AP1156ADSXX Japanese Datasheet

[AP1156ADSXX]
-Preliminary-
AP1156ADSXX
Negative Input / Output Voltage LDO Regulator
1. 概要
AP1156ADSシリーズは、シリコン・モノリシック・バイポーラ構造の集積回路で、出力電流150mAを
安定に供給できる、負入力負出力低飽和タイプのOn/Offコントロール付低飽和レギュレータICです。出
力電圧は-1.3Vより-1.5Vの間で設定ができ、高精度にトリミングされています。このため使用されるセ
ットに最適な電圧を選択することができます。ノイズ低減の端子を設けています。On/Off制御は正電
圧側のロジックやCPUで直接制御できます。また、過熱センサ回路、過電流センサ回路、逆バイアス
過電流阻止回路を備えています。
2. 特
長
 小型セラミックコンデンサ（CL  1.0μF）使用可能
 入出力電圧差
160mV at Iout=100mA
 出力電流
150mA
 高精度出力電圧
±2.0％ or ±60mV
 広い入力電圧範囲
-2.8V～-17.0V
 低消費電流
155μA at Iout=0mA
ピーク200mA
 出力On/Offコントロール付(High active)
 短絡保護、過熱保護内蔵
 逆バイアス過電流阻止回路内蔵
 低ノイズアプリケ－シヨン可
 小型パッケ－ジ
SOT23-5
3.
用
途
 バッテリー駆動機器全般
 DSC、CCDバイアス、GaAsバイアス用
Rev. 0.2
-1-
2014/07
[AP1156ADSXX]
4. 目
次
1. 概要 ............................................................................................................................................................... 1
2. 特長 ............................................................................................................................................................... 1
3. 用途 ............................................................................................................................................................... 1
4. 目次 ............................................................................................................................................................... 2
5. ブロック図 ....................................................................................................................................................... 3
6. オーダリングガイド ....................................................................................................................................... 4
7. ピン配置 ........................................................................................................................................................... 4
8. 絶対最大定格 ................................................................................................................................................... 5
9. 推奨動作条件 ................................................................................................................................................... 5
10. 電気的特性 ....................................................................................................................................................... 6
■ 電気的特性 (Ta=Tj=25C) .............................................................................................................................. 6
■ 電気的特性 (Ta=-40~85C) ........................................................................................................................... 7
11. 動作説明 ........................................................................................................................................................... 8
11.1 DC特性 ......................................................................................................................................... 8
11.2 DC温度特性 ................................................................................................................................ 10
11.3 Load Transient特性 .................................................................................................................... 12
11.4 On/Off Transient特性.................................................................................................................. 13
11.5 Line Transient ............................................................................................................................. 14
11.6 Ripple Rejection ......................................................................................................................... 16
11.7 ESR Stability............................................................................................................................... 18
11.8 Operating Region and Power Dissipation .................................................................................. 19
11.9 アプリケーションヒント............................................................................................................ 20
12. 用語の定義 ..................................................................................................................................................... 21
■特性関連 ......................................................................................................................................................... 21
■保護回路関連 ................................................................................................................................................. 21
13. Test Circuit ..................................................................................................................................................... 22
14. パッケージ ..................................................................................................................................................... 23
■ 外形寸法図 ................................................................................................................................................... 23
重要な注意事項 ..................................................................................................................................................... 24
Rev. 0.2
-2-
2014/07
[AP1156ADSXX]
5. ブロック図
Cont
VEE
90k
Vout
Bandgap
Reference
Over Heat &
Over Current
Protection
Np
GND
Control:High Level On
Figure 1. ブロック図
Rev. 0.2
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[AP1156ADSXX]
6. オーダリングガイド
AP1156ADSXX
-40 to 85°C
SOT23-5
・出力電圧コード
出力電圧コードについては下記にて確認ください。標準電圧品以外のご検討については弊社販売代理店
までご確認願います。
AP1156ADSXX
Output voltage code
Table 1. 標準電圧品
出力電圧コード
XX
VOUT
13
15
-1.3
-1.5
Table 2. 特殊電圧品
出力電圧コード
XX
VOUT
14
-1.4
VOUT
GND
7. ピン配置
5
4
Rev. 0.2
2
3
NP
CONT
1
VEE
(Top View)
-4-
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[AP1156ADSXX]
8. 絶対最大定格
Parameter
Symbol
電源電圧
min
-20
max
0.4
Unit
Vin
V
ただし|Vin|+|Vcont|20V
Condition
Cont電圧
Vcont
-0.4
5
V
ただし|Vin|+|Vcont|19V
Vrev
V
ただしVin-Vout0.3V
-20
0.3
逆バイアス電圧
PD
mW
500
(Note 1)
許容消費電力(SOT23-5単体)
Tj
150
C
動作時最大接合温度
TSTG
-55
150
C
保存温度範囲
Note 1. 25℃以上では 4mW/Cでディレーティングをして下さい。熱抵抗( θja) = 250°C/W。
注意: この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保
証されません。
9. 推奨動作条件
Parameter
動作周囲温度
動作電圧範囲
Rev. 0.2
Symbol
min
typ
max
Unit
Ta
VOP
-40
-17
-
85
-2.8
C
V
-5-
Condition
ただし|Vin|+|Vcont|19V
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[AP1156ADSXX]
10. 電気的特性
■ 電気的特性 (Ta=Tj=25C)
限界値の記載されている項目は Ta=Tj=25C に対して適用されます。
Parameter
Symbol
出力電圧
入力安定度
Vout
LinReg
負荷安定度
LoaReg
消費電流
スタンバイ電流
最大出力電流
コントロール電流
Iq
Istandby
IoutMAX
IShort
Icont
コントロール電圧
Vcont
Condition
Iout=5mA
ΔVin=5V
(Vin=-3.7V, Ta=Tj=25C)
min
typ
max
Unit
V
(Table 3, Table 4)
-
1
5
mV
Iout=5mA~50mA
出力短絡電流
Iout=5mA~100mA
Iout=5mA~150mA
Iout=0mA
Vout Off State
Voutが10%低下時
Vcont=+1.8V
Vout ON State
Vout OFF State
(Table 3, Table 4)
200
155
0
280
1.3
-
mV
250
1
-
µA
µA
mA
300
-
mA
12
-
30
0.3
A
V
V
Table 3. 標準電圧品出力電圧及び負荷安定度
Vout
品名
AP1156ADS13
AP1156ADS15
Table 4. 特殊電圧品
MIN
-1.360
-1.560
Rev. 0.2
MAX
-1.240
-1.440
LoaReg
Iout=100mA
TYP
MAX
8
20
8
20
Iout=150mA
TYP
MAX
22
50
22
50
Iout=50mA
TYP
MAX
4
15
LoaReg
Iout=100mA
TYP
MAX
8
20
Iout=150mA
TYP
MAX
22
50
出力電圧及び負荷安定度
Vout
品名
AP1156ADS14
TYP
-1.300
-1.500
Iout=50mA
TYP
MAX
4
15
4
15
MIN
-1.460
TYP
-1.400
MAX
-1.340
-6-
2014/07
[AP1156ADSXX]
■ 電気的特性 (Ta=-40~85C)
限界値の記載されている項目は Ta= -40~85C に対して適用されます。
Parameter
出力電圧
入力安定度
Symbol
Vout
LinReg
Condition
Iout=5mA
ΔVin=5V
(Vin=-3.7V, Ta= -40 ~ 85C)
min
typ
max
Unit
V
(Table 5, Table 6)
-
1
8
mV
Iout=5mA~50mA
負荷安定度
LoaReg
消費電流
スタンバイ電流
最大出力電流
出力短絡電流
コントロール電流
Iq
Istandby
IoutMAX
IShort
Icont
コントロール電圧
Vcont
Iout=5mA~100mA
Iout=5mA~150mA
Iout=0mA
Vout Off State
Voutが10%低下時
Vcont=+1.8V
Vout ON State
Vout OFF State
(Table 5, Table 6)
185
1.3
-
155
0
280
300
12
-
mV
300
5
30
0.3
µA
µA
mA
mA
A
V
V
Table 5. 標準電圧品出力電圧及び負荷安定度
Vout
品名
AP1156ADS13
AP1156ADS15
Table 6. 特殊電圧品
MIN
-1.390
-1.590
Rev. 0.2
MAX
-1.210
-1.410
LoaReg
Iout=100mA
TYP
MAX
8
22
8
22
Iout=150mA
TYP
MAX
22
72
22
72
Iout=50mA
TYP
MAX
4
16
LoaReg
Iout=100mA
TYP
MAX
8
22
Iout=150mA
TYP
MAX
22
72
出力電圧及び負荷安定度
Vout
品名
AP1156ADS14
TYP
-1.300
-1.500
Iout=50mA
TYP
MAX
4
16
4
16
MIN
-1.490
TYP
-1.400
MAX
-1.310
-7-
2014/07
[AP1156ADSXX]
動作説明
11.
11.1 DC特性
特に記述のない限り、Vin=-3.5V、Vcont=1.5V、Cin=1.0uF(MLCC)、Cout=1.0uF(MLCC)、Cnp=0.01uF、Ta=25℃
1
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
Icont
Vout
A
Cin
Cout
Iout
V
Vin
1Ｆ
1Ｆ
GND
4
Vcont
A
Iin
Cnp
0.01Ｆ
 Ignd
6
Ignd (mA)
5
4
3
2
1
0
0
100
200
Iout (mA)
300
400
 Dropout Voltage
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Vdrop (V)
Iin (uA)
 Iin (Iout=0mA)
0
Rev. 0.2
5
10
Vin (-V)
15
20
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
-8-
50
100
Iout (mA)
150
2014/07
[AP1156ADSXX]
 Icc Off Mode (Vcont=1.5V,Iout=0mA)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.00E-04
1.00E-05
1.00E-06
Iin (A)
Icont (uA)
 Icont VS Vcont (Iout=1mA)
1.00E-11
1.00E-12
0.5
1.0
Vcont (V)
1.5
2.0
0
 Iin (Iout=0mA) 拡大図
250
IQ (mA)
200
150
100
50
0
0
5
5
10
Vin (-V)
15
20
 IQ 拡大図
300
Iin (uA)
1.00E-08
1.00E-09
1.00E-10
0.0
Rev. 0.2
1.00E-07
10
Vin (-V)
15
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
20
-9-
50
100
Iout (mA)
150
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.2 DC温度特性
特に記述のない限り、Vin=-3.5V,Vcont=1.5V,Cin=1.0uF(MLCC),Cout=1.0uF(MLCC),Cnp=0.01uF
1
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
Icont
Vout
A
Cin
Cout
Iout
V
Vin
1Ｆ
1Ｆ
GND
4
Vcont
A
Iin
Cnp
0.01Ｆ
Vref (-V)
Vref
1.25
1.24
1.23
1.22
1.21
1.20
1.19
1.18
1.17
1.16
1.15
-40 -20
0
20 40
Ta (℃)
60
80 100
IoutMAX (Pulseにて測定)
300
300
250
250
Iout_MAX (mA)
Iout_MAX (mA)
IoutMAX (Nonpulseにて測定)
200
150
100
100
0
-40 -20
0
Rev. 0.2
150
50
50
-40 -20
200
0
20 40
Ta (℃)
60
80
100
- 10 -
0
20 40
Ta (℃)
60
80
100
2014/07
[AP1156ADSXX]
ON/OFF
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-40 -20
1.4
Io=5-150mA
1.2
Io=5-100mA
Vcont (V)
Load_Reg　(mV)
LoadReg
Io=5-50mA
0.6
Vout Off
0.0
0
20 40
Ta (℃)
60
80
-40 -20
100
0
20 40
Ta (℃)
60
80
100
20 40
Ta (℃)
60
80
100
Icont
16
14
Icont_1.8V (uA)
Iin (uA)
12
10
8
6
4
2
0
20 40
Ta (℃)
60
80
0
-40 -20
100
0
Vdrop
Vrop (mV)
Icc_Off (nA)
Rev. 0.2
0.8
0.2
Icc OFFMode
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-40 -20
1.0
0.4
Iin(Iout=0mA)
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
-40 -20
Vout On
0
20 40
Ta (℃)
60
80
100
- 11 -
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-40 -20
Io=50/100/150mA
0
20 40
Ta (℃)
60
80
100
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.3 Load Transient特性
特に記述のない限り、Vin=VoutTYP-1.5V,Vcont=1.5V,Cin=1.0uF(MLCC),Cnp=0.01uF
1
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
Vout
Vcont
Cin
Cout
Iout
V
Vin
GND
4
Cnp
Iout=5→100mA
Iout=0→100mA
Cout=1.0uF(MLCC) 500mV/div
Cout=1.0uF(Tantalum) 200mV/div
Cout=2.2uF(Tantalum) 200mV/div
Cout=2.2uF(MLCC) 500mV/div
Io=0mA
Io=5mA
Io=100mA
Rev. 0.2
Io=100mA
- 12 -
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.4 On/Off Transient特性
Vin= -3.5V, Cin=1.0uF (MLCC), Cnp=0.01uF, Iout=100mA, Control f=1Hz(Cnp Full discharge)
立ち上がり立ち下がり特性ともに出力電流に対する依存性は低く、Cnpに大きく影響されます。
立ち上がり特性
Cnp可変
1
Cont
2
VEE
Vout
5
Vcont=0→1.5→0
Vout 2V/div
←0V
Cin
V
Vin
Vout
3
Cnp=1000pF/0.01uF/0.1uF
Np
GND
Cout
Iout
4
Cnp
O
N
O
F
F
立ち上がり特性
Vcont 1V/div
立ち下がり特性
Cout可変
Cnp可変
Vout 2V/div
Vout 2V/div
0V→
←0V
Cout=1.0/2.2/4.7/10uF
Cnp=1000pF/0.01uF/0.1uF
O
N
O
F
F
Rev. 0.2
O
N
Vcont 1V/div
- 13 -
Vcont
2V/div
O
F
F
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.5 Line Transient
Vin=-VoutTYP-1.5→-VoutTYP-2.5V,Vcont=1.5V,Cin=1.0uF(MLCC),Cnp=0.01uF,Iout=100mA
Cin=1.0uF(MLCC) Iout=5mA
Cin=1.0uF(MLCC) Iout=100mA
Cout=1.0uF(MLCC) 100mV/div
Cout=1.0uF(MLCC) 100mV/div
Cout=1.0uF(Tantalum) 100mV/div
Cout=1.0uF(Tantalum) 100mV/div
Vin=-6.5V
Vin=-6.5V
Vin=-7.5V
Vin=-7.5V
Cin=1.0uF(MLCC) Iout=5mA
Cin=1.0uF(MLCC) Iout=100mA
Cout=2.2uF(MLCC) 100mV/div
Cout=2.2uF(MLCC) 100mV/div
Cout=2.2uF(Tantalum) 100mV/div
Cout=2.2uF(Tantalum) 100mV/div
Vin=-6.5V
Vin=-6.5V
Vin=-7.5V
Rev. 0.2
Vin=-7.5V
- 14 -
2014/07
[AP1156ADSXX]
Cin=1.0uF(Tantalum) Iout=5mA
Cin=1.0uF(Tantalum) Iout=100mA
Cout=1.0uF(MLCC) 100mV/div
Cout=1.0uF(MLCC) 100mV/div
Cout=1.0uF(Tantalum) 100mV/div
Cout=1.0uF(Tantalum) 100mV/div
Vin=-6.5V
Vin=-6.5V
Vin=-7.5V
Vin=-7.5V
Cin=1.0uF(Tantalum) Iout=5mA
Cin=1.0uF(Tantalum) Iout=100mA
Cout=2.2uF(MLCC) 100mV/div
Cout=2.2uF(MLCC) 100mV/div
Cout=2.2uF(Tantalum) 100mV/div
Cout=2.2uF(Tantalum) 100mV/div
Vin=-6.5V
Vin=-6.5V
Vin=-7.5V
Rev. 0.2
Vin=-7.5V
- 15 -
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.6 Ripple Rejection
Vin= -3.5(V) Vcont=1.5V, Vripple=500mVp-p,Cnp=0.01uF,Iout=10mA
View point
1
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
GND
4
Vripple=500mVp-p
Cout
Vin=Vouttyp-2.0V
Iout
Cnp
Cout=1.0uF(Tantalum),Iout=5mA
Cout=1.0uF(MLCC),Iout=5mA
0dB→
0dB→
10dB/div
10dB/div
Cout=1.0uF(Tantalum),Iout=100mA
Cout=1.0uF(MLCC),Iout=100mA
0dB→
0dB→
10dB/div
10dB/div
Rev. 0.2
- 16 -
2014/07
[AP1156ADSXX]
Cout=2.2uF(Tantalum),Iout=5mA
Cout=2.2uF(MLCC),Iout=5mA
0dB→
0dB→
10dB/div
10dB/div
Cout=2.2.uF(Tantalum),Iout=100mA
Cout=2.2uF(MLCC),Iout=100mA
0dB→
0dB→
10dB/div
10dB/div
Rev. 0.2
- 17 -
2014/07
[AP1156ADSXX]
11.7 ESR Stability
ICは、1.0μFのCLで安定動作します。全使用範囲において、1.0μF以上であれば、ESRを考慮せずに、どのよう
なタイプのコンデンサも使用できます。しかし、部品にはばらつきがあります、できるだけ容量は大きくし
てご使用下さい。大きい容量値ほど出力ノイズが減少します。さらに、出力側負荷変動に対する応答性等が
向上します。容量を大きくすることで、ICが破損する事はありません。入力コンデンサは、電池が消耗し電
源インピーダンスが増加したとき、あるいは電源までの引き回しラインが長い場合必要です。入力コンデン
サは、複数のICを並列に使用しても1個で十分である場合、あるいはICごとに必要な場合もあり、一概には言
えません。実装状態で確認をお願いいたします。一般的にセラミックコンデンサには、温度特性、電圧特性
があります。使用される電圧、温度を考慮し部品の選定をお願いします。
100
不安定領域
ESR []
10
1
安定領域
0.1
0.01
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IOut [mA]
Figure 2. 安定領域特性 (Vout = -1.5V ~ -15.5V)
条件：Vin=Vout(TYP)-1.5V, Cin=0.1F, Cout=1.0F (MLCC)
過熱保護、過電流保護動作時や入力電圧が低い時に出力が発振したように見えます。この場合消費電力を下
げる、負荷電流を減らす、電圧を上げる等して下さい。一般的にセラミックコンデンサには温度特性、電圧
特性があります。使用される電圧、温度を考慮し部品の選定をお願いします。B特性をお勧めいたします。
Figure 3. セラミックコンデンサ電圧、温度特性例
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11.8 Operating Region and Power Dissipation
内蔵の過熱保護回路が動作する接合部温度(Tj)でパッケージ損失は制限されます。このためパッケージ
損失は、内部制限としています。パッケージは小型のため、それ単体での放熱特性はよくありません。
PCBに取り付けることで熱が逃げます。この値は、PCBの材質、銅パターン等により変わります。レギ
ュレータの損失が多い(外部の温度が高い、あるいは放熱が悪い)時に過熱保護回路が動作します。保護
回路が動作したとき、出力電流はとれず、出力電圧も低下する現象が観測されます。接合部温度(Tj)が
設定温度に到達するとICは動作停止します。しかし、動作停止し接合部温度(Tj)が低下するとすぐに動
作を開始します。
・基板実装時の熱抵抗を求める
動作時のチップ接合温度は、Tj=θja×Pd+Ta で示されます。接合部温度(Tj)は、過熱保護回路により約
150℃で制限されています。Pdは過熱保護回路を動作させた時の値です。周囲温度を25℃とすると
150=θja×Pd(Ｗ)+25
θja×Pd=125
θja=125/Pd (℃/W)
Figure 4. 基板実装例
基板材質：2層ガラスエポキシ基板
(x=30mm、y=30mm、t=1.0mm 銅パターン厚35um)
上図の基板実装例の場合、PD=2200mW。25℃以上では、-18.3mW/°Cでディレーティングして下さい。
SOT23-5パッケージの場合 Pd=736mW、25℃以上では、-5.9mWでディレーティングして下さい。熱抵抗
(θja)=170℃/Wです。
・簡単にPdを求める方法
PCBにICを実装してください。PdはICの出力側を短絡したときのVin×Iinとなります。入力電流はチップ
の温度上昇により徐々に減少します。安定した(熱平衡のとれた)時の値を使用してください。実際の放
熱は良く、多くの場合500mW以上あります。
手順(PCB実装時に行います。)
Pd(mW)
1：Pdを求める(出力短絡時のVin×Iin)
2：Pdを25℃の線上にプロットする。
3：Pdと150℃の線を直線で結ぶ。(太実線)
4：設計上の使用最高温度の点より(例えば75℃とす
る)垂直に線を延ばす。(破線)
5：ディレーティングカーブ(太実線)と破線の交点を
左に延ばしPdの値を読む(DPdとする)
6：DPd÷(VinMAX-Vout)=Iout at 75℃
2
Pd
D Pd
5
3
4
0
25
50
75
Ta (℃)
100
150
Figure 5. Pdを求める手順
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最高温度時の最大使用電流は Iout≒{DPd÷(VinMAX-Vout)}となります。出来るだけ放熱しやすい工夫を
し、素子温度を下げてご使用下さい。一般的に素子温度が低いほど信頼性が向上します。
・動作領域を求める
Figure 4. 基板実装例に実装した場合のPd(Ta=25℃)
SOT23-5=736mW –5.9mWでディレート
Ta=25℃以上で連続的に使用できる電流は、次のような式で計算されます。
Iout (mA) 
736  5.9  (Ta  25)
… SOT23-5
Vin  Vout
*ただしIout<150mA
各パッケージ右側のグラフで0を原点にして線で囲まれている部分が使用できる範囲の目安です。線の
外側は過熱センサが動作、もしくは電圧が大きく低下する可能性のある領域になります。基板の差等に
よって放熱特性は変化しますので、実際の使用条件で確認をして下さい。
Pd (mW)
IoutMAX vs IN-OUT VOLTAGE DIFF
(SOT23L-6)
SOT23-5
基板実装時 -5.9mW/℃
基板実装時　-7.1mW/℃
1000
T a= + 2 5 ℃
160
140
Iout MAX (mA)
800
600
400
単体　-4.2mW/℃
200
120
100
T a= + 8 5 ℃
80
T a= + 7 0 ℃
60
T a= + 5 0 ℃
40
20
0
0
25
50
85
125
0
150
1
Ta (℃)
2 3 4 5 6 7 8 9 10
IN-OUT VOLTAGE DIFF (V)
Figure 6. SOT23-5
11.9 アプリケーションヒント
Vout
正出力レギュレータ
負荷
TK721xxC
(負出力レギュレ-タ)
Vout
Figure 7. 正出力レギュレータと同時に使用する場合
正出力レギュレータと同時に使用する場合、内部回路構成上出力が出なくなることがあります。この問
題の対策としては出力-GND間にショットキーダイオードを追加するか、ON/OFFコントロールのタイミ
ングを変えることで回避できます。
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12. 用語の定義
■特性関連
各特性の項目は接合部温度(Tj)の影響が無いように短時間で測定されます。
・出力電圧(Vout)
入力電圧(Vin)をVoutTYP-1.5V , Iout=5mAとし、この時に得られた出力電圧です。
・最大出力電流(IoutMAX)
入力電圧をVoutTYP-1.5Vとし、この時に得られた出力電圧が、負荷電流(Iout)を流すことにより、10%
低下したときの出力電流です。
・入出力間電圧降下(Vdrop)
入力電圧の低下に伴って、回路が安定動作停止したときの、入出力電圧差です。入力電圧を、標準時
より徐々に低下させていき、出力電圧が標準時より100mV低下したときの、入力と出力の電圧差です。
・入力安定度(Line Regulation : LinReg)
入力電圧を、VoutTYP-1.5V~VoutTYP-6.5Vまで変化させた時の出力電圧変動です。
・負荷安定度(Load Regulation : LoaReg)
入力電圧を、VoutTYP –1.5Vとします。負荷電流を変化させた時の出力電圧変動値です。
・リップル除去比(Ripple Rejection : R.R)
入力電圧を、VoutTYP-2.0Vとします。これに交流波形を重畳させ、この波形と出力に現れた波形との
電圧比です。
・スタンバイ電流(Istandby)
Vcont端子を、+1.8VにしたときICに流れる電流です。
■保護回路関連
・出力短絡保護(Over Current Limit)
出力を誤ってGNDに接続した時など、出力電流が非常に多いときに動作します。電流は、設定され
たピーク値(約300mA)まで流れます。
・過熱保護回路(Over Heat Protection)
外部の温度が高い時や、レギュレータの損失が多く放熱が悪い時に動作します。接合部温度(Tj)が約1
50℃に到達すると出力はOFFになります。しかし、接合部温度(Tj)が低下すると、再び出力がONにな
ります。この保護が動作する場合、入力電圧を下げる等して、レギュレータの損失を抑えるか、放熱
を効率よくしてください。
・逆過電流防止
出力電圧があり、入力がゼロ(入力-GND短絡等)になっても、ICには過大な電流は流れません。
・ESD耐圧
容量に電荷をチャージした後、各端子に接続し(対GND 対Vin)破壊しないことを確認します。
MM 200pF 0 200V以上
HBM 100pF 1.5k 2000V以上
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13. Test Circuit
DC
Load Transient
1
Cont
Vout
5
Icont
Vout
2
A
Cin
VEE
Cout
Iout
Cin
1Ｆ
1Ｆ
3
Np
GND
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
Vout
Vcont
V
Vin
1
Cout
Iout
V
Vin
4
GND
4
Vcont
A
Iin
Cnp
Cnp
0.01Ｆ
Line Transient
ON/OFF Transient
1
Vin=Vouttyp-1.5V
↓
Vout
5
1
Cont
2
VEE
Vout
5
Vcont=0→1.5→0
Vout
Vin
2
↑
Vin=Vouttyp-2.5V
Cont
VEE
Cout
Iout
V
Cin
Vcont
Cin
3
Np
GND
V
Vin
Vout
4
3
Cnp
Np
GND
Cout
Iout
4
Cnp
Ripple Rejection
ESR Stability
View point
1
Cont
Vout
VEE
3
Np
Cin
Cout
Vin=Vouttyp-2.0V
GND
Cont
2
VEE
3
Np
Vout
5
Vout
Vcont
Vripple=500mVp-p
2
1
5
Iout
4
ESR
Iout
V
Vin
GND
4
Cout
Cnp
Cnp
External Components
MLCC: Multi layer Ceramic Capacitor
Tantalum: Tantalum Capacitor
Figure 8. Test Circuit
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14. パッケージ
■
外形寸法図
(Unit: mm)
Mark
Lot No.
5
4
1
1.6 0.1
+0.2
R33
xxx
3
0.4 +
 0.1
0.95
0.95
Rev. 0.2
+0.10
0.125 0.05
0 ~0.15
1.1 +
 0.1
 0.2
2.9 +
+0.2
2.8 0.3
- 23 -
0.4 +
 0.2
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