集積回路設計技術・次世代集積回路工学特論 平成26年度 レポート題 (松田) (1)MOSFETの電流・電圧特性(弱反転、中反転、強反転、飽 和特性)について説明せよ。 (2)MOSFETの微細化に伴う特性劣化について説明せよ。ま た、その特性劣化を改善する方策を検討せよ。 (3)QSモデルにおいて飽和領域における反転層電荷が以下に なることを示せ。 2 ' VGS VT QI , sat WLCox 3
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