プロフェッショナルな半導体デバイスシミュレータ APSYS ® 高度な機能を用いて、 あらゆる半導体デバイスの解析に適用します。 Image Sensor GaN & SiC Power Devices Quamtum Dots TypeⅡ MQW Photo-detectors RTD RTD FINFET QD Solar Cell ell QWIP Quamtum-MOS Nanowire LED HEMT MT GaN nano/RF devices RC LED OLED HBT HB BT Silicon Devices PhC LED 半導体デバイスの開発設計に、 最適なソリューションを提供します。 Software Inc. ワークフロー概要 <主な特徴> APSYSは半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア です。GUIやコマンドラインを通しての柔軟な設計・シミュレーション環境に 加え、多様な物理モデルが組込まれています。ポアソン方程式、電流の連続 方程式、 キャリアエネルギー輸送方程式、光導波路デバイス (導波路光検 出器)のためのスカラー形式の波動方程式を自己無撞着的に解きます。 半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用できます。 量子ドットの計算例(量子ドット単体) 波動の強さ(量子ドット単体) 量子ドット単体は3次元計算 バンド図 <豊富な材料マクロ群> ■ 化合物、シリコン、金属、絶縁体、有機材料、他 ■ 材料の組成や温度依存性を高度な関数形式で記述可能 ■ ユーザーによる材料特性の変更や新材料の作成、追加可能 <多様な物理モデル> ■ ホット・キャリアの流体力学モデル ■ 熱輸送モデル ■ 価電子バンド間の相互作用モデル ■ 熱電子放出モデル ■ 衝突電離モデル ■ Pool-Frenkelモデル ■ 多重モードモデル ■ k.p摂動法 他多数の物理モデルが用意されています。 1. 構造の入力(デバイスモデリング) 2. 構造ファイルの前処理(有限要素 メッシュなどの二次ファイル生成) 3. シミュレーションの実行 4. シミュレーションからの出力ファイルを 解析、結果表示 相対エネルギー密度(@0V) バンド図(@-5V) 相対エネルギー密度(@-5V) p-doping GaAsのMQW層 n-doping contact <優れたインターフェイスや高度な機能> ■ GUIやコマンドラインのどちらからも実行可能 ■ バッチファイルやスクリプト言語による実行を自動化 ■ 構造入力、結果表示のための様々なGUIを標準装備 ■ シミュレーションを独自のスクリプト言語で記述・制御 材料マクロ GaAs系 InP系 窒化物系 シリコン系 金属 有機材料 その他 バンド図(@0V) contact 統合環境SimuCenter(GUIツール)が上 記の作業をサポート また、コマンドラインからの実行やその バッチ処理も可能 構造入力のための「LayerBuilder」、 「Layer3D」、「GeoEditor」や結果表示の ための「CrosslightView」などが標準装備 絶縁体 バンド図・相対エネルギー密度 LayerBuilder SimuCenter 標準で付属の材料マクロ : InGaAlP, InGaAsN, InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, etc. : InP, InGaAlAs, InGaAsP, etc. : GaN, InGaN, AlGaN, GaAlInN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), c-InN(六方晶), etc. : Si, poly, SiC, SiGe, h-Sic(六方晶), a-Si(アモルファス), a-Sic(アモルファス), SiO2, s-SiN(半導体), etc. : metal(汎用), ITO, ZnO, SnO2, Cu, Ag, Nb, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, Pt, NiSi, PtSi, CoSi2, etc. : air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide(酸化), sapphire(サファイア), etc. : BPhen, BCzVBi:CBP(BCzVBiドープCBP), CuPc, LiF, etc. : CdHgTe, HgCdTe, GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc. <APSYSのオプション群> 様々な計算の目的に応じたAPSYS独特のオプション群 ■ FDTD Interface (FDTDインターフェイス) ■ Light Emitting Diode Option (LEDオプション) ■ OLED/Polymer Semiconductors (OLED/ポリマー半導体) ■ Photonic Crystal LED (PhCLED) (フォトニック結晶 LED) ■ Ray Tracing Option (光線追跡オプション) ■ Resonant Cavity LED (RCLED) (共鳴共振器 LED) ■ Waveguide Modes Option (導波路モードオプション) ■ Quantum-MOS Bundle (量子MOSバンドル) <各種デバイスに対応した応用例を用意> バイアス依存等 BJT, diode, MOS, JFET, thyristor, CQW modulator, EAM, ESD, HBT, HEMT, LED, OLED, PhCLED, RCLED, TypeII LED, CCD, nanowire, APD, PD, QWIP, RTD, 各種Solar Cells, 他 主な特性 過渡解析 I-V 出力応答・周波数特性 物理量の空間分布 * パルスに対する応答を直接フーリエ 変換して周波数応答を得ています バンド図(@0V) 光強度分布 入力(電流) 応答出力(光) Ray Tracing L-I gain バンド図(@-1.3V) 周波数特性 * <様々な解析結果を表示> ■ 空間分布 ポテンシャル、 キャリア密度、電場、電流分布、 バンド図(@-2.1V) FFP (all_modes) 入力パルスに対する応答出力 ホームページに様々な計算例を紹介した資料がございます。 <動作環境> ・Windows 8/7/Vista/XP, 32/64bitに対応 Linuxにも対応(オプション) ・CPU:2GHz、 メモリ:2GB、OSを含むインストール空間:60GB以上推奨 ネットワーク上複数のPCで計算可能なネットワークライセンス (オプション) 光モード分布、バンド図, 温度分布, 多重量子井戸の波動関数 ■ バイアス依存 L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化 ■ スペクトル モード利得、 自然放出、屈折率変化 ■ 大信号/小信号解析 など <お問合せ> クロスライトソフトウェアインク日本支社 〒260-0027 千葉市中央区新田町33-1 ベルファースト4F TEL: 043-241-2381 FAX: 043-241-2382 E-mail: [email protected] http://www.crosslight.jp
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