵抗 (ジャンクション・外気間)
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
RthJA*2
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Max.
-
179
-
Unit
℃/W
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
-20
-
-
V
ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS ID = -1mA
温度係数
ΔTj referenced to 25℃
-
-21.9
-
mV/℃
ドレイン遮断電流
IDSS
VDS = -20V, VGS = 0V
-
-
-1
μA
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ±10V, VDS = 0V
-
-
±10
μA
VGS(th)
VDS = -10V, ID = -1mA
-0.3
-
-1
V
-
2.4
-
mV/℃
VGS = -4.5V, ID = -2.5A
-
50
70
VGS = -2.5V, ID = -1.2A
-
65
90
VGS = -1.8V, ID = -1.2A
-
85
130
VGS = -1.5V, ID = -0.5A
-
100
200
VDS = -10V, ID = -2.5A
2.2
-
-
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS
ゲートしきい値電圧
ゲートしきい値電圧
温度係数
VGS = 0V, ID = -1mA
ΔVGS(th) ID = -1mA
ΔTj referenced to 25℃
ドレイン・ソース間
オン抵抗
伝達コンダクタンス
RDS(on)*3
gfs*3
mΩ
S
*1 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*2 セラミック基板使用時
*3 パルス
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l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
Values
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Min.
Typ.
Max.
入力容量
Ciss
VGS = 0V
-
1250
-
出力容量
Coss
VDS = -10V
-
100
-
帰還容量
Crss
f = 1MHz
-
30
-
VDD ⋍ -10V,VGS = -4.5V
-
170
-
tr*3
ID = -1.2A
-
290
-
td(off)*3
RL = 8.3Ω
-
2550
-
tf*3
RG = 10Ω
-
850
-
ターンオン遅延時間
td(on)*3
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
l ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)
pF
ns
Values
Parameter
Symbol
ゲート総電荷量
Qg*3
ゲート・ソース間電荷量
Qgs*3
ゲート・ドレイン間電荷量
Qgd*3
Conditions
VDD ⋍ -10V, ID = -2.5A
VGS = -4.5V
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
10
-
-
2.1
-
-
2.0
-
l 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25°C)
nC
Values
Parameter
ソース電流(直流)
Symbol
IS
ソース電流(パルス)
ISP*1
順方向電圧
VSD*3
Conditions
Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = -2.5A
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
-
-0.5
-
-
-10
-
-
-1.2
A
V
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperature
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)
Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅴ)
Fig.19 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage
Fig.20 Switching Characteristics
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.21 Dynamic Input Characteristics
Fig.22 Source Current vs. Source Drain
Voltage
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l測 定 回 路 図
図 1-1 スイッチング時間測定回路
図 1-2 スイッチング波形
図 2-1 ゲート電荷量測定回路
図 2-2 ゲート電荷量波形
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l外 形 寸 法 図
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