半導体デバイスシミュレータ APSYS

プロフェッショナルな半導体デバイスシミュレータ
APSYS
®
高度な機能を用いて、
あらゆる半導体デバイスの解析に適用します。
Image Sensor
GaN & SiC Power Devices
Quamtum Dots
TypeⅡ MQW Photo-detectors
RTD
RTD
FINFET
QD Solar Cell
ell
QWIP
Quamtum-MOS
Nanowire LED
HEMT
MT
GaN nano/RF devices
RC LED
OLED
HBT
HB
BT
Silicon Devices
PhC LED
半導体デバイスの開発設計に、
最適なソリューションを提供します。
Software Inc.
ワークフロー概要
＜主な特徴＞
APSYSは半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
です。GUIやコマンドラインを通しての柔軟な設計・シミュレーション環境に
加え、多様な物理モデルが組込まれています。ポアソン方程式、電流の連続
方程式、
キャリアエネルギー輸送方程式、光導波路デバイス
（導波路光検
出器）のためのスカラー形式の波動方程式を自己無撞着的に解きます。
半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用できます。
量子ドットの計算例（量子ドット単体）
 波動の強さ（量子ドット単体）
 量子ドット単体は3次元計算
 バンド図
＜豊富な材料マクロ群＞
■ 化合物、シリコン、金属、絶縁体、有機材料、他
■ 材料の組成や温度依存性を高度な関数形式で記述可能
■ ユーザーによる材料特性の変更や新材料の作成、追加可能
＜多様な物理モデル＞
■ ホット・キャリアの流体力学モデル ■ 熱輸送モデル
■ 価電子バンド間の相互作用モデル ■ 熱電子放出モデル
■ 衝突電離モデル ■ Pool-Frenkelモデル
■ 多重モードモデル ■ k.p摂動法
他多数の物理モデルが用意されています。
1. 構造の入力（デバイスモデリング）
2. 構造ファイルの前処理（有限要素
メッシュなどの二次ファイル生成）
3. シミュレーションの実行
4. シミュレーションからの出力ファイルを
解析、結果表示
相対エネルギー密度(@0V)
バンド図(@-5V)
相対エネルギー密度(@-5V)
p-doping
GaAsのMQW層
n-doping
contact
＜優れたインターフェイスや高度な機能＞
■ GUIやコマンドラインのどちらからも実行可能
■ バッチファイルやスクリプト言語による実行を自動化
■ 構造入力、結果表示のための様々なGUIを標準装備
■ シミュレーションを独自のスクリプト言語で記述・制御
材料マクロ
 GaAs系
 InP系
 窒化物系
 シリコン系
 金属
 有機材料
 その他
バンド図(@0V)
contact
統合環境SimuCenter（GUIツール）が上
記の作業をサポート
また、コマンドラインからの実行やその
バッチ処理も可能
構造入力のための「LayerBuilder」、
「Layer3D」、「GeoEditor」や結果表示の
ための「CrosslightView」などが標準装備
 絶縁体
バンド図・相対エネルギー密度
LayerBuilder
SimuCenter
標準で付属の材料マクロ
: InGaAlP, InGaAsN, InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs,
etc.
: InP, InGaAlAs, InGaAsP, etc.
: GaN, InGaN, AlGaN, GaAlInN, c-GaN(六方晶),
c-AlN(六方晶), c-InN(六方晶), etc.
: Si, poly, SiC, SiGe, h-Sic(六方晶), a-Si(アモルファス),
a-Sic(アモルファス), SiO2, s-SiN(半導体), etc.
: metal(汎用), ITO, ZnO, SnO2, Cu, Ag, Nb, Fe, Zn, Cd, Al,
Sn, Pb, Pt, NiSi, PtSi, CoSi2, etc.
: air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide(酸化),
sapphire(サファイア), etc.
: BPhen, BCzVBi:CBP(BCzVBiドープCBP), CuPc, LiF, etc.
: CdHgTe, HgCdTe, GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.
＜APSYSのオプション群＞
様々な計算の目的に応じたAPSYS独特のオプション群
■ FDTD Interface （FDTDインターフェイス）
■ Light Emitting Diode Option （LEDオプション）
■ OLED/Polymer Semiconductors （OLED/ポリマー半導体）
■ Photonic Crystal LED (PhCLED) （フォトニック結晶 LED）
■ Ray Tracing Option （光線追跡オプション）
■ Resonant Cavity LED (RCLED) （共鳴共振器 LED）
■ Waveguide Modes Option （導波路モードオプション）
■ Quantum-MOS Bundle （量子MOSバンドル）
＜各種デバイスに対応した応用例を用意＞
バイアス依存等
BJT, diode, MOS, JFET, thyristor, CQW modulator, EAM, ESD,
HBT, HEMT, LED, OLED, PhCLED, RCLED, TypeII LED, CCD,
nanowire, APD, PD, QWIP, RTD, 各種Solar Cells, 他
主な特性
過渡解析
I-V
出力応答・周波数特性
物理量の空間分布
* パルスに対する応答を直接フーリエ
変換して周波数応答を得ています
バンド図(@0V)
光強度分布
入力（電流）
応答出力（光）
Ray Tracing
L-I
gain
バンド図(@-1.3V)
周波数特性 *
＜様々な解析結果を表示＞
■ 空間分布
ポテンシャル、
キャリア密度、電場、電流分布、
バンド図(@-2.1V)
FFP (all_modes)
入力パルスに対する応答出力
ホームページに様々な計算例を紹介した資料がございます。
＜動作環境＞
・Windows 8/7/Vista/XP, 32/64bitに対応 Linuxにも対応（オプション）
・CPU：2GHz、
メモリ：2GB、OSを含むインストール空間：60GB以上推奨
ネットワーク上複数のPCで計算可能なネットワークライセンス
（オプション）
光モード分布、バンド図, 温度分布,
多重量子井戸の波動関数
■ バイアス依存 L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化
■ スペクトル
モード利得、
自然放出、屈折率変化
■ 大信号/小信号解析など
＜お問合せ＞
クロスライトソフトウェアインク日本支社
〒260-0027 千葉市中央区新田町33-1 ベルファースト4F
TEL: 043-241-2381
FAX: 043-241-2382
E-mail: [email protected] http://www.crosslight.jp

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