集積回路設計技術・次世代集積回路工学特論
平成２６年度レポート題（松田）
（１）MOSFETの電流・電圧特性（弱反転、中反転、強反転、飽
和特性）について説明せよ。
（２）MOSFETの微細化に伴う特性劣化について説明せよ。ま
た、その特性劣化を改善する方策を検討せよ。
（３）QSモデルにおいて飽和領域における反転層電荷が以下に
なることを示せ。
2
'
VGS  VT 
QI , sat   WLCox
3

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