QH8MA2 30V Nch+Pch Power MOSFET Datasheet l外 形 図 Symbol VDSS RDS(on)(Max.) ID PD Tr1:Nch Tr2:Pch 30V -30V 35mΩ 80mΩ ±4.5A ±3A 1.5W TSMT8 l内 部 回 路 図 l特 長 1) 低オン抵抗 2) 小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース 3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 4) ハロゲンフリー l包 装 仕 様 Embossed Tape 180 包装形態 リールサイズ (mm) l用 途 タイプ テープ幅 (mm) 基本発注単位(個) スイッチング 8 3000 テーピングコード TR 標印 MA2 l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C) Parameter Symbol ドレイン・ソース間電圧 Value Tr1:Nch Tr2:Pch Unit VDSS 30 -30 V ID ±4.5 ±3 A ドレイン電流 (パルス) ID,pulse*1 ±12 ±12 A ゲート・ソース間電圧 VGSS ±20 ±20 V アバランシェエネルギー (単発) EAS*3 1.5 0.3 mJ アバランシェ電流 IAS*3 4.5 -3.0 A ドレイン電流 (直流) 全許容損失 トータル PD*2 1.5 素子 PD*2 1.25 Tj 150 ℃ Tstg -55 ～ +150 ℃ ジャンクション温度 保存温度 W www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l熱 抵 抗 Parameter Symbol 熱抵抗 (ジャンクション・外気間) Values Min. Typ. Max. - 83.3 - RthJA*2 Unit ℃/W l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) Parameter Symbol Type ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS Conditions Values Min. Typ. Max. Tr1 VGS = 0V, ID = 1mA 30 - - Tr2 VGS = 0V, ID = -1mA -30 - - - 21 - - -22 - Tr1 VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 Tr2 VDS = -30V, VGS = 0V - - -1 Tr1 VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±100 Tr2 VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±100 Tr1 VDS = 10V, ID = 1mA 1.0 - 2.5 Tr2 VDS = -10V, ID = -1mA -1.0 - -2.5 ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS Tr1 ID = 1mA, referenced to 25℃ 温度係数 ΔTj Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃ ドレイン遮断電流 IDSS ゲート漏れ電流 IGSS ゲートしきい値電圧 ゲートしきい値電圧 温度係数 VGS(th) ΔVGS(th) Tr1 ID = 1mA, referenced to 25℃ - -3 - ΔTj Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃ - 2.9 - VGS = 10V, ID = 4.5A - 25 35 VGS = 4.5V, ID = 4.5A - 40 56 VGS = -10V, ID = -3A - 55 80 VGS = -4.5V, ID = -3A - 80 115 Tr1 VDS = 5V, ID = 4.5A 1.4 - - Tr2 VDS = -5V, ID = -3A 1.9 - - Tr1 ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(on)*4 Tr2 伝達コンダクタンス gfs*4 Unit V mV/℃ μA nA V mV/℃ mΩ S *1 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1% *2 セラミック基板実装時 *3 Tr1: L ⋍ 100μH, V DD = 15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2参照 Tr2: L ⋍ 100μH, V DD = -15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tch = 25℃ Fig.6-1,6-2参照 *4 パルス www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1> Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. 入力容量 Ciss VGS = 0V - 365 - 出力容量 Coss VDS = 10V - 62 - 帰還容量 Crss f = 1MHz - 50 - VDD ⋍ 15V, VGS = 10V - 7.2 - tr*4 ID = 2.2A - 8.0 - td(off)*4 RL = 6.8Ω - 12.0 - tf*4 RG = 10Ω - 5.7 - ターンオン遅延時間 td(on)*4 上昇時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 pF ns <Tr2> Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. 入力容量 Ciss VGS = 0V - 320 - 出力容量 Coss VDS = -10V - 68 - 帰還容量 Crss f = 1MHz - 54 - VDD ⋍ -15V, VGS = -10V - 7.9 - tr*4 ID = -1.5A - 16.8 - td(off)*4 RL = 10Ω - 27.6 - tf*4 RG = 10Ω - 8.5 - ターンオン遅延時間 上昇時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on)*4 ns www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. pF 3/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1> Parameter Symbol ゲート総電荷量 VGS = 10V Qg*4 ゲート･ソース間電荷量 Qgs*4 ゲート･ドレイン間電荷量 Qgd*4 Values Conditions VDD ⋍ 15V ID = 4.5A Min. Typ. Max. - 8.4 - - 4.7 - - 1.7 - - 1.6 - Unit nC VGS = 4.5V <Tr2> Parameter Symbol ゲート総電荷量 Min. Typ. Max. VGS = -10V - 7.8 - VDD ⋍ -15V ID = -3A VGS = -4.5V - 4.3 - - 1.6 - - 1.5 - Qg*4 ゲート･ソース間電荷量 Qgs*4 ゲート･ドレイン間電荷量 Qgd*4 Values Conditions Unit nC l 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C) <Tr1> Parameter Symbol ソース電流(直流) IS ソース電流(パルス) ISP*1 順方向電圧 VSD*4 Values Conditions Ta = 25℃ Min. Typ. Max. - - 1 - - 12 - - 1.2 Unit A VGS = 0V, IS = 1A V <Tr2> Parameter Symbol ソース電流(直流) IS ソース電流(パルス) ISP*1 順方向電圧 VSD*4 Ta = 25℃ Min. Typ. Max. - - -1 - - -12 - - -1.2 Unit A VGS = 0V, IS = -1A www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Values Conditions 4/19 V 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature Fig.10 Tranceconductance vs. Drain Current www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.14 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III) www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1> Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain Voltage www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 12/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature Fig.10 Tranceconductance vs. Drain Current www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 13/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 14/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.14 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III) www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 15/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2> Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain Voltage www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 16/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 測 定 回 路 図 <Tr1> 図 1-1 スイッチング時間測定回路 図 1-2 スイッチング波形 図 2-1 ゲート電荷量測定回路 図 2-2 ゲート電荷量波形 図 3-1 L負荷測定回路 図 3-2 アバランシェ波形 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 17/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l 測 定 回 路 図 <Tr2> 図 4-1 スイッチング時間測定回路 図 4-2 スイッチング波形 図 5-1 ゲート電荷量測定回路 図 5-2 ゲート電荷量波形 図 6-1 L負荷測定回路 図 6-2 アバランシェ波形 l使 用 上 の 注 意 本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には 必ず静電対策を講じてください。 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 18/19 20140710 - Rev.001 QH8MA2 Datasheet l外 形 寸 法 図 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 19/19 20140710 - Rev.001
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