集積回路設計技術・次世代集積回路工学特論
平成26年度 レポート題 (松田)
(1)MOSFETの電流・電圧特性(弱反転、中反転、強反転、飽
和特性)について説明せよ。
(2)MOSFETの微細化に伴う特性劣化について説明せよ。ま
た、その特性劣化を改善する方策を検討せよ。
(3)QSモデルにおいて飽和領域における反転層電荷が以下に
なることを示せ。
2
'
VGS  VT 
QI , sat   WLCox
3